JPH0572518A - プラズマアドレス表示装置 - Google Patents
プラズマアドレス表示装置Info
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- JPH0572518A JPH0572518A JP3258697A JP25869791A JPH0572518A JP H0572518 A JPH0572518 A JP H0572518A JP 3258697 A JP3258697 A JP 3258697A JP 25869791 A JP25869791 A JP 25869791A JP H0572518 A JPH0572518 A JP H0572518A
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- electrodes
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/13334—Plasma addressed liquid crystal cells [PALC]
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
- G09G3/3662—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix using plasma-addressed liquid crystal displays
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマアドレス表示装置においてアドレッ
シングに用いられるプラズマセルの製造を容易にし且つ
動作の安定化を図る事を目的とする。 【構成】 第１の基板４の主面に沿って互いに略平行な
複数の信号電極Ｄが形成されている。第２の基板６が対
向配置されている。その主面に沿って信号電極Ｄと直交
し且つ互いに平行にプラズマ電極７が印刷されている。
さらに、プラズマ電極７に直交する様に重ねて不透明な
絶縁ストライプパタン８が印刷されている。基板４と基
板６の間には液晶層５が挟持されている。又、液晶層５
と第２の基板６との間には連続するプラズマ室１０が形
成されておりイオン化可能なガスが封入されている。プ
ラズマ室１０のギャップ間隔はプラズマ電極７及びスト
ライプパタン８の膜厚によって制御されている。隣接す
るプラズマ電極７の放電によりガスを選択的にイオン化
し、このイオン化ガスの局在した放電領域を走査単位と
して信号電極Ｄと放電領域の交差部に位置する液晶層５
を駆動する。この際、プラズマ電極７は印刷された厚膜
からなり電気抵抗が小さいので電圧降下を抑制できる。
シングに用いられるプラズマセルの製造を容易にし且つ
動作の安定化を図る事を目的とする。 【構成】 第１の基板４の主面に沿って互いに略平行な
複数の信号電極Ｄが形成されている。第２の基板６が対
向配置されている。その主面に沿って信号電極Ｄと直交
し且つ互いに平行にプラズマ電極７が印刷されている。
さらに、プラズマ電極７に直交する様に重ねて不透明な
絶縁ストライプパタン８が印刷されている。基板４と基
板６の間には液晶層５が挟持されている。又、液晶層５
と第２の基板６との間には連続するプラズマ室１０が形
成されておりイオン化可能なガスが封入されている。プ
ラズマ室１０のギャップ間隔はプラズマ電極７及びスト
ライプパタン８の膜厚によって制御されている。隣接す
るプラズマ電極７の放電によりガスを選択的にイオン化
し、このイオン化ガスの局在した放電領域を走査単位と
して信号電極Ｄと放電領域の交差部に位置する液晶層５
を駆動する。この際、プラズマ電極７は印刷された厚膜
からなり電気抵抗が小さいので電圧降下を抑制できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶セル等の表示セルと
プラズマセルを重ねた積層構造を有するプラズマアドレ
ス表示装置に関し、より詳しくはアドレッシングを行な
うプラズマセルの電極構成に関する。
プラズマセルを重ねた積層構造を有するプラズマアドレ
ス表示装置に関し、より詳しくはアドレッシングを行な
うプラズマセルの電極構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、マトリクスタイプの液晶表示装
置の高解像度化及び高コントラスト化を図る為の手段と
しては、各表示画素毎に薄膜トランジスタ等のスイッチ
ング素子を設け、これを線順次で駆動する方式（所謂ア
クティブマトリクスアドレス方式）が一般に知られてい
る。しかしながら、この方式の場合、薄膜トランジスタ
等の半導体素子を多数基板上に形成する必要があり、特
に大面積化した時に歩留りが悪いという欠点がある。
置の高解像度化及び高コントラスト化を図る為の手段と
しては、各表示画素毎に薄膜トランジスタ等のスイッチ
ング素子を設け、これを線順次で駆動する方式（所謂ア
クティブマトリクスアドレス方式）が一般に知られてい
る。しかしながら、この方式の場合、薄膜トランジスタ
等の半導体素子を多数基板上に形成する必要があり、特
に大面積化した時に歩留りが悪いという欠点がある。
【０００３】この欠点を解決する手段として、ブザク等
は特開平１−２１７３９６号公報において、薄膜トラン
ジスタ等のスイッチング素子に代えてプラズマセルをア
ドレッシングの為のスイッチとして利用する方式を提案
している。以下、プラズマセルを利用して表示セル例え
ば液晶セルをアドレッシングする表示装置の構成を簡単
に説明する。この種の表示装置は、図６に示す様に、液
晶セル１０１とプラズマセル１０２とを薄板ガラス等か
