JPH0572145A - 異物検査装置 - Google Patents
異物検査装置Info
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- JPH0572145A JPH0572145A JP21490591A JP21490591A JPH0572145A JP H0572145 A JPH0572145 A JP H0572145A JP 21490591 A JP21490591 A JP 21490591A JP 21490591 A JP21490591 A JP 21490591A JP H0572145 A JPH0572145 A JP H0572145A
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- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 21
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 19
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- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】光強度の補正をより短時間で行い、安定した検
出感度で測定する。 【構成】基準散乱光を発生させる基準試料１３と、基準
光を検知する光検知器１０と被測定試料７とを同一面上
になるようにステージ８上に配置し、この基準試料１３
と光検知器１０から得られる光強度値を記憶する記憶部
１２と、測定に使用する光の強度及び被測定試料からの
散乱光の強度と前記基準値と比較し、被測定試料１３か
らの散乱光を入光する光電変換素子２の感度を補正する
制御部１１とを設け、常に光検出感度を監視・補正を行
っている。
出感度で測定する。 【構成】基準散乱光を発生させる基準試料１３と、基準
光を検知する光検知器１０と被測定試料７とを同一面上
になるようにステージ８上に配置し、この基準試料１３
と光検知器１０から得られる光強度値を記憶する記憶部
１２と、測定に使用する光の強度及び被測定試料からの
散乱光の強度と前記基準値と比較し、被測定試料１３か
らの散乱光を入光する光電変換素子２の感度を補正する
制御部１１とを設け、常に光検出感度を監視・補正を行
っている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工程におけ
る半導体ウェーハ，リソグラフィ用のレチクル及びマス
クに付着する異物の有無を検査する異物検査装置に関す
る。
る半導体ウェーハ，リソグラフィ用のレチクル及びマス
クに付着する異物の有無を検査する異物検査装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の一例を示す異物検査装置の
ブロック図である。この異物検査装置は、図２に示すよ
うに、ステージ８に載置された被測定試料７の表面に光
を走査する発光部３と、表面より反射する散乱光を捕捉
して光を電流に変換する光電変換素子２と、この光電変
換素子２の出力電流を電圧としてデジタル値に変換する
Ａ／Ｄ変換器５と、このＡ／Ｄ変換器５の出力によって
付着する異物の大きさを判定し、その大きさに相当する
信号を出力するサイズ変換回路１と、このサイズ変換回
路１の出力で異物の大きさを表示する表示部６とを有し
ていた。
ブロック図である。この異物検査装置は、図２に示すよ
うに、ステージ８に載置された被測定試料７の表面に光
を走査する発光部３と、表面より反射する散乱光を捕捉
して光を電流に変換する光電変換素子２と、この光電変
換素子２の出力電流を電圧としてデジタル値に変換する
Ａ／Ｄ変換器５と、このＡ／Ｄ変換器５の出力によって
付着する異物の大きさを判定し、その大きさに相当する
信号を出力するサイズ変換回路１と、このサイズ変換回
路１の出力で異物の大きさを表示する表示部６とを有し
ていた。
【０００３】図３は、標準粒子を付着させた基準試料を
示す図、図４は捕捉される散乱光による光起電圧の波形
を示す図である。上述した異物検査装置では、実際に検
査を行う準備として、検査感度の較正を行っていた。こ
れには、図３に示す基準試料にレーザ光を照射し、標準
粒子９より反射する散乱光を図２に示す波形として発生
させる。そして、この出力値が、図４に示すように、標
準粒子９で得られるべき光起電圧の波光値が図２に示す
感度調整回路４で基準値と一致するように調整してい
た。
示す図、図４は捕捉される散乱光による光起電圧の波形
を示す図である。上述した異物検査装置では、実際に検
査を行う準備として、検査感度の較正を行っていた。こ
れには、図３に示す基準試料にレーザ光を照射し、標準
粒子９より反射する散乱光を図２に示す波形として発生
させる。そして、この出力値が、図４に示すように、標
準粒子９で得られるべき光起電圧の波光値が図２に示す
