JPH04218207A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH04218207A JPH04218207A JP3023035A JP2303591A JPH04218207A JP H04218207 A JPH04218207 A JP H04218207A JP 3023035 A JP3023035 A JP 3023035A JP 2303591 A JP2303591 A JP 2303591A JP H04218207 A JPH04218207 A JP H04218207A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/49—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates
-
- H—ELECTRICITY
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01G4/1245—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates containing also titanates
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば磁器コンデンサ
のような内部電極とセラミックスとを一体焼成してなる
積層型電子部品を得るのに用いられる誘電体磁器組成物
に関する。
のような内部電極とセラミックスとを一体焼成してなる
積層型電子部品を得るのに用いられる誘電体磁器組成物
に関する。
【0002】
【従来の技術】積層コンデンサ等の積層型電子部品では
、内部電極を構成する電極材料と誘電体セラミックスと
を一体焼成して得られた焼結体が用いられている。とこ
ろで積層コンデンサを製作する場合、従来のBaTiO
3 を主成分とする誘電体材料では、1300〜150
0℃の温度で焼成するため、内部電極材料としては、こ
のような焼成温度で溶融しないPd等の貴金属が使用さ
れていた。しかしながら、Pd等の貴金属はコストが非
常に高くつくという問題があり、高容量化を図るために
、内部電極数を増加させた場合には、コストが著しく高
くなり、その削減が求められていた。そこで安価なニッ
ケル等の卑金属を内部電極材料として用いることが試み
られている。しかしながらニッケル等の卑金属から成る
内部電極を用いた場合には、内部電極材料が酸化しやす
いため還元雰囲気中で焼成しなければならず、そのよう
な雰囲気下で焼成すると酸素欠陥が生じ、絶縁抵抗が低
下するという問題があった。このような問題を解決する
ものとして、BaTiO3 −CaZrO3 にMgO
及び希土類酸化物を添加することにより、還元雰囲気下
で焼成しても酸素欠陥が生じ難い非還元性誘電体磁器組
成物が提案されている。(特開昭62−157603号
)。
、内部電極を構成する電極材料と誘電体セラミックスと
を一体焼成して得られた焼結体が用いられている。とこ
ろで積層コンデンサを製作する場合、従来のBaTiO
3 を主成分とする誘電体材料では、1300〜150
0℃の温度で焼成するため、内部電極材料としては、こ
のような焼成温度で溶融しないPd等の貴金属が使用さ
れていた。しかしながら、Pd等の貴金属はコストが非
常に高くつくという問題があり、高容量化を図るために
、内部電極数を増加させた場合には、コストが著しく高
くなり、その削減が求められていた。そこで安価なニッ
ケル等の卑金属を内部電極材料として用いることが試み
られている。しかしながらニッケル等の卑金属から成る
内部電極を用いた場合には、内部電極材料が酸化しやす
いため還元雰囲気中で焼成しなければならず、そのよう
な雰囲気下で焼成すると酸素欠陥が生じ、絶縁抵抗が低
下するという問題があった。このような問題を解決する
ものとして、BaTiO3 −CaZrO3 にMgO
及び希土類酸化物を添加することにより、還元雰囲気下
で焼成しても酸素欠陥が生じ難い非還元性誘電体磁器組
成物が提案されている。(特開昭62−157603号
)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
62−157603号に開示されている誘電体磁器組成
物は、焼結性の点で問題があった。すなわち、1300
℃以上の温度で焼成しなければ、焼結が困難であった。
62−157603号に開示されている誘電体磁器組成
