JPH0570295A - 単結晶炭化珪素の形成方法 - Google Patents
単結晶炭化珪素の形成方法Info
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- JPH0570295A JPH0570295A JP3089994A JP8999491A JPH0570295A JP H0570295 A JPH0570295 A JP H0570295A JP 3089994 A JP3089994 A JP 3089994A JP 8999491 A JP8999491 A JP 8999491A JP H0570295 A JPH0570295 A JP H0570295A
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Landscapes
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は結晶性の良い単結晶炭化珪素を形成
できる形成方法を提供する。 【構成】 本発明方法は、塩化珪素又は水素化珪素と、
塩化炭素又は炭化水素とが原料ガスとして用い、基板２
上に単結晶炭化珪素を形成する方法において、前記基板
２表面に紫外レーザ光を照射し原料ガス成分の表面反応
を生起しつつ単結晶炭化珪素を成長させるようにしたも
のである。これにより、結晶性が良い単結晶炭化珪素を
安価に形成できる。
できる形成方法を提供する。 【構成】 本発明方法は、塩化珪素又は水素化珪素と、
塩化炭素又は炭化水素とが原料ガスとして用い、基板２
上に単結晶炭化珪素を形成する方法において、前記基板
２表面に紫外レーザ光を照射し原料ガス成分の表面反応
を生起しつつ単結晶炭化珪素を成長させるようにしたも
のである。これにより、結晶性が良い単結晶炭化珪素を
安価に形成できる。
Description
［発明の目的］
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、単結晶炭化珪素の形成
方法に関し、より詳しくは比較的低い温度条件の基に結
晶性の良い単結晶炭化珪素を得ることができる形成方法
に関する。
方法に関し、より詳しくは比較的低い温度条件の基に結
晶性の良い単結晶炭化珪素を得ることができる形成方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】青色発光ダイオードや耐環境半導体素子
の技術分野においては、結晶性の良好な炭化珪素が有望
視されている。これは、炭化珪素が大きなバンドギャッ
プを有し、ｐｎ両伝導型が容易に得られることによる。
の技術分野においては、結晶性の良好な炭化珪素が有望
視されている。これは、炭化珪素が大きなバンドギャッ
プを有し、ｐｎ両伝導型が容易に得られることによる。
【０００３】このような用途に用いる炭化珪素膜を得る
方法としては、炭化珪素単結晶の基板上への１４００℃
以上の温度での液相成長法、もしくは１３００℃以上の
温度での気相成長法が通常用いられている。最近ではシ
リコン単結晶上への低温ヘテロエピタキシャル成長が試
みられ、気相成長法により１２００℃程度の温度でも単
結晶炭化珪素膜が得られているが、１２００℃以下の温
度では欠陥を多く含む膜もしくは多結晶膜となってしま
う。従って、良質の単結晶炭化珪素膜を得るためには、
何れの成長方法を用いても１２００℃以上の高温プロセ
スが必要である。
方法としては、炭化珪素単結晶の基板上への１４００℃
以上の温度での液相成長法、もしくは１３００℃以上の
温度での気相成長法が通常用いられている。最近ではシ
リコン単結晶上への低温ヘテロエピタキシャル成長が試
みられ、気相成長法により１２００℃程度の温度でも単
結晶炭化珪素膜が得られているが、１２００℃以下の温
