JPH09210919A - 欠陥検査方法 - Google Patents
欠陥検査方法Info
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- JPH09210919A JPH09210919A JP8044131A JP4413196A JPH09210919A JP H09210919 A JPH09210919 A JP H09210919A JP 8044131 A JP8044131 A JP 8044131A JP 4413196 A JP4413196 A JP 4413196A JP H09210919 A JPH09210919 A JP H09210919A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、欠陥検査方法について、広範囲に亘
る検出感度に応じた感度制御データの設定時間を大幅に
短縮し得るようにする。 【解決手段】本発明は、１つ目の欠陥検査装置におい
て、検出対象となる欠陥の大きさに応じた大きさを有す
る複数の基準粒子に対してそれぞれ感度制御データを求
めて基礎データとして欠陥を検査し、以降の欠陥検査装
置において、各基準粒子のうち少なくとも２つの基準粒
子に対してそれぞれ感度制御データを測定し、当該各測
定した感度制御データと、対応する各基礎データとに基
づいて各基準粒子のうち残りの基準粒子に対する感度制
御データを求め、当該各感度制御データ及び各測定した
感度制御データを用いて欠陥を検査することにより、感
度制御データを容易に求めることができ、かくして広範
囲に亘る検出感度に応じた感度制御データの設定時間を
大幅に短縮し得る欠陥検査方法を実現できる。
る検出感度に応じた感度制御データの設定時間を大幅に
短縮し得るようにする。 【解決手段】本発明は、１つ目の欠陥検査装置におい
て、検出対象となる欠陥の大きさに応じた大きさを有す
る複数の基準粒子に対してそれぞれ感度制御データを求
めて基礎データとして欠陥を検査し、以降の欠陥検査装
置において、各基準粒子のうち少なくとも２つの基準粒
子に対してそれぞれ感度制御データを測定し、当該各測
定した感度制御データと、対応する各基礎データとに基
づいて各基準粒子のうち残りの基準粒子に対する感度制
御データを求め、当該各感度制御データ及び各測定した
感度制御データを用いて欠陥を検査することにより、感
度制御データを容易に求めることができ、かくして広範
囲に亘る検出感度に応じた感度制御データの設定時間を
大幅に短縮し得る欠陥検査方法を実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は欠陥検査方法に関
し、特に半導体の露光工程に用いられるレチクル、マス
ク（以下、これらを単にレチクルと呼ぶ）、レチクルに
貼着されるペリクル、ＬＳＩチツプ用のフオトマスク及
びウエハ等の表面の異物及び傷等でなる欠陥を検査する
欠陥検査方法に適用して好適なものである。
し、特に半導体の露光工程に用いられるレチクル、マス
ク（以下、これらを単にレチクルと呼ぶ）、レチクルに
貼着されるペリクル、ＬＳＩチツプ用のフオトマスク及
びウエハ等の表面の異物及び傷等でなる欠陥を検査する
欠陥検査方法に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体の露光工程においては、レ
チクル等の表面に塵埃等の異物が付着したり傷が付いた
りすることがあり、この異物及び傷等でなる欠陥がウエ
ハ表面に転写され、製造されるウエハの表面に欠陥を生
じさせる原因になることがある。このため、回路パター
ンを有するレチクル等の表面の欠陥を光学的に検査する
欠陥検査装置が提案されている（特公昭第６３−６４７
３８号公報等）。
チクル等の表面に塵埃等の異物が付着したり傷が付いた
りすることがあり、この異物及び傷等でなる欠陥がウエ
ハ表面に転写され、製造されるウエハの表面に欠陥を生
じさせる原因になることがある。このため、回路パター
ンを有するレチクル等の表面の欠陥を光学的に検査する
欠陥検査装置が提案されている（特公昭第６３−６４７
３８号公報等）。
【０００３】この場合この欠陥検査装置では、レチクル
等の被検査物の表面（以下、これを被検査面と呼ぶ）に
光ビームを斜めに入射させ、当該被検査面と光ビームと
を相対的に移動させることにより、被検査面を光ビーム
で２次元的に走査し得るようになされている。また、こ
の被検査面に入射された光ビームは、当該被検査面で反
射して反射光となり、当該反射光は被検査面の周囲に複
数設けられたフオトマルチプライヤ等でなる光電検出器
によつて光電検出される。これによりこの欠陥検査装置
では、光電検出器から得られる光電信号に基づいて被検
査面の欠陥の有無及び欠陥の大きさを判別し得るように
なされている。
等の被検査物の表面（以下、これを被検査面と呼ぶ）に
光ビームを斜めに入射させ、当該被検査面と光ビームと
を相対的に移動させることにより、被検査面を光ビーム
で２次元的に走査し得るようになされている。また、こ
の被検査面に入射された光ビームは、当該被検査面で反
射して反射光となり、当該反射光は被検査面の周囲に複
数設けられたフオトマルチプライヤ等でなる光電検出器
によつて光電検出される。これによりこの欠陥検査装置
では、光電検出器から得られる光電信号に基づいて被検
査面の欠陥の有無及び欠陥の大きさを判別し得るように
なされている。
【０００４】すなわち、この欠陥検査装置において、被
検査物の被検査面から得られる反射光は、被検査面に入
射した光ビームが回路パターンで反射した場合に指向性
が強い回折光となり、被検査面に存在する欠陥で反射し
た場合には指向性の弱い散乱光となる。従つて、この欠
陥検査装置では、光ビームが回路パターンで反射してな
る回折光及び光ビームが欠陥で反射してなる散乱光に応
じて各光電検出器から得られる光電信号がそれぞれ所定
の値以上のときには被検査面に欠陥が存在すると判定し
得ると共に、これら光電信号の値に基づいて欠陥の大き
さを求めることができる。
検査物の被検査面から得られる反射光は、被検査面に入
射した光ビームが回路パターンで反射した場合に指向性
が強い回折光となり、被検査面に存在する欠陥で反射し
た場合には指向性の弱い散乱光となる。従つて、この欠
陥検査装置では、光ビームが回路パターンで反射してな
る回折光及び光ビームが欠陥で反射してなる散乱光に応
じて各光電検出器から得られる光電信号がそれぞれ所定
の値以上のときには被検査面に欠陥が存在すると判定し
得ると共に、これら光電信号の値に基づいて欠陥の大き
さを求めることができる。
【０００５】また、近年、被検査物のうち特にレチクル
は、回路パターンのサイズが微細化されており、この微
細化傾向に伴つて欠陥をより厳密に検査するように要求
されてきている。すなわち、欠陥検査装置において、光
電検出器からレチクルの表面の欠陥に応じた光電信号が
得られると、当該光電信号に基づいて欠陥の大きさをで
きるだけ厳密に求め、レチクルの回路パターンをウエハ
表面に露光転写した場合、この欠陥の大きさがウエハに
転写される可能性のない大きさか、ウエハに転写される
可能性のある大きさか、あるいは確実にウエハに転写さ
れる大きさかに基づいてこの欠陥の大きさを管理する必
要がある。
は、回路パターンのサイズが微細化されており、この微
細化傾向に伴つて欠陥をより厳密に検査するように要求
されてきている。すなわち、欠陥検査装置において、光
電検出器からレチクルの表面の欠陥に応じた光電信号が
得られると、当該光電信号に基づいて欠陥の大きさをで
きるだけ厳密に求め、レチクルの回路パターンをウエハ
表面に露光転写した場合、この欠陥の大きさがウエハに
転写される可能性のない大きさか、ウエハに転写される
可能性のある大きさか、あるいは確実にウエハに転写さ
れる大きさかに基づいてこの欠陥の大きさを管理する必
要がある。
【０００６】実際上、現在量産レベルにある半導体デバ
イスでは、直径が 0.5〔μm 〕程度未満でなる欠陥はウ
エハ表面に転写される可能性はなく、直径が 0.5〜 1.0
〔μm 〕程度でなる欠陥はウエハ表面に転写される可能
性があり、直径が 1.0〔μm〕程度を越えるような欠陥
はウエハ表面に確実に転写されるというように欠陥に対
する判定基準が設けられている。
イスでは、直径が 0.5〔μm 〕程度未満でなる欠陥はウ
