JPH04218207A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents

誘電体磁器組成物

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JPH04218207A
JPH04218207A JP3023035A JP2303591A JPH04218207A JP H04218207 A JPH04218207 A JP H04218207A JP 3023035 A JP3023035 A JP 3023035A JP 2303591 A JP2303591 A JP 2303591A JP H04218207 A JPH04218207 A JP H04218207A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば磁器コンデンサ
のような内部電極とセラミックスとを一体焼成してなる
積層型電子部品を得るのに用いられる誘電体磁器組成物
に関する。
【0002】
【従来の技術】積層コンデンサ等の積層型電子部品では
、内部電極を構成する電極材料と誘電体セラミックスと
を一体焼成して得られた焼結体が用いられている。とこ
ろで積層コンデンサを製作する場合、従来のBaTiO
3 を主成分とする誘電体材料では、1300〜150
0℃の温度で焼成するため、内部電極材料としては、こ
のような焼成温度で溶融しないPd等の貴金属が使用さ
れていた。しかしながら、Pd等の貴金属はコストが非
常に高くつくという問題があり、高容量化を図るために
、内部電極数を増加させた場合には、コストが著しく高
くなり、その削減が求められていた。そこで安価なニッ
ケル等の卑金属を内部電極材料として用いることが試み
られている。しかしながらニッケル等の卑金属から成る
内部電極を用いた場合には、内部電極材料が酸化しやす
いため還元雰囲気中で焼成しなければならず、そのよう
な雰囲気下で焼成すると酸素欠陥が生じ、絶縁抵抗が低
下するという問題があった。このような問題を解決する
ものとして、BaTiO3 −CaZrO3 にMgO
及び希土類酸化物を添加することにより、還元雰囲気下
で焼成しても酸素欠陥が生じ難い非還元性誘電体磁器組
成物が提案されている。(特開昭62−157603号
)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
62−157603号に開示されている誘電体磁器組成
物は、焼結性の点で問題があった。すなわち、1300
℃以上の温度で焼成しなければ、焼結が困難であった。
【0004】本発明の目的は、比較的低温で焼成するこ
とが可能であり、かつ耐湿性の点でも、充分な誘電体磁
器組成物を得ることが可能な非還元性誘電体磁器組成物
を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体磁器組成
物は、下記の組成式で表される成分を主成分として含有
する。(1−x−y−z)BaTiO3 +xCaZr
O3 +yMgO+zMnO+tRe2 O3 但し、
式中ReはY,Gd,Dy,Ho,ErまたはYbの少
なくとも1種を示す。また、本発明の非還元性誘電体磁
器組成物は、上記主成分100重量部に対しSiO2 
,Li2 OまたはB2 O3 の少なくとも1種から
なる添加剤を0.3〜5.0重量部含有する。
【0006】
【作用】上記組成式において、xが0.06以下とされ
ているのはCaZrO3 が6モル%を超えて配合され
ると、−55℃〜+125℃の温度範囲で誘電率の温度
による変化率(以下、誘電率の温度変化率)が±15%
を超えてしまうからである。また、yが0.005〜0
.08の間とされているのは、MgOの配合比がこの範
囲外であると、CR積が1000Ω・F以下に低下し、
絶縁抵抗が不十分となり、積層コンデンサとして使用で
きなくなるからである。また、zが0.005〜0.0
2の範囲とされているのは、MnOの配合比が0.5モ
ル%未満では、−55℃〜+125℃の温度範囲での誘
電率の温度変化率が±15%を超えるからであり、他方
2.0モル%を超えるとCR積が低下するからである。 さらに、tが0.005〜0.02の範囲とされている
のは、Re2 O3 の配合比が0.5モル%より少な
い場合には−55℃〜+125℃の温度範囲における誘
電率の温度変化率が±15%を超えるからであり、2.
0モル%を超えると焼結性が低下し、1250℃以下の
温度で焼結し難くなるからである。本発明において、S
iO2 ,LiO2 またはB2 O3 の少なくとも
1種からなる添加剤を配合しているのは焼結性を高める
ためである。 もっとも、主成分100重量部に対して添加剤の配合比
が0.3重量部未満では、1250℃の温度で焼結しな
くなる。従って、添加剤は、主成分100重量部に対し
、0.3重量部以上配合される必要がある。また、主成
分100重量部に対し添加剤が5.0重量部を超えて添
加された場合には、誘電率εが大幅に低下する。従って
、主成分100重量部に対する添加剤の含有量は5.0
重量部が上限となる。本発明では、上述した特定の主成
分100重量部に対し、上記特定の添加剤が0.3〜5
.0重量部配合されているので、1250℃以下の温度
で焼成することが可能とされており、かつ後述の実施例
から明らかなように、誘電率の温度変化率が小さくされ
ており、かつ充分な大きさのCR積を示す誘電体磁器が
得られる。
【0007】
【実施例の説明】以下、本発明の非限定的な実施例につ
き説明する。まず、BaTiO3 、CaZrO3 、
