JPH057112A - 電圧制御発振器 - Google Patents
電圧制御発振器Info
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- JPH057112A JPH057112A JP3156488A JP15648891A JPH057112A JP H057112 A JPH057112 A JP H057112A JP 3156488 A JP3156488 A JP 3156488A JP 15648891 A JP15648891 A JP 15648891A JP H057112 A JPH057112 A JP H057112A
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- transistor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 通信機器などに使用される電圧制御発振器に
関するもので、弾性表面波共振子を用いた場合の温度特
性を補償すると共に低雑音、低消費電力化を実現した、
低価格かつ小型で優れた特性を持つ電圧制御発振器を提
供することを目的とする。 【構成】 発振用能動回路１の外部回路として、周波数
伸張用コイル２、弾性表面波共振子３、可変容量ダイオ
ードなどからなる共振回路を設け、３つの温度補償コン
デンサ５、６、７を挿入することで温度特性を補償する
ことができる。また温度補償コンデンサ５は、発振器の
Ｃ／Ｎを高くする効果も持つ。さらに発振用能動回路１
の内部にバイアス電流が切り換えられるスイッチング回
路１１を設けることにより、Ｃ／Ｎに関し、周波数に応
じた最適なバイアス電流を流すことができ、低消費電力
化が実現できる。
関するもので、弾性表面波共振子を用いた場合の温度特
性を補償すると共に低雑音、低消費電力化を実現した、
低価格かつ小型で優れた特性を持つ電圧制御発振器を提
供することを目的とする。 【構成】 発振用能動回路１の外部回路として、周波数
伸張用コイル２、弾性表面波共振子３、可変容量ダイオ
ードなどからなる共振回路を設け、３つの温度補償コン
デンサ５、６、７を挿入することで温度特性を補償する
ことができる。また温度補償コンデンサ５は、発振器の
Ｃ／Ｎを高くする効果も持つ。さらに発振用能動回路１
の内部にバイアス電流が切り換えられるスイッチング回
路１１を設けることにより、Ｃ／Ｎに関し、周波数に応
じた最適なバイアス電流を流すことができ、低消費電力
化が実現できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主として通信機器の送
信部あるいは受信部の周波数シンセサイザに使用される
電圧制御発振器に関するものである。
信部あるいは受信部の周波数シンセサイザに使用される
電圧制御発振器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、無線通信機器は周波数の有効利用
という立場から、占有周波数帯域の狭帯域化、多チャネ
ル化が進んでおり、送信および受信に用いる信号源とし
て、高い信号純度と広い周波数可変幅を持った電圧制御
発振器が要求されている。
という立場から、占有周波数帯域の狭帯域化、多チャネ
ル化が進んでおり、送信および受信に用いる信号源とし
て、高い信号純度と広い周波数可変幅を持った電圧制御
発振器が要求されている。
【０００３】以下に従来の電圧制御発振器について説明
する。図３は従来の電圧制御発振器を示すものである。
（例えば、電子通信学会論文誌vol.2,J65-B(1982)第１
７７頁から１８４頁）図３について１はコルピッツ型発
振回路の能動素子回路部、２は周波数伸張用インダク
タ、３は弾性表面波共振子、４は可変容量ダイオード、
８は電源電圧端子、９は信号出力端子、１０は周波数制
御端子である。以上のように構成された電圧制御発振器
について、以下その動作について説明する。能動素子回
路部１は、発振定常状態では等価的に容量と、負の値を
持った抵抗（負性抵抗）の直列回路とみなせる。一方弾
性表面波共振子３はインダクタとして動作し、弾性表面