らなる誘電体隔壁１０３を介して重ねた構造を有してい
る。プラズマセル１０２は下側の基板１０４を用いて形
成されており、その表面には互いに平行な複数の溝１０
５が設けられている。各溝１０５は隔壁１０３によって
気密封止されている。その中にはイオン化可能なガスが
封入されており個々に分離したプラズマ室１０６を形成
している。従って、各溝１０５の間の凸条部分１０７は
個々のプラズマ室１０６を分離する側壁としての役割を
果たすとともに、隔壁１０３に対する基板１０４のギャ
ップスペーサとしての役割も果たしている。各溝１０５
の底部には互いに平行な一対の電極１０８及び１０９が
設けられている。これら一対の電極はプラズマ室１０６
内のガスをイオン化し放電プラズマを発生する為のアノ
ード電極及びカソード電極として機能する。
は特開平１−２１７３９６号公報において、薄膜トラン
ジスタ等のスイッチング素子に代えてプラズマセルをア
ドレッシングの為のスイッチとして利用する方式を提案
している。以下、プラズマセルを利用して表示セル例え
ば液晶セルをアドレッシングする表示装置の構成を簡単
に説明する。この種の表示装置は、図６に示す様に、液
晶セル１０１とプラズマセル１０２とを薄板ガラス等か
らなる誘電体隔壁１０３を介して重ねた構造を有してい
る。プラズマセル１０２は下側の基板１０４を用いて形
成されており、その表面には互いに平行な複数の溝１０
５が設けられている。各溝１０５は隔壁１０３によって
気密封止されている。その中にはイオン化可能なガスが
封入されており個々に分離したプラズマ室１０６を形成
している。従って、各溝１０５の間の凸条部分１０７は
個々のプラズマ室１０６を分離する側壁としての役割を
果たすとともに、隔壁１０３に対する基板１０４のギャ
ップスペーサとしての役割も果たしている。各溝１０５
の底部には互いに平行な一対の電極１０８及び１０９が
設けられている。これら一対の電極はプラズマ室１０６
内のガスをイオン化し放電プラズマを発生する為のアノ
ード電極及びカソード電極として機能する。
【０００４】一方液晶セル１０１は誘電体隔壁１０３と
透明基板１１０とによって挟持された液晶層１１１を備
えている。透明基板１１０の内側表面には、信号電極１
１２が形成されている。この透明導電薄膜からなる信号
電極１１２は個々のプラズマ室１０６と直交している。
信号電極１１２が列駆動単位となりプラズマ室１０６が
行走査単位となって両者の交差部分に行列状の画素が規
定される。
透明基板１１０とによって挟持された液晶層１１１を備
えている。透明基板１１０の内側表面には、信号電極１
１２が形成されている。この透明導電薄膜からなる信号
電極１１２は個々のプラズマ室１０６と直交している。
信号電極１１２が列駆動単位となりプラズマ室１０６が
行走査単位となって両者の交差部分に行列状の画素が規
定される。
【０００５】かかる表示装置においては、プラズマ放電
が行なわれるプラズマ室１０６を線順次で切り換え走査
するとともに、液晶セル１０１側の信号電極１１２に対
して線順次走査と同期してアナログ駆動電圧を印加する
事により画素を駆動する。プラズマ室１０６に放電プラ
ズマが発生すると室内全体が略アノード電位に接続され
る。この状態で画素に駆動電圧を印加すると誘電体隔壁
１０３を介して各画素の液晶層１１１に電荷が注入され
る。プラズマ放電が終了するとプラズマ室１０６は浮遊
電位となり注入された電荷が各画素に保持される。所謂
サンプリングホールドが行なわれており、プラズマ室１
０６はサンプリングスイッチとして機能する一方液晶層
１１１はサンプリングキャパシタとして機能する。サン
プリングされた電荷量に応じて液晶が動作し表示装置の
点灯及び消灯が画素単位で行なわれる。
が行なわれるプラズマ室１０６を線順次で切り換え走査
するとともに、液晶セル１０１側の信号電極１１２に対
して線順次走査と同期してアナログ駆動電圧を印加する
事により画素を駆動する。プラズマ室１０６に放電プラ
ズマが発生すると室内全体が略アノード電位に接続され
る。この状態で画素に駆動電圧を印加すると誘電体隔壁
１０３を介して各画素の液晶層１１１に電荷が注入され
る。プラズマ放電が終了するとプラズマ室１０６は浮遊
電位となり注入された電荷が各画素に保持される。所謂
サンプリングホールドが行なわれており、プラズマ室１
０６はサンプリングスイッチとして機能する一方液晶層
１１１はサンプリングキャパシタとして機能する。サン
プリングされた電荷量に応じて液晶が動作し表示装置の
点灯及び消灯が画素単位で行なわれる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したプラズマアド
レス表示装置の実用化を図る場合、プラズマセルには構
造上及び製造上様々の問題点がある。一般に、プラズマ
室を構成する溝はフォトリソグラフィ及びエッチングを
用いて形成されていた。しかしながら、高精細及び高密
度の溝を大面積基板に精度良く形成する事は極めて困難
であり又多大の製造コストを要する。さらに、各溝の底
部に設けられるアノード電極やカソード電極等のプラズ
マ電極もやはり真空蒸着薄膜やスパッタ薄膜等の選択的
エッチングにより形成していた。この為、少なくとも溝
形成用のフォトマスクに加えてプラズマ電極形成用のフ
ォトマスクが必要となり、両マスク間の精密な位置合わ
せが困難であるという問題点がある。加えて表示装置を
大型化した場合必然的に薄膜電極が長くなる。薄膜電極
はその抵抗値が比較的大きい為電極に沿った電圧降下が
避けられず安定したプラズマ放電を引き起こす事ができ
ないという問題点がある。
レス表示装置の実用化を図る場合、プラズマセルには構
造上及び製造上様々の問題点がある。一般に、プラズマ