エハ表面に転写される可能性はなく、直径が 0.5〜 1.0
〔μm 〕程度でなる欠陥はウエハ表面に転写される可能
性があり、直径が 1.0〔μm〕程度を越えるような欠陥
はウエハ表面に確実に転写されるというように欠陥に対
する判定基準が設けられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
欠陥検査装置においては、例えば直径が 0.8〔μm 〕程
度のポリスチレン真球ビーズ等でなる基準粒子を用い
て、直径が 0.8〔μm 〕程度でなる欠陥に対して検出感
度を設定して、直径が 0.8〔μm 〕程度でなる欠陥に対
して検出感度を保証し得るようになされている。しかし
ながら、直径が 1.0〔μm 〕程度未満でなるいわゆるサ
ブミクロンの大きさでなる欠陥において、当該欠陥から
得られる散乱光の光量（以下、これを散乱光量と呼ぶ）
Ｑと欠陥の大きさ（直径）Ｄとの間にはおおむね次式
（１）
欠陥検査装置においては、例えば直径が 0.8〔μm 〕程
度のポリスチレン真球ビーズ等でなる基準粒子を用い
て、直径が 0.8〔μm 〕程度でなる欠陥に対して検出感
度を設定して、直径が 0.8〔μm 〕程度でなる欠陥に対
して検出感度を保証し得るようになされている。しかし
ながら、直径が 1.0〔μm 〕程度未満でなるいわゆるサ
ブミクロンの大きさでなる欠陥において、当該欠陥から
得られる散乱光の光量（以下、これを散乱光量と呼ぶ）
Ｑと欠陥の大きさ（直径）Ｄとの間にはおおむね次式
（１）
【数１】 に示す関係がある。
【０００８】従つて、直径が 0.8〔μm 〕程度でなる欠
陥に対して検出感度を保証し得る欠陥検査装置では、直
径が 0.8〔μm 〕程度でなる基準粒子の散乱光量Ｑ0 を
１とすると、まず、直径が 0.5〔μm 〕程度でなる基準
粒子の散乱光量Ｑ1 は次式（２）
陥に対して検出感度を保証し得る欠陥検査装置では、直
径が 0.8〔μm 〕程度でなる基準粒子の散乱光量Ｑ0 を
１とすると、まず、直径が 0.5〔μm 〕程度でなる基準
粒子の散乱光量Ｑ1 は次式（２）
【数２】 で得られる。また、直径が 1.0〔μm 〕程度でなる基準
粒子の散乱光量Ｑ2 は次式（３）
粒子の散乱光量Ｑ2 は次式（３）
【数３】 で得られる。
【０００９】このため、散乱光量Ｑ1 と散乱光量Ｑ2 と
の間には次式（４）
の間には次式（４）
【数４】 に示すように16倍もの差が生じることになる。このこと
は、直径が 0.5〔μm 〕程度でなる欠陥と直径が 1.0
〔μm 〕程度でなる欠陥とでは、光電検出器から得られ
る光電信号の大きさが16倍もの差を生じることを表して
いる。
は、直径が 0.5〔μm 〕程度でなる欠陥と直径が 1.0
〔μm 〕程度でなる欠陥とでは、光電検出器から得られ
る光電信号の大きさが16倍もの差を生じることを表して
いる。
【００１０】従つて、この欠陥検査装置においては、光
電信号の下限値（最小値）に対して上限値（最大値）が
16倍にもなるため、このような広範囲に亘つて光電信号
の大きさを判別し、ひいては欠陥の大きさを判別するこ
とは、通常の電気回路処理では困難となる。すなわち、
この欠陥検査装置では、直径が 0.5〜 1.0〔μm 〕程度
の広範囲に亘る欠陥の大きさを判別することが困難とな
る問題があつた。
電信号の下限値（最小値）に対して上限値（最大値）が
16倍にもなるため、このような広範囲に亘つて光電信号
の大きさを判別し、ひいては欠陥の大きさを判別するこ
とは、通常の電気回路処理では困難となる。すなわち、
この欠陥検査装置では、直径が 0.5〜 1.0〔μm 〕程度
の広範囲に亘る欠陥の大きさを判別することが困難とな
る問題があつた。
【００１１】このような問題を解決する第１の方法とし
て、欠陥検査装置において例えば直径が 1.0〔μm 〕程
度でなる基準粒子を用いて直径が 1.0〔μm 〕程度でな
る欠陥に対して検出感度を設定し、当該検出感度を
（１）式に基づいて16倍することにより、直径が 0.5
〔μm 〕程度でなる欠陥を直径が 1.0〔μm 〕程度でな
る欠陥に応じて光電検出器から得られる光電信号の値と
同じ値の光電信号として検査し得ると考えられる。ま
た、この第１の方法によれば、直径が 0.5〜 1.0〔μ
m〕程度の範囲でなる欠陥に応じて光電検出器から得ら
れる光電信号の値を、（１）式に基づいて例えば直径が
1.0〔μm 〕程度でなる欠陥に応じて光電検出器から得
られる光電信号の値と同じ値に補正し得ると考えられ
る。
て、欠陥検査装置において例えば直径が 1.0〔μm 〕程
度でなる基準粒子を用いて直径が 1.0〔μm 〕程度でな
る欠陥に対して検出感度を設定し、当該検出感度を
（１）式に基づいて16倍することにより、直径が 0.5
〔μm 〕程度でなる欠陥を直径が 1.0〔μm 〕程度でな
る欠陥に応じて光電検出器から得られる光電信号の値と
同じ値の光電信号として検査し得ると考えられる。ま
た、この第１の方法によれば、直径が 0.5〜 1.0〔μ
m〕程度の範囲でなる欠陥に応じて光電検出器から得ら
れる光電信号の値を、（１）式に基づいて例えば直径が
1.0〔μm 〕程度でなる欠陥に応じて光電検出器から得
られる光電信号の値と同じ値に補正し得ると考えられ
る。
【００１２】ところが、この欠陥検査装置においては、
光電検出器の光電変換効率のばらつきや、被検査面に入
射する光ビームの入射角のばらつき、及び基準粒子から
得られる反射光の反射方向のばらつきによつて生じる光
電検出器での受光角のばらつき等がある（以下、これら
のばらつきを単にばらつきとよぶ）ため、直径が 0.5
〔μm 〕程度でなる欠陥及び直径が 1.0〔μm 〕程度で
なる欠陥にそれぞれ応じて光電検出器から得られる光電
信号の値は異なる値となる。この結果、第１の方法にお
いては、（１）式に基づいて光電検出器から得られる光
電信号の値を補正するようにしても、検出感度は保証し
難い問題があつた。
光電検出器の光電変換効率のばらつきや、被検査面に入
射する光ビームの入射角のばらつき、及び基準粒子から
得られる反射光の反射方向のばらつきによつて生じる光
電検出器での受光角のばらつき等がある（以下、これら
のばらつきを単にばらつきとよぶ）ため、直径が 0.5
〔μm 〕程度でなる欠陥及び直径が 1.0〔μm 〕程度で
なる欠陥にそれぞれ応じて光電検出器から得られる光電
信号の値は異なる値となる。この結果、第１の方法にお
いては、（１）式に基づいて光電検出器から得られる光
電信号の値を補正するようにしても、検出感度は保証し
難い問題があつた。
【００１３】また、上述したような問題を解決する第２
の方法として、欠陥検査装置において、例えば直径が
0.5〔μm 〕、 0.6〔μm 〕、 0.7〔μm 〕、 0.8〔μm
〕、0.9〔μm 〕、 1.0〔μm 〕程度でなる入手可能な
全ての基準粒子を用いて検出感度に応じた感度制御デー
タを設定する方法がある。この場合欠陥検査装置におい
ては、検出対象となる欠陥の大きさに応じた感度制御デ
ータに基づいて検出感度を制御することにより、これら
各基準粒子とそれぞれ同じ大きさでなる欠陥に対して検
出感度を保証し得、かつ第１の方法に対する問題も解決
し得る利点がある。
の方法として、欠陥検査装置において、例えば直径が
0.5〔μm 〕、 0.6〔μm 〕、 0.7〔μm 〕、 0.8〔μm
〕、0.9〔μm 〕、 1.0〔μm 〕程度でなる入手可能な
全ての基準粒子を用いて検出感度に応じた感度制御デー
タを設定する方法がある。この場合欠陥検査装置におい
ては、検出対象となる欠陥の大きさに応じた感度制御デ
ータに基づいて検出感度を制御することにより、これら
各基準粒子とそれぞれ同じ大きさでなる欠陥に対して検
出感度を保証し得、かつ第１の方法に対する問題も解決
し得る利点がある。
【００１４】しかしながら、この第２の方法によれば、
欠陥検査装置が複数ある場合、これら複数の欠陥検査装
置間でもばらつきがあり差（以下、これを装置間差と呼
ぶ）が生じているため、これら各欠陥検査装置において
それぞれ入手可能な全ての基準粒子を用いて検出感度に
応じた感度制御データを設定する必要がある。従つて第
２の方法では、感度検出データの設定に多大な時間が必
要となり、当該感度検出データの設定が煩雑になる問題
があつた。
欠陥検査装置が複数ある場合、これら複数の欠陥検査装
置間でもばらつきがあり差（以下、これを装置間差と呼