MgCO3 、MnCO3 及び希土類酸化物を、表1
,2の各組成に基づいて秤量し、かつ表3,4に示す添
加剤を表3,4中の割合で秤量し、試料番号1〜38の
各出発原料を得た。上記のようにして用意した試料番号
1〜38の出発原料に対して、水系酢酸ビニルバインダ
5重量%を添加し、16時間の間、湿式混合した。上記
混合により得られたセラミックス・スラリーを、150
℃の温度で乾燥し、しかる後60メッシュで整粒した。 次に、整粒されたセラミックス粒子を2t/cm2 の
圧力をかけて成形し、10mm径の円盤状ディスクを作
製した。得られた円盤状のディスクを300℃及び空気
雰囲気中で2時間仮焼してバインダを除去した後、N2
 /H2 /H2 O雰囲気中で表1,2に示す各焼成
温度で2時間焼成した。得られた各試料番号の焼結体の
両主面に、In−Ga合金を塗布・乾燥して、測定用電
極とした。
【0008】上記の測定用電極が形成されたセラミック
焼結体について、誘電率ε、tanδ、誘電率の温度変
化率Tc及び絶縁抵抗IRを測定した。測定条件は、以
下のとおりである。 誘電率ε…25℃、交流1.0Vrms 、1.0KH
zの電流を通電して行った。 tanδ…25℃、交流1.0Vrms 、1.0KH
zの電流を通電して行った。 誘電率の温度変化率Tc…−55℃〜+125℃の範囲
で測定。交流1.0Vrms 、1.0KHzの電流を
通電して行った。絶縁抵抗IR…50Vの電流を流して
、2分経過した後の値。測定結果を、後述の表5,6に
示す。また、CR積についても表5,6に併せて示す。
【0009】
【表1】
【0010】
【表2】
【0011】
【表3】
【0012】
【表4】
【0013】但し、表3及び表4における添加剤の組成
A〜Cは、以下の通りである。 組成A;SiO2 が100重量% 組成B;B2 O3 …20重量部,BaO…40重量
部,SiO2 …30重量部,Li2 O…10重量部
。 組成C;SiO2 …50重量部,Li2 O…20重
量部,BaO…10重量部,CaO…10重量部,Sr
O…10重量部。
【0014】
【表5】
【0015】
【表6】
【0016】表5,6から明らかなように、試料番号2
の焼結体では、主成分中のCaZrO3 の配合比が本
発明の範囲外であるため、誘電率の温度変化率Tcが非
常に大きいことが分かる。また、試料番号6の焼結体で
は、添加剤が添加されていないため、1300℃でも焼
結が不十分であり、上記各測定を行い得なかった。試料
番号9の焼結体では、添加剤の含有量が6.0重量%と
高いためか、誘電率εが2100と低く、かつCR積も
低いことが分かる。試料番号15の焼結体では、主成分
中のMgO配合比が9.0モル%と高く、そのためCR
積が800ΩFと低いことが分かる。また、試料番号1
6の焼結体では、MgOが主成分中に含有されていない
ため、CR積が500ΩFと、さらに低下していること
が分かる。試料番号18の焼結体では、希土類酸化物の
主成分中の配合比が2.5モル%と高く、1300℃で
も充分に焼結しなかった。試料番号20の焼結体では、
希土類酸化物が含有されていないため、誘電率の温度変
化率Tcが125℃で−15.5%ΔCとかなり大きか
った。また、試料番号23の焼結体では、主成分中のM
nOの含有比が2.5モル%と高く、CR積も800Ω
Fと低下していることが分かる。試料番号25の焼結体
では、MnOが含有されていないため、−55℃におけ
る誘電率の温度変化率が−16.2%ΔCと大きいこと
が分かる。また、試料番号26及び27の焼結体では、
希土類酸化物が、Ce2 O3 及びSn2 O3 で
あるため、いずれも誘電率の温度変化率が非常に大きい
ことが分かる。また、試料番号27の焼結体では、CR
積も700ΩFとかなり低下していることが分かる。こ
れらに対して、本発明の範囲内に入る残りの試料番号の
焼結体は、いずれも、誘電率が比較的高く、tanδも
0.9以下と低く、絶縁抵抗を示すCR積も1100以
上と高く、かつ誘電率の温度変化率も±15%未満とな
っていることが分かる。すなわち、本発明の範囲内に入
る試料番号の焼結体では、いずれも優れた誘電特性を示
していることが分かる。
【0017】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、上記特
定の組成の主成分100重量部に対し、上記特定の添加
剤が0.3〜5.0重量部含有されているため、125
0℃の温度で焼成することができ、かつ十分な誘電特性
を示す誘電体磁器を提供することが可能となる。従って
、本発明の誘電体磁器組成物を用いれば、Niのような
卑金属を内部電極材料として用いることができ、それに
よって安価な積層コンデンサを提供することが可能とな
る。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  組成式が、(1−x−y−z)BaT
    iO3 +xCaZrO3 +yMgO+zMnO+t
    Re2 O3    (式中、ReはY,Gd,Dy,Ho,Erまたは
    Ybの少なくとも1種を示す)で示される主成分100
    重量部に対して、SiO2 ,Li2OまたはB2 O
    3 の少なくとも1種類からなる添加剤を0.3〜5.
    0重量部含むことを特徴とする誘電体磁器組成物。
JP3023035A 1990-10-31 1991-02-18 誘電体磁器組成物 Expired - Lifetime JPH0779004B2 (ja)

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