室を構成する溝はフォトリソグラフィ及びエッチングを
用いて形成されていた。しかしながら、高精細及び高密
度の溝を大面積基板に精度良く形成する事は極めて困難
であり又多大の製造コストを要する。さらに、各溝の底
部に設けられるアノード電極やカソード電極等のプラズ
マ電極もやはり真空蒸着薄膜やスパッタ薄膜等の選択的
エッチングにより形成していた。この為、少なくとも溝
形成用のフォトマスクに加えてプラズマ電極形成用のフ
ォトマスクが必要となり、両マスク間の精密な位置合わ
せが困難であるという問題点がある。加えて表示装置を
大型化した場合必然的に薄膜電極が長くなる。薄膜電極
はその抵抗値が比較的大きい為電極に沿った電圧降下が
避けられず安定したプラズマ放電を引き起こす事ができ
ないという問題点がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の問
題点あるいは課題に鑑み、本発明は製造が容易で安定動
作が可能なプラズマセルの構造を提供する事を目的とす
る。かかる目的を達成する為に以下の手段が講じられ
た。即ち、本発明にかかるプラズマアドレス表示装置
は、所定の主面に沿って互いに略平行な複数の第１電極
即ち信号電極を有する第１の基板を備えている。第２の
基板がこの第１の基板に対向配置されている。第２の基
板の主面には、前記信号電極と略直交し且つ互いに平行
に印刷焼成された複数の第２電極あるいはプラズマ電極
が形成されている。さらに、このプラズマ電極に直交す
る様に重ねて不透明な絶縁ストライプパタンも印刷焼成
されている。第１及び第２の基板間には液晶層等の電気
光学材料層が間挿されている。この電気光学材料層と第
２の基板間には連続的なプラズマ室が設けられておりイ
オン化可能なガスが封入充填されている。かかる構成に
おいて、隣接するプラズマ電極間の放電により封入ガス
を選択的にイオン化し、このイオン化ガスの局在した放
電領域を走査単位として信号電極と放電領域の交差部に
位置する電気光学材料層を駆動する。
題点あるいは課題に鑑み、本発明は製造が容易で安定動
作が可能なプラズマセルの構造を提供する事を目的とす
る。かかる目的を達成する為に以下の手段が講じられ
た。即ち、本発明にかかるプラズマアドレス表示装置
は、所定の主面に沿って互いに略平行な複数の第１電極
即ち信号電極を有する第１の基板を備えている。第２の
基板がこの第１の基板に対向配置されている。第２の基
板の主面には、前記信号電極と略直交し且つ互いに平行
に印刷焼成された複数の第２電極あるいはプラズマ電極
が形成されている。さらに、このプラズマ電極に直交す
る様に重ねて不透明な絶縁ストライプパタンも印刷焼成
されている。第１及び第２の基板間には液晶層等の電気
光学材料層が間挿されている。この電気光学材料層と第
２の基板間には連続的なプラズマ室が設けられておりイ
オン化可能なガスが封入充填されている。かかる構成に
おいて、隣接するプラズマ電極間の放電により封入ガス
を選択的にイオン化し、このイオン化ガスの局在した放
電領域を走査単位として信号電極と放電領域の交差部に
位置する電気光学材料層を駆動する。
【０００８】好ましくは、プラズマ電極はニッケル厚膜
電極からなり、絶縁ストライプパタンは黒色ガラス厚膜
からなる。
電極からなり、絶縁ストライプパタンは黒色ガラス厚膜
からなる。
【０００９】
【作用】本発明によれば、第２の基板の表面に印刷で厚
膜のプラズマ電極を設けている。厚膜電極は薄膜電極に
比べて抵抗値が小さい為基板を大型化した場合でも電圧
降下を抑制できる。この厚膜プラズマ電極に重ねて直交
する様に絶縁ストライプパタンが印刷されている。スト
ライプパタンとプラズマ電極の交差部は盛り上がってお
りギャップスペーサの役割を果たす。即ち、この交差部
を介して第２の基板を電気光学材料層に接着する事によ
り連続的なプラズマ室を構成でき所謂オープンセル構造
が得られる。オープンセル構造であっても、放電プラズ
マを各プラズマ電極に沿って局在化する事が可能であ
る。この局在した放電領域を走査単位として表示装置を
駆動する。上述した様に、プラズマ電極と絶縁ストライ
プパタンは直交印刷されており両者の位置合わせは比較
的粗い精度で良い。従って、作業性が向上するとともに
表示装置の製造コストも下げられる。
膜のプラズマ電極を設けている。厚膜電極は薄膜電極に
比べて抵抗値が小さい為基板を大型化した場合でも電圧
降下を抑制できる。この厚膜プラズマ電極に重ねて直交
する様に絶縁ストライプパタンが印刷されている。スト
ライプパタンとプラズマ電極の交差部は盛り上がってお
りギャップスペーサの役割を果たす。即ち、この交差部
を介して第２の基板を電気光学材料層に接着する事によ
り連続的なプラズマ室を構成でき所謂オープンセル構造
が得られる。オープンセル構造であっても、放電プラズ
マを各プラズマ電極に沿って局在化する事が可能であ
る。この局在した放電領域を走査単位として表示装置を
駆動する。上述した様に、プラズマ電極と絶縁ストライ
プパタンは直交印刷されており両者の位置合わせは比較
的粗い精度で良い。従って、作業性が向上するとともに
表示装置の製造コストも下げられる。
【００１０】
【実施例】以下図面を参照して本発明の好適な実施例を
詳細に説明する。図１はプラズマアドレス表示装置の一
実施例を示す模式的な断面図である。本装置は表示セル
例えば液晶セル１とプラズマセル２と両者の間に介在す
る誘電体隔壁３とを重ねた積層構造を有する。液晶セル
１は透明な基板４を用いて構成される。基板４の内側表
面には列方向に整列した複数本の信号電極Ｄが形成され
ている。信号電極ＤはＩＴＯ等の透明導電薄膜からな
る。基板４は所定の厚みを有するスペーサを介して誘電
