JPH0572530B2 - - Google Patents
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- JPH0572530B2 JPH0572530B2 JP59141792A JP14179284A JPH0572530B2 JP H0572530 B2 JPH0572530 B2 JP H0572530B2 JP 59141792 A JP59141792 A JP 59141792A JP 14179284 A JP14179284 A JP 14179284A JP H0572530 B2 JPH0572530 B2 JP H0572530B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- light
- amount
- transistor
- voltage
- Prior art date
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Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 37
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 21
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 238000005375 photometry Methods 0.000 claims description 5
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 4
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B7/00—Control of exposure by setting shutters, diaphragms or filters, separately or conjointly
- G03B7/08—Control effected solely on the basis of the response, to the intensity of the light received by the camera, of a built-in light-sensitive device
- G03B7/091—Digital circuits
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B7/00—Control of exposure by setting shutters, diaphragms or filters, separately or conjointly
- G03B7/08—Control effected solely on the basis of the response, to the intensity of the light received by the camera, of a built-in light-sensitive device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光の量を電気信号に変換する光積分回
路に関するものである。
路に関するものである。
従来の基本的な光積分回路はダイナミツクレン
ジが光の量の変化に対して充分ではなかつた。
ジが光の量の変化に対して充分ではなかつた。
以下第１図を用いて説明する。第１図に示した
従来の光積分回路はホトダイオード１に入射する
光によりホトダイオード１に生じる光電流をコン
デンサ２に蓄え、コンデンサ２の端子電圧を基準
電圧源５の電圧とコンパレータ４で比較すること
によりホトダイオードに入射する光の量を検出す
るように構成されていた。
従来の光積分回路はホトダイオード１に入射する
光によりホトダイオード１に生じる光電流をコン
デンサ２に蓄え、コンデンサ２の端子電圧を基準
電圧源５の電圧とコンパレータ４で比較すること
によりホトダイオードに入射する光の量を検出す
るように構成されていた。
基準電圧源５の発生する電圧を最小18mVから
2V程度とすると第１図に示した光積分回路のダ
イナミツクレンジすなわち最小電圧と最大電圧の
比は2V／18mV≒27となりアペツクス値で表現す
ると７段程度しか得られないことになる。
2V程度とすると第１図に示した光積分回路のダ
イナミツクレンジすなわち最小電圧と最大電圧の
比は2V／18mV≒27となりアペツクス値で表現す
ると７段程度しか得られないことになる。
ところでストロボ装置をTTL調光で用いよう
とすると該ストロボ装置の調光装置の光積分回路
においてはフイルム感度の種類がISO6から
ISO6400まで、撮影レンズの絞りはF1からF32ま
で、それぞれアペツクス値に換算すると10段のダ
イナミツクレンジが必要であるためフイルム感
度、絞りの両者がそれぞれ独立に変化する場合で
はアペツクス値に換算して20段のダイナミツクレ
ンジが必要となる。
とすると該ストロボ装置の調光装置の光積分回路
においてはフイルム感度の種類がISO6から
ISO6400まで、撮影レンズの絞りはF1からF32ま