波共振子３、周波数伸張用インダクタ２、可変容量ダイ
オード４との直列回路も等価的にインダクタとして動作
する。回路側の容量と、共振子側のインダクタンスとの
共振周波数によって発振周波数が決定する。可変容量ダ
イオード４に印加する直流電圧を制御することによっ
て、等価的に共振子側のインダクタンスが変化し、発振
周波数が制御可能となる。また周波数伸張用インダクタ
は、等価的に負の値を持った容量ともみなせるため、可
変容量ダイオードの制御電圧に対する容量値を等価的に
小さくする働きがあり、周波数伸張用インダクタを大き
くすることによって、周波数の制御感度を向上すること
ができる。
する。図３は従来の電圧制御発振器を示すものである。
（例えば、電子通信学会論文誌vol.2,J65-B(1982)第１
７７頁から１８４頁）図３について１はコルピッツ型発
振回路の能動素子回路部、２は周波数伸張用インダク
タ、３は弾性表面波共振子、４は可変容量ダイオード、
８は電源電圧端子、９は信号出力端子、１０は周波数制
御端子である。以上のように構成された電圧制御発振器
について、以下その動作について説明する。能動素子回
路部１は、発振定常状態では等価的に容量と、負の値を
持った抵抗（負性抵抗）の直列回路とみなせる。一方弾
性表面波共振子３はインダクタとして動作し、弾性表面
波共振子３、周波数伸張用インダクタ２、可変容量ダイ
オード４との直列回路も等価的にインダクタとして動作
する。回路側の容量と、共振子側のインダクタンスとの
共振周波数によって発振周波数が決定する。可変容量ダ
イオード４に印加する直流電圧を制御することによっ
て、等価的に共振子側のインダクタンスが変化し、発振
周波数が制御可能となる。また周波数伸張用インダクタ
は、等価的に負の値を持った容量ともみなせるため、可
変容量ダイオードの制御電圧に対する容量値を等価的に
小さくする働きがあり、周波数伸張用インダクタを大き
くすることによって、周波数の制御感度を向上すること
ができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の従来の
構成では、共振子として用いる弾性表面波共振子の温度
特性が問題となる。基板材料として、３６゜Ｙ−ＸＬｉ
ＴａＯ３が一般的であるが、この材料を用いた場合、弾
性表面波共振子の共振周波数は−３５ｐｐｍ／℃の温度
特性を持つ。また弾性表面波共振子は共振周波数の低域
にスプリアスが存在するため、スプリアス領域におよぶ
まで周波数可変幅を広くとると、可変容量ダイオードに
印加する制御電圧に対し、安定な周波数変化が得られな
い。このために周波数伸張用インダクタの増加による制
御感度の向上が望めない。また仮に所望の制御感度が得
られるとしても、制御感度を高くすることは発振器のＣ
／Ｎを劣化させる要因となる。このようなことから、弾
性表面波共振子を用いた電圧制御発振器は温度特性まで
考慮した場合、十分な周波数可変幅をとることができな
い。可変容量ダイオードやサーミスタを用いた温度補償
回路、またはＤ／Ａ、Ａ／Ｄコンバータなどを用いたデ
ィジタル温度補償回路では回路が複雑となると同時に、
Ｃ／Ｎ劣化の要因にもなる。
構成では、共振子として用いる弾性表面波共振子の温度
特性が問題となる。基板材料として、３６゜Ｙ−ＸＬｉ
ＴａＯ３が一般的であるが、この材料を用いた場合、弾
性表面波共振子の共振周波数は−３５ｐｐｍ／℃の温度
特性を持つ。また弾性表面波共振子は共振周波数の低域
にスプリアスが存在するため、スプリアス領域におよぶ
まで周波数可変幅を広くとると、可変容量ダイオードに
印加する制御電圧に対し、安定な周波数変化が得られな
い。このために周波数伸張用インダクタの増加による制
御感度の向上が望めない。また仮に所望の制御感度が得
られるとしても、制御感度を高くすることは発振器のＣ
／Ｎを劣化させる要因となる。このようなことから、弾
性表面波共振子を用いた電圧制御発振器は温度特性まで
考慮した場合、十分な周波数可変幅をとることができな
い。可変容量ダイオードやサーミスタを用いた温度補償
回路、またはＤ／Ａ、Ａ／Ｄコンバータなどを用いたデ
ィジタル温度補償回路では回路が複雑となると同時に、