ぶ）が生じているため、これら各欠陥検査装置において
それぞれ入手可能な全ての基準粒子を用いて検出感度に
応じた感度制御データを設定する必要がある。従つて第
２の方法では、感度検出データの設定に多大な時間が必
要となり、当該感度検出データの設定が煩雑になる問題
があつた。
【００１５】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、広範囲に亘る検出感度に応じた感度制御データの設
定時間を大幅に短縮し得る欠陥検査方法を提案しようと
するものである。
で、広範囲に亘る検出感度に応じた感度制御データの設
定時間を大幅に短縮し得る欠陥検査方法を提案しようと
するものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、被検査物の被検査面を光ビームで
走査する光ビーム走査手段と、被検査物の被検査面で光
ビームが反射してなる反射光を光電検出する光電検出手
段と、検出対象となる欠陥の大きさに応じた感度制御デ
ータに基づいて光電検出手段の検出感度を制御する検出
感度制御手段とを有する欠陥検査装置を用いて、被検査
物の被検査面の欠陥を光電検出手段の出力に基づいて検
査する欠陥検査方法において、１つ目の欠陥検査装置に
ついては、検出対象となる欠陥の大きさに応じた大きさ
を有する複数の基準粒子に対してそれぞれ感度制御デー
タを求めて、当該各感度制御データをそれぞれ基礎デー
タとして欠陥を検査し、以降の欠陥検査装置について
は、各基準粒子のうち少なくとも２つの基準粒子に対し
てそれぞれ感度制御データを測定し、当該各測定した感
度制御データと、これら各測定した感度制御データにそ
れぞれ対応する各基礎データとに基づいて、各基準粒子
のうち残りの基準粒子に対する感度制御データを求め、
当該各感度制御データ及び各測定した感度制御データを
用いて欠陥を検査するようにした。
め本発明においては、被検査物の被検査面を光ビームで
走査する光ビーム走査手段と、被検査物の被検査面で光
ビームが反射してなる反射光を光電検出する光電検出手
段と、検出対象となる欠陥の大きさに応じた感度制御デ
ータに基づいて光電検出手段の検出感度を制御する検出
感度制御手段とを有する欠陥検査装置を用いて、被検査
物の被検査面の欠陥を光電検出手段の出力に基づいて検
査する欠陥検査方法において、１つ目の欠陥検査装置に
ついては、検出対象となる欠陥の大きさに応じた大きさ
を有する複数の基準粒子に対してそれぞれ感度制御デー
タを求めて、当該各感度制御データをそれぞれ基礎デー
タとして欠陥を検査し、以降の欠陥検査装置について
は、各基準粒子のうち少なくとも２つの基準粒子に対し
てそれぞれ感度制御データを測定し、当該各測定した感
度制御データと、これら各測定した感度制御データにそ
れぞれ対応する各基礎データとに基づいて、各基準粒子
のうち残りの基準粒子に対する感度制御データを求め、
当該各感度制御データ及び各測定した感度制御データを
用いて欠陥を検査するようにした。
【００１７】１つ目の欠陥検査装置においては、検出対
象となる欠陥の大きさに応じた大きさを有する複数の基
準粒子に対してそれぞれ感度制御データを求めて、当該
各感度制御データをそれぞれ基礎データとして用いて検
出感度を設定して欠陥を検査し、以降の欠陥検査装置に
ついては、各基準粒子のうち少なくとも２つの基準粒子
に対してそれぞれ感度制御データを測定し、当該各測定
した感度制御データと、これら各測定した感度制御デー
タにそれぞれ対応する各基礎データとに基づいて、各基
準粒子のうち残りの基準粒子に対する感度制御データを
求め、当該各感度制御データ及び各測定した感度制御デ
ータを用いて検出感度を設定して欠陥を検査するように
したことにより、感度制御データを容易に求めることが
できる。
象となる欠陥の大きさに応じた大きさを有する複数の基
準粒子に対してそれぞれ感度制御データを求めて、当該
各感度制御データをそれぞれ基礎データとして用いて検
出感度を設定して欠陥を検査し、以降の欠陥検査装置に
ついては、各基準粒子のうち少なくとも２つの基準粒子
に対してそれぞれ感度制御データを測定し、当該各測定
した感度制御データと、これら各測定した感度制御デー
タにそれぞれ対応する各基礎データとに基づいて、各基
準粒子のうち残りの基準粒子に対する感度制御データを
求め、当該各感度制御データ及び各測定した感度制御デ
ータを用いて検出感度を設定して欠陥を検査するように
したことにより、感度制御データを容易に求めることが
できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
施例を詳述する。
【００１９】図１において、１は全体として実施例によ
る欠陥検査方法が適用された欠陥検査装置を示し、レチ
クル等でなる被検査物２の被検査面２Ａが、図中に示す
点Ａから伸びた矢印Ｘで示す方向（以下、これをＸ方向
と呼ぶ）と矢印Ｙで示す方向（以下、これをＹ方向と呼
ぶ）とでなる平面（以下、これをＸＹ平面と呼ぶ）に対
して平行となるように、当該被検査物２がステージ３に
載置されている。また、この欠陥検査装置１には、被検
査物２の被検査面２Ａを光ビーム（以下、これを走査線
と呼ぶ）ＬＡ１で走査し得る光ビーム走査部４が設けら
れている。
る欠陥検査方法が適用された欠陥検査装置を示し、レチ
クル等でなる被検査物２の被検査面２Ａが、図中に示す
点Ａから伸びた矢印Ｘで示す方向（以下、これをＸ方向
と呼ぶ）と矢印Ｙで示す方向（以下、これをＹ方向と呼
ぶ）とでなる平面（以下、これをＸＹ平面と呼ぶ）に対
して平行となるように、当該被検査物２がステージ３に
載置されている。また、この欠陥検査装置１には、被検
査物２の被検査面２Ａを光ビーム（以下、これを走査線
と呼ぶ）ＬＡ１で走査し得る光ビーム走査部４が設けら
れている。
【００２０】この場合、光ビーム走査部４において、レ
ーザ光源等でなる光源５から射出された光ビームＬＡ２
は、ガルバノスキヤナ又はポリゴンミラー等でなるスキ
ヤナ６を介してＸ方向に偏向走査された後、ｆθレンズ
等でなる走査レンズ７を透過してＸ方向にほぼ平行とな
るように収束して走査線ＬＡ１に形成される。この走査
線ＬＡ１は、被検査物２の被検査面２Ａに所定の角度で
入射するようになされている。
ーザ光源等でなる光源５から射出された光ビームＬＡ２
は、ガルバノスキヤナ又はポリゴンミラー等でなるスキ
ヤナ６を介してＸ方向に偏向走査された後、ｆθレンズ
等でなる走査レンズ７を透過してＸ方向にほぼ平行とな
るように収束して走査線ＬＡ１に形成される。この走査
線ＬＡ１は、被検査物２の被検査面２Ａに所定の角度で
入射するようになされている。
【００２１】また、ステージ３には駆動部８が設けられ
ており、当該ステージ３は駆動部８の駆動制御に基づい
てＹ方向及びこれとは逆方向（以下、これをＹ軸両方向
と呼ぶ）Ｂに移動する。これにより走査線ＬＡ１は、ス
テージ３の移動に応じて同様にＹ軸両方向Ｂに移動する
被検査物２の被検査面２Ａを全面に亘り二次元的に走査
し得るようになされている。なお、このステージ３の移
動量は、当該ステージ３に設けられたリニアエンコーダ
等でなる測長器９によつて測定される。
ており、当該ステージ３は駆動部８の駆動制御に基づい
てＹ方向及びこれとは逆方向（以下、これをＹ軸両方向
と呼ぶ）Ｂに移動する。これにより走査線ＬＡ１は、ス
テージ３の移動に応じて同様にＹ軸両方向Ｂに移動する
被検査物２の被検査面２Ａを全面に亘り二次元的に走査
し得るようになされている。なお、このステージ３の移
動量は、当該ステージ３に設けられたリニアエンコーダ
等でなる測長器９によつて測定される。
【００２２】ここで、この欠陥検査装置１においては、
被検査物２の被検査面２Ａに欠陥１０が存在する場合、
当該被検査物２の被検査面２Ａを走査する走査線ＬＡ１
は欠陥１０で反射して散乱光ＬＡ３となる。この散乱光
ＬＡ３は、異なる方向から走査線ＬＡ２を見込むように
３箇所の所定位置にそれぞれ配置された受光レンズ１
１、１２及び１３を介してフオトマルチプライヤ等でな
る光電検出器１４、１５及び１６によつて光電検出され
る。また、被検査物２の被検査面２Ａには、ウエハ（図
示せず）表面に転写するための所定の回路パターン１７
が形成されている。この場合、走査線ＬＡ１は回路パタ
ーン１７で反射すると回折光ＬＡ４となり、当該回折光
ＬＡ４は散乱光ＬＡ３のときと同様に受光レンズ１１、
１２及び１３を介して光電検出器１４、１５及び１６に