感度調整回路４で基準値と一致するように調整してい
た。
【０００４】このように調整した後、被検査物であるウ
ェーハあるいはフォトマスクに光を走査し、光電変換素
子で被検査物の散乱光を捕捉し、光電流に変換し、光起
電圧にしてＡ／Ｄ変換器５によりデジタル化する。そし
てデジタル化した信号の数量に応じてサイズ変換回路１
は被見物に付着する異物の大きさを判定し、表示部６に
異物の異物を表示していた。
ェーハあるいはフォトマスクに光を走査し、光電変換素
子で被検査物の散乱光を捕捉し、光電流に変換し、光起
電圧にしてＡ／Ｄ変換器５によりデジタル化する。そし
てデジタル化した信号の数量に応じてサイズ変換回路１
は被見物に付着する異物の大きさを判定し、表示部６に
異物の異物を表示していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
異物検査装置では、予め標準粒子を付着させた基準試料
を準備し、検出レベルを確認し、光電変換素子への印加
電圧を調整するのに、例えば、４時間以上浪費するとい
った問題があった。また、検出感度はレーザー等の走査
光の出力が変動して、変化してしまうことが多々あり、
一定の性能を長期間安定して維持するためには、定期的
な確認・調整という点検を頻繁に行う必要があった。こ
のことは大きな時間損失にもたらす結果となる。さら
に、点検から次回点検までの間は、検出感度が変動して
いないものと仮定し使用するため、装置が以上であるか
の否かの判定も困難であった。
異物検査装置では、予め標準粒子を付着させた基準試料
を準備し、検出レベルを確認し、光電変換素子への印加
電圧を調整するのに、例えば、４時間以上浪費するとい
った問題があった。また、検出感度はレーザー等の走査
光の出力が変動して、変化してしまうことが多々あり、
一定の性能を長期間安定して維持するためには、定期的
な確認・調整という点検を頻繁に行う必要があった。こ
のことは大きな時間損失にもたらす結果となる。さら
に、点検から次回点検までの間は、検出感度が変動して
いないものと仮定し使用するため、装置が以上であるか
の否かの判定も困難であった。
【０００６】本発明の目的は、かかる問題を解消すべ
く、検出感度を監視し、より短時間で変動を補正して常
に安定した検出感度で検出出来る異物検出装置を提供す
ることである。
く、検出感度を監視し、より短時間で変動を補正して常
に安定した検出感度で検出出来る異物検出装置を提供す
ることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の異物検査装置
は、被測定試料を載置するステージと、被測定試料面に
光を投射する発光部と、前記被測定試料より反射する散
乱光を捕捉する光電変換素子と、この光電変換素子の出
力値により付着する異物の大きさを判定するサイズ変換
回路とを有する異物検査装置において、前記ステージに
前記測定試料と同一面に配置されるとともに前記発光部
の光を検知する光検知部及び標準粒子が付着される基準
試料と、この光検知部及び基準試料から得られる光強度
の基準値を記憶する記憶部と、前記発光部の光及び前記
被測定試料からの散乱光の強度と前記基準値と比較し、
前記光電変換素子の感度を調整する制御部とを備えてい
る。
は、被測定試料を載置するステージと、被測定試料面に
光を投射する発光部と、前記被測定試料より反射する散
乱光を捕捉する光電変換素子と、この光電変換素子の出
力値により付着する異物の大きさを判定するサイズ変換
回路とを有する異物検査装置において、前記ステージに
前記測定試料と同一面に配置されるとともに前記発光部
の光を検知する光検知部及び標準粒子が付着される基準
試料と、この光検知部及び基準試料から得られる光強度
の基準値を記憶する記憶部と、前記発光部の光及び前記
被測定試料からの散乱光の強度と前記基準値と比較し、
前記光電変換素子の感度を調整する制御部とを備えてい
る。
【０００８】
【実施例】次に本発明について、図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】図１は本発明の一実施例を示す異物検査装
置のブロック図である。この異物検査装置は、図１に示
すように被測定試料７に付着する異物の大きさを較正す
る基準試料１３と、発光部３の光を検知する光検知部１
０をステージ８上に被測定試料７と同一面上に配置し、
基準となる光の強度及び基準となる散乱光の強度を記憶
する記憶部１２の、発光部３からの光の強度と前記光の
基準強度及び被測定試料７からの散乱光と前記基準の散
乱光強度とを比較して感度調整回路に補正指令する制御
部１１とを設けたことである。それ以外は従来例と同じ
である。
置のブロック図である。この異物検査装置は、図１に示
すように被測定試料７に付着する異物の大きさを較正す
る基準試料１３と、発光部３の光を検知する光検知部１
０をステージ８上に被測定試料７と同一面上に配置し、
基準となる光の強度及び基準となる散乱光の強度を記憶
する記憶部１２の、発光部３からの光の強度と前記光の