度では欠陥を多く含む膜もしくは多結晶膜となってしま
う。従って、良質の単結晶炭化珪素膜を得るためには、
何れの成長方法を用いても１２００℃以上の高温プロセ
スが必要である。
【０００４】しかしながら、高温プロセスでは、以下の
ような問題がある。即ち、シリコンの融点が１４１０℃
であることから、１４００℃以上の高温プロセスでは、
シリコン基板を使用することができない。また、１２０
０℃以上の高温プロセスでは、Ｐ型，ｎ型両不純物の熱
による相互拡散のため、界面の接合劣化が生じ、急峻な
ドーピングプロファイル（段階接合）が得難い。さら
に、高温プロセス用の複雑、かつ、高価な成長装置が必
要で、製造コストの高騰を招く。
ような問題がある。即ち、シリコンの融点が１４１０℃
であることから、１４００℃以上の高温プロセスでは、
シリコン基板を使用することができない。また、１２０
０℃以上の高温プロセスでは、Ｐ型，ｎ型両不純物の熱
による相互拡散のため、界面の接合劣化が生じ、急峻な
ドーピングプロファイル（段階接合）が得難い。さら
に、高温プロセス用の複雑、かつ、高価な成長装置が必
要で、製造コストの高騰を招く。
【０００５】また、高価かつ小面積の炭化珪素単結晶基
板を使用する場合でも、製造コストが高くなる。
板を使用する場合でも、製造コストが高くなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来方
法では基板の材料制限や、製品の特性の点で問題があ
り、さらに製造コストも高くなるという欠点を具備して
いる。
法では基板の材料制限や、製品の特性の点で問題があ
り、さらに製造コストも高くなるという欠点を具備して
いる。
【０００７】そこで、本発明は、安い製造コストで特性
の良好な単結晶炭化珪素を製造し得る形成方法を提供す
ることを目的とするものである。
の良好な単結晶炭化珪素を製造し得る形成方法を提供す
ることを目的とするものである。
【０００８】［発明の構成］
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、塩化珪素又は
水素化珪素と、塩化炭素又は炭化水素とを原料ガスとし
て用い、基板上に単結晶炭化珪素を形成する方法におい
て、前記基板表面に紫外レーザ光を照射し原料ガス成分
の表面反応を生起しつつ単結晶炭化珪素を成長させるよ
うにしたものである。
水素化珪素と、塩化炭素又は炭化水素とを原料ガスとし
て用い、基板上に単結晶炭化珪素を形成する方法におい
て、前記基板表面に紫外レーザ光を照射し原料ガス成分
の表面反応を生起しつつ単結晶炭化珪素を成長させるよ
うにしたものである。
【００１０】前記紫外レーザ光の１パルス当りのエネル
ギー密度は基板表面において０．１乃至５００ｍＪ／ｃ
ｍ2 に設定し、前記原料ガスの反応圧力は１×１０-3Ｔ
ｏｒｒから常圧の範囲に設定する。
ギー密度は基板表面において０．１乃至５００ｍＪ／ｃ
ｍ2 に設定し、前記原料ガスの反応圧力は１×１０-3Ｔ
ｏｒｒから常圧の範囲に設定する。
【００１１】
【作用】本発明方法によれば、基板表面に紫外レーザ光
を照射し、原料ガスである塩化珪素又は水素化珪素と、
塩化炭素又は炭化水素との表面反応を生起しつつ単結晶
炭化珪素を成長させるものであるから、比較的低温にお
いても紫外レーザ光照射による光誘起脱離や成長表面の
活性化が促進され良質な炭化珪素の単結晶を得ることが
できる。
を照射し、原料ガスである塩化珪素又は水素化珪素と、
塩化炭素又は炭化水素との表面反応を生起しつつ単結晶
炭化珪素を成長させるものであるから、比較的低温にお
いても紫外レーザ光照射による光誘起脱離や成長表面の
活性化が促進され良質な炭化珪素の単結晶を得ることが
できる。
【００１２】紫外レーザ光のエネルギー密度、反応圧力
を上述した値とすることにより、炭化珪素の結晶性が良