よつて光電検出される。
被検査物２の被検査面２Ａに欠陥１０が存在する場合、
当該被検査物２の被検査面２Ａを走査する走査線ＬＡ１
は欠陥１０で反射して散乱光ＬＡ３となる。この散乱光
ＬＡ３は、異なる方向から走査線ＬＡ２を見込むように
３箇所の所定位置にそれぞれ配置された受光レンズ１
１、１２及び１３を介してフオトマルチプライヤ等でな
る光電検出器１４、１５及び１６によつて光電検出され
る。また、被検査物２の被検査面２Ａには、ウエハ（図
示せず）表面に転写するための所定の回路パターン１７
が形成されている。この場合、走査線ＬＡ１は回路パタ
ーン１７で反射すると回折光ＬＡ４となり、当該回折光
ＬＡ４は散乱光ＬＡ３のときと同様に受光レンズ１１、
１２及び１３を介して光電検出器１４、１５及び１６に
よつて光電検出される。
【００２３】ここで、走査線ＬＡ１が欠陥１０で反射し
てなる散乱光ＬＡ３は指向性が弱くほぼ等方的に散乱す
る。一方、走査線ＬＡ１が回路パターン１７で反射して
なる回折光ＬＡ４は散乱指向性が極めて高い。これによ
りこの欠陥検査装置１では、光電検出器１４、１５及び
１６が全て所定レベル以上の光量を受光した場合、被検
査物２の被検査面２Ａに検出すべき大きさでなる欠陥１
０が存在すると判定する。また、この欠陥検査装置１で
は光電検出器１４、１５及び１６のうち、少なくともい
ずれか１つの光電検出器１４、１５又は１６において、
所定レベルに達しない光量が受光された場合には、検出
すべき大きさに満たない大きさでなる欠陥１０が存在す
るか又は回路パターン１７が存在するか、あるいは欠陥
１０及び回路パターン１７のいずれも存在しないと判定
するようになされている。
てなる散乱光ＬＡ３は指向性が弱くほぼ等方的に散乱す
る。一方、走査線ＬＡ１が回路パターン１７で反射して
なる回折光ＬＡ４は散乱指向性が極めて高い。これによ
りこの欠陥検査装置１では、光電検出器１４、１５及び
１６が全て所定レベル以上の光量を受光した場合、被検
査物２の被検査面２Ａに検出すべき大きさでなる欠陥１
０が存在すると判定する。また、この欠陥検査装置１で
は光電検出器１４、１５及び１６のうち、少なくともい
ずれか１つの光電検出器１４、１５又は１６において、
所定レベルに達しない光量が受光された場合には、検出
すべき大きさに満たない大きさでなる欠陥１０が存在す
るか又は回路パターン１７が存在するか、あるいは欠陥
１０及び回路パターン１７のいずれも存在しないと判定
するようになされている。
【００２４】なお、この場合被検査物２のＹ軸両方向Ｂ
の移動速度は、光ビームＬＡ２のＸ方向走査速度に比し
て極めて小さい値に設定されている。これにより、この
欠陥検査装置１において、走査線ＬＡ１は被検査物２の
被検査面２Ａに存在する欠陥１０及び回路パターン１７
を確実に照射し得ると共に、光電検出器１４、１５及び
１６は散乱光ＬＡ３及び回折光ＬＡ４を確実に光電検出
し得るようになされている。
の移動速度は、光ビームＬＡ２のＸ方向走査速度に比し
て極めて小さい値に設定されている。これにより、この
欠陥検査装置１において、走査線ＬＡ１は被検査物２の
被検査面２Ａに存在する欠陥１０及び回路パターン１７
を確実に照射し得ると共に、光電検出器１４、１５及び
１６は散乱光ＬＡ３及び回折光ＬＡ４を確実に光電検出
し得るようになされている。
【００２５】ここで、実際に光電検出器１４、１５及１
６に受光された散乱光ＬＡ３及び回折光ＬＡ４に基づい
て被検査物２の被検査面２Ａに存在する欠陥１０を検出
する欠陥検出回路を図２に示す。まず、この欠陥検出回
路２０では、光電検出器１４、１５及び１６に散乱光Ｌ
Ａ３及び回折光ＬＡ４が受光されると、当該光電検出器
１４、１５及び１６は受光した散乱光ＬＡ３及び回折光
ＬＡ４の光量に応じてほぼ比例した光電信号Ｓ１、Ｓ２
及びＳ３をそれぞれプリアンプ２１、２２及び２３を介
して増幅させて、比較器２４、２５及び２６に送出す
る。
６に受光された散乱光ＬＡ３及び回折光ＬＡ４に基づい
て被検査物２の被検査面２Ａに存在する欠陥１０を検出
する欠陥検出回路を図２に示す。まず、この欠陥検出回
路２０では、光電検出器１４、１５及び１６に散乱光Ｌ
Ａ３及び回折光ＬＡ４が受光されると、当該光電検出器
１４、１５及び１６は受光した散乱光ＬＡ３及び回折光
ＬＡ４の光量に応じてほぼ比例した光電信号Ｓ１、Ｓ２
及びＳ３をそれぞれプリアンプ２１、２２及び２３を介
して増幅させて、比較器２４、２５及び２６に送出す
る。
【００２６】比較器２４、２５及び２６は、基準電圧発
生部２７からそれぞれ基準電圧Ｓ４が印加され、当該基
準電圧Ｓ４と光電信号Ｓ１、Ｓ２及びＳ３とをそれぞれ
比較する。この結果、比較器２４、２５及び２６は光電
信号Ｓ１、Ｓ２及びＳ３が基準電圧Ｓ４よりも大きい場
合には「１」でなり、光電信号Ｓ１、Ｓ２及びＳ３が基
準電圧Ｓ４よりも小さい場合には「０」でなるデイジタ
ル信号Ｓ５、Ｓ６及びＳ７をＡＮＤ回路２８に送出す
る。なお、この場合基準電圧発生部２７は、電圧発生源
（図示せず）の出力端子に一端が接続されて他端が接地
接続された抵抗Ｒ１によつて、電圧発生源から印加され
た電圧値を分圧して基準電圧Ｓ４を発生する。
生部２７からそれぞれ基準電圧Ｓ４が印加され、当該基
準電圧Ｓ４と光電信号Ｓ１、Ｓ２及びＳ３とをそれぞれ
比較する。この結果、比較器２４、２５及び２６は光電
信号Ｓ１、Ｓ２及びＳ３が基準電圧Ｓ４よりも大きい場
合には「１」でなり、光電信号Ｓ１、Ｓ２及びＳ３が基
準電圧Ｓ４よりも小さい場合には「０」でなるデイジタ
ル信号Ｓ５、Ｓ６及びＳ７をＡＮＤ回路２８に送出す
る。なお、この場合基準電圧発生部２７は、電圧発生源
（図示せず）の出力端子に一端が接続されて他端が接地
接続された抵抗Ｒ１によつて、電圧発生源から印加され
た電圧値を分圧して基準電圧Ｓ４を発生する。
【００２７】ＡＮＤ回路２８は、比較器２４、２５及び
２６から入力されたデジタル信号Ｓ５、Ｓ６及びＳ７の
論理積をとり、当該デイジタル信号Ｓ５、Ｓ６及びＳ７
が全て「１」でなる場合には「１」でなり、デジタル信
号Ｓ５、Ｓ６及びＳ７のうち少なくともいずれか１つが
「０」でなる場合には「０」でなる出力信号Ｓ８を出力
する。
２６から入力されたデジタル信号Ｓ５、Ｓ６及びＳ７の
論理積をとり、当該デイジタル信号Ｓ５、Ｓ６及びＳ７
が全て「１」でなる場合には「１」でなり、デジタル信
号Ｓ５、Ｓ６及びＳ７のうち少なくともいずれか１つが
「０」でなる場合には「０」でなる出力信号Ｓ８を出力
する。
【００２８】ここで、光電検出器１４、１５及び１６に
それぞれ受光される回折光ＬＡ４は、散乱指向性が極め
て高いため少なくともいずれか１つが比較的小さい値の
光量となる。このため、基準電圧発生部２７は、比較的
小さい光量を有する回折光ＬＡ４に応じた光電信号Ｓ
１、Ｓ２及び又はＳ３が比較器２４、２５及び２６に入
力された場合、当該比較器２４、２５及び２６から
「０」でなるデイジタル信号Ｓ５、Ｓ６又はＳ７を送出
するように、基準電圧Ｓ４の値が設定されている。
それぞれ受光される回折光ＬＡ４は、散乱指向性が極め
て高いため少なくともいずれか１つが比較的小さい値の
光量となる。このため、基準電圧発生部２７は、比較的
小さい光量を有する回折光ＬＡ４に応じた光電信号Ｓ
１、Ｓ２及び又はＳ３が比較器２４、２５及び２６に入
力された場合、当該比較器２４、２５及び２６から
「０」でなるデイジタル信号Ｓ５、Ｓ６又はＳ７を送出
するように、基準電圧Ｓ４の値が設定されている。
【００２９】また、光電検出器１４、１５及び１６にそ
れぞれ受光される散乱光ＬＡ３は、ほぼ等方的に散乱す
るため回折光ＬＡ４の光量よりも大きい値の光量とな
る。従つて、この欠陥検出回路２０では、比較器２４、
２５及び２６からそれぞれ「１」でなるデイジタル信号
Ｓ５、Ｓ６及びＳ７がＡＮＤ回路２８に送出される。か
くして、この欠陥検出回路２０においては、ＡＮＤ回路
２８から「１」でなる出力信号Ｓ８が出力された場合、
検出すべき大きさでなる欠陥１０が検出されたことを示
す。またＡＮＤ回路２８から「０」でなる出力信号Ｓ８
が出力された場合には、検出すべき大きさに満たない欠
陥１０又は回路パターン１７が検出されたことを示す。
れぞれ受光される散乱光ＬＡ３は、ほぼ等方的に散乱す
るため回折光ＬＡ４の光量よりも大きい値の光量とな
る。従つて、この欠陥検出回路２０では、比較器２４、
２５及び２６からそれぞれ「１」でなるデイジタル信号
