JPH057101A - 電子回路用容器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 マイクロ波半導体回路の特性に悪影響を与え
ないマイクロ波半導体回路用容器を得る。 【構成】 マイクロ波半導体回路４を収納する上蓋２付
容器１の内面において、導波管モードが立ったときに生
じる電流が流れる容器内面に、抵抗被膜８を設けた誘電
体基板９を金属被膜１０により取りつける構成とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は電子回路用容器に関
し、たとえば、衛星通信、地上マイクロ波通信、レーダ
ー等に用いられるマイクロ波半導体回路用容器に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＦＥＴ、トランジスタ等の半導体
素子の高性能化が進み、これらの素子を用いた増幅器、
発振器、ミキサなどのマイクロ波半導体装置が実用化さ
れている。これらの増幅器、発振器、ミキサ等では、半
導体等を保護するために蓋付容器が一般に用いられてい
る。

【０００３】図５は例えば、特開昭６２−１０９４０３
号に示された従来のマイクロ波半導体回路用容器の構成
図である。図において、１は容器、２は上蓋、３は絶縁
性基板、４はマイクロ波半導体回路、５は入力端子、６
は出力端子、７はバイアス端子である。容器１および上
蓋２は金属でできている。容器１の底面には絶縁性基板
３が装着されており、側面には入力端子５、出力端子
６、バイアス端子７が設けられている。また、絶縁性基
板３の表面にはマイクロ波回路４が形成されている。ま
た、容器１とその上面に半田付け等で装着した上蓋２に
よってマイクロ波半導体回路４の全面を覆うことによ
り、マイクロ波半導体回路を保護している。

【０００４】次に動作について説明する。容器１がマイ
クロ波半導体回路４に影響を与えないように、カットオ
フ周波数が使用周波数より十分高くなるように容器１の
横幅を選んでいるこの様に容器のカットオフ周波数を使
用周波数より十分高く選んでいるため、入力端子５から
入射したマイクロ波は、容器に影響されることなくマイ
クロ波半導体回路４で増幅、減衰あるいは変調等され、
出力端子６より出力される。また、所望のバイアスはバ
イアス端子７から印加する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】一般に容器１の横幅は
上記のように選ぶが、マイクロ波半導体回路４によって
は容器１の横幅で決まるカットオフ周波数を使用周波数
より十分高く選べないことがある。このような場合、容
器１と上蓋２で囲まれる内部に導波管モードが立ち、マ
イクロ波半導体回路の特性が劣化してしまう問題があ
る。これを避けるためにフェライトの粉を素材にしたゴ
ム状の吸収体を上蓋２に接着剤などを使って装着する方
法がとられているが、年数が経つと接着の強度が弱まっ
て吸収体が上蓋２より剥がれたり、フェライトの粉が半
導体等の上に付着して特性が劣化したり破損したりする
問題がある。

【０００６】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、内部に収容されるマイクロ波半
導体回路等の電子回路に影響を与えない電子回路用容器
を得ることを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この発明に係わるマイク
ロ波半導体回路等の電子回路用容器は、容器内面に抵抗
被膜等の抵抗層を設けたものである。

【０００８】

【作用】この発明におけるマイクロ波半導体回路等の電
子回路用容器は、導波管モードが立つことにより容器内
面を流れる電流が、容器内部に設けた抵抗被膜等の抵抗
層によって減衰し、導波管モードがなくなる。

【０００９】

【実施例】実施例１．以下、この発明の一実施例を図を
用いて説明する。図１はこの発明によるマイクロ波半導
体回路用容器の実施例を示す構成図である。８は抵抗層
の一例である抵抗被膜、９は誘電体基板、１０は金属被
膜である。またＷは誘電体基板の厚さである。誘電体基
板９の表面に抵抗被膜８を設け、誘電体基板９を上蓋２
に半田付けできるように誘電体基板９の裏面に金属被膜
１０を設けている。

【００１０】容器１の横幅で決まるカットオフ周波数を
使用周波数より十分高くなるように取れない時、容器１
内に導波管モードが立ち、容器内表面には図１の斜視図
の矢印に示すような電流が流れる。ここで、上蓋２に上
記のように構成された誘電体基板９を装着することによ
り、上蓋２および誘電体９の容器内表面には図１の断面
図の矢印のように電流が流れる。そして、電流は誘電体
基板９の表面に設けた抵抗被膜８によって減衰する。そ
の結果、電流の減衰と磁界の減衰が相乗しておこり容器
内に導波管モードがなくなりマイクロ波半導体回路４は
容器に悪影響されずに動作する。なお、誘電体基板９を
用いているのは誘電体基板９に抵抗被膜８や金属被膜１
０を形成することが容易にしかも安価にできることを考
慮したものである。したがって、誘電体基板９の厚さＷ
は容器内表面を伝わる性質をもつ電流が厚さＷを越えて
抵抗被膜８側に流れやすくなるようにするためなるべく
薄いほうがよい。