好となる。
を上述した値とすることにより、炭化珪素の結晶性が良
好となる。
【００１３】
【実施例】以下の本発明の実施例方法について説明す
る。
る。
【００１４】図１は、実施例方法に用いられる単結晶炭
化珪素成長装置（以下「成長装置」という。）１０を示
すものである。
化珪素成長装置（以下「成長装置」という。）１０を示
すものである。
【００１５】この成長装置１０は、単結晶炭化珪素１１
を成長させる反応容器１、基板２を保持するためのサセ
プタ３、基板２及びサセプタ３を加熱する基板加熱機構
４、紫外レーザ光５を導入するための合成石英製の光導
入窓６及びガス流量制御部（マスフローコントローラ）
７，８，９を具備している。
を成長させる反応容器１、基板２を保持するためのサセ
プタ３、基板２及びサセプタ３を加熱する基板加熱機構
４、紫外レーザ光５を導入するための合成石英製の光導
入窓６及びガス流量制御部（マスフローコントローラ）
７，８，９を具備している。
【００１６】原料ガスとはしては１００％Ｓｉ2 Ｈ6 ガ
ス，１００％Ｃ2 Ｈ2 ガス，キャリアガスとしては水素
を使用した。基板１０としてシリコン単結晶（１００）
面を使用した。基板１０の前処理としてＲＣＡ洗浄を行
った後、ただちにサセプタ３上に載置し、１．０×１０
-8Ｔｏｒｒまで真空排気した。
ス，１００％Ｃ2 Ｈ2 ガス，キャリアガスとしては水素
を使用した。基板１０としてシリコン単結晶（１００）
面を使用した。基板１０の前処理としてＲＣＡ洗浄を行
った後、ただちにサセプタ３上に載置し、１．０×１０
-8Ｔｏｒｒまで真空排気した。
【００１７】次に、前記ガス流量制御部７を操作し、１
００ｓｃｃｍ（スタンダード・ｃｃ・分）の水素を反応
容器１内に導入し、排気速度を調整することにより、反
応容器１内の圧力を１．０Ｔｏｒｒに保持しながら、基
板２の温度を１０００℃まで昇温し、５分間加熱した。
その後基板２の温度を９００℃まで降温し、合成石英製
の光導入窓６を通して紫外レーザ光であるＡｒＦエキシ
マレーザ光（波長１９３ｎｍ、繰り返し周波数１００Ｈ
ｚ、１パルス当りのエネルギー密度１０ｍＪ／ｃｍ2 ）
５を基板２に照射しながら、水素１００ｓｃｃｍ，Ｃ2
Ｈ2 ２ｓｃｃｍ，Ｓｉ2 Ｈ6 ２ｓｃｃｍを反応容器１内
に導入し、反応圧力を１．０Ｔｏｒｒで６０分間成長を
行った。その結果、膜厚１．５μｍの炭化珪素層を基板
２全体に亘り均一に鏡面成長させることができた。この
薄膜は電子線回析により良質の３Ｃ型の単結晶炭化珪素
１１であることが同定できた。
００ｓｃｃｍ（スタンダード・ｃｃ・分）の水素を反応
容器１内に導入し、排気速度を調整することにより、反
応容器１内の圧力を１．０Ｔｏｒｒに保持しながら、基
板２の温度を１０００℃まで昇温し、５分間加熱した。
その後基板２の温度を９００℃まで降温し、合成石英製
の光導入窓６を通して紫外レーザ光であるＡｒＦエキシ
マレーザ光（波長１９３ｎｍ、繰り返し周波数１００Ｈ
ｚ、１パルス当りのエネルギー密度１０ｍＪ／ｃｍ2 ）
５を基板２に照射しながら、水素１００ｓｃｃｍ，Ｃ2
Ｈ2 ２ｓｃｃｍ，Ｓｉ2 Ｈ6 ２ｓｃｃｍを反応容器１内
に導入し、反応圧力を１．０Ｔｏｒｒで６０分間成長を
行った。その結果、膜厚１．５μｍの炭化珪素層を基板
２全体に亘り均一に鏡面成長させることができた。この
薄膜は電子線回析により良質の３Ｃ型の単結晶炭化珪素
１１であることが同定できた。
【００１８】即ち、電子線回析により、３Ｃ型の単結晶
炭化珪素１１であることを示す明瞭なスポット状のパタ
ーンを確認できた。
炭化珪素１１であることを示す明瞭なスポット状のパタ
ーンを確認できた。
【００１９】尚、ＡｒＦエキシマレーザ光５を照射しな
い場合には膜厚１．３μｍの多結晶膜が成長した。
い場合には膜厚１．３μｍの多結晶膜が成長した。