基準強度及び被測定試料７からの散乱光と前記基準の散
乱光強度とを比較して感度調整回路に補正指令する制御
部１１とを設けたことである。それ以外は従来例と同じ
である。
【００１０】次に、この異物検査装置の動作を説明す
る。まず、発光部３より光を光検知器１０に照射し、光
検知器１０より得られる基準の光強度値を記憶部１２に
記憶させる。引続き、同じ光を基準試料１３に投射し、
その散乱光を光電変換素子２に入光させ、光電流に変換
された基準散乱光の強度値を記憶部１２に記憶する。
る。まず、発光部３より光を光検知器１０に照射し、光
検知器１０より得られる基準の光強度値を記憶部１２に
記憶させる。引続き、同じ光を基準試料１３に投射し、
その散乱光を光電変換素子２に入光させ、光電流に変換
された基準散乱光の強度値を記憶部１２に記憶する。
【００１１】このように準備を完了した後に、発光部３
は被測定試料７の表面に光を投射する。被測定試料より
反射する散乱光は光電変換素子２に入光される。次に、
制御部１１は、記憶部１２から基準光強度値及び散乱光
強度値を抽出し、光電変換素子２からの散乱光の強度と
を比較する。もし、ここで散乱光の強度値と基準光強度
値及び散乱光強度値との差があれば、その差だけを補正
するように感度調整回路４に指令する。感度調整回路は
光電変換素子２に印加する電圧を補正する。
は被測定試料７の表面に光を投射する。被測定試料より
反射する散乱光は光電変換素子２に入光される。次に、
制御部１１は、記憶部１２から基準光強度値及び散乱光
強度値を抽出し、光電変換素子２からの散乱光の強度と
を比較する。もし、ここで散乱光の強度値と基準光強度
値及び散乱光強度値との差があれば、その差だけを補正
するように感度調整回路４に指令する。感度調整回路は
光電変換素子２に印加する電圧を補正する。
【００１２】このように、あらかじめ基準となる光投射
強度及び散乱光強度を記憶する記憶部を設け、測定する
光の強度及び得られる散乱光の強度と基準値と比較し
て、受光部をある光電変換素子の感度を補正するので、
常にサイズ変換回路は安定したデジタル信号を授け、正
確に判定することが出来る。特に基準値を得るための基
準試料及び光検知器を被測定試料を同一面に配置するこ
とによって、より再現性のある測定値が得られるという
利点がある。また、必要に応じて、制御部に異常検出回
路を設け、基準値との差が大きいと判定したときに、異
常を警報しても良い。
強度及び散乱光強度を記憶する記憶部を設け、測定する
光の強度及び得られる散乱光の強度と基準値と比較し
て、受光部をある光電変換素子の感度を補正するので、
常にサイズ変換回路は安定したデジタル信号を授け、正
確に判定することが出来る。特に基準値を得るための基
準試料及び光検知器を被測定試料を同一面に配置するこ
とによって、より再現性のある測定値が得られるという
利点がある。また、必要に応じて、制御部に異常検出回
路を設け、基準値との差が大きいと判定したときに、異
常を警報しても良い。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、基準散乱
光を発生させる基準試料と、基準光を検知する光検知器
とを被測定資料と同一面上に配置し、この基準試料及び
光検知器から得られる光強度の基準値を記憶する記憶部
と、測定に使用する光の強度及び被測定試料からの散乱
光の強度と前記基準値とを比較し、被測定資料からの散
乱光を入光する光電変換素子の感度を補正する制御部を
設けることによって、より短時間で光強度を補正し、安
定した検出感度で測定出来る異物検査装置が得られると
いう効果がある。
光を発生させる基準試料と、基準光を検知する光検知器
とを被測定資料と同一面上に配置し、この基準試料及び
光検知器から得られる光強度の基準値を記憶する記憶部
と、測定に使用する光の強度及び被測定試料からの散乱
光の強度と前記基準値とを比較し、被測定資料からの散
乱光を入光する光電変換素子の感度を補正する制御部を
設けることによって、より短時間で光強度を補正し、安
定した検出感度で測定出来る異物検査装置が得られると
いう効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す異物検査装置のブロッ
ク図である。
ク図である。
【図２】従来の一例を示す異物検査装置のブロック図で
ある。
ある。
【図３】基準試料を示す側面図である。
【図４】捕捉される散乱光による光起電圧を示す波形図
である。
である。
１ サイズ変換回路 ２ 光電変換素子 ３ 発光部 ４ 感度調整回路 ５ Ａ／Ｄ変換器 ６ 表示部 ７ 被測定試料 ８ ステージ ９ 標準粒子 １０ 光検知器 １１ 制御部 １２ 記憶部 １３ 基準試料
Claims (1)
- 【請求項１】 被測定試料を載置するステージと、被測
定試料面に光を投射する発光部と、前記被測定試料より
反射する散乱光を捕捉する光電変換素子と、この光電変
換素子の出力値により付着する異物の大きさを判定する