物は、焼結性の点で問題があった。すなわち、1300
℃以上の温度で焼成しなければ、焼結が困難であった。
【0004】本発明の目的は、比較的低温で焼成するこ
とが可能であり、かつ耐湿性の点でも、充分な誘電体磁
器組成物を得ることが可能な非還元性誘電体磁器組成物
を提供することにある。
とが可能であり、かつ耐湿性の点でも、充分な誘電体磁
器組成物を得ることが可能な非還元性誘電体磁器組成物
を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体磁器組成
物は、下記の組成式で表される成分を主成分として含有
する。(1−x−y−z)BaTiO3 +xCaZr
O3 +yMgO+zMnO+tRe2 O3 但し、
式中ReはY,Gd,Dy,Ho,ErまたはYbの少
なくとも1種を示す。また、本発明の非還元性誘電体磁
器組成物は、上記主成分100重量部に対しSiO2
,Li2 OまたはB2 O3 の少なくとも1種から
なる添加剤を0.3〜5.0重量部含有する。
物は、下記の組成式で表される成分を主成分として含有
する。(1−x−y−z)BaTiO3 +xCaZr
O3 +yMgO+zMnO+tRe2 O3 但し、
式中ReはY,Gd,Dy,Ho,ErまたはYbの少
なくとも1種を示す。また、本発明の非還元性誘電体磁
器組成物は、上記主成分100重量部に対しSiO2
,Li2 OまたはB2 O3 の少なくとも1種から
なる添加剤を0.3〜5.0重量部含有する。
【0006】
【作用】上記組成式において、xが0.06以下とされ
ているのはCaZrO3 が6モル%を超えて配合され
ると、−55℃〜+125℃の温度範囲で誘電率の温度
による変化率(以下、誘電率の温度変化率)が±15%
を超えてしまうからである。また、yが0.005〜0
.08の間とされているのは、MgOの配合比がこの範
囲外であると、CR積が1000Ω・F以下に低下し、
絶縁抵抗が不十分となり、積層コンデンサとして使用で
きなくなるからである。また、zが0.005〜0.0
2の範囲とされているのは、MnOの配合比が0.5モ
ル%未満では、−55℃〜+125℃の温度範囲での誘
電率の温度変化率が±15%を超えるからであり、他方
2.0モル%を超えるとCR積が低下するからである。 さらに、tが0.005〜0.02の範囲とされている
のは、Re2 O3 の配合比が0.5モル%より少な
い場合には−55℃〜+125℃の温度範囲における誘
電率の温度変化率が±15%を超えるからであり、2.
0モル%を超えると焼結性が低下し、1250℃以下の
温度で焼結し難くなるからである。本発明において、S
iO2 ,LiO2 またはB2 O3 の少なくとも
1種からなる添加剤を配合しているのは焼結性を高める
ためである。 もっとも、主成分100重量部に対して添加剤の配合比
が0.3重量部未満では、1250℃の温度で焼結しな
くなる。従って、添加剤は、主成分100重量部に対し
、0.3重量部以上配合される必要がある。また、主成
分100重量部に対し添加剤が5.0重量部を超えて添
加された場合には、誘電率εが大幅に低下する。従って
、主成分100重量部に対する添加剤の含有量は5.0
重量部が上限となる。本発明では、上述した特定の主成
分100重量部に対し、上記特定の添加剤が0.3〜5
.0重量部配合されているので、1250℃以下の温度
で焼成することが可能とされており、かつ後述の実施例
から明らかなように、誘電率の温度変化率が小さくされ
ており、かつ充分な大きさのCR積を示す誘電体磁器が
得られる。
ているのはCaZrO3 が6モル%を超えて配合され
ると、−55℃〜+125℃の温度範囲で誘電率の温度
による変化率(以下、誘電率の温度変化率)が±15%
を超えてしまうからである。また、yが0.005〜0
.08の間とされているのは、MgOの配合比がこの範
囲外であると、CR積が1000Ω・F以下に低下し、
絶縁抵抗が不十分となり、積層コンデンサとして使用で
きなくなるからである。また、zが0.005〜0.0
2の範囲とされているのは、MnOの配合比が0.5モ
ル%未満では、−55℃〜+125℃の温度範囲での誘
電率の温度変化率が±15%を超えるからであり、他方
2.0モル%を超えるとCR積が低下するからである。 さらに、tが0.005〜0.02の範囲とされている
のは、Re2 O3 の配合比が0.5モル%より少な
い場合には−55℃〜+125℃の温度範囲における誘
電率の温度変化率が±15%を超えるからであり、2.