【００２０】即ち、この場合の電子線回析により、多結
晶を示すリング状パターンを確認できた。
晶を示すリング状パターンを確認できた。
【００２１】このことから、上述したＡｒＦエキシマレ
ーザ光５の照射により、原料ガス成分の表面反応が生起
し、９００℃という比較的低温でも単結晶炭化珪素１１
を成長させることが判明した。
ーザ光５の照射により、原料ガス成分の表面反応が生起
し、９００℃という比較的低温でも単結晶炭化珪素１１
を成長させることが判明した。
【００２２】上述したＡｒＦエキシマレーザ光照射によ
り得られた単結晶炭化珪素１１の表面及び断面の組織を
図４，図５に、ＡｒＦエキシマレーザ光を照射しない場
合の多結晶膜の表面及び断面の組織を図６，図７に各々
示す。
り得られた単結晶炭化珪素１１の表面及び断面の組織を
図４，図５に、ＡｒＦエキシマレーザ光を照射しない場
合の多結晶膜の表面及び断面の組織を図６，図７に各々
示す。
【００２３】ここで、成長温度と結晶性との関係につい
て考察する。１３００℃程度の高温においてはシリコン
原子の隣にシリコン原子が吸着しても脱離し易いのに対
し、炭素原子は脱離し離いためシリコン原子の隣には必
ず炭素原子が吸着し、炭素珪素の結晶ネットワークに組
み込まれる。炭素原子の隣に関しても同様なことが起っ
ている。
て考察する。１３００℃程度の高温においてはシリコン
原子の隣にシリコン原子が吸着しても脱離し易いのに対
し、炭素原子は脱離し離いためシリコン原子の隣には必
ず炭素原子が吸着し、炭素珪素の結晶ネットワークに組
み込まれる。炭素原子の隣に関しても同様なことが起っ
ている。
【００２４】一方、１０００℃以下の低温においては、
シリコン原子の隣にシリコン原子と炭素原子のどちらも
が吸着できるため、膜中にシリコン結晶やグラファイト
などが析出し、化学量論組成のずれや結晶性の低下が起
る。
シリコン原子の隣にシリコン原子と炭素原子のどちらも
が吸着できるため、膜中にシリコン結晶やグラファイト
などが析出し、化学量論組成のずれや結晶性の低下が起
る。
【００２５】単結晶の成長には、吸着手が膜成長表面を
充分に泳動し、キンク（ｋｉｎｋ）に到達することが必
要である。通常の気相成長において吸着手の泳動に要す
るエネルギーは基板から熱エネルギーとして与えられる
ため、良質の単結晶の成長のためには高い成長温度が必
要である。成長温度が低い場合にはキンクからの成長と
ならないため、双晶や積層欠陥が発生し易くなる。更に
低温の場合には多結晶となってしまう。
充分に泳動し、キンク（ｋｉｎｋ）に到達することが必
要である。通常の気相成長において吸着手の泳動に要す
るエネルギーは基板から熱エネルギーとして与えられる
ため、良質の単結晶の成長のためには高い成長温度が必
要である。成長温度が低い場合にはキンクからの成長と
ならないため、双晶や積層欠陥が発生し易くなる。更に
低温の場合には多結晶となってしまう。
【００２６】しかし、本実施例方法のように、ＡｒＦエ
キシマレーザ光５を基板２に照射すると、１０００℃以
下の低温においても良質な単結晶炭化珪素１１を得るこ
とができる。
キシマレーザ光５を基板２に照射すると、１０００℃以
下の低温においても良質な単結晶炭化珪素１１を得るこ
とができる。
【００２７】ＡｒＦエキシマレーザ光５の照射が膜成長
に及ぼす効果としては以下のように考えられる。
に及ぼす効果としては以下のように考えられる。
【００２８】ＡｒＦエキシマレーザ光の照射により、固
体原子に吸収された光エネルギーが局所的に格子を加熱
し、熱伝導で表面層近傍が加熱される結果、例えばシリ
コン原子の隣に吸着したシリコン原子が脱離する。シリ
コン原子の隣の炭素原子は非常に安定なので脱離しな
い。
体原子に吸収された光エネルギーが局所的に格子を加熱
し、熱伝導で表面層近傍が加熱される結果、例えばシリ