で、それぞれアペツクス値に換算すると10段のダ
イナミツクレンジが必要であるためフイルム感
度、絞りの両者がそれぞれ独立に変化する場合で
はアペツクス値に換算して20段のダイナミツクレ
ンジが必要となる。
したがつて前述の光積分回路をストロボ装置に
用いて光量の制御を行おうとするダイナミツクレ
ンジが不足となつて光量制御を行うことができな
かつた。このためホトダイオードにより出力され
る光電流を対数圧縮することにより光積分回路と
してのダイナミツクレンジを大きくした回路が第
２図に示すように知られている。第２図に示す光
積分回路においては圧縮用ダイオード１２をオペ
アンプ１０の負帰遷路に挿入してオペアンプ１０
の出力を伸長するトランジスタ１１のエミツタに
コンデンサ２を接続している。
用いて光量の制御を行おうとするダイナミツクレ
ンジが不足となつて光量制御を行うことができな
かつた。このためホトダイオードにより出力され
る光電流を対数圧縮することにより光積分回路と
してのダイナミツクレンジを大きくした回路が第
２図に示すように知られている。第２図に示す光
積分回路においては圧縮用ダイオード１２をオペ
アンプ１０の負帰遷路に挿入してオペアンプ１０
の出力を伸長するトランジスタ１１のエミツタに
コンデンサ２を接続している。
ここでホトダイオード１を流れる光電流をIpを
するとトランジスタ１１のベースの電圧Vbは以
下の式で表わされる。
するとトランジスタ１１のベースの電圧Vbは以
下の式で表わされる。
Vb＝KT／ｑlnip／is (1)
is：ダイオードの逆飽和電流
Ｋ：ボルツマン係数
Ｔ：絶対温度
ｑ：電子の電荷
またトランジスタ１１のエミツタ電流をｉ(t)と
し、コンデンサ２の端子電圧をVcとすると以下
の式で表わされる。
し、コンデンサ２の端子電圧をVcとすると以下
の式で表わされる。
Vc＝１／ｅ∫t 0ｉ(t)dt (2)
ここでｉ(t)はトランジスタ１１のベースエミツ
タ間の電圧で決まり以下の式で表わされる。
タ間の電圧で決まり以下の式で表わされる。
ｉ(t)＝is exp｛ｑ／KT（Vb−Vc）｝ (3)
結論だけを記すとコンデンサ２の端子電圧Vc
はつぎの式で表わされる。
はつぎの式で表わされる。
Vc＝αln（Ｑ＋１） (4)
尚αQは
α＝KT／ｑ
Ｑ＝c∫t 0Ipdt（ｃは定数）により決まる。
ここでαは知られているそれぞれの定数から常
温では約26mVである。ここでＱが１に対して非
常に大きい場合は、Ｑが２倍になることにより
Vcの値は18mV（＝0.026ln2）だけ増加すること
になる。すなわちホトダイオード１に入射する光
量が２倍になるとコンデンサ２の端子電圧Vcは
18mV増加する。
温では約26mVである。ここでＱが１に対して非
常に大きい場合は、Ｑが２倍になることにより
Vcの値は18mV（＝0.026ln2）だけ増加すること
になる。すなわちホトダイオード１に入射する光
量が２倍になるとコンデンサ２の端子電圧Vcは
18mV増加する。
ここで基準電圧発生器５の出力電圧を18mVか
ら1800nVまで変化させればアペツクス値で100段
のダイナミツクレンジを得るとができる。
ら1800nVまで変化させればアペツクス値で100段
のダイナミツクレンジを得るとができる。
しかしながら第２図に示した光積分回路のコン
デンサの端子電圧を示す(4)式は真数の項にＱ＋１
を含んでいるため第４図のａに示すようにＱが１
に対して充分大きい場合には、ホトダイオード１
に入射した光量とコンデンサ２の端子電圧との間
には対数関係が成りたつが、Ｑが１に対して充分
大きくない場合にはホトダイオード１に入射した
光量とコンデンサ２の端子電圧との間には対数関
係が成り立たなくなる。尚、第４図Ａは(4)式のグ
ラフであり、第４図Ｂその数値を表にした図であ
る。例えば第４図のａに示すようにＱが充分大き
い領域ではＱが２倍になるとコンデンサの端子電
圧は18mV増加するが、Ｑが１対して近い数にお
いて２倍になる場合、例えばＱが２から４に変化
する際にはコンデンサの端子電圧は13.2mVしか
増加しない。ところで一般にストロボ装置の調光
レベルはアペツクス値に換算してアペツクス値が
１段増加すると調光レベルを示す基準レベルは一
定値に増加させるように構成されている。したが
つて前述の光積分回路をストロボ装置の調光回路
に用いる際の調光レベルが低いとき、すなわちス
トロボ装置の発光による被写体の反射光レベルが
ごく低いレベルに達したときにストロボ装置の発
光を停止させるような場合には前述のようにホト
ダイオードの受光光量とコンデンサの端子電圧と
の間に対数関係が成り立たないため調光レベルに
大きな誤差が生じて、ストロボが撮影の際、適正
露光を得ることができなかつた。
デンサの端子電圧を示す(4)式は真数の項にＱ＋１
を含んでいるため第４図のａに示すようにＱが１
に対して充分大きい場合には、ホトダイオード１
に入射した光量とコンデンサ２の端子電圧との間
には対数関係が成りたつが、Ｑが１に対して充分
大きくない場合にはホトダイオード１に入射した
光量とコンデンサ２の端子電圧との間には対数関
係が成り立たなくなる。尚、第４図Ａは(4)式のグ
ラフであり、第４図Ｂその数値を表にした図であ
る。例えば第４図のａに示すようにＱが充分大き