体隔壁３に対向配置されている。両者の間隙には電気光
学材料層すなわち液晶層５が封入充填されている。電気
光学材料としては液晶等の流体材料に換えてＰＬＺＴ等
の固体材料あるいはカプセル化された電気光学材料を用
いる事もできる。固体材料あるいはカプセル化された電
気光学材料を用いた時には誘電体隔壁３を除去する事も
可能である。
詳細に説明する。図１はプラズマアドレス表示装置の一
実施例を示す模式的な断面図である。本装置は表示セル
例えば液晶セル１とプラズマセル２と両者の間に介在す
る誘電体隔壁３とを重ねた積層構造を有する。液晶セル
１は透明な基板４を用いて構成される。基板４の内側表
面には列方向に整列した複数本の信号電極Ｄが形成され
ている。信号電極ＤはＩＴＯ等の透明導電薄膜からな
る。基板４は所定の厚みを有するスペーサを介して誘電
体隔壁３に対向配置されている。両者の間隙には電気光
学材料層すなわち液晶層５が封入充填されている。電気
光学材料としては液晶等の流体材料に換えてＰＬＺＴ等
の固体材料あるいはカプセル化された電気光学材料を用
いる事もできる。固体材料あるいはカプセル化された電
気光学材料を用いた時には誘電体隔壁３を除去する事も
可能である。
【００１１】プラズマセル２は下側の基板６を用いて構
成されている。透過型表示装置の場合には一対の基板は
共に透明材料が用いられる。しかしながら、反射型の場
合には一方の基板は必ずしも透明である必要はない。基
板６の内側表面にはアノード電極Ａ及びカソード電極Ｋ
が交互に形成されている。これらの電極がプラズマ電極
７となる。なおアノード電極Ａ及びカソード電極Ｋは必
ずしも固定されたものではなく駆動方法によっては交互
に切り換えられる事もある。プラズマ電極７は列方向に
延びる信号電極Ｄに直交して配置されており行方向に延
在している。基板６の内側表面にはさらに、プラズマ電
極７に直交して重ねられた不透明な絶縁ストライプパタ
ン８が形成されている。従って、ストライプパタン８は
信号電極Ｄと同様に列方向に延びている。プラズマ電極
７とストライプパタン８の交差部に盛り上がった突起９
は誘電体隔壁３に当接している。つまり、この突起９は
ギャップスペーサの役割を果たし誘電体隔壁３と基板６
との間に連続するプラズマ室１０が形成される。プラズ
マ室１０の周囲は封止材１１により気密封止されてい
る。又、ストライプパタン８はプラズマ電極７が直接誘
電体隔壁３に接触する事を防止している。プラズマ室１
０の内部にはイオン化可能なガス例えばヘリウム、ネオ
ン、アルゴンあるいはこれらの混合気体が封入されてい
る。
成されている。透過型表示装置の場合には一対の基板は
共に透明材料が用いられる。しかしながら、反射型の場
合には一方の基板は必ずしも透明である必要はない。基
板６の内側表面にはアノード電極Ａ及びカソード電極Ｋ
が交互に形成されている。これらの電極がプラズマ電極
７となる。なおアノード電極Ａ及びカソード電極Ｋは必
ずしも固定されたものではなく駆動方法によっては交互
に切り換えられる事もある。プラズマ電極７は列方向に
延びる信号電極Ｄに直交して配置されており行方向に延
在している。基板６の内側表面にはさらに、プラズマ電
極７に直交して重ねられた不透明な絶縁ストライプパタ
ン８が形成されている。従って、ストライプパタン８は
信号電極Ｄと同様に列方向に延びている。プラズマ電極
７とストライプパタン８の交差部に盛り上がった突起９
は誘電体隔壁３に当接している。つまり、この突起９は
ギャップスペーサの役割を果たし誘電体隔壁３と基板６
との間に連続するプラズマ室１０が形成される。プラズ
マ室１０の周囲は封止材１１により気密封止されてい
る。又、ストライプパタン８はプラズマ電極７が直接誘
電体隔壁３に接触する事を防止している。プラズマ室１
０の内部にはイオン化可能なガス例えばヘリウム、ネオ
ン、アルゴンあるいはこれらの混合気体が封入されてい
る。
【００１２】アノード電極Ａとカソード電極Ｋとの間に
所定の電圧を印加するとガスがイオン化し放電プラズマ
が発生する。この放電プラズマは隣接するアノード電極
Ａとカソード電極Ｋとの間に実質的に局在しており放電
領域を形成する。この放電領域を行走査単位として液晶
セル１を駆動するものである。本実施例においては、プ
ラズマ室１０が基板全体に渡って連続した空間となって
いる。従って、プラズマ放電によって発生するイオン粒
子の拡散による解像度の劣化が懸念される。しかしなが
ら、かかる拡散は実際には殆ど生ぜず局在した放電領域
が得られる。良く知られている様に、プラズマ室に封入
されるガスの圧力については、これが高い程イオン粒子
の平均自由行程が小さくなり局在化の傾向が顕著とな
る。従って、このガス圧力をある程度高く設定する事に
より、放電プラズマを局在制御する事が可能である。但
し、ガス圧力を高くすると放電開始電圧が高くなる場合
がある。これについては、パッシェンの法則により、プ
ラズマ電極の間隔即ち隣接するアノード電極Ａとカソー
ド電極Ｋとの間の間隔をガス圧力に反比例して小さく設
定する事により調整可能である。これらガス圧力や電極
間隔の最適値は使用するガスの種類等によっても異なる
が、適当なガスを選びガス圧と電極間隔を最適に設定す
れば１気圧で放電が可能となる。又、ストライプパタン
８の突起９の高さを適当に設定しプラズマ室１０のギャ
ップ間隔をある程度小さくする事により、放電プラズマ
の拡散をある程度抑制する事ができる。
所定の電圧を印加するとガスがイオン化し放電プラズマ
が発生する。この放電プラズマは隣接するアノード電極
Ａとカソード電極Ｋとの間に実質的に局在しており放電
領域を形成する。この放電領域を行走査単位として液晶