0モル%を超えると焼結性が低下し、1250℃以下の
温度で焼結し難くなるからである。本発明において、S
iO2 ,LiO2 またはB2 O3 の少なくとも
1種からなる添加剤を配合しているのは焼結性を高める
ためである。 もっとも、主成分100重量部に対して添加剤の配合比
が0.3重量部未満では、1250℃の温度で焼結しな
くなる。従って、添加剤は、主成分100重量部に対し
、0.3重量部以上配合される必要がある。また、主成
分100重量部に対し添加剤が5.0重量部を超えて添
加された場合には、誘電率εが大幅に低下する。従って
、主成分100重量部に対する添加剤の含有量は5.0
重量部が上限となる。本発明では、上述した特定の主成
分100重量部に対し、上記特定の添加剤が0.3〜5
.0重量部配合されているので、1250℃以下の温度
で焼成することが可能とされており、かつ後述の実施例
から明らかなように、誘電率の温度変化率が小さくされ
ており、かつ充分な大きさのCR積を示す誘電体磁器が
得られる。
【0007】
【実施例の説明】以下、本発明の非限定的な実施例につ
き説明する。まず、BaTiO3 、CaZrO3 、
MgCO3 、MnCO3 及び希土類酸化物を、表1
,2の各組成に基づいて秤量し、かつ表3,4に示す添
加剤を表3,4中の割合で秤量し、試料番号1〜38の
各出発原料を得た。上記のようにして用意した試料番号
1〜38の出発原料に対して、水系酢酸ビニルバインダ
5重量%を添加し、16時間の間、湿式混合した。上記
混合により得られたセラミックス・スラリーを、150
℃の温度で乾燥し、しかる後60メッシュで整粒した。 次に、整粒されたセラミックス粒子を2t/cm2 の
圧力をかけて成形し、10mm径の円盤状ディスクを作
製した。得られた円盤状のディスクを300℃及び空気
雰囲気中で2時間仮焼してバインダを除去した後、N2
/H2 /H2 O雰囲気中で表1,2に示す各焼成
温度で2時間焼成した。得られた各試料番号の焼結体の
両主面に、In−Ga合金を塗布・乾燥して、測定用電
極とした。
き説明する。まず、BaTiO3 、CaZrO3 、
MgCO3 、MnCO3 及び希土類酸化物を、表1
,2の各組成に基づいて秤量し、かつ表3,4に示す添
加剤を表3,4中の割合で秤量し、試料番号1〜38の
各出発原料を得た。上記のようにして用意した試料番号
1〜38の出発原料に対して、水系酢酸ビニルバインダ
5重量%を添加し、16時間の間、湿式混合した。上記
混合により得られたセラミックス・スラリーを、150
℃の温度で乾燥し、しかる後60メッシュで整粒した。 次に、整粒されたセラミックス粒子を2t/cm2 の
圧力をかけて成形し、10mm径の円盤状ディスクを作
製した。得られた円盤状のディスクを300℃及び空気
雰囲気中で2時間仮焼してバインダを除去した後、N2
/H2 /H2 O雰囲気中で表1,2に示す各焼成
温度で2時間焼成した。得られた各試料番号の焼結体の
両主面に、In−Ga合金を塗布・乾燥して、測定用電
極とした。
【0008】上記の測定用電極が形成されたセラミック
焼結体について、誘電率ε、tanδ、誘電率の温度変
化率Tc及び絶縁抵抗IRを測定した。測定条件は、以
下のとおりである。 誘電率ε…25℃、交流1.0Vrms 、1.0KH
zの電流を通電して行った。 tanδ…25℃、交流1.0Vrms 、1.0KH
zの電流を通電して行った。 誘電率の温度変化率Tc…−55℃〜+125℃の範囲
で測定。交流1.0Vrms 、1.0KHzの電流を
通電して行った。絶縁抵抗IR…50Vの電流を流して
、2分経過した後の値。測定結果を、後述の表5,6に
示す。また、CR積についても表5,6に併せて示す。
焼結体について、誘電率ε、tanδ、誘電率の温度変
化率Tc及び絶縁抵抗IRを測定した。測定条件は、以
下のとおりである。 誘電率ε…25℃、交流1.0Vrms 、1.0KH