Ｃ／Ｎ劣化の要因にもなる。
【０００５】また、無線通信では、一般に送信、受信で
周波数が異なる。発振器のＣ／Ｎは、トランジスタのバ
イアス電流、トランジスタのＮＦ、共振子のＱ値等によ
って決定する。所望のＣ／Ｎを得るために最低限必要な
トランジスタのバイアス電流は、発振周波数によって変
わる。バイアス電流は周波数の高い方でＣ／Ｎが得られ
るように設定する必要があり、同じ集積回路を周波数の
低い場合に用いるには、余分なバイアス電流を流すこと
になる。特にモノリシック半導体集積回路として送信、
受信両方で用いる場合、バイアス電流を最適に設定する
にはバイアス抵抗を切り換える手段が必要となる。
周波数が異なる。発振器のＣ／Ｎは、トランジスタのバ
イアス電流、トランジスタのＮＦ、共振子のＱ値等によ
って決定する。所望のＣ／Ｎを得るために最低限必要な
トランジスタのバイアス電流は、発振周波数によって変
わる。バイアス電流は周波数の高い方でＣ／Ｎが得られ
るように設定する必要があり、同じ集積回路を周波数の
低い場合に用いるには、余分なバイアス電流を流すこと
になる。特にモノリシック半導体集積回路として送信、
受信両方で用いる場合、バイアス電流を最適に設定する
にはバイアス抵抗を切り換える手段が必要となる。
【０００６】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、外付部品として、温度補償コンデンサという安価
な部品を使用した簡単な回路構成により、Ｃ／Ｎを劣化
することなく、温度変化に対し安定な周波数可変幅を持
った安価な電圧制御発振器を提供すること、さらに広い
周波数範囲にわたってＣ／Ｎに関し、最適なバイアス電
流が流せるように、半導体集積回路内に内蔵したバイア
ス電流を切り換えるスイッチング回路により、回路の低
消費電力化を図ることを目的とする。
ので、外付部品として、温度補償コンデンサという安価
な部品を使用した簡単な回路構成により、Ｃ／Ｎを劣化
することなく、温度変化に対し安定な周波数可変幅を持
った安価な電圧制御発振器を提供すること、さらに広い
周波数範囲にわたってＣ／Ｎに関し、最適なバイアス電
流が流せるように、半導体集積回路内に内蔵したバイア
ス電流を切り換えるスイッチング回路により、回路の低
消費電力化を図ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の電圧制御発振器は、コルピッツ型の発振回路
をコレクタ接地方式とし、発振トランジスタと帰還容量
とバイアス抵抗と出力用のエミッタフォロワとを半導体
集積回路内部に構成し、前記半導体集積回路の外部回路
として、第１の温度補償用コンデンサを発振トランジス
タのベースとグランド間に挿入し、共振ループとして発
振トランジスタのベースから、第２の温度補償用コンデ
ンサと周波数伸張用インダクタと弾性表面波共振子と可
変容量ダイオードのカソードを直列接続し、アノードを
接地し、可変容量ダイオードと並列に第３の温度補償用
コンデンサを接続し、可変容量ダイオードのカソードに
抵抗を通じて電圧を与えることにより、発振周波数を制
御する構成としている。なお、温度補償コンデンサは３
つのうち２つでも良い。また、前記の半導体集積回路の
外部に設けた端子を開放または接地することにより、発
振トランジスタのバイアス電流を切り換えることができ
る、スイッチング回路を発振トランジスタのエミッタ抵
抗と並列接続する構成をとり、使用する周波数帯によっ
てバイアス電流を切り換える機能を有している。
に本発明の電圧制御発振器は、コルピッツ型の発振回路
をコレクタ接地方式とし、発振トランジスタと帰還容量
とバイアス抵抗と出力用のエミッタフォロワとを半導体
集積回路内部に構成し、前記半導体集積回路の外部回路
として、第１の温度補償用コンデンサを発振トランジス
タのベースとグランド間に挿入し、共振ループとして発
振トランジスタのベースから、第２の温度補償用コンデ
ンサと周波数伸張用インダクタと弾性表面波共振子と可
変容量ダイオードのカソードを直列接続し、アノードを
接地し、可変容量ダイオードと並列に第３の温度補償用
コンデンサを接続し、可変容量ダイオードのカソードに