セル１を駆動するものである。本実施例においては、プ
ラズマ室１０が基板全体に渡って連続した空間となって
いる。従って、プラズマ放電によって発生するイオン粒
子の拡散による解像度の劣化が懸念される。しかしなが
ら、かかる拡散は実際には殆ど生ぜず局在した放電領域
が得られる。良く知られている様に、プラズマ室に封入
されるガスの圧力については、これが高い程イオン粒子
の平均自由行程が小さくなり局在化の傾向が顕著とな
る。従って、このガス圧力をある程度高く設定する事に
より、放電プラズマを局在制御する事が可能である。但
し、ガス圧力を高くすると放電開始電圧が高くなる場合
がある。これについては、パッシェンの法則により、プ
ラズマ電極の間隔即ち隣接するアノード電極Ａとカソー
ド電極Ｋとの間の間隔をガス圧力に反比例して小さく設
定する事により調整可能である。これらガス圧力や電極
間隔の最適値は使用するガスの種類等によっても異なる
が、適当なガスを選びガス圧と電極間隔を最適に設定す
れば１気圧で放電が可能となる。又、ストライプパタン
８の突起９の高さを適当に設定しプラズマ室１０のギャ
ップ間隔をある程度小さくする事により、放電プラズマ
の拡散をある程度抑制する事ができる。
【００１３】図２は同一の実施例を示す断面図である
が、図１が列方向に沿って切断されたものであるのに対
して、図２は行方向に沿って切断されたものを示す。即
ち、図１に示すＡ−Ａ線に沿って切断された断面図であ
る。同一の構成要素については同一の参照番号が付され
ており理解を容易にしている。図から明らかな様に、ス
トライプパタン８は信号電極Ｄと平行な関係で形成され
ている。加えて、個々のストライプパタン８が隣接する
信号電極Ｄの間の隙間に整合する様に配置されている。
ストライプパタン８は不透明な材料からなりこの隙間に
対するブラックストライプマスクの役割を果たす。即
ち、この隙間に発生するクロストークを外部から視認で
きない様にマスクする機能を兼ねている。
が、図１が列方向に沿って切断されたものであるのに対
して、図２は行方向に沿って切断されたものを示す。即
ち、図１に示すＡ−Ａ線に沿って切断された断面図であ
る。同一の構成要素については同一の参照番号が付され
ており理解を容易にしている。図から明らかな様に、ス
トライプパタン８は信号電極Ｄと平行な関係で形成され
ている。加えて、個々のストライプパタン８が隣接する
信号電極Ｄの間の隙間に整合する様に配置されている。
ストライプパタン８は不透明な材料からなりこの隙間に
対するブラックストライプマスクの役割を果たす。即
ち、この隙間に発生するクロストークを外部から視認で
きない様にマスクする機能を兼ねている。
【００１４】図３は本発明の特徴的構成要素であるプラ
ズマ電極及びストライプパタンの配列を示す模式的な斜
視図である。併せて、信号電極の配列も示してある。加
えて、図のＡ−Ａ線は図２に関する切断線を示してお
り、Ｂ−Ｂ線は図１に関する切断線を示している。
ズマ電極及びストライプパタンの配列を示す模式的な斜
視図である。併せて、信号電極の配列も示してある。加
えて、図のＡ−Ａ線は図２に関する切断線を示してお
り、Ｂ−Ｂ線は図１に関する切断線を示している。
【００１５】図示する様に、プラズマ電極７は所定の間
隔を介して列方向に伸びている。プラズマ電極７はスク
リーン印刷等により形成される。例えば、ニッケルペー
スト（例えばデュポン製ニッケルペースト９５３５）を
１回ないし１５回線幅５０μｍないし２００μｍで短冊
状に重ね印刷する。通常の温度プロファイルに従って焼
成処理する事により５μｍないし２００μｍの厚みを持
つニッケル厚膜電極が形成される。なお、焼成プロファ
イルのピーク温度は例えば５７０℃ないし６００℃であ
る。スクリーン印刷の繰り返し回数を適宜設定する事に
より所定の膜厚を得る事ができる。従来のフォトリソグ
ラフィ及びエッチングによる薄膜電極形成に比べて大面
積の表示装置を製造する場合有利である。又、厚膜電極
は薄膜電極に比べて大きな膜厚を有するので電気抵抗が
小さくプラズマ電極７が長くなった場合でも電圧降下を
抑制できる。
隔を介して列方向に伸びている。プラズマ電極７はスク
リーン印刷等により形成される。例えば、ニッケルペー
スト（例えばデュポン製ニッケルペースト９５３５）を
１回ないし１５回線幅５０μｍないし２００μｍで短冊
状に重ね印刷する。通常の温度プロファイルに従って焼
成処理する事により５μｍないし２００μｍの厚みを持
つニッケル厚膜電極が形成される。なお、焼成プロファ
イルのピーク温度は例えば５７０℃ないし６００℃であ
る。スクリーン印刷の繰り返し回数を適宜設定する事に
より所定の膜厚を得る事ができる。従来のフォトリソグ
ラフィ及びエッチングによる薄膜電極形成に比べて大面
積の表示装置を製造する場合有利である。又、厚膜電極
は薄膜電極に比べて大きな膜厚を有するので電気抵抗が
小さくプラズマ電極７が長くなった場合でも電圧降下を
抑制できる。
【００１６】不透明な絶縁ストライプパタン８はプラズ
マ電極７に直交する方向即ち列方向に沿って重ねて印刷
される。例えば、スクリーン印刷法により黒色ガラスペ
ースト（例えばデュポン製ガラスペースト９７４０）を
１回ないし１５回線幅５０μｍないし２００μｍで短冊
状に繰り返し印刷する。この黒ガラスペーストは通常の
温度プロファイル（ピーク温度５７０℃ないし６００
℃）に従って焼成処理され黒色ガラス厚膜が得られる。
繰り返し印刷回数を適当に設定する事により５μｍない
し２００μｍの厚みを持つストライプパタンが形成で
き、突起９の高さを１０μｍないし４００μｍの範囲で
調節できる。前述した様に、この突起９の高さがプラズ
マ室のギャップ間隔を規定している。絶縁ストライプパ