zの電流を通電して行った。 tanδ…25℃、交流1.0Vrms 、1.0KH
zの電流を通電して行った。 誘電率の温度変化率Tc…−55℃〜+125℃の範囲
で測定。交流1.0Vrms 、1.0KHzの電流を
通電して行った。絶縁抵抗IR…50Vの電流を流して
、2分経過した後の値。測定結果を、後述の表5,6に
示す。また、CR積についても表5,6に併せて示す。
【0009】
【表1】
【0010】
【表2】
【0011】
【表3】
【0012】
【表4】
【0013】但し、表3及び表4における添加剤の組成
A〜Cは、以下の通りである。 組成A;SiO2 が100重量% 組成B;B2 O3 …20重量部,BaO…40重量
部,SiO2 …30重量部,Li2 O…10重量部
。 組成C;SiO2 …50重量部,Li2 O…20重
量部,BaO…10重量部,CaO…10重量部,Sr
O…10重量部。
A〜Cは、以下の通りである。 組成A;SiO2 が100重量% 組成B;B2 O3 …20重量部,BaO…40重量
部,SiO2 …30重量部,Li2 O…10重量部
。 組成C;SiO2 …50重量部,Li2 O…20重
量部,BaO…10重量部,CaO…10重量部,Sr
O…10重量部。
【0014】
【表5】
【0015】
【表6】
【0016】表5,6から明らかなように、試料番号2
の焼結体では、主成分中のCaZrO3 の配合比が本
発明の範囲外であるため、誘電率の温度変化率Tcが非
常に大きいことが分かる。また、試料番号6の焼結体で
は、添加剤が添加されていないため、1300℃でも焼
結が不十分であり、上記各測定を行い得なかった。試料
番号9の焼結体では、添加剤の含有量が6.0重量%と
高いためか、誘電率εが2100と低く、かつCR積も
低いことが分かる。試料番号15の焼結体では、主成分
中のMgO配合比が9.0モル%と高く、そのためCR
積が800ΩFと低いことが分かる。また、試料番号1
6の焼結体では、MgOが主成分中に含有されていない
ため、CR積が500ΩFと、さらに低下していること
が分かる。試料番号18の焼結体では、希土類酸化物の
主成分中の配合比が2.5モル%と高く、1300℃で
も充分に焼結しなかった。試料番号20の焼結体では、
希土類酸化物が含有されていないため、誘電率の温度変
化率Tcが125℃で−15.5%ΔCとかなり大きか
った。また、試料番号23の焼結体では、主成分中のM
nOの含有比が2.5モル%と高く、CR積も800Ω
Fと低下していることが分かる。試料番号25の焼結体
では、MnOが含有されていないため、−55℃におけ
る誘電率の温度変化率が−16.2%ΔCと大きいこと
が分かる。また、試料番号26及び27の焼結体では、
希土類酸化物が、Ce2 O3 及びSn2 O3 で
あるため、いずれも誘電率の温度変化率が非常に大きい
ことが分かる。また、試料番号27の焼結体では、CR
積も700ΩFとかなり低下していることが分かる。こ
れらに対して、本発明の範囲内に入る残りの試料番号の
焼結体は、いずれも、誘電率が比較的高く、tanδも
0.9以下と低く、絶縁抵抗を示すCR積も1100以
上と高く、かつ誘電率の温度変化率も±15%未満とな
っていることが分かる。すなわち、本発明の範囲内に入
る試料番号の焼結体では、いずれも優れた誘電特性を示
していることが分かる。
の焼結体では、主成分中のCaZrO3 の配合比が本
発明の範囲外であるため、誘電率の温度変化率Tcが非
常に大きいことが分かる。また、試料番号6の焼結体で
は、添加剤が添加されていないため、1300℃でも焼
結が不十分であり、上記各測定を行い得なかった。試料
番号9の焼結体では、添加剤の含有量が6.0重量%と
高いためか、誘電率εが2100と低く、かつCR積も
低いことが分かる。試料番号15の焼結体では、主成分