抵抗を通じて電圧を与えることにより、発振周波数を制
御する構成としている。なお、温度補償コンデンサは３
つのうち２つでも良い。また、前記の半導体集積回路の
外部に設けた端子を開放または接地することにより、発
振トランジスタのバイアス電流を切り換えることができ
る、スイッチング回路を発振トランジスタのエミッタ抵
抗と並列接続する構成をとり、使用する周波数帯によっ
てバイアス電流を切り換える機能を有している。
【０００８】
【作用】この構成によって、弾性表面波共振子またはイ
ンダクタを共振子として用いた場合、発振周波数は負の
温度特性を持つが、その一方、温度補償コンデンサの持
つ負の温度特性により、発振周波数は正の温度特性方向
に補償される。また安価な温度補償コンデンサのみを使
用することから、温度特性まで考慮した上で安定な周波
数可変幅を持った電圧制御発振器を安価に構成すること
ができる。また発振トランジスタのベースとコレクタ間
に挿入した温度補償コンデンサは、Ｃ／Ｎ劣化の要因と
なるトランジスタのコレクタとベース間の容量の影響を
低く抑える機能も有し、Ｃ／Ｎの向上を実現できる。さ
らにバイアス電流を外部端子によって切り換えること
で、送信受信の周波数を切り換えて用いる場合に、Ｃ／
Ｎに関して最適なバイアス電流で用いることができ、低
消費電力化を図ることができる。
ンダクタを共振子として用いた場合、発振周波数は負の
温度特性を持つが、その一方、温度補償コンデンサの持
つ負の温度特性により、発振周波数は正の温度特性方向
に補償される。また安価な温度補償コンデンサのみを使
用することから、温度特性まで考慮した上で安定な周波
数可変幅を持った電圧制御発振器を安価に構成すること
ができる。また発振トランジスタのベースとコレクタ間
に挿入した温度補償コンデンサは、Ｃ／Ｎ劣化の要因と
なるトランジスタのコレクタとベース間の容量の影響を
低く抑える機能も有し、Ｃ／Ｎの向上を実現できる。さ
らにバイアス電流を外部端子によって切り換えること
で、送信受信の周波数を切り換えて用いる場合に、Ｃ／
Ｎに関して最適なバイアス電流で用いることができ、低
消費電力化を図ることができる。
【０００９】
【実施例】（実施例１）以下本発明の一実施例について
図面を参照しながら説明する。図１は本発明の第１の実
施例における電圧制御発振回路の回路構成図を示すもの
である。図１において１は、発振用能動回路、２は周波
数可変範囲を広げるための伸張用インダクタ、３は弾性
表面波共振子、４は可変容量ダイオード、５、６、７は
温度補償用コンデンサ、８は電源端子、９は出力端子、
１０は周波数制御端子、１１はバイアス電流切り替え回
路、１２はバイアス電流を切り換えるための外部端子で
ある。発振用能動回路１は半導体集積回路に構成され、
１０１は発振トランジスタ、１０２は出力のエミッタフ
ォロワ回路のトランジスタ、１０３は第１のエミッタ抵
抗である。図２は本発明の第１の実施例における電圧制
御発振回路のバイアス電流切り換え回路部の詳細な回路
構成図を示すものである。図２において１１１、１１２
はスイッチングトランジスタ、１１３は第２のエミッタ
抵抗である。
図面を参照しながら説明する。図１は本発明の第１の実
施例における電圧制御発振回路の回路構成図を示すもの
である。図１において１は、発振用能動回路、２は周波
数可変範囲を広げるための伸張用インダクタ、３は弾性
表面波共振子、４は可変容量ダイオード、５、６、７は
温度補償用コンデンサ、８は電源端子、９は出力端子、
１０は周波数制御端子、１１はバイアス電流切り替え回
路、１２はバイアス電流を切り換えるための外部端子で
ある。発振用能動回路１は半導体集積回路に構成され、
１０１は発振トランジスタ、１０２は出力のエミッタフ
ォロワ回路のトランジスタ、１０３は第１のエミッタ抵
抗である。図２は本発明の第１の実施例における電圧制
御発振回路のバイアス電流切り換え回路部の詳細な回路
構成図を示すものである。図２において１１１、１１２
はスイッチングトランジスタ、１１３は第２のエミッタ
抵抗である。
【００１０】以上のように構成された電圧制御発振器に
ついて、以下その動作を説明する。まず発振用能動回路