い領域ではＱが２倍になるとコンデンサの端子電
圧は18mV増加するが、Ｑが１対して近い数にお
いて２倍になる場合、例えばＱが２から４に変化
する際にはコンデンサの端子電圧は13.2mVしか
増加しない。ところで一般にストロボ装置の調光
レベルはアペツクス値に換算してアペツクス値が
１段増加すると調光レベルを示す基準レベルは一
定値に増加させるように構成されている。したが
つて前述の光積分回路をストロボ装置の調光回路
に用いる際の調光レベルが低いとき、すなわちス
トロボ装置の発光による被写体の反射光レベルが
ごく低いレベルに達したときにストロボ装置の発
光を停止させるような場合には前述のようにホト
ダイオードの受光光量とコンデンサの端子電圧と
の間に対数関係が成り立たないため調光レベルに
大きな誤差が生じて、ストロボが撮影の際、適正
露光を得ることができなかつた。
本発明は上述の従来の光積分回路の欠点を解消
してホトダイオードの受光光量が極めて低いレベ
ルにおいても正確に受光光量の検出ができるよう
な光積分回路を提供することを目的とする。
してホトダイオードの受光光量が極めて低いレベ
ルにおいても正確に受光光量の検出ができるよう
な光積分回路を提供することを目的とする。
本発明は上記目的を達成する構成として
受光素子に入射する光により生じる光電流を対
数圧縮回路により対数圧縮した電圧となし、該電
圧を伸長用トランジスターのベースに印加し、該
トランジスターのエミツターに接続された第１の
コンデンサーを充電することにより前記受光素子
に入射した光量を積分する光積分回路において、 測光開始から前記光電流に対応した電流に対し
ての積分を行ない該積分値が所定値に達した時出
力を発生する検知手段と、該検知手段の出力に応
答して前記コンデンサーに対して前記トランジス
ターのエミツター電流による充電を開始させる制
御回路を設け、測光開始時点からの受光素子に入
射した光量を前記コンデンサーの出力値として得
る様にしたものである。
数圧縮回路により対数圧縮した電圧となし、該電
圧を伸長用トランジスターのベースに印加し、該
トランジスターのエミツターに接続された第１の
コンデンサーを充電することにより前記受光素子
に入射した光量を積分する光積分回路において、 測光開始から前記光電流に対応した電流に対し
ての積分を行ない該積分値が所定値に達した時出
力を発生する検知手段と、該検知手段の出力に応
答して前記コンデンサーに対して前記トランジス
ターのエミツター電流による充電を開始させる制
御回路を設け、測光開始時点からの受光素子に入
射した光量を前記コンデンサーの出力値として得
る様にしたものである。
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳述す
る。
る。
第３図は、本発明の一実施例のブロツク図であ
る。
る。
第３図において第１図、第２図に示した素子と
同じ機能をもつ素子には同じ符号を付し説明を省
略する。２０は測光開始に同期してオンからオフ
となるスイツチで、本実施例においては機械的な
スイツチとしたが半導体スイツチに置き換えても
よいことは勿論である。
同じ機能をもつ素子には同じ符号を付し説明を省
略する。２０は測光開始に同期してオンからオフ
となるスイツチで、本実施例においては機械的な
スイツチとしたが半導体スイツチに置き換えても
よいことは勿論である。
２１は伸長用トランジスタ１１のコレクタに接
続されたコンデンサーである。２２は前記コンデ
ンサ２１の充電レベルを検出するためのコンパレ
ータであり、コンデンサ２１が所定のレベルまで
充電された際にＨレベルの信号を出力する。３１
はコンパレータ２２の出力がＬレベルからＨレベ
ルになつた際にオンからオフに切り換わるスイツ
チであり、前記スイツチ２１と同様に半導体スイ
ツチに置き換えてもよいことは言うまでもない。
続されたコンデンサーである。２２は前記コンデ
ンサ２１の充電レベルを検出するためのコンパレ
ータであり、コンデンサ２１が所定のレベルまで
充電された際にＨレベルの信号を出力する。３１
はコンパレータ２２の出力がＬレベルからＨレベ
ルになつた際にオンからオフに切り換わるスイツ
チであり、前記スイツチ２１と同様に半導体スイ
ツチに置き換えてもよいことは言うまでもない。
ここでスイツチ２０は側光開始に同期してオン
からオフとなるスイツチとすればよいわけである
が、ストロボ装置の調光回路に本発明を応用する
際にはストロボ装置の発光開始信号に同期してオ
ンからオフとするスイツチとして構成してもよ
い。
からオフとなるスイツチとすればよいわけである
が、ストロボ装置の調光回路に本発明を応用する
際にはストロボ装置の発光開始信号に同期してオ
ンからオフとするスイツチとして構成してもよ
い。
次に以上の様に構成される本発明の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
光積分回路の動作が開始される前にはスイツチ
２１、スイツチ３１はともにオンしておりコンデ
ンサ２，２０はともに放電されて電荷はリセツト
される。
２１、スイツチ３１はともにオンしておりコンデ
ンサ２，２０はともに放電されて電荷はリセツト
される。
つぎにストロボの発光を開始させる信号もしく
はシヤツタの走行開始を示す信号により、光積分