【００１１】以上のように、表面に抵抗被膜８、裏面に
金属被膜１０を設けた誘電体基板９を用いたマイクロ波
半導体用容器はフェライトの粉を素材にしたゴム状の吸
収体を用いたマイクロ波半導体回路用容器と、電気的に
同じ効果となる。

【００１２】しかし、誘電体基板９は裏面に金属被膜１
０を設けており、上蓋２に装着するときに半田で装着す
ることができるため、従来ゴム状の吸収体を装着すると
きに使用していた接着剤を使う必要がなくなり、年数が
経つと接着の強度が弱まって吸収体が上蓋２より剥がれ
たり、フェライトを素材とした吸収体を使用しないため
フェライトの粉が半導体等の上に付着して特性が劣化し
たり破損したりすることはない。

【００１３】また、容器１内に導波管モードがたたなく
なるため、容器１の横幅によって決まるカットオフ周波
数を考慮することなく容器１の横幅を選ぶことができ、
容器を自由な大きさにすることもできる。

【００１４】実施例２．図２はこの発明のマイクロ波半
導体回路用容器の上蓋２の他の実施例の構成図である。
この上蓋２には抵抗被膜８が蒸着等により直接形成され
ている。このように、直接上蓋２の内面に抵抗被膜８を
形成すると実施例１で説明した誘電体基板９の厚さＷの
分がなくなり、容器内表面を伝わる電流が抵抗被膜８に
流れやすくなり、抵抗被膜８の効果が増大する。

【００１５】実施例３．図３は、上蓋２の他の実施例を
示す図であり、抵抗被膜８の形状を変えたものである。
電流は上蓋中央に向かって流れるため、中央に向かう電
流をさえぎるように抵抗被膜８を帯状にして方形を形成
した例である。

【００１６】実施例４．図４はこの発明のマイクロ波半
導体回路用容器の他の実施例の構成図である。この容器
は容器内部の金属側面に抵抗被膜を設けている。この様
に抵抗被膜を容器内の金属側面に直接設けても良い。ま
た、抵抗被膜を設ける部分は一側面だけでなく他の側面
にあってもよく、また、電流が流れるところならどこに
設けても良い。

【００１７】実施例５．上記実施例１〜４においては、
マイクロ波半導体回路用の容器を例にして説明したが、
この発明はマイクロ波半導体回路を収容する場合に限る
ものでなく、その他の電子回路を収容する電子回路用容
器であってもかまわない。

【００１８】

【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、導波管
モードが立つようなマイクロ波半導体回路用容器等の電
子回路用容器において容器内部に抵抗被膜等の抵抗層を
設ける構成としたため、従来使用していたフェライトの
粉を素材にしたゴム状の吸収体やそれを装着するために
使用していた接着剤が不要となり、マイクロ波半導体回
路等の電子回路に悪影響を与えない電子回路用容器を得
ることができる。また、容器内に導波管モードが立たな
くなるため、容器の横幅で決まるカットオフ周波数を考
慮することなく容器の横幅を選ぶことができ、容器を自
由な大きさにすることもできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明のマイクロ波半導体回路用容器の一実
施例による構成図である。

【図２】この発明のマイクロ波半導体回路用容器の他の
実施例による構成図である。

【図３】この発明のマイクロ波半導体回路用容器の他の
実施例による構成図である。

【図４】この発明のマイクロ波半導体回路用容器の他の
実施例による構成図である。

【図５】従来のマイクロ波半導体回路用容器の構成図で
ある。

【符号の説明】

１ 容器 ２ 上蓋 ３ 絶縁性基板 ４ マイクロ波半導体回路 ５ 入力端子 ６ 出力端子 ７ バイアス端子 ８ 抵抗被膜 ９ 誘電体被膜 １０ 金属被膜

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】マイクロ波半導体回路等の電子回路を収納
   する電子回路用容器において、容器内面に抵抗層を設け
   ていることを特徴とする電子回路用容器。