タン８のスクリーン印刷はプラズマ電極７に直交して行
なわれる。従って、印刷スクリーンの位置合わせは比較
的粗くて良く製造コストを下げる事が可能である。
マ電極７に直交する方向即ち列方向に沿って重ねて印刷
される。例えば、スクリーン印刷法により黒色ガラスペ
ースト（例えばデュポン製ガラスペースト９７４０）を
１回ないし１５回線幅５０μｍないし２００μｍで短冊
状に繰り返し印刷する。この黒ガラスペーストは通常の
温度プロファイル（ピーク温度５７０℃ないし６００
℃）に従って焼成処理され黒色ガラス厚膜が得られる。
繰り返し印刷回数を適当に設定する事により５μｍない
し２００μｍの厚みを持つストライプパタンが形成で
き、突起９の高さを１０μｍないし４００μｍの範囲で
調節できる。前述した様に、この突起９の高さがプラズ
マ室のギャップ間隔を規定している。絶縁ストライプパ
タン８のスクリーン印刷はプラズマ電極７に直交して行
なわれる。従って、印刷スクリーンの位置合わせは比較
的粗くて良く製造コストを下げる事が可能である。
【００１７】一方、信号電極Ｄは列方向に沿って形成さ
れている。加えて、隣接する信号電極Ｄの隙間に整合す
る様に不透明なストライプパタン８が配置される。従っ
て、この隙間に発生する所謂クロストークを外部から視
認できない様に効果的にマスクする事ができる。この
為、表示品位が改善される。
れている。加えて、隣接する信号電極Ｄの隙間に整合す
る様に不透明なストライプパタン８が配置される。従っ
て、この隙間に発生する所謂クロストークを外部から視
認できない様に効果的にマスクする事ができる。この
為、表示品位が改善される。
【００１８】最後に、図４を参照して本発明にかかるプ
ラズマアドレス表示装置の動作について説明する。図４
は駆動回路の例を示す模式的なブロック図である。図示
する様に、駆動回路は信号回路２１と走査回路２２と制
御回路２３とから構成されている。信号回路２１には複
数本の信号電極Ｄ１ないしＤｍがバッファを介して接続
されている。一方、走査回路２２にはプラズマ電極の内
カソード電極Ｋ１ないしＫｎが同じくバッファを介して
接続されている。一方、アノード電極Ａ１ないしＡｎは
接地されている。信号回路２１及び走査回路２２は制御
回路２３によって互いに同期をとる様に制御されてい
る。カソード電極Ｋ１ないしＫｎは走査回路２２によっ
て線順次で選択される。例えば、カソード電極Ｋ１が選
択された場合には、隣接するアノード電極Ａ１との間で
プラズマ放電が発生し局在的な放電領域が形成される。
この放電領域が行走査単位を構成する。一方、この線順
次走査に同期して各信号電極Ｄ１ないしＤｍにはアナロ
グ駆動電圧が印加される。従って、信号電極Ｄ１ないし
Ｄｍが各々列駆動単位を構成する。列駆動単位と行走査
単位との間の交差部に個々の画素２４が規定される。
ラズマアドレス表示装置の動作について説明する。図４
は駆動回路の例を示す模式的なブロック図である。図示
する様に、駆動回路は信号回路２１と走査回路２２と制
御回路２３とから構成されている。信号回路２１には複
数本の信号電極Ｄ１ないしＤｍがバッファを介して接続
されている。一方、走査回路２２にはプラズマ電極の内
カソード電極Ｋ１ないしＫｎが同じくバッファを介して
接続されている。一方、アノード電極Ａ１ないしＡｎは
接地されている。信号回路２１及び走査回路２２は制御
回路２３によって互いに同期をとる様に制御されてい
る。カソード電極Ｋ１ないしＫｎは走査回路２２によっ
て線順次で選択される。例えば、カソード電極Ｋ１が選
択された場合には、隣接するアノード電極Ａ１との間で
プラズマ放電が発生し局在的な放電領域が形成される。
この放電領域が行走査単位を構成する。一方、この線順
次走査に同期して各信号電極Ｄ１ないしＤｍにはアナロ
グ駆動電圧が印加される。従って、信号電極Ｄ１ないし
Ｄｍが各々列駆動単位を構成する。列駆動単位と行走査
単位との間の交差部に個々の画素２４が規定される。
【００１９】図５は図４に示す画素２４を２個だけ切り
取って示した模式図である。この図においては、理解を
容易にする為に２本の信号電極Ｄ１，Ｄ２と１本のカソ
ード電極Ｋ１と１本のアノード電極Ａ１のみが示されて
いる。個々の画素２４は、信号電極（Ｄ１，Ｄ２）と、
液晶層５と、誘電体層３と、プラズマ放電領域とからな
る積層構造を有している。放電領域は活性化すると略実
質的にアノード電位になる。一方、プラズマ放電が終了
すると浮遊電位となる。従って、放電領域はプラズマス
イッチング素子として機能するので模式的にスイッチシ
ンボルＳ１を用いて表わされている。一方、信号電極
（Ｄ１，Ｄ２）と誘電体隔壁３との間に挟持された液晶
層５はサンプリングキャパシタとして機能する。線順次
走査によりプラズマスイッチＳ１が導通状態になるとア
ナログ駆動電圧がサンプリングキャパシタにホールドさ
れその電圧レベルに応じて各画素の階調的な点灯あるい
は消灯動作が行なわれる。プラズマスイッチＳ１が非導
通状態になった後にも駆動電圧はサンプリングキャパシ
タに保持され画像表示装置のアクティブマトリクス駆動
が行なわれる。
取って示した模式図である。この図においては、理解を
容易にする為に２本の信号電極Ｄ１，Ｄ２と１本のカソ
ード電極Ｋ１と１本のアノード電極Ａ１のみが示されて
いる。個々の画素２４は、信号電極（Ｄ１，Ｄ２）と、
液晶層５と、誘電体層３と、プラズマ放電領域とからな
る積層構造を有している。放電領域は活性化すると略実
質的にアノード電位になる。一方、プラズマ放電が終了
すると浮遊電位となる。従って、放電領域はプラズマス
イッチング素子として機能するので模式的にスイッチシ
ンボルＳ１を用いて表わされている。一方、信号電極