回路が動作を開始するとスイツチ２１がオンから
オフに変化し、ホトダイオードに入射する光によ
り発生する光電流はオペアンプ１０、ダイオード
１２により圧縮されてトランジスタ１１により伸
長される。
はシヤツタの走行開始を示す信号により、光積分
回路が動作を開始するとスイツチ２１がオンから
オフに変化し、ホトダイオードに入射する光によ
り発生する光電流はオペアンプ１０、ダイオード
１２により圧縮されてトランジスタ１１により伸
長される。
トランジスタ１１の光電流はコンデンサ２０に
より充電されて、充電量が所定値以上になるとコ
ンパレータ２２の出力がＨレベルになり、該Ｈレ
ベルの信号によりスイツチ３１がオンからオフに
切り換わり、それによりコンデンサ２がトランジ
スタ１１のエミツタ電流で充電されることにな
る。コンデンサ２の電圧が基準電圧源１５の発生
する基準電圧よりも高くなるとコンパレータ４の
出力がＬレベルからＨレベルに反転して光量制御
回路６が動作することにより、閃光放電管７の発
光が停止させられる。ここでコンデンサ２の端子
電圧とホトダイオード１に入射する光量との関係
は第４図のｂに示すようになる。すなわちホトダ
イオード１に所定の光量が入射するまではコンデ
ンサ２０の電圧が所定の値に達しないためコンパ
レータ２２の出力はＬレベルであり、したがつて
スイツチ３１はオンしつづけるためコンデンサ２
は短絡され該コンデンサの端子電圧はゼロとな
る。ここでホトダイオード１に所定の光量が入射
するとコンデンサ２０の電圧が所定の値に達して
コンパレータ２２の出力がＨレベルになり、コン
デンサ２がトランジスタ１１のエミツタ電流によ
り充電され始める。したがつてコンデンサ２の端
子電圧は第４図のｂに示すように、ホトダイオー
ド１に入射する光量が所定にまで達する前は０で
あり、ホトダイオード１に入射する光量に応じて
対数関数のカーブで上昇していく。
より充電されて、充電量が所定値以上になるとコ
ンパレータ２２の出力がＨレベルになり、該Ｈレ
ベルの信号によりスイツチ３１がオンからオフに
切り換わり、それによりコンデンサ２がトランジ
スタ１１のエミツタ電流で充電されることにな
る。コンデンサ２の電圧が基準電圧源１５の発生
する基準電圧よりも高くなるとコンパレータ４の
出力がＬレベルからＨレベルに反転して光量制御
回路６が動作することにより、閃光放電管７の発
光が停止させられる。ここでコンデンサ２の端子
電圧とホトダイオード１に入射する光量との関係
は第４図のｂに示すようになる。すなわちホトダ
イオード１に所定の光量が入射するまではコンデ
ンサ２０の電圧が所定の値に達しないためコンパ
レータ２２の出力はＬレベルであり、したがつて
スイツチ３１はオンしつづけるためコンデンサ２
は短絡され該コンデンサの端子電圧はゼロとな
る。ここでホトダイオード１に所定の光量が入射
するとコンデンサ２０の電圧が所定の値に達して
コンパレータ２２の出力がＨレベルになり、コン
デンサ２がトランジスタ１１のエミツタ電流によ
り充電され始める。したがつてコンデンサ２の端
子電圧は第４図のｂに示すように、ホトダイオー
ド１に入射する光量が所定にまで達する前は０で
あり、ホトダイオード１に入射する光量に応じて
対数関数のカーブで上昇していく。
以上説明した様に本発明に依れば、受光素子に
入射する光により生じる光電流を対数圧縮して、
該対数圧縮された信号を伸長用トランジスタで伸
長して生じる電流によりを前記伸長用トランジス
タのエミツタに接続されたコンデンサを充電する
ことにより前記受光素子に入射した光量を積分す
る光積分回路において測光開始から前記受光素子
に生じる光電流に相応した信号の積分値が所定値
に達したことを検出して信号を出力する検出手段
（本実施例においてはコンデンサ２０、スイツチ
２１、コンパレータ２２に相当する）と、前記検
出手段により信号に応答して前記コンデンサーの
充電を開始させる制御回路（本実施例においては
スイツチ３１に相当する）とを具備したので、従
来の光積分回路の様に前記受光素子に入射する光
量の小さい領域においては受光素子に入射する光
量と前記コンデンサの端子電圧との間に対数関係
が成り立たたなかつたという欠点を解消して、受
光素子に入射する光量が小さい領域であつても受
光素子に入射する光量と前記コンデンサの端子電
圧との間に、ほぼ対数関係が成り立つ光積分回路
を実現することができ、また受光素子であるホト
ダイオード１として出力電流の小さい、すなわち
PN接合面積の小さいものを用いても、受光素子
に入射する光量と前記コンデンサの端子電圧との
間には、ほぼ対数関係が成り立つため、受光素子
の大きさを小型化できるばかりかコストも低下さ
せることができるという効果を奏する。
入射する光により生じる光電流を対数圧縮して、
該対数圧縮された信号を伸長用トランジスタで伸
長して生じる電流によりを前記伸長用トランジス
タのエミツタに接続されたコンデンサを充電する
ことにより前記受光素子に入射した光量を積分す
る光積分回路において測光開始から前記受光素子
に生じる光電流に相応した信号の積分値が所定値
に達したことを検出して信号を出力する検出手段
（本実施例においてはコンデンサ２０、スイツチ
２１、コンパレータ２２に相当する）と、前記検
出手段により信号に応答して前記コンデンサーの