サイズ変換回路とを有する異物検査装置において、前記
ステージに前記測定試料と同一面に配置されるとともに
前記発光部の光を検知する光検知部及び標準粒子が付着
される基準試料と、この光検知部及び基準試料から得ら
れる光強度の基準値を記憶する記憶部と、前記発光部の
光及び前記被測定試料からの散乱光の強度と前記基準値
と比較し、前記光電変換素子の感度を調整する制御部と
を備えることを特徴とする異物検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21490591A JPH0572145A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 異物検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21490591A JPH0572145A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 異物検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0572145A true JPH0572145A (ja) | 1993-03-23 |
Family
ID=16663508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21490591A Pending JPH0572145A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 異物検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0572145A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008008805A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 光学式欠陥検査装置 |
| JP2008268140A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
| JP2008298623A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置および検査方法 |
| WO2010098179A1 (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 表面検査装置及びその校正方法 |
| JP2012027038A (ja) * | 2011-10-26 | 2012-02-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
| CN119666870A (zh) * | 2024-12-10 | 2025-03-21 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 缺陷检测设备的校准方法、装置、校准设备、产品及介质 |
-
1991
- 1991-08-27 JP JP21490591A patent/JPH0572145A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008008805A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 光学式欠陥検査装置 |
| JP2008268140A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
| JP2008298623A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置および検査方法 |
| WO2010098179A1 (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 表面検査装置及びその校正方法 |
| JP2010203776A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-16 | Hitachi High-Technologies Corp | 表面検査装置及びその校正方法 |
| JP2012027038A (ja) * | 2011-10-26 | 2012-02-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
| CN119666870A (zh) * | 2024-12-10 | 2025-03-21 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 缺陷检测设备的校准方法、装置、校准设备、产品及介质 |
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