Ｓ５、Ｓ６及びＳ７がＡＮＤ回路２８に送出される。か
くして、この欠陥検出回路２０においては、ＡＮＤ回路
２８から「１」でなる出力信号Ｓ８が出力された場合、
検出すべき大きさでなる欠陥１０が検出されたことを示
す。またＡＮＤ回路２８から「０」でなる出力信号Ｓ８
が出力された場合には、検出すべき大きさに満たない欠
陥１０又は回路パターン１７が検出されたことを示す。
【００３０】ここで、この欠陥検出回路２０において、
光電検出器１４、１５及び１６としてフオトマルチプラ
イヤを用いている場合、当該フオトマルチプライヤは陰
極及び陽極間に可変し得る高電圧（以下、これをHigh V
oltage：ＨＶと呼ぶ）が印加されると、受光した散乱光
ＬＡ３及び回折光ＬＡ４に対する光電変換効率が制御さ
れる。従つて、この欠陥検出回路２０には、キーボード
等でなる入力部２９とＨＶ制御器３０とが設けられ、当
該入力部２９は外部から検出対象となる欠陥１０の大き
さに応じた情報が入力されると、当該情報に応じた感度
設定信号Ｓ９をＨＶ制御器３０に送出する。
光電検出器１４、１５及び１６としてフオトマルチプラ
イヤを用いている場合、当該フオトマルチプライヤは陰
極及び陽極間に可変し得る高電圧（以下、これをHigh V
oltage：ＨＶと呼ぶ）が印加されると、受光した散乱光
ＬＡ３及び回折光ＬＡ４に対する光電変換効率が制御さ
れる。従つて、この欠陥検出回路２０には、キーボード
等でなる入力部２９とＨＶ制御器３０とが設けられ、当
該入力部２９は外部から検出対象となる欠陥１０の大き
さに応じた情報が入力されると、当該情報に応じた感度
設定信号Ｓ９をＨＶ制御器３０に送出する。
【００３１】ＨＶ制御器３０は、感度設定信号Ｓ９に基
づいて検出対象となる欠陥１０の大きさに応じて設定さ
れたＨＶ値でなる感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３を
それぞれ光電検出器１４、１５及び１６に送出する。こ
れにより光電検出器１４、１５及び１６は、検出対象と
なる欠陥１０に応じた検出感度（すなわち、光電変換効
率）となるように制御されて設定される。この場合、Ｈ
Ｖ制御器３０から光電検出器１４、１５及び１６にそれ
ぞれ送出される感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３は、
検出対象となる欠陥１０で反射してなる散乱光ＬＡ３に
応じた光電信号Ｓ１、Ｓ２及びＳ３がプリアンプ２１、
２２及び２３によつて増幅された後、例えば１〔Ｖ〕の
ように所望の電圧値を示すように設定されている。
づいて検出対象となる欠陥１０の大きさに応じて設定さ
れたＨＶ値でなる感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３を
それぞれ光電検出器１４、１５及び１６に送出する。こ
れにより光電検出器１４、１５及び１６は、検出対象と
なる欠陥１０に応じた検出感度（すなわち、光電変換効
率）となるように制御されて設定される。この場合、Ｈ
Ｖ制御器３０から光電検出器１４、１５及び１６にそれ
ぞれ送出される感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３は、
検出対象となる欠陥１０で反射してなる散乱光ＬＡ３に
応じた光電信号Ｓ１、Ｓ２及びＳ３がプリアンプ２１、
２２及び２３によつて増幅された後、例えば１〔Ｖ〕の
ように所望の電圧値を示すように設定されている。
【００３２】ここで、実際上実施例による欠陥検査方法
においては、複数の欠陥検査装置で検出感度を設定する
場合、まず第１の欠陥検査装置について、基準粒子とし
て例えば直径が 0.5〔μm 〕、 0.6〔μm 〕、 0.7〔μ
m 〕、 0.8〔μm 〕、 0.9〔μm 〕及び 1.0〔μm 〕程
度でなる６種類のポリスチレンラテツクス（以下、これ
をPolystyrene Latex ：ＰＳＬと呼ぶ）を用いて、当該
各ＰＳＬを被検査物２の被検査面２Ａに付着させる。こ
の後、被検査物２の被検査面２Ａを走査線ＬＡ１によつ
て走査し、各ＰＳＬ毎にそれぞれ得られる散乱光ＬＡ３
を光電検出器１４、１５及び１６で光電検出する。
においては、複数の欠陥検査装置で検出感度を設定する
場合、まず第１の欠陥検査装置について、基準粒子とし
て例えば直径が 0.5〔μm 〕、 0.6〔μm 〕、 0.7〔μ
m 〕、 0.8〔μm 〕、 0.9〔μm 〕及び 1.0〔μm 〕程
度でなる６種類のポリスチレンラテツクス（以下、これ
をPolystyrene Latex ：ＰＳＬと呼ぶ）を用いて、当該
各ＰＳＬを被検査物２の被検査面２Ａに付着させる。こ
の後、被検査物２の被検査面２Ａを走査線ＬＡ１によつ
て走査し、各ＰＳＬ毎にそれぞれ得られる散乱光ＬＡ３
を光電検出器１４、１５及び１６で光電検出する。
【００３３】次いで、光電検出器１４、１５及び１６か
らそれぞれ得られる光電信号Ｓ１、Ｓ２及びＳ３がプリ
アンプ２１、２２及び２３によつて増幅された後、例え
ば１〔Ｖ〕となるように、ＨＶ制御器３０から送出され
る感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３の値（すなわち、
ＨＶ値）を求める。これにより、大きさの異なるＰＳＬ
毎にそれぞれ設定された感度制御データＤ１、Ｄ２及び
Ｄ３をＨＶ制御器３０に保管してこれを基礎データとす
る。
らそれぞれ得られる光電信号Ｓ１、Ｓ２及びＳ３がプリ
アンプ２１、２２及び２３によつて増幅された後、例え
ば１〔Ｖ〕となるように、ＨＶ制御器３０から送出され
る感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３の値（すなわち、
ＨＶ値）を求める。これにより、大きさの異なるＰＳＬ
毎にそれぞれ設定された感度制御データＤ１、Ｄ２及び
Ｄ３をＨＶ制御器３０に保管してこれを基礎データとす
る。
【００３４】この場合、ＨＶ制御器３０は、それぞれ光
電検出器１４、１５及び１６に送出する感度制御データ
Ｄ１、Ｄ２及びＤ３を、光電検出器１４に対してはＡＨ
Ｖ1(φ) 、光電検出器１５に対してはＡＨＶ2(φ) 及び
光電検出器１６に対してはＡＨＶ3(φ) と表すと、ＡＨ
Ｖ1(0.5)、ＡＨＶ2(0.5)、ＡＨＶ3(0.5)、ＡＨＶ1(0.
6)、ＡＨＶ2(0.6)、ＡＨＶ3(0.6)、……ＡＨＶ1(1.0)、
ＡＨＶ2(1.0)、ＡＨＶ3(1.0)のように合計１８個の基礎
データを得ることになる。
電検出器１４、１５及び１６に送出する感度制御データ
Ｄ１、Ｄ２及びＤ３を、光電検出器１４に対してはＡＨ
Ｖ1(φ) 、光電検出器１５に対してはＡＨＶ2(φ) 及び
光電検出器１６に対してはＡＨＶ3(φ) と表すと、ＡＨ
Ｖ1(0.5)、ＡＨＶ2(0.5)、ＡＨＶ3(0.5)、ＡＨＶ1(0.
6)、ＡＨＶ2(0.6)、ＡＨＶ3(0.6)、……ＡＨＶ1(1.0)、
ＡＨＶ2(1.0)、ＡＨＶ3(1.0)のように合計１８個の基礎
データを得ることになる。
【００３５】次に第２の欠陥検査装置において、設定さ
れる検出感度の可変範囲における例えば下限及び上限、
すなわち直径が 0.5〔μm 〕程度及び直径が 1.0〔μm
〕程度でなるＰＳＬに対して、上述と同様にしてＨＶ
制御器３０から送出される感度制御データＤ１、Ｄ２及
びＤ３の値を測定する。これにより第２の欠陥検査装置
のＨＶ制御器３０は、ＢＨＶ1(0.5)、ＢＨＶ2(0.5)、Ｂ
ＨＶ3(0.5)、ＢＨＶ1(1.0)、ＢＨＶ2(1.0)及びＢＨＶ
3(1.0)のように合計６個の感度制御データＤ１、Ｄ２及
びＤ３を得ることになる。
れる検出感度の可変範囲における例えば下限及び上限、
すなわち直径が 0.5〔μm 〕程度及び直径が 1.0〔μm
〕程度でなるＰＳＬに対して、上述と同様にしてＨＶ
制御器３０から送出される感度制御データＤ１、Ｄ２及
びＤ３の値を測定する。これにより第２の欠陥検査装置
のＨＶ制御器３０は、ＢＨＶ1(0.5)、ＢＨＶ2(0.5)、Ｂ
ＨＶ3(0.5)、ＢＨＶ1(1.0)、ＢＨＶ2(1.0)及びＢＨＶ
3(1.0)のように合計６個の感度制御データＤ１、Ｄ２及
びＤ３を得ることになる。
【００３６】この場合、第１の欠陥検査装置と第２の欠
陥検査装置との間には、光電検出器１４、１５及び１６
自体や被検査面２Ａに入射する走査線ＬＡ１の入射角の
ばらつき及び光電検出器１４、１５及び１６で受光され