充電を開始させる制御回路（本実施例においては
スイツチ３１に相当する）とを具備したので、従
来の光積分回路の様に前記受光素子に入射する光
量の小さい領域においては受光素子に入射する光
量と前記コンデンサの端子電圧との間に対数関係
が成り立たたなかつたという欠点を解消して、受
光素子に入射する光量が小さい領域であつても受
光素子に入射する光量と前記コンデンサの端子電
圧との間に、ほぼ対数関係が成り立つ光積分回路
を実現することができ、また受光素子であるホト
ダイオード１として出力電流の小さい、すなわち
PN接合面積の小さいものを用いても、受光素子
に入射する光量と前記コンデンサの端子電圧との
間には、ほぼ対数関係が成り立つため、受光素子
の大きさを小型化できるばかりかコストも低下さ
せることができるという効果を奏する。
第１図は従来の光積分回路の回路図、第２図は
第１図の光積分回路を改良した従来の光積分回路
の回路図、第３図は本発明の一実施例の回路図、
第４図は第２図、第３図に示したコンデンサの端
子電圧と受光光量との関係を示す図である。 １……ホトダイオード、１１……伸長用トラン
ジスタ、１２……圧縮用ダイオード、２１……ス
イツチ、２２……コンパレータ。
第１図の光積分回路を改良した従来の光積分回路
の回路図、第３図は本発明の一実施例の回路図、
第４図は第２図、第３図に示したコンデンサの端
子電圧と受光光量との関係を示す図である。 １……ホトダイオード、１１……伸長用トラン
ジスタ、１２……圧縮用ダイオード、２１……ス
イツチ、２２……コンパレータ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 受光素子に入射する光により生じる光電流を
対数圧縮回路により対数圧縮した電圧となし、該
電圧を伸長用トランジスターのベースに印加し、
該トランジスターのエミツターに接続された第１
のコンデンサーを充電することにより前記受光素
子に入射した光量を積分する光積分回路におい
て、 測光開始から前記光電流に対応した電流に対し
ての積分を行ない該積分値が所定値に達した時出
力を発生する検知手段と、該検知手段の出力に応
答して前記コンデンサーに対して前記トランジス
ターのエミツター電流による充電を開始させる制
御回路を設け、測光開始時点からの受光素子に入
射した光量を前記コンデンサーの出力値として得
ることを特徴とする光積分回路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59141792A JPS6120828A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 光積分回路 |
| DE19853524375 DE3524375A1 (de) | 1984-07-09 | 1985-07-08 | Lichtmessschaltung |
| US07/107,879 US4808811A (en) | 1984-07-09 | 1987-10-09 | Light integrating circuit for use in a light measuring device which is accurate for both low and high light values |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59141792A JPS6120828A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 光積分回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6120828A JPS6120828A (ja) | 1986-01-29 |
| JPH0572530B2 true JPH0572530B2 (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=15300252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59141792A Granted JPS6120828A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 光積分回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6120828A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007205902A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Epson Imaging Devices Corp | 光検知回路、電気光学装置および電子機器 |
-
1984
- 1984-07-09 JP JP59141792A patent/JPS6120828A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6120828A (ja) | 1986-01-29 |
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