１として、コルピッツ型の構成とし、出力はエミッタフ
ォロワ回路から取り出している。また発振トランジスタ
１０１のベースから温度補償用コンデンサ６と周波数伸
張用インダクタ２と弾性表面波共振子３を直列に接続し
さらに可変容量ダイオード４を接続している。可変容量
ダイオードのバイアス電圧を制御することにより、発振
周波数を制御することができる。
ついて、以下その動作を説明する。まず発振用能動回路
１として、コルピッツ型の構成とし、出力はエミッタフ
ォロワ回路から取り出している。また発振トランジスタ
１０１のベースから温度補償用コンデンサ６と周波数伸
張用インダクタ２と弾性表面波共振子３を直列に接続し
さらに可変容量ダイオード４を接続している。可変容量
ダイオードのバイアス電圧を制御することにより、発振
周波数を制御することができる。
【００１１】また、バイアス電流切り換え回路１１は、
外部端子１２が開放の場合、トランジスタ１１１は導通
状態、トランジスタ１１２は非導通状態となり、発振ト
ランジスタのエミッタ抵抗はエミッタ抵抗１のみとみな
せる。一方外部端子１２を接地した場合、トランジスタ
１１２は導通し、エミッタ抵抗は、エミッタ抵抗１とエ
ミッタ抵抗２の並列回路と見なせるため、トランジスタ
に流れるバイアス電流を切り換えることができる。
外部端子１２が開放の場合、トランジスタ１１１は導通
状態、トランジスタ１１２は非導通状態となり、発振ト
ランジスタのエミッタ抵抗はエミッタ抵抗１のみとみな
せる。一方外部端子１２を接地した場合、トランジスタ
１１２は導通し、エミッタ抵抗は、エミッタ抵抗１とエ
ミッタ抵抗２の並列回路と見なせるため、トランジスタ
に流れるバイアス電流を切り換えることができる。
【００１２】弾性表面波共振子は、その基板の温度特性
により共振周波数が変化する。一例として３６゜Ｙ−Ｘ
ＬｉＴａＯ３基板を用いた場合、−３５ｐｐｍ／℃の温
度特性を持つ。発振の中心周波数を４００ＭＨｚとした
場合、−１０〜５０℃までの温度変化に対し、８４０ｋ
Ｈｚの変化幅となる。一方弾性表面波共振子は、共振周
波数の低域にスプリアス領域が存在するために、制御周
波数範囲を大きくできない。またあまり感度を大きくす
ると、Ｃ／Ｎ値の劣化の要因ともなる。３箇所に挿入し
た温度補償コンデンサとして、−７５０ｐｐｍ／℃の温
度係数を持ったＵＪタイプのものを用いて、容量値を適
切に選択することによって、発振周波数の温度変化を−
１０ｐｐｍ／℃以下に抑えることができる。また受動素
子だけによる温度補償回路であるために、Ｃ／Ｎの劣化
はほとんどない。さらに温度補償コンデンサの中でもベ
ースとグランド間に挿入したものは、Ｃ／Ｎの劣化要因
となるトランジスタのベース・コレクタ間に存在する容
量の影響を小さくする働きも兼ねている。
により共振周波数が変化する。一例として３６゜Ｙ−Ｘ
ＬｉＴａＯ３基板を用いた場合、−３５ｐｐｍ／℃の温
度特性を持つ。発振の中心周波数を４００ＭＨｚとした
場合、−１０〜５０℃までの温度変化に対し、８４０ｋ
Ｈｚの変化幅となる。一方弾性表面波共振子は、共振周
波数の低域にスプリアス領域が存在するために、制御周
波数範囲を大きくできない。またあまり感度を大きくす
ると、Ｃ／Ｎ値の劣化の要因ともなる。３箇所に挿入し
た温度補償コンデンサとして、−７５０ｐｐｍ／℃の温
度係数を持ったＵＪタイプのものを用いて、容量値を適
切に選択することによって、発振周波数の温度変化を−
１０ｐｐｍ／℃以下に抑えることができる。また受動素
子だけによる温度補償回路であるために、Ｃ／Ｎの劣化
はほとんどない。さらに温度補償コンデンサの中でもベ
ースとグランド間に挿入したものは、Ｃ／Ｎの劣化要因
となるトランジスタのベース・コレクタ間に存在する容
量の影響を小さくする働きも兼ねている。
【００１３】また、十分なＣ／Ｎを得るためには、発振
する周波数に応じたバイアス電流をトランジスタに流さ
なければならない。バイアス電流の切り換え機能を持つ
ことで、１種類の半導体集積回路で、無線通信の送信と
受信両方の周波数帯において、Ｃ／Ｎに関し必要最低限
のバイアス電流で発振させることができる。
する周波数に応じたバイアス電流をトランジスタに流さ