る回折光ＬＡ３及び散乱光ＬＡ４の受光角のばらつき等
により装置間差が生じている。このため、第２の欠陥検
査装置で得られた感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３
と、当該感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３に対応する
第１の欠陥検査装置で得られた基礎データとの間にも誤
差が生じる。
陥検査装置との間には、光電検出器１４、１５及び１６
自体や被検査面２Ａに入射する走査線ＬＡ１の入射角の
ばらつき及び光電検出器１４、１５及び１６で受光され
る回折光ＬＡ３及び散乱光ＬＡ４の受光角のばらつき等
により装置間差が生じている。このため、第２の欠陥検
査装置で得られた感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３
と、当該感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３に対応する
第１の欠陥検査装置で得られた基礎データとの間にも誤
差が生じる。
【００３７】ここで第１及び第２の欠陥検査装置間にお
ける装置間差は、ＨＶ1(φ) を例にとると、第１の欠陥
検査装置における次式（５）
ける装置間差は、ＨＶ1(φ) を例にとると、第１の欠陥
検査装置における次式（５）
【数５】 で示す値と、第２の欠陥検査装置における次式（６）
【数６】 で示す値との違いとなる。
【００３８】従つて、第１及び第２の欠陥検査装置間に
おいて、直径が 1.0〔μm 〕程度でなるＰＳＬを、感度
制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３を設定する場合の基準と
して、直径が 0.5〔μm 〕程度でなるＰＳＬを用いて感
度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３を設定する場合の装置
間差の係数（補間値）をＢ(0.5）とすると装置間差は次
式（７）
おいて、直径が 1.0〔μm 〕程度でなるＰＳＬを、感度
制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３を設定する場合の基準と
して、直径が 0.5〔μm 〕程度でなるＰＳＬを用いて感
度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３を設定する場合の装置
間差の係数（補間値）をＢ(0.5）とすると装置間差は次
式（７）
【数７】 で表される。このときＢ(1.0) を基準の補間値として１
に設定して、Ｂ（φ）をＢ(1.0) からＢ（0.5)の間の他
の補間値とすると次式（８）
に設定して、Ｂ（φ）をＢ(1.0) からＢ（0.5)の間の他
の補間値とすると次式（８）
【数８】 で得られる。
【００３９】従つて、第２の欠陥検査装置においては、
ＨＶ1 の場合を例にとると、直径が0.6〔μm 〕、 0.7
〔μm 〕、 0.8〔μm 〕、 0.9〔μm 〕程度でなるＰＳ
Ｌをそれぞれ用いた場合の感度制御データＤ１を測定し
なくても、これら各ＰＳＬに対する感度制御データＤ１
は、第１の欠陥検査装置の基礎データを用いて次式
（９）
ＨＶ1 の場合を例にとると、直径が0.6〔μm 〕、 0.7
〔μm 〕、 0.8〔μm 〕、 0.9〔μm 〕程度でなるＰＳ
Ｌをそれぞれ用いた場合の感度制御データＤ１を測定し
なくても、これら各ＰＳＬに対する感度制御データＤ１
は、第１の欠陥検査装置の基礎データを用いて次式
（９）
【数９】 で示すように、装置間差が補正された値として得られ
る。この後、第２の欠陥検査装置において、ＢＨＶ
2(φ) 、ＢＨＶ3(φ) についても上述したＢＨＶ1(φ)
の場合と同様にして感度制御データＤ２及びＤ３を設定
し得ると共に、第３及び第４の欠陥検査装置等のように
これら装置が増えても上述と同様にして感度制御データ
Ｄ１、Ｄ２及びＤ３を設定し得るようになされている。
る。この後、第２の欠陥検査装置において、ＢＨＶ
2(φ) 、ＢＨＶ3(φ) についても上述したＢＨＶ1(φ)
の場合と同様にして感度制御データＤ２及びＤ３を設定
し得ると共に、第３及び第４の欠陥検査装置等のように
これら装置が増えても上述と同様にして感度制御データ
Ｄ１、Ｄ２及びＤ３を設定し得るようになされている。
【００４０】かくして、これら第１及び第２の欠陥検査
装置において、被検査物２の被検査面２Ａの欠陥１０を
検査する場合、ＨＶ制御器３０は入力部２９から入力さ
れた感度設定信号Ｓ９に基づいて感度制御データＤ１、
Ｄ２及びＤ３をそれぞれ光電検出器１４、１５及び１６
に送出し、当該光電検出器１４、１５及び１６に検出感
度が検出対象となる欠陥１０の大きさに応じた検出感度
となるように制御して設定することができる。
装置において、被検査物２の被検査面２Ａの欠陥１０を
検査する場合、ＨＶ制御器３０は入力部２９から入力さ
れた感度設定信号Ｓ９に基づいて感度制御データＤ１、
Ｄ２及びＤ３をそれぞれ光電検出器１４、１５及び１６
に送出し、当該光電検出器１４、１５及び１６に検出感
度が検出対象となる欠陥１０の大きさに応じた検出感度
となるように制御して設定することができる。
【００４１】この実施例の場合、第１の欠陥検査装置及
び第２の欠陥検査装置においては、それぞれＡＨＶ1(0.
5)を 650〔Ｖ〕に設定すると共にＡＨＶ1(1.0)を 460
〔Ｖ〕に設定し、またＢＨＶ1(0.5)を 660〔Ｖ〕に設定
すると共にＢＨＶ1(1.0)を 445〔Ｖ〕に設定すると、上
述した（７）式により直径が 0.5〔μm 〕でなるＰＳＬ
に対して設定された感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３
の装置間差の係数Ｂ（0.5)は1.05となる。また、その他
の直径でなるＰＳＬを用いて感度制御データＤ１、Ｄ２
及びＤ３を設定する場合の装置間差の係数は、上述した
（８）式によりＢ（0.6)で1.04、Ｂ（0.7)で1.03、Ｂ
（0.8)で1.02、Ｂ（0.9)で1.01となる。
び第２の欠陥検査装置においては、それぞれＡＨＶ1(0.
5)を 650〔Ｖ〕に設定すると共にＡＨＶ1(1.0)を 460
〔Ｖ〕に設定し、またＢＨＶ1(0.5)を 660〔Ｖ〕に設定
すると共にＢＨＶ1(1.0)を 445〔Ｖ〕に設定すると、上
述した（７）式により直径が 0.5〔μm 〕でなるＰＳＬ
に対して設定された感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３
の装置間差の係数Ｂ（0.5)は1.05となる。また、その他
の直径でなるＰＳＬを用いて感度制御データＤ１、Ｄ２
及びＤ３を設定する場合の装置間差の係数は、上述した
（８）式によりＢ（0.6)で1.04、Ｂ（0.7)で1.03、Ｂ
（0.8)で1.02、Ｂ（0.9)で1.01となる。
【００４２】また、この実施例の場合、第１の欠陥検査
装置及び第２の欠陥検査装置において、当該第１の欠陥
検査装置で設定された基礎データはそれぞれＡＨＶ1(0.
6)が590〔Ｖ〕に設定されると共にＡＨＶ1(0.7)が 550
〔Ｖ〕に設定され、ＡＨＶ1(0.8)が 510〔Ｖ〕に設定さ
れると共にＡＨＶ1(0.9)が 480〔Ｖ〕に設定されたとす
ると、上述した（９）式により第２の欠陥検査装置にお
ける感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３はＢＨＶ1(0.6)
で 594〔Ｖ〕、ＢＨＶ1(0.7)で 548〔Ｖ〕、ＢＨＶ1(0.
8)で 503〔Ｖ〕及びＢＨＶ1(0.9)で 469〔Ｖ〕となる。
装置及び第２の欠陥検査装置において、当該第１の欠陥
検査装置で設定された基礎データはそれぞれＡＨＶ1(0.
6)が590〔Ｖ〕に設定されると共にＡＨＶ1(0.7)が 550
〔Ｖ〕に設定され、ＡＨＶ1(0.8)が 510〔Ｖ〕に設定さ
れると共にＡＨＶ1(0.9)が 480〔Ｖ〕に設定されたとす
ると、上述した（９）式により第２の欠陥検査装置にお
ける感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３はＢＨＶ1(0.6)
で 594〔Ｖ〕、ＢＨＶ1(0.7)で 548〔Ｖ〕、ＢＨＶ1(0.