（Ｄ１，Ｄ２）と誘電体隔壁３との間に挟持された液晶
層５はサンプリングキャパシタとして機能する。線順次
走査によりプラズマスイッチＳ１が導通状態になるとア
ナログ駆動電圧がサンプリングキャパシタにホールドさ
れその電圧レベルに応じて各画素の階調的な点灯あるい
は消灯動作が行なわれる。プラズマスイッチＳ１が非導
通状態になった後にも駆動電圧はサンプリングキャパシ
タに保持され画像表示装置のアクティブマトリクス駆動
が行なわれる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、プ
ラズマ電極を印刷法により形成しているので従来に比し
電気抵抗が小さくなる。従って、大面積化した場合にも
電圧降下を有効に抑制でき安定なプラズマ放電が行なえ
るという効果がある。従来と異なり、印刷法を用いてい
るので大面積表示装置の製造に有利であり製造コストを
低減できるという効果がある。又、同じく印刷法により
プラズマ電極に直交して不透明な絶縁ストライプパタン
を重ねて形成しており、プラズマセルのギャップ制御機
能をもたせている。この為、プラズマセルは所謂オープ
ンセル構造となり従来に比しその製造工程が簡単になる
という効果がある。さらに、ストライプパタンはプラズ
マ電極に直交して印刷されるので印刷マスクの位置合わ
せ精度が粗くて済み作業性に優れているという効果があ
る。
ラズマ電極を印刷法により形成しているので従来に比し
電気抵抗が小さくなる。従って、大面積化した場合にも
電圧降下を有効に抑制でき安定なプラズマ放電が行なえ
るという効果がある。従来と異なり、印刷法を用いてい
るので大面積表示装置の製造に有利であり製造コストを
低減できるという効果がある。又、同じく印刷法により
プラズマ電極に直交して不透明な絶縁ストライプパタン
を重ねて形成しており、プラズマセルのギャップ制御機
能をもたせている。この為、プラズマセルは所謂オープ
ンセル構造となり従来に比しその製造工程が簡単になる
という効果がある。さらに、ストライプパタンはプラズ
マ電極に直交して印刷されるので印刷マスクの位置合わ
せ精度が粗くて済み作業性に優れているという効果があ
る。
【図１】本発明にかかるプラズマアドレス表示装置の一
実施例を示す模式的な断面図である。
実施例を示す模式的な断面図である。
【図２】図１に示す表示装置をＡ−Ａ線に沿って切断し
た断面図である。
た断面図である。
【図３】本発明の特徴的な要素であるプラズマ電極及び
ストライプパタンの配列を示す模式的な斜視図である。
ストライプパタンの配列を示す模式的な斜視図である。
【図４】図１及び図２に示す表示装置に用いられる駆動
回路の一例を示す模式的なブロック図である。
回路の一例を示す模式的なブロック図である。
【図５】図１及び図２に示す表示装置の画素を切り取っ
て示した模式的な線図である。
て示した模式的な線図である。
【図６】従来のプラズマアドレス表示装置の例を示す一
部破断斜視図である。
部破断斜視図である。
１ 液晶セル ２ プラズマセル ３ 誘電体隔壁 ４ 基板 ５ 液晶層 ６ 基板 ７ プラズマ電極 ８ ストライプパタン ９ 突起 １０ プラズマ室 Ａ アノード Ｄ 信号電極 Ｋ カソード
Claims (2)
- 【請求項１】 所定の主面に沿って互いに略平行な複数
の第１電極を有する第１の基板と、前記第１の基板に対
向配置されており所定の主面に沿って前記第１電極と略
直交し且つ互いに平行に印刷された複数の第２電極とこ
の第２電極に直交する様に重ねて印刷された不透明な絶
縁ストライプパタンを有する第２の基板と、前記第１及
び第２の基板間に間挿された電気光学材料層と、この電
気光学材料層と前記第２の基板間に設けられたイオン化
可能なガスを封入する為のプラズマ室とからなり、隣接
する第２電極間の放電により前記ガスを選択的にイオン
化し、このイオン化ガスの局在した放電領域を走査単位
として前記第１電極と前記放電領域の交差部に位置する
電気光学材料層を駆動する様に構成したプラズマアドレ
ス表示装置。 - 【請求項２】 前記第２電極がニッケル厚膜電極であ
り、前記絶縁ストライプパタンが黒色ガラス厚膜である
請求項１に記載のプラズマアドレス表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3258697A JPH0572518A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | プラズマアドレス表示装置 |
| JP4245922A JPH0682761A (ja) | 1991-09-11 | 1992-08-20 | プラズマアドレス表示装置 |
| KR1019920016469A KR100238695B1 (ko) | 1991-09-11 | 1992-09-09 | 플라즈마어드레스표시장치 |
| US08/410,600 US5523770A (en) | 1991-09-11 | 1995-03-27 | Plasma addressing display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3258697A JPH0572518A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | プラズマアドレス表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0572518A true JPH0572518A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17323844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3258697A Pending JPH0572518A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | プラズマアドレス表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5523770A (ja) |