なければならない。バイアス電流の切り換え機能を持つ
ことで、１種類の半導体集積回路で、無線通信の送信と
受信両方の周波数帯において、Ｃ／Ｎに関し必要最低限
のバイアス電流で発振させることができる。
【００１４】なお、本発明の実施例において温度補償コ
ンデンサは３つ使用しているが、そのうちの２つの組み
合わせでも温度補償の効果がえられる。また共振子は弾
性表面波共振子に限るものではなく、発振周波数が負の
温度特性を持つ共振子に対しても同様の効果を持つ。ま
たバイアス電流の切り換え手段はＮＰＮトランジスタ２
段のスイッチング回路に限るものではない。
ンデンサは３つ使用しているが、そのうちの２つの組み
合わせでも温度補償の効果がえられる。また共振子は弾
性表面波共振子に限るものではなく、発振周波数が負の
温度特性を持つ共振子に対しても同様の効果を持つ。ま
たバイアス電流の切り換え手段はＮＰＮトランジスタ２
段のスイッチング回路に限るものではない。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本発明は、電圧制御発振器
の共振回路部を除いて半導体集積回路に構成し、共振子
として弾性表面波共振子を用いた場合に課題となる発振
周波数の温度変化を、安価な温度補償コンデンサを回路
の２から３箇所に挿入することで、温度補償を可能とす
ると共に、発振器のＣ／Ｎを向上させることができる。
さらに前記の半導体集積回路の外部に設けた端子を開放
または接地することで、バイアス電流を切り替える機能
を有することにより、使用する周波数帯に最適なバイア
ス電流を流すことができ、低雑音の電圧制御発振器の低
消費電力化、小型化、低価格化を図るうえで、その効果
は大きい。
の共振回路部を除いて半導体集積回路に構成し、共振子
として弾性表面波共振子を用いた場合に課題となる発振
周波数の温度変化を、安価な温度補償コンデンサを回路
の２から３箇所に挿入することで、温度補償を可能とす
ると共に、発振器のＣ／Ｎを向上させることができる。
さらに前記の半導体集積回路の外部に設けた端子を開放
または接地することで、バイアス電流を切り替える機能
を有することにより、使用する周波数帯に最適なバイア
ス電流を流すことができ、低雑音の電圧制御発振器の低
消費電力化、小型化、低価格化を図るうえで、その効果
は大きい。
【図１】本発明の電圧制御発振器における回路図
【図２】本発明の電圧制御発振器におけるバイアス電流
切り換え回路の実施例の詳細な回路図
切り換え回路の実施例の詳細な回路図
【図３】本発明の電圧制御発振器の従来例
１ 能動発振回路部
２ 周波数伸張用インダクタ
３ 弾性表面波共振子
４ 可変容量ダイオード
５ 温度補償コンデンサ
６ 温度補償コンデンサ
７ 温度補償コンデンサ
１１ バイアス電流切り換え回路
フロントページの続き
(72)発明者 長谷川 誠
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
(72)発明者 三村 政博
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
(72)発明者 島津 高行
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電子
工業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 コルピッツ形の発振回路のトランジスタ
のコレクタを第１のバイパス容量で接地しコレクタ接地
方式とし、前記トランジスタのベースとエミッタ間に第
１の帰還容量を接続し、また抵抗素子を用いて対グラン
ドへのベースバイアス供給を行い、前記トランジスタの
エミッタとグランド間に第２の帰還容量と対グランドへ
のエミッタ抵抗と出力用のエミッタフォロワを接続し、
前記の全ての回路素子を半導体集積回路内部に構成し、
前記半導体集積回路のトランジスタのベースから外部回
路として、ベースにインダクタと共振子と抵抗とが直列
に接続され、前記共振子と前記抵抗間の１点と接地間に
アノードが接地されるように可変容量ダイオードが設け
られており、前記ベースと前記インダクタを結ぶ接続線