コン原子の隣に吸着したシリコン原子が脱離する。シリ
コン原子の隣の炭素原子は非常に安定なので脱離しな
い。
【００２９】また、光照射により成長表面または吸着手
が活性化され、表面での吸着手の泳動が促進され、低温
においてもキンクからの成長が主となるため良質な単結
晶が得られる。
が活性化され、表面での吸着手の泳動が促進され、低温
においてもキンクからの成長が主となるため良質な単結
晶が得られる。
【００３０】次に、図８を参照し、前記単結晶炭化珪素
１１を基礎した青色発光ダイオード２０について説明す
る。
１１を基礎した青色発光ダイオード２０について説明す
る。
【００３１】同図に示す青色発光ダイオード２０は、ｎ
型６Ｈ炭化珪素（０００１）基板２５上にＮ及びＡｌを
ドープしたｎ型炭化珪素単結晶層２１とＡｌをドープし
たｐ型炭化珪素単結晶層２２とが順次積層された構造と
なっている。
型６Ｈ炭化珪素（０００１）基板２５上にＮ及びＡｌを
ドープしたｎ型炭化珪素単結晶層２１とＡｌをドープし
たｐ型炭化珪素単結晶層２２とが順次積層された構造と
なっている。
【００３２】ｎ型炭化珪素単結晶層２１及びｐ型炭化珪
素単結晶層２２は、既述した本実施例方法により作製し
た。即ち、ｎ型炭化珪素単結晶層（以下「ｎ型層」とい
う。）２１及びｐ型炭化珪素結晶層（以下「ｐ型層」と
いう。）２２は、前記成長装置１０により形成したが、
この際、Ｎ及びＡｌはＮＨ3 及び（ＣＨ3 ）3 Ａｌをド
ーピングガスとして使用し、キャリアガスＨ2 とともに
それぞれ独立した別のガス導入ノズル（図示せず）より
反応容器１内に導入した。
素単結晶層２２は、既述した本実施例方法により作製し
た。即ち、ｎ型炭化珪素単結晶層（以下「ｎ型層」とい
う。）２１及びｐ型炭化珪素結晶層（以下「ｐ型層」と
いう。）２２は、前記成長装置１０により形成したが、
この際、Ｎ及びＡｌはＮＨ3 及び（ＣＨ3 ）3 Ａｌをド
ーピングガスとして使用し、キャリアガスＨ2 とともに
それぞれ独立した別のガス導入ノズル（図示せず）より
反応容器１内に導入した。
【００３３】ｎ型層２１を形成する場合には繰り返し周
波数１００Ｈｚ、１パルス当りのエネルギー密度１０ｍ
Ｊ／ｃｍ2 のエキシマレーザ光を９００℃に加熱した基
板２５上に照射しながら、水素８０ｓｃｃｍ，Ｃ2 Ｈ2
２ｓｃｃｍ，Ｓｉ2 Ｈ6 ２ｓｃｃｍ，水素で希釈したＮ
Ｈ3 １０ｓｃｃｍ，水素で希釈した（ＣＨ3 ）3 Ａｌ１
０ｓｃｃｍを反応容器１内に導入し、反応圧力を１．０
Ｔｏｒｒに調整し、６０分間成長を行った。得られたｎ
型層２１の膜厚は１．５μｍ，キャリア密度は１×１０
18／ｃｍ3 であった。
波数１００Ｈｚ、１パルス当りのエネルギー密度１０ｍ
Ｊ／ｃｍ2 のエキシマレーザ光を９００℃に加熱した基
板２５上に照射しながら、水素８０ｓｃｃｍ，Ｃ2 Ｈ2
２ｓｃｃｍ，Ｓｉ2 Ｈ6 ２ｓｃｃｍ，水素で希釈したＮ
Ｈ3 １０ｓｃｃｍ，水素で希釈した（ＣＨ3 ）3 Ａｌ１
０ｓｃｃｍを反応容器１内に導入し、反応圧力を１．０
Ｔｏｒｒに調整し、６０分間成長を行った。得られたｎ
型層２１の膜厚は１．５μｍ，キャリア密度は１×１０
18／ｃｍ3 であった。
【００３４】ｎ型層２１の形成後、同様の方法でｐ型層
２２を形成した。但し、ｐ型層２２の形成に当っては、
ＮＨ3 を導入せずドーピングガスとして水素希釈した
（ＣＨ3 ）3 Ａｌ２０ｓｃｃｍのみを導入した。結果得
られたｐ型層２２の膜厚は１．５μｍ，キャリア濃度は
３×１０18／ｃｍ3 であった。ｐ型層２２形成後オーミ
ック電極２３，２４を形成し青色発光ダイオード２０を
得た。
２２を形成した。但し、ｐ型層２２の形成に当っては、
ＮＨ3 を導入せずドーピングガスとして水素希釈した
（ＣＨ3 ）3 Ａｌ２０ｓｃｃｍのみを導入した。結果得
られたｐ型層２２の膜厚は１．５μｍ，キャリア濃度は