中のMgO配合比が9.0モル%と高く、そのためCR
積が800ΩFと低いことが分かる。また、試料番号1
6の焼結体では、MgOが主成分中に含有されていない
ため、CR積が500ΩFと、さらに低下していること
が分かる。試料番号18の焼結体では、希土類酸化物の
主成分中の配合比が2.5モル%と高く、1300℃で
も充分に焼結しなかった。試料番号20の焼結体では、
希土類酸化物が含有されていないため、誘電率の温度変
化率Tcが125℃で−15.5%ΔCとかなり大きか
った。また、試料番号23の焼結体では、主成分中のM
nOの含有比が2.5モル%と高く、CR積も800Ω
Fと低下していることが分かる。試料番号25の焼結体
では、MnOが含有されていないため、−55℃におけ
る誘電率の温度変化率が−16.2%ΔCと大きいこと
が分かる。また、試料番号26及び27の焼結体では、
希土類酸化物が、Ce2 O3 及びSn2 O3 で
あるため、いずれも誘電率の温度変化率が非常に大きい
ことが分かる。また、試料番号27の焼結体では、CR
積も700ΩFとかなり低下していることが分かる。こ
れらに対して、本発明の範囲内に入る残りの試料番号の
焼結体は、いずれも、誘電率が比較的高く、tanδも
0.9以下と低く、絶縁抵抗を示すCR積も1100以
上と高く、かつ誘電率の温度変化率も±15%未満とな
っていることが分かる。すなわち、本発明の範囲内に入
る試料番号の焼結体では、いずれも優れた誘電特性を示
していることが分かる。
【0017】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、上記特
定の組成の主成分100重量部に対し、上記特定の添加
剤が0.3〜5.0重量部含有されているため、125
0℃の温度で焼成することができ、かつ十分な誘電特性
を示す誘電体磁器を提供することが可能となる。従って
、本発明の誘電体磁器組成物を用いれば、Niのような
卑金属を内部電極材料として用いることができ、それに
よって安価な積層コンデンサを提供することが可能とな
る。
定の組成の主成分100重量部に対し、上記特定の添加
剤が0.3〜5.0重量部含有されているため、125
0℃の温度で焼成することができ、かつ十分な誘電特性
を示す誘電体磁器を提供することが可能となる。従って
、本発明の誘電体磁器組成物を用いれば、Niのような
卑金属を内部電極材料として用いることができ、それに
よって安価な積層コンデンサを提供することが可能とな
る。
Claims (1)
- 【請求項1】 組成式が、(1−x−y−z)BaT
iO3 +xCaZrO3 +yMgO+zMnO+t
Re2 O3 (式中、ReはY,Gd,Dy,Ho,Erまたは
Ybの少なくとも1種を示す)で示される主成分100
重量部に対して、SiO2 ,Li2OまたはB2 O
3 の少なくとも1種類からなる添加剤を0.3〜5.
0重量部含むことを特徴とする誘電体磁器組成物。
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|---|---|---|---|
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| JP29616590 | 1990-10-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JPH0779004B2 JPH0779004B2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
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Family Applications (1)
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