| JP (1) | JPH0572518A (ja) |
| KR (1) | KR100238695B1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07244268A (ja) * | 1994-03-07 | 1995-09-19 | Sony Corp | プラズマアドレス液晶表示装置 |
| US5696569A (en) * | 1994-12-21 | 1997-12-09 | Philips Electronics North America | Channel configuration for plasma addressed liquid crystal display |
| TW368671B (en) * | 1995-08-30 | 1999-09-01 | Tektronix Inc | Sputter-resistant, low-work-function, conductive coatings for cathode electrodes in DC plasma addressing structure |
| WO1997035295A2 (en) * | 1996-03-18 | 1997-09-25 | Philips Electronics N.V. | Plasma-addressed colour display |
| EP0827176A3 (en) * | 1996-08-16 | 2000-03-08 | Tektronix, Inc. | Sputter-resistant conductive coatings with enhanced emission of electrons for cathode electrodes in DC plasma addressing structure |
| JPH10172762A (ja) * | 1996-12-11 | 1998-06-26 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置の製造方法及び表示装置 |
| JP3559719B2 (ja) | 1998-01-13 | 2004-09-02 | キヤノン株式会社 | プラズマアドレス型の液晶表示装置 |
| TWI319200B (en) * | 2006-11-03 | 2010-01-01 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Flat light module and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5830038A (ja) * | 1981-08-17 | 1983-02-22 | Sony Corp | 放電表示装置 |
| EP0157248B1 (en) * | 1984-03-19 | 1992-06-03 | Fujitsu Limited | Method for driving a gas discharge panel |
| US4771183A (en) * | 1985-11-26 | 1988-09-13 | Jabali Pty. Ltd. | Photo-electric imaging device having overlaying row and column electrodes forming discrete, independently addressable areas |
| US4896149A (en) * | 1988-01-19 | 1990-01-23 | Tektronix, Inc. | Addressing structure using ionizable gaseous medium |
| US5077553A (en) * | 1988-01-19 | 1991-12-31 | Tektronix, Inc. | Apparatus for and methods of addressing data storage elements |
| JPH02288047A (ja) * | 1989-04-26 | 1990-11-28 | Nec Corp | プラズマディスプレイ及びその駆動方法 |
-
1991
- 1991-09-11 JP JP3258697A patent/JPH0572518A/ja active Pending
-
1992
- 1992-09-09 KR KR1019920016469A patent/KR100238695B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-03-27 US US08/410,600 patent/US5523770A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5523770A (en) | 1996-06-04 |
| KR100238695B1 (ko) | 2000-01-15 |
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