上の第１の接続点と接地間、第１の接続点と前記インダ
クタ間、前記ダイオードと前記抵抗を結ぶ接続線上の１
点と接地間の３ヶ所のうち、少なくとも２ヶ所に温度補
償用コンデンサを備え、前記可変容量ダイオードのカソ
ードに抵抗を通じて電圧を与えることにより発振周波数
を制御することを特徴とする電圧制御発振器。 - 【請求項２】 半導体集積回路の外部に設けた端子を開
放または接地することによりトランジスタのバイアス電
流を切り換える、スイッチング回路と抵抗器とを直列に
接続した回路をトランジスタのエミッタ抵抗と並列接続
することを特徴とする請求項１記載の電圧制御発振器。 - 【請求項３】 共振子として弾性表面波共振子を用いた
ことを特徴とする請求項１記載の電圧制御発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3156488A JPH057112A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 電圧制御発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3156488A JPH057112A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 電圧制御発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH057112A true JPH057112A (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=15628854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3156488A Pending JPH057112A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 電圧制御発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH057112A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020092241A (ko) * | 2001-06-01 | 2002-12-11 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전압 제어 발진기 및 그것을 사용한 전자장치 |
| US20040011715A1 (en) * | 2001-03-20 | 2004-01-22 | Norbert Assion | Hybrid spin-on filter |
| CN109888446A (zh) * | 2019-04-10 | 2019-06-14 | 曾运华 | 一种损耗补偿型电调有源谐振器及其损耗补偿方法 |
-
1991
- 1991-06-27 JP JP3156488A patent/JPH057112A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040011715A1 (en) * | 2001-03-20 | 2004-01-22 | Norbert Assion | Hybrid spin-on filter |
| KR20020092241A (ko) * | 2001-06-01 | 2002-12-11 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전압 제어 발진기 및 그것을 사용한 전자장치 |
| CN109888446A (zh) * | 2019-04-10 | 2019-06-14 | 曾运华 | 一种损耗补偿型电调有源谐振器及其损耗补偿方法 |
| CN109888446B (zh) * | 2019-04-10 | 2024-05-21 | 曾运华 | 一种损耗补偿型电调有源谐振器及其损耗补偿方法 |
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