３×１０18／ｃｍ3 であった。ｐ型層２２形成後オーミ
ック電極２３，２４を形成し青色発光ダイオード２０を
得た。
【００３５】この青色発光ダイオード２０の発光特性は
順方向３．５Ｖ，２０ｍＡの動作条件で４８０ｎｍ付近
に発光ピーク波長を有し、発光効率は０．７％と従来の
青色発光ダイオードに比べて１桁高いものであった。
順方向３．５Ｖ，２０ｍＡの動作条件で４８０ｎｍ付近
に発光ピーク波長を有し、発光効率は０．７％と従来の
青色発光ダイオードに比べて１桁高いものであった。
【００３６】上述した本実施例方法によれば、１０００
℃以下の低温でも良質な単結晶炭化珪素を成長させるこ
とができるので不純物の拡散が抑制され、急峻な不純物
プロファイルを有する接合の形成が可能となる。これに
より、優れた半導体素子特性が得られる。高価で面積が
小さい炭化珪素単結晶基板ではなく安価で大面積なシリ
コン単結晶基板上に良質の炭化珪素の単結晶を成長させ
ることができ、低コスト化，量産性の向上を図れる。
℃以下の低温でも良質な単結晶炭化珪素を成長させるこ
とができるので不純物の拡散が抑制され、急峻な不純物
プロファイルを有する接合の形成が可能となる。これに
より、優れた半導体素子特性が得られる。高価で面積が
小さい炭化珪素単結晶基板ではなく安価で大面積なシリ
コン単結晶基板上に良質の炭化珪素の単結晶を成長させ
ることができ、低コスト化，量産性の向上を図れる。
【００３７】また、高温プロセス用の複雑な成長装置を
必要とせず、簡単な装置を使用することができるので製
造コストを低減することができる。
必要とせず、簡単な装置を使用することができるので製
造コストを低減することができる。
【００３８】本発明は上述した実施例のほか、その要旨
の範囲内で種々の変形が可能である。
の範囲内で種々の変形が可能である。
【００３９】
【発明の効果】上述した本発明方法によれば、紫外レー
ザ光による表面反応を利用することで、優れた特性を発
揮する単結晶炭化珪素を安い製造コストで形成すること
が可能な単結晶炭化珪素の形成方法を提供することがで
きる。
ザ光による表面反応を利用することで、優れた特性を発
揮する単結晶炭化珪素を安い製造コストで形成すること
が可能な単結晶炭化珪素の形成方法を提供することがで
きる。
【００４０】また、請求項２記載のエネルギー密度，反
応圧力とすることで、単結晶炭化珪素の成長が促進され
る。
応圧力とすることで、単結晶炭化珪素の成長が促進され
る。
【図１】本発明の実施例方法に用いる成長装置の概略構
成図
成図
【図２】実施例方法の成膜工程を示す断面図
【図３】実施例方法により得られる単結晶炭化珪素を示
す断面図
す断面図
【図４】実施例方法により得られる単結晶炭化珪素の表
面組織を示す写真
面組織を示す写真
【図５】実施例方法により得られる単結晶炭化珪素の断
面組織を示す写真
面組織を示す写真
【図６】レーザ光を照射しない場合の炭化珪素の表面組
織を示す写真
織を示す写真
【図７】レーザ光を照射しない場合の炭化珪素の断面組
織を示す写真
織を示す写真
【図８】本実施例の単結晶炭化珪素を用いた青色発光ダ
イオードを示す断面図
イオードを示す断面図
１ 反応容器 ２ 基板 ５ 紫外レーザ光 １１ 単結晶炭化珪素
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１０月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例方法に用いる成長装置の概略構
成図
成図
【図２】実施例方法の成膜工程を示す断面図
【図３】実施例方法により得られる単結晶炭化珪素を示
す断面図
す断面図
【図４】実施例方法により得られる単結晶炭化珪素の表
面の結晶構造を示す写真
面の結晶構造を示す写真
【図５】実施例方法により得られる単結晶炭化珪素の断
