JPH0572132U - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JPH0572132U
JPH0572132U JP1040492U JP1040492U JPH0572132U JP H0572132 U JPH0572132 U JP H0572132U JP 1040492 U JP1040492 U JP 1040492U JP 1040492 U JP1040492 U JP 1040492U JP H0572132 U JPH0572132 U JP H0572132U
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JP
Japan
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flow rate
semiconductor wafer
gas
exhaust port
semiconductor manufacturing
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Application number
JP1040492U
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義明 野崎
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Sharp Corp
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Sharp Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 プロセスチューブ内に外気を巻き込むことが
ない高信頼性の半導体製造装置を提供する。 【構成】 半導体ウエハの導入端２近傍の上側にガス排
気口９を設けるとともに、排気口９より半導体ウエハの
導入端２に近い位置の上側に不活性ガス１０の導入口１
１を設け、排気口９から排出されるガス流量を、プロセ
スガス流量より大きく、且つプロセスガス流量及び不活
性ガス流量の和より小さくしてなることを特徴とする。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本考案は半導体ウエハを、熱処理、酸化するプロセスチューブを有する半導体 製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の技術について図２を参照して説明する。図２は従来例によるホットウォ ール型拡散炉の斜視図である。
【０００３】 図２において１はプロセスチューブ、２は半導体ウエハ導入端、２’は導入端 カバー、３はプロセスガス導入端、４はプロセスガスの流れ、５は外気の流れ、 ６は排気口、７は換気予備室である。
【０００４】 図２に示すように、従来の半導体ウエハに熱処理、酸化を行うホットウォール 型拡散炉の排気口６は、プロセスチューブ端から排気する構造を取っていた。
【０００５】
【考案が解決しようとする課題】
ところで、従来構造のホットウォール型拡散炉の場合、プロセスチューブ１内 から排出されるガスは高温であるため、図２に示すようにプロセスチューブ端の 上部から出ていた。このため低温の外気５の一部５’はプロセスチューブ１内か ら排出されるガスの下方に巻き込まれていた。
【０００６】 この外気には、酸素や不純物が含まれているため、外気が拡散炉のプロセスチ ューブ１は内に巻き込まれると、酸化中の半導体ウエハの酸化膜厚が変動したり 、熱処理や酸化中のウエハ内に不純物が取り込まれたりするため半導体ウエハ上 に作成した製品の歩留まり低下の原因となっていた。
【０００７】 そこで本考案の目的は、プロセスチューブ内に外気を巻き込むことがない高信 頼性の半導体製造装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために本考案は、半導体ウエハを熱処理、酸化する半導体 製造装置において、プロセスチューブのプロセスガス導入端とは逆の半導体ウエ ハの導入端近傍の上側に、前記プロセスチューブ内で処理したガスの排気口を設 けるとともに、前記排気口より前記半導体ウエハの導入端に近い位置の上側に不 活性ガスの導入口を設け、前記排気口から排出されるガス流量を、前記プロセス ガス導入端から導入されるプロセスガス流量より大きくし、且前記プロセスガス 流量及び前記不活性ガスの導入口から導入される不活性ガス流量の和より小さく してなることを特徴とする。
【０００９】
【作用】
本考案による半導体製造装置は、前述のような構成であるので、外気が半導体 ウエハの導入端からプロセスチューブ内に流入しないので、半導体ウエハの酸化 時の酸化膜厚の安定化および、酸化或いは熱処理時の汚染防止を実施でき、製品 の歩留まりを向上できる。また、プロセスチューブ内に導入されるプロセスガス は全て確実に排気口から排出され外部へ漏出するおそれがなく、半導体工場の安 全性を向上できる。
【００１０】
【実施例】
本考案の一実施例について、図１を参照して説明する。図１は本実施例による 半導体製造装置の斜視図である。
【００１１】 なお、図２に示す従来例と同一機能部分には同一記号を付している。また、こ こでは換気予備室は省略している。
【００１２】 図１に示すように、本実施例の半導体製造装置はプロセスチューブ８のプロセ スガス導入端３とは逆の半導体ウエハ導入端２の上側に、プロセスチューブ８内 で処理したガス４の排気口９を設け、且つ排気口９より半導体ウエハ導入端２に 近い位置の上側に、外部よりプロセスチューブ８内に不活性ガス１０を導く導入 口１１を設けている。
【００１３】 ここで不活性ガス１０は例えばＮ2やＡｒ等を使用する。
【００１４】 以上の様な構造であるので、外気５は不活性ガス１０に遮られプロセスチュー ブ８内に巻き込まれることがない。また排気口９がプロセスチューブ８の上部に あるため高温のプロセスガス４は、乱流を発生することなくスムーズに排気され プロセスチューブ８の半導体ウエハ２導入端より外に出ることはない。
【００１５】 さらに、プロセスチューブ８内に導入されるガスの総流量より排気口９から排 出されるガス流量を小さくかつ、プロセスガス３の流量より排気口２から排出さ れるガス流量を大きくすることにより、プロセスチューブ８内への外気５の巻き 込み防止及びプロセスガスの外気への流出防止効果を上げることができる。
【００１６】 以上のように本考案によれば、酸化あるいは熱処理を行う場合に外気の巻き込 みが無く、酸化時の酸化膜厚の安定化および、酸化あるいは熱処理時の汚染防止 を実現でき、半導体ウエハ上に形成する製品の歩留まりを向上できる。
【００１７】 また、プロセスガスの外気への流出防止を実現し半導体工場の安全性を向上で きる。
【００１８】
【考案の効果】
以上説明したように本考案によれば、熱処理時の半導体ウエハの汚染防止を実 現でき製品歩留まりを向上できる。また、プロセスガスの外部流出を防止でき、 半導体工場の安全性向上を図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案の一実施例による半導体製造装置の斜視
図である。
【図２】従来例による半導体製造装置の斜視図である。
【符号の説明】
３ プロセスガス導入端 ４ プロセスガス ８ プロセスチューブ ９ 排気口 １０ 不活性ガス １１ 不活性ガス導入口

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体ウエハを熱処理、酸化する半導体
    製造装置において、 プロセスチューブのプロセスガス導入端とは逆の半導体
    ウエハの導入端近傍の上側に、前記プロセスチューブ内
    で処理したガスの排気口を設けるとともに、前記排気口
    より前記半導体ウエハの導入端に近い位置の上側に不活
    性ガスの導入口を設け、 前記排気口から排出されるガス流量を、前記プロセスガ
    ス導入端から導入されるプロセスガス流量より大きく
    し、且つ前記プロセスガス流量及び前記不活性ガスの導
    入口から導入される不活性ガス流量の和より小さくして
    なることを特徴とする半導体製造装置。
JP1040492U 1992-03-04 1992-03-04 半導体製造装置 Pending JPH0572132U (ja)

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