8)で 503〔Ｖ〕及びＢＨＶ1(0.9)で 469〔Ｖ〕となる。
【００４３】以上の構成において、この欠陥検査方法
は、複数の欠陥検査装置において大きさの異なる欠陥１
０に対してそれぞれ検出感度に応じた感度制御データＤ
１、Ｄ２及びＤ３を設定する場合、まず第１の欠陥検査
装置において、大きさの異なる複数のＰＳＬに対してそ
れぞれ感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３を求めて基礎
データとする。次いで第２以降の欠陥検査装置におい
て、検出感度の可変範囲のうち下限及び上限に応じた直
径でなるＰＳＬに対してそれぞれ感度制御データＤ１、
Ｄ２及びＤ３を測定し、当該各感度制御データＤ１、Ｄ
２及びＤ３と、これら各感度制御データＤ１、Ｄ２及び
Ｄ３に対応する第１の欠陥検査装置における各基礎デー
タとに基づいて残りのＰＳＬに対して感度制御データＤ
１、Ｄ２及びＤ３を求める。
は、複数の欠陥検査装置において大きさの異なる欠陥１
０に対してそれぞれ検出感度に応じた感度制御データＤ
１、Ｄ２及びＤ３を設定する場合、まず第１の欠陥検査
装置において、大きさの異なる複数のＰＳＬに対してそ
れぞれ感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３を求めて基礎
データとする。次いで第２以降の欠陥検査装置におい
て、検出感度の可変範囲のうち下限及び上限に応じた直
径でなるＰＳＬに対してそれぞれ感度制御データＤ１、
Ｄ２及びＤ３を測定し、当該各感度制御データＤ１、Ｄ
２及びＤ３と、これら各感度制御データＤ１、Ｄ２及び
Ｄ３に対応する第１の欠陥検査装置における各基礎デー
タとに基づいて残りのＰＳＬに対して感度制御データＤ
１、Ｄ２及びＤ３を求める。
【００４４】従つて、この欠陥検査方法では、第２以降
の欠陥検査装置において２種類の直径でなるＰＳＬだけ
に対してそれぞれ感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３を
測定し、残りの感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３を第
１の欠陥検査装置の基準データを用いて求めるため、広
範囲に亘る検出感度に応じた感度制御データＤ１、Ｄ２
及びＤ３を容易に求めることができる。また、この欠陥
検査方法では、第２以降の欠陥検査装置において２種類
の直径でなるＰＳＬを除く残りのＰＳＬに応じた感度制
御データＤ１、Ｄ２及びＤ３を、第１の欠陥検査装置の
基準データを用いて装置間差を補償して求めるため、当
該感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３に応じた検出感度
を精度良く保証することができる。
の欠陥検査装置において２種類の直径でなるＰＳＬだけ
に対してそれぞれ感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３を
測定し、残りの感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３を第
１の欠陥検査装置の基準データを用いて求めるため、広
範囲に亘る検出感度に応じた感度制御データＤ１、Ｄ２
及びＤ３を容易に求めることができる。また、この欠陥
検査方法では、第２以降の欠陥検査装置において２種類
の直径でなるＰＳＬを除く残りのＰＳＬに応じた感度制
御データＤ１、Ｄ２及びＤ３を、第１の欠陥検査装置の
基準データを用いて装置間差を補償して求めるため、当
該感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３に応じた検出感度
を精度良く保証することができる。
【００４５】以上の構成によれば、まず第１の欠陥検査
装置について、大きさの異なる複数のＰＳＬに対してそ
れぞれ感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３を求めて基礎
データとし、次いで第２以降の欠陥検査装置について、
検出感度の可変範囲のうち下限及び上限に応じた直径で
なるＰＳＬに対してそれぞれ感度制御データＤ１、Ｄ２
及びＤ３を測定した後、当該各感度制御データＤ１、Ｄ
２及びＤ３と、これら各感度制御データＤ１、Ｄ２及び
Ｄ３に対応する第１の欠陥検査装置における各基礎デー
タとに基づいて残りのＰＳＬに対する感度制御データＤ
１、Ｄ２及びＤ３を求めるようにしたことにより、感度
制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３を容易に求めることがで
き、かくして広範囲に亘る検出感度に応じた感度制御デ
ータの設定時間を大幅に短縮し得る欠陥検査方法を実現
することができる。
装置について、大きさの異なる複数のＰＳＬに対してそ
れぞれ感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３を求めて基礎
データとし、次いで第２以降の欠陥検査装置について、
検出感度の可変範囲のうち下限及び上限に応じた直径で
なるＰＳＬに対してそれぞれ感度制御データＤ１、Ｄ２
及びＤ３を測定した後、当該各感度制御データＤ１、Ｄ
２及びＤ３と、これら各感度制御データＤ１、Ｄ２及び
Ｄ３に対応する第１の欠陥検査装置における各基礎デー
タとに基づいて残りのＰＳＬに対する感度制御データＤ
１、Ｄ２及びＤ３を求めるようにしたことにより、感度
制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３を容易に求めることがで
き、かくして広範囲に亘る検出感度に応じた感度制御デ
ータの設定時間を大幅に短縮し得る欠陥検査方法を実現
することができる。
【００４６】なお上述の実施例においては、検出感度の
範囲における下限及び上限に応じたＰＳＬのうち、上限
に応じた直径が 1.0〔μm 〕程度でなるＰＳＬを補間値
の基準とするようにした場合について述べたが、本発明
はこれに限らず、検出感度の範囲における下限に応じた
直径が 0.5〔μm 〕程度でなるＰＳＬを補間値の基準と
するようにしても良い。
範囲における下限及び上限に応じたＰＳＬのうち、上限
に応じた直径が 1.0〔μm 〕程度でなるＰＳＬを補間値
の基準とするようにした場合について述べたが、本発明
はこれに限らず、検出感度の範囲における下限に応じた
直径が 0.5〔μm 〕程度でなるＰＳＬを補間値の基準と
するようにしても良い。
【００４７】また上述の実施例においては、第２以降の
欠陥検査装置について検出感度の範囲における下限及び
上限に応じて直径が 0.5〔μm 〕程度及び直径が 1.0
〔μm〕程度でなるＰＳＬに対してそれぞれ感度制御デ
ータＤ１、Ｄ２及びＤ３を測定するようにした場合につ
いて述べたが、本発明はこれに限らず、例えば直径が
0.6〔μm 〕程度及び直径が 1.0〔μm 〕程度でなるＰ
ＳＬや、この他種々の組み合わせの２種類の直径でなる
ＰＳＬに対してそれぞれ感度制御データＤ１、Ｄ２及び
Ｄ３を測定し、当該各感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ
３と、これら各感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３に対
応する基礎データとに基づいて外そう法により 0.5〔μ
m 〕〜 1.0〔μm 〕程度の範囲のうち残りのＰＳＬに対
してそれぞれ感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３を求め
るようにしても良い。
欠陥検査装置について検出感度の範囲における下限及び
上限に応じて直径が 0.5〔μm 〕程度及び直径が 1.0
〔μm〕程度でなるＰＳＬに対してそれぞれ感度制御デ
ータＤ１、Ｄ２及びＤ３を測定するようにした場合につ
いて述べたが、本発明はこれに限らず、例えば直径が
0.6〔μm 〕程度及び直径が 1.0〔μm 〕程度でなるＰ
ＳＬや、この他種々の組み合わせの２種類の直径でなる
ＰＳＬに対してそれぞれ感度制御データＤ１、Ｄ２及び
Ｄ３を測定し、当該各感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ
３と、これら各感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３に対
応する基礎データとに基づいて外そう法により 0.5〔μ
m 〕〜 1.0〔μm 〕程度の範囲のうち残りのＰＳＬに対
してそれぞれ感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３を求め
るようにしても良い。
【００４８】さらに上述の実施例においては、検出感度
の範囲における下限及び上限に応じて直径が 0.5〔μm
〕程度及び直径が 1.0〔μm 〕程度でなる２種類のＰ
ＳＬに対してそれぞれ感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ
３を測定するようにした場合について述べたが、本発明
はこれに限らず、例えば直径が 0.5〔μm 〕、 0.8〔μ
m 〕及び 1.0〔μm 〕程度でなる３種類のＰＳＬに対し
てそれぞれ感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３を測定
し、直径が 0.5〜 0.8〔μm 〕程度でなる範囲と直径が
0.8〜 1.0〔μm 〕程度でなる範囲との２つに分けてこ
れら２つの範囲毎の上限及び下限に応じた各感度制御デ
ータＤ１、Ｄ２及びＤ３と、当該各感度制御データＤ
１、Ｄ２及びＤ３に対応する基礎データとに基づいて、
当該各範囲毎に感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３を求
めるようにしても良い。これにより実施例の欠陥検査方
法よりも精度良く感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３を
求めることができる。この場合、感度制御データＤ１、
Ｄ２及びＤ３と、当該感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ
３に対応する基礎データとに基づいて求める感度制御デ
ータＤ１、Ｄ２及びＤ３の範囲を狭くしたり又は増やす
ことにより、さらに精度良く感度制御データＤ１、Ｄ２
及びＤ３を求めることができる。
の範囲における下限及び上限に応じて直径が 0.5〔μm
〕程度及び直径が 1.0〔μm 〕程度でなる２種類のＰ
ＳＬに対してそれぞれ感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ
３を測定するようにした場合について述べたが、本発明
はこれに限らず、例えば直径が 0.5〔μm 〕、 0.8〔μ
m 〕及び 1.0〔μm 〕程度でなる３種類のＰＳＬに対し
てそれぞれ感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３を測定
し、直径が 0.5〜 0.8〔μm 〕程度でなる範囲と直径が
0.8〜 1.0〔μm 〕程度でなる範囲との２つに分けてこ
れら２つの範囲毎の上限及び下限に応じた各感度制御デ
ータＤ１、Ｄ２及びＤ３と、当該各感度制御データＤ
１、Ｄ２及びＤ３に対応する基礎データとに基づいて、
当該各範囲毎に感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３を求
めるようにしても良い。これにより実施例の欠陥検査方
法よりも精度良く感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ３を
求めることができる。この場合、感度制御データＤ１、
Ｄ２及びＤ３と、当該感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ
３に対応する基礎データとに基づいて求める感度制御デ
ータＤ１、Ｄ２及びＤ３の範囲を狭くしたり又は増やす
ことにより、さらに精度良く感度制御データＤ１、Ｄ２
及びＤ３を求めることができる。
【００４９】さらに上述の実施例においては、直径が
0.5〔μm 〕程度から直径が 1.0〔μm 〕程度までの範
囲内で 0.1〔μm 〕程度のきざみの直径でなるＰＳＬを
用いるようにした場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、例えば所定の範囲内で0.01〔μm 〕程度のき
ざみの直径でなるＰＳＬを用いるようにしても良い。例
えば直径が0.63〔μm 〕程度でなるＰＳＬを用いて、実
施例の欠陥検査方法に適用して感度制御データはＢＨＶ
1(0.6)を 594〔Ｖ〕及びＢＨＶ1(0.7)を 548〔Ｖ〕とす
ると、（９）式よりＢＶＨ1(0.63) が 580〔Ｖ〕となる
ように、さらに細かく感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ
３を求めることができる。この結果、欠陥検査方法にお
いて0.01〔μm 〕程度のきざみの直径でなるＰＳＬを用
いるため、欠陥検査装置では実施例の欠陥検査装置１に
比べて、被検査物２の被検査面２Ａに存在する欠陥１０
をさらに詳しく検査することができる。
0.5〔μm 〕程度から直径が 1.0〔μm 〕程度までの範
囲内で 0.1〔μm 〕程度のきざみの直径でなるＰＳＬを
用いるようにした場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、例えば所定の範囲内で0.01〔μm 〕程度のき
ざみの直径でなるＰＳＬを用いるようにしても良い。例
えば直径が0.63〔μm 〕程度でなるＰＳＬを用いて、実
施例の欠陥検査方法に適用して感度制御データはＢＨＶ
1(0.6)を 594〔Ｖ〕及びＢＨＶ1(0.7)を 548〔Ｖ〕とす
ると、（９）式よりＢＶＨ1(0.63) が 580〔Ｖ〕となる
ように、さらに細かく感度制御データＤ１、Ｄ２及びＤ
３を求めることができる。この結果、欠陥検査方法にお
いて0.01〔μm 〕程度のきざみの直径でなるＰＳＬを用
いるため、欠陥検査装置では実施例の欠陥検査装置１に
比べて、被検査物２の被検査面２Ａに存在する欠陥１０
をさらに詳しく検査することができる。
【００５０】さらに上述の実施例においては、検出対象
となる欠陥の大きさに応じた感度制御データに基づいて
光電検出手段の検出感度を制御する検出感度制御手段と
してＨＶ制御器３０を用いるようにした場合について述
べたが、本発明はこれに限らず、検出対象となる欠陥の
大きさに応じた感度制御データに基づいて光電検出手段
の検出感度を制御し得れば、この他種々の検出感度制御
手段を用いるようにしても良い。
となる欠陥の大きさに応じた感度制御データに基づいて
光電検出手段の検出感度を制御する検出感度制御手段と
してＨＶ制御器３０を用いるようにした場合について述
べたが、本発明はこれに限らず、検出対象となる欠陥の
大きさに応じた感度制御データに基づいて光電検出手段
の検出感度を制御し得れば、この他種々の検出感度制御
手段を用いるようにしても良い。
【００５１】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、１つ目の
欠陥検査装置においては、検出対象となる欠陥の大きさ
に応じた大きさを有する複数の基準粒子に対してそれぞ
れ感度制御データを求めて、当該各感度制御データをそ
れぞれ基礎データとして用いて検出感度を設定して欠陥
を検査し、以降の欠陥検査装置については、各基準粒子
のうち少なくとも２つの基準粒子に対してそれぞれ感度
制御データを測定し、当該各測定した感度制御データ
と、これら各測定した感度制御データにそれぞれ対応す
る各基礎データとに基づいて、各基準粒子のうち残りの
基準粒子に対する感度制御データを求め、当該各感度制
御データ及び各測定した感度制御データを用いて検出感
度を設定して欠陥を検査するようにしたことにより、感
度制御データを容易に求めることができ、かくして広範
囲に亘る検出感度に応じた感度制御データの設定時間を
大幅に短縮し得る欠陥検査方法を実現することができ
る。
欠陥検査装置においては、検出対象となる欠陥の大きさ
に応じた大きさを有する複数の基準粒子に対してそれぞ
れ感度制御データを求めて、当該各感度制御データをそ
れぞれ基礎データとして用いて検出感度を設定して欠陥
を検査し、以降の欠陥検査装置については、各基準粒子
のうち少なくとも２つの基準粒子に対してそれぞれ感度
制御データを測定し、当該各測定した感度制御データ
と、これら各測定した感度制御データにそれぞれ対応す
る各基礎データとに基づいて、各基準粒子のうち残りの
基準粒子に対する感度制御データを求め、当該各感度制
御データ及び各測定した感度制御データを用いて検出感
度を設定して欠陥を検査するようにしたことにより、感
度制御データを容易に求めることができ、かくして広範
囲に亘る検出感度に応じた感度制御データの設定時間を
大幅に短縮し得る欠陥検査方法を実現することができ
る。
【図１】本発明の一実施例による欠陥検査装置の構成を
示す略線的斜視図である。
示す略線的斜視図である。
【図２】本発明の一実施例による欠陥検査装置における
欠陥検出回路の回路構成を示すブロツク図である。
欠陥検出回路の回路構成を示すブロツク図である。
１……欠陥検査装置、２……被検査物、２Ａ……被検査
面、３……ステージ、４……光ビーム走査部、５……光
源、６……スキヤナ、７……走査レンズ、８……駆動
部、９……測長器、１０……欠陥、１１、１２、１３…
…受光レンズ、１４、１５、１６……光電検出器、１７
……回路パターン、２０……欠陥検出回路、２１、２
２、２３……プリアンプ、２４、２５、２６……比較
器、２７……基準電圧発生部、２８……ＡＮＤ回路、２
９……入力部、３０……ＨＶ制御器、ＬＡ１……走査
線、ＬＡ２……光ビーム、ＬＡ３……散乱光、ＬＡ４…
…回折光。
面、３……ステージ、４……光ビーム走査部、５……光
源、６……スキヤナ、７……走査レンズ、８……駆動
部、９……測長器、１０……欠陥、１１、１２、１３…
…受光レンズ、１４、１５、１６……光電検出器、１７
……回路パターン、２０……欠陥検出回路、２１、２
２、２３……プリアンプ、２４、２５、２６……比較
器、２７……基準電圧発生部、２８……ＡＮＤ回路、２
９……入力部、３０……ＨＶ制御器、ＬＡ１……走査
線、ＬＡ２……光ビーム、ＬＡ３……散乱光、ＬＡ４…
…回折光。
Claims (3)
- 【請求項１】被検査物の被検査面を光ビームで走査する
光ビーム走査手段と、前記被検査物の前記被検査面で前
記光ビームが反射してなる反射光を光電検出する光電検
出手段と、検出対象となる欠陥の大きさに応じた感度制
御データに基づいて前記光電検出手段の検出感度を制御
する検出感度制御手段とを有する欠陥検査装置を用い
て、前記被検査物の前記被検査面の前記欠陥を前記光電
検出手段の出力に基づいて検査する欠陥検査方法におい
て、 １つ目の欠陥検査装置については、前記検出対象となる
欠陥の大きさに応じた大きさを有する複数の基準粒子に
対してそれぞれ感度制御データを求めて各該感度制御デ
ータをそれぞれ基礎データとして前記欠陥を検査し、 以降の欠陥検査装置については、各前記基準粒子のう
ち、少なくとも２つの前記基準粒子に対してそれぞれ感
度制御データを測定し、各該測定した感度制御データ
と、各該測定した感度制御データにそれぞれ対応する各
前記基礎データとに基づいて、各前記基準粒子のうち残
りの前記基準粒子に対する感度制御データを求め、各該
感度制御データ及び各前記測定した感度制御データを用
いて前記欠陥を検査することを特徴とする欠陥検査方
法。 - 【請求項２】各前記基準粒子のうち前記感度制御データ
を測定する基準粒子は、各前記基準粒子のうち、最大の
大きさ及び最小の大きさを有する基準粒子であることを
特徴とする請求項１に記載の欠陥検査方法。 - 【請求項３】前記以降の欠陥検査装置は、各前記基準粒
子のうち、３つ以上の前記基準粒子に対してそれぞれ前
記感度制御データを測定し、各該測定した感度制御デー
タのうち隣接する前記感度制御データと、各該隣接する
感度制御データにそれぞれ対応する各前記基礎データと
に基づいて、前記隣接する感度制御データに対応する前
記基準粒子間の基準粒子に対する感度制御データを求め
ることを特徴とする請求項１に記載の欠陥検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8044131A JPH09210919A (ja) | 1996-02-05 | 1996-02-05 | 欠陥検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8044131A JPH09210919A (ja) | 1996-02-05 | 1996-02-05 | 欠陥検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09210919A true JPH09210919A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=12683072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8044131A Pending JPH09210919A (ja) | 1996-02-05 | 1996-02-05 | 欠陥検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09210919A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000105203A (ja) * | 1998-07-28 | 2000-04-11 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置およびその方法 |
| JP2004301847A (ja) * | 1998-07-28 | 2004-10-28 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置およびその方法 |
| JP2005300553A (ja) * | 1998-07-28 | 2005-10-27 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置およびその方法 |
| US7037735B2 (en) | 1991-04-02 | 2006-05-02 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for testing defects |
| JP2006330007A (ja) * | 1998-07-28 | 2006-12-07 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置およびその方法 |
| US7940385B2 (en) | 2007-07-23 | 2011-05-10 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect inspection apparatus and its method |
-
1996
- 1996-02-05 JP JP8044131A patent/JPH09210919A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7037735B2 (en) | 1991-04-02 | 2006-05-02 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for testing defects |
| US7098055B2 (en) | 1991-04-02 | 2006-08-29 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for testing defects |
| US7443496B2 (en) | 1991-04-02 | 2008-10-28 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for testing defects |
| US7639350B2 (en) | 1991-04-02 | 2009-12-29 | Hitachi, Ltd | Apparatus and method for testing defects |
| US7692779B2 (en) | 1991-04-02 | 2010-04-06 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for testing defects |
| US7940383B2 (en) | 1991-04-02 | 2011-05-10 | Hitachi, Ltd. | Method of detecting defects on an object |
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| JP2004301847A (ja) * | 1998-07-28 | 2004-10-28 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置およびその方法 |
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| US8355123B2 (en) | 2007-07-23 | 2013-01-15 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect inspection apparatus and its method |
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