面の結晶構造を示す写真
面の結晶構造を示す写真
【図６】レーザ光を照射しない場合の炭化珪素の表面の
結晶構造を示す写真
結晶構造を示す写真
【図７】レーザ光を照射しない場合の炭化珪素の断面の
結晶構造を示す写真
結晶構造を示す写真
【図８】本実施例の単結晶炭化珪素を用いた青色発光ダ
イオードを示す断面図
イオードを示す断面図
【符号の説明】 １ 反応容器 ２ 基板 ５ 紫外レーザ光 １１ 単結晶炭化珪素
Claims (2)
- 【請求項１】 塩化珪素又は水素化珪素と、塩化炭素又
は炭化水素とを原料ガスとして用い、基板上に単結晶炭
化珪素を形成する方法において、前記基板表面に紫外レ
ーザ光を照射し原料ガス成分の表面反応を生起しつつ単
結晶炭化珪素を成長させることを特徴とする単結晶炭化
珪素の形成方法。 - 【請求項２】 前記紫外レーザ光の１パルス当りのエネ
ルギー密度が基板表面において０．１乃至５００ｍＪ／
ｃｍ2 、前記原料ガスの反応圧力が１×１０-3Ｔｏｒｒ
から常圧の範囲である請求項１記載の単結晶炭化珪素の
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3089994A JPH0570295A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 単結晶炭化珪素の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3089994A JPH0570295A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 単結晶炭化珪素の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0570295A true JPH0570295A (ja) | 1993-03-23 |
Family
ID=13986170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3089994A Withdrawn JPH0570295A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 単結晶炭化珪素の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0570295A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013028475A (ja) * | 2011-07-27 | 2013-02-07 | Kyocera Corp | 単結晶基板およびそれを用いた半導体素子 |
| JP2015122540A (ja) * | 2015-03-16 | 2015-07-02 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体およびその製造方法と製造装置 |
-
1991
- 1991-03-28 JP JP3089994A patent/JPH0570295A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013028475A (ja) * | 2011-07-27 | 2013-02-07 | Kyocera Corp | 単結晶基板およびそれを用いた半導体素子 |
| JP2015122540A (ja) * | 2015-03-16 | 2015-07-02 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体およびその製造方法と製造装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |