JPH0572570A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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- JPH0572570A JPH0572570A JP23761691A JP23761691A JPH0572570A JP H0572570 A JPH0572570 A JP H0572570A JP 23761691 A JP23761691 A JP 23761691A JP 23761691 A JP23761691 A JP 23761691A JP H0572570 A JPH0572570 A JP H0572570A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁破壊不良を起こしにくい非線形性の良い
ＭＩＭ素子を歩留まり良く形成し、特性の優れた液晶表
示装置を低コストで提供することを目的とする。 【構成】 基板１上にＡｌ等からなる下部電極パターン
２を形成する。外部電極引出部を除いた基板１の全面に
化学量論比よりも金属含有量の多い金属窒化物，金属酸
化物または金属酸窒化物からなる非線型抵抗膜３を成膜
する。また、下部電極パターン２のエッジ部７付近の非
線型抵抗膜３の部分を化学量論比に合った金属酸化物ま
たは金属酸窒化物からなる絶縁膜４にする。更に、下部
電極パターン２の上方には非線型抵抗膜３を介して上部
電極５を設ける。該上部電極５は非線型抵抗膜３上に配
置された画素電極６に接続する。
ＭＩＭ素子を歩留まり良く形成し、特性の優れた液晶表
示装置を低コストで提供することを目的とする。 【構成】 基板１上にＡｌ等からなる下部電極パターン
２を形成する。外部電極引出部を除いた基板１の全面に
化学量論比よりも金属含有量の多い金属窒化物，金属酸
化物または金属酸窒化物からなる非線型抵抗膜３を成膜
する。また、下部電極パターン２のエッジ部７付近の非
線型抵抗膜３の部分を化学量論比に合った金属酸化物ま
たは金属酸窒化物からなる絶縁膜４にする。更に、下部
電極パターン２の上方には非線型抵抗膜３を介して上部
電極５を設ける。該上部電極５は非線型抵抗膜３上に配
置された画素電極６に接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶と液晶駆動電極間
の各画素ごとに、液晶と直列に非線形抵抗素子を有する
液晶表示装置に関する。
の各画素ごとに、液晶と直列に非線形抵抗素子を有する
液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、ＭＩＭ素子において、下部電
極パターン上に非線形抵抗膜を形成する場合、下部電極
パターンの段差に対する非線形抵抗膜成膜時のステップ
カパレッジ性が問題となり、これが悪いと、素子の絶縁
破壊を引き起こすことになってしまう。また、エッチン
グ工程により下部電極をパターン形成する場合などは、
エッチングテーパー面が素子の動作に悪影響を与え、素
子の不良・劣化を引き起こしてしまう。このため、上記
解決のための手段として、図７に示すように（特開平１
−２７００２７号参照）、基板１上に下部電極２を形成
し、該下部電極２を陽極酸化３して、その上を絶縁膜か
らなる中間層４で被い且つ該中間層４の下部電極２の平
坦部に当たる部分に穴を開け、その部分に上部電極５を
配置して画素電極６と接続するようにしたものがある。
これにより、素子下部電極のエッチングテーパ面が素子
として利用されないようにしている。
極パターン上に非線形抵抗膜を形成する場合、下部電極
パターンの段差に対する非線形抵抗膜成膜時のステップ
カパレッジ性が問題となり、これが悪いと、素子の絶縁
破壊を引き起こすことになってしまう。また、エッチン
グ工程により下部電極をパターン形成する場合などは、
エッチングテーパー面が素子の動作に悪影響を与え、素
子の不良・劣化を引き起こしてしまう。このため、上記
解決のための手段として、図７に示すように（特開平１
−２７００２７号参照）、基板１上に下部電極２を形成
し、該下部電極２を陽極酸化３して、その上を絶縁膜か
らなる中間層４で被い且つ該中間層４の下部電極２の平
坦部に当たる部分に穴を開け、その部分に上部電極５を
配置して画素電極６と接続するようにしたものがある。
これにより、素子下部電極のエッチングテーパ面が素子
として利用されないようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
造形成に当たっては、一般には、マスクを使ったフォト
レジスト工程を用いるので、下部電極のテーパー面を避
けて精度良くマスクあわせを行わなければならなず、工
程が増えてしまうため、歩留まりが悪くなり、コストが
高くなってしまうという問題がある。また、上述した従
来のものは、非線型抵抗膜としてＳｉＮX を用いている
が、通常プラズマＣＶＤにより成膜されるため、温度を
３００℃程度まで上げる必要があり、基板の耐熱性が要
求される。
造形成に当たっては、一般には、マスクを使ったフォト
レジスト工程を用いるので、下部電極のテーパー面を避
けて精度良くマスクあわせを行わなければならなず、工
程が増えてしまうため、歩留まりが悪くなり、コストが
高くなってしまうという問題がある。また、上述した従
来のものは、非線型抵抗膜としてＳｉＮX を用いている
が、通常プラズマＣＶＤにより成膜されるため、温度を
３００℃程度まで上げる必要があり、基板の耐熱性が要
求される。
【０００４】本発明は、絶縁破壊不良を起こしにくい非
線形性の良いＭＩＭ素子を歩留まり良く形成し、特性の
優れた液晶表示装置を低コストで提供することを目的と
している。
線形性の良いＭＩＭ素子を歩留まり良く形成し、特性の
優れた液晶表示装置を低コストで提供することを目的と
している。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、２枚の対向す
る透明基板，該基板間に保持された液晶層，液晶駆動用
電極間に設けた非線形抵抗膜などからなるアクティブマ
トリックス液晶表示装置であって、非線形抵抗膜を化学
量論比よりも金属含有量の多い金属窒化膜，金属酸化膜
または、金属酸窒化膜としたものにおいて、下部電極平
坦部以外の少なくとも下部電極エッジ部上の非線形抵抗
膜を、自己選択的に酸化あるいは窒化し、化学量論比に
あった金属窒化物，金属酸化物または、金属酸窒化物と
したことを特徴としている。
る透明基板，該基板間に保持された液晶層，液晶駆動用
電極間に設けた非線形抵抗膜などからなるアクティブマ
トリックス液晶表示装置であって、非線形抵抗膜を化学
量論比よりも金属含有量の多い金属窒化膜，金属酸化膜
または、金属酸窒化膜としたものにおいて、下部電極平
坦部以外の少なくとも下部電極エッジ部上の非線形抵抗
膜を、自己選択的に酸化あるいは窒化し、化学量論比に
あった金属窒化物，金属酸化物または、金属酸窒化物と
したことを特徴としている。
【０００６】また、上記発明に係る液晶表示装置の製造
方法は、前記下部電極平坦部とそれ以外の部分との選択
性を持たせるため、下部電極パターンをマスクとした裏
面露光を用いたフォトレジスト工法で、非線形抵抗膜上
に下部電極パターンと同じ形状のレジストパターンを形
成する。また、酸化，窒化の選択処理は、陽極酸化，プ
ラズマ処理または、イオン注入により行う。基板には、
ガラスおよびポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）な
どの高分子フィルム（ＰＣ，ＰＥＳ，ＮＡＰ）を用い、
前記非線形抵抗膜の成膜をスパッタ法，イオンプレーテ
ィング法、あるいはＥＣＲプラズマ反応性蒸着法により
形成したことを特徴としている。
方法は、前記下部電極平坦部とそれ以外の部分との選択
性を持たせるため、下部電極パターンをマスクとした裏
面露光を用いたフォトレジスト工法で、非線形抵抗膜上
に下部電極パターンと同じ形状のレジストパターンを形
成する。また、酸化，窒化の選択処理は、陽極酸化，プ
ラズマ処理または、イオン注入により行う。基板には、
ガラスおよびポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）な
どの高分子フィルム（ＰＣ，ＰＥＳ，ＮＡＰ）を用い、
前記非線形抵抗膜の成膜をスパッタ法，イオンプレーテ
ィング法、あるいはＥＣＲプラズマ反応性蒸着法により
形成したことを特徴としている。
【０００７】また、本発明は、２枚の対向する透明基
板，該基板間に保持された液晶層，液晶駆動用電極間に
設けた非線形抵抗膜などからなるアクティブマトリック
ス液晶表示装置において、下部電極パターンをマスクと
した裏面露光を用いたフォトレジスト工法により、非線
形抵抗膜、及び絶縁性の中間層が形成されていることを
特徴としている。
板，該基板間に保持された液晶層，液晶駆動用電極間に
設けた非線形抵抗膜などからなるアクティブマトリック
ス液晶表示装置において、下部電極パターンをマスクと
した裏面露光を用いたフォトレジスト工法により、非線
形抵抗膜、及び絶縁性の中間層が形成されていることを
特徴としている。
【０００８】上記液晶表示装置の製造方法は、非線形抵
抗膜、及び絶縁性の中間層を、下部電極パターンをマス
クとした裏面露光を用いたフォトレジスト工法により形
成する。先ず、ポジ形レジストを用いたリフトオフを利
用して、下部電極パターン以外の部分に絶縁性の中間層
を形成し、ネガ形レジストを用いたリフトオフを利用し
て、下部電極パターン上に非線形抵抗膜を形成する。基
板には、ガラスおよびポリエチレンテレフタレート（Ｐ
ＥＴ）などの高分子フィルム（ＰＣ，ＰＥＳ，ＮＡＰ）
を用い、前記非線形抵抗膜の成膜をスパッタ法，イオン
プレーティング法、あるいはＥＣＲプラズマ反応性蒸着
法により形成したことを特徴としている。
抗膜、及び絶縁性の中間層を、下部電極パターンをマス
クとした裏面露光を用いたフォトレジスト工法により形
成する。先ず、ポジ形レジストを用いたリフトオフを利
用して、下部電極パターン以外の部分に絶縁性の中間層
を形成し、ネガ形レジストを用いたリフトオフを利用し
て、下部電極パターン上に非線形抵抗膜を形成する。基
板には、ガラスおよびポリエチレンテレフタレート（Ｐ
ＥＴ）などの高分子フィルム（ＰＣ，ＰＥＳ，ＮＡＰ）
を用い、前記非線形抵抗膜の成膜をスパッタ法，イオン
プレーティング法、あるいはＥＣＲプラズマ反応性蒸着
法により形成したことを特徴としている。
【０００９】
【実施例】次に、本発明を実施例に基づいて説明する。
【００１０】〕図１には、本発明に係る液晶表示装置の
一実施例が示されている。基板１上にＡｌ等からなる下
部電極パターン２が形成され、外部電極引出部を除いた
基板１の全面には化学量論比よりも金属含有量の多い金
属窒化物，金属酸化物または金属酸窒化物からなる非線
型抵抗膜３が成膜されている。また、下部電極パターン
２のエッジ部７付近の非線型抵抗膜３は酸化され化学量
論比に合った金属酸化物または金属酸窒化物からなる絶
縁膜４になっており、更に、下部電極パターン２の上方
には非線型抵抗膜３を介して上部電極５が設けられてい
て、該上部電極５は非線型抵抗膜３上に配置された画素
電極６に接続されている。図３は、これを平面から見た
ものである。
一実施例が示されている。基板１上にＡｌ等からなる下
部電極パターン２が形成され、外部電極引出部を除いた
基板１の全面には化学量論比よりも金属含有量の多い金
属窒化物，金属酸化物または金属酸窒化物からなる非線
型抵抗膜３が成膜されている。また、下部電極パターン
２のエッジ部７付近の非線型抵抗膜３は酸化され化学量
論比に合った金属酸化物または金属酸窒化物からなる絶
縁膜４になっており、更に、下部電極パターン２の上方
には非線型抵抗膜３を介して上部電極５が設けられてい
て、該上部電極５は非線型抵抗膜３上に配置された画素
電極６に接続されている。図３は、これを平面から見た
ものである。
【００１１】前記液晶表示装置の製造方法は、図４に示
すように、先ず基板１上に下部電極パターン２を形成
し、外部電極引出部を除いた基板１の全面に化学量論比
よりも金属含有量の多い金属窒化物，金属酸化物または
金属酸窒化物からなる非線型抵抗膜３を成膜する。更
に、その上から基板１の全面にポジ型レジスト８を塗布
する。次に、下部電極パターン２をマスクとして裏面露
光を行い、図５に示すように、非線形抵抗膜３の下部電
極２の平坦部上にレジストパターン８ａを形成する。レ
ジストパターン８ａは、露光における光のまわり込み
と、レジスト内での乱反射によって、下部電極パターン
２よりも細い幅で下部電極エッジ７上にはかからないよ
うに形成される。
すように、先ず基板１上に下部電極パターン２を形成
し、外部電極引出部を除いた基板１の全面に化学量論比
よりも金属含有量の多い金属窒化物，金属酸化物または
金属酸窒化物からなる非線型抵抗膜３を成膜する。更
に、その上から基板１の全面にポジ型レジスト８を塗布
する。次に、下部電極パターン２をマスクとして裏面露
光を行い、図５に示すように、非線形抵抗膜３の下部電
極２の平坦部上にレジストパターン８ａを形成する。レ
ジストパターン８ａは、露光における光のまわり込み
と、レジスト内での乱反射によって、下部電極パターン
２よりも細い幅で下部電極エッジ７上にはかからないよ
うに形成される。
【００１２】次に、下部電極パターン２を陽極として非
線形抵抗膜３の陽極酸化を行う。陽極酸化においては、
抵抗の小さい電流の流れやすい部分から自己選択的に酸
化されるため、非線形抵抗膜の膜厚の薄い下部電極２の
エッジ部７付近から反応が起こることになる。この結
果、図１に示すように、下部電極エッジ部７付近の非線
形抵抗膜３が、化学量論比にあった金属酸化膜または金
属酸窒化膜からなる絶縁膜４となって、他の非線形抵抗
膜部３に比べて絶縁性が大きくなり、素子部が下部電極
エッジ部７を除いた下部電極２の平坦部分に特定され
る。
線形抵抗膜３の陽極酸化を行う。陽極酸化においては、
抵抗の小さい電流の流れやすい部分から自己選択的に酸
化されるため、非線形抵抗膜の膜厚の薄い下部電極２の
エッジ部７付近から反応が起こることになる。この結
果、図１に示すように、下部電極エッジ部７付近の非線
形抵抗膜３が、化学量論比にあった金属酸化膜または金
属酸窒化膜からなる絶縁膜４となって、他の非線形抵抗
膜部３に比べて絶縁性が大きくなり、素子部が下部電極
エッジ部７を除いた下部電極２の平坦部分に特定され
る。
【００１３】また、膜厚の薄い部分だけでなく絶縁破壊
を起こしやすい不良箇所についても、この工程によっ
て、自己選択的に絶縁性の膜にすることができるため、
素子の絶縁破壊を飛躍的に軽減することができるわけで
ある。陽極酸化は、下部電極エッジ部分が完全に酸化さ
れるまで行う必要がある。また、陽極酸化は、強酸系，
弱酸系のどちらの液でも行うことができるが、無孔質の
ものが得られる酒石酸のような弱酸系の液で行うのが望
ましい。上記工程終了後レジストパターン８ａを除去し
て、上部電極５、画素電極６を形成し、液晶表示装置の
１画素となる。このようにして形成されたＭＩＭ素子
は、素子としての機能部分が、化学量論比にあった金属
化合物層によって限定されるため、特性が安定し、歩留
まりが向上する。
を起こしやすい不良箇所についても、この工程によっ
て、自己選択的に絶縁性の膜にすることができるため、
素子の絶縁破壊を飛躍的に軽減することができるわけで
ある。陽極酸化は、下部電極エッジ部分が完全に酸化さ
れるまで行う必要がある。また、陽極酸化は、強酸系，
弱酸系のどちらの液でも行うことができるが、無孔質の
ものが得られる酒石酸のような弱酸系の液で行うのが望
ましい。上記工程終了後レジストパターン８ａを除去し
て、上部電極５、画素電極６を形成し、液晶表示装置の
１画素となる。このようにして形成されたＭＩＭ素子
は、素子としての機能部分が、化学量論比にあった金属
化合物層によって限定されるため、特性が安定し、歩留
まりが向上する。
【００１４】〕本発明の第２の実施例について説明す
る。なお、先の実施例における部分と同一部分は同符号
を付して説明は省略する。
る。なお、先の実施例における部分と同一部分は同符号
を付して説明は省略する。
【００１５】第２の実施例における液晶表示装置は、図
２に示すように、基板１上に下部電極パターン２が形成
され、該下部電極２の平坦部と外部電極引出部を除いた
基板１の全面には化学量論比よりも金属含有量の多い金
属窒化物等からなる非線型抵抗膜３が成膜されている。
また、下部電極パターン２のエッジ部７付近と下部電極
２の平坦部を除く前記非線型抵抗膜３の上には化学量論
比に合った金属酸化物または金属酸窒化物からなる絶縁
膜４が配置されている。
２に示すように、基板１上に下部電極パターン２が形成
され、該下部電極２の平坦部と外部電極引出部を除いた
基板１の全面には化学量論比よりも金属含有量の多い金
属窒化物等からなる非線型抵抗膜３が成膜されている。
また、下部電極パターン２のエッジ部７付近と下部電極
２の平坦部を除く前記非線型抵抗膜３の上には化学量論
比に合った金属酸化物または金属酸窒化物からなる絶縁
膜４が配置されている。
【００１６】この液晶表示装置の製造方法は、図４〜５
の構造形成までは、先の実施例と同様である。その後、
プラズマ処理あるいは、イオン注入によってレジストパ
ターン８ａ以外の部分を窒化または酸化し、化学量論比
にあった金属窒化物、金属酸化物または金属酸窒化物と
する。化学量論比にあった金属化合物層は、少なくとも
図２に示すように下部電極２のエッジ部７にかかる程度
の厚みが必要である。但し、下部電極パターン２上以外
の非線形抵抗膜３がすべて化学量論比にあった金属化合
物層に置換されても、下部電極が信号伝達に十分な導電
性を持つかぎりは問題ない。上記工程終了後、上部電
極，画素電極を形成し、液晶表示装置の１画素となる。
の構造形成までは、先の実施例と同様である。その後、
プラズマ処理あるいは、イオン注入によってレジストパ
ターン８ａ以外の部分を窒化または酸化し、化学量論比
にあった金属窒化物、金属酸化物または金属酸窒化物と
する。化学量論比にあった金属化合物層は、少なくとも
図２に示すように下部電極２のエッジ部７にかかる程度
の厚みが必要である。但し、下部電極パターン２上以外
の非線形抵抗膜３がすべて化学量論比にあった金属化合
物層に置換されても、下部電極が信号伝達に十分な導電
性を持つかぎりは問題ない。上記工程終了後、上部電
極，画素電極を形成し、液晶表示装置の１画素となる。
【００１７】このようにして形成されたＭＩＭ素子は、
素子としての機能部分が、化学量論比にあった金属化合
物層によって限定されるため、特性が安定し、歩留まり
が向上する。
素子としての機能部分が、化学量論比にあった金属化合
物層によって限定されるため、特性が安定し、歩留まり
が向上する。
【００１８】次に、本発明の第３の実施例について説明
する。なお、先の第１，２の実施例のものと同一な部分
には同一符号を付し説明は省略する。
する。なお、先の第１，２の実施例のものと同一な部分
には同一符号を付し説明は省略する。
【００１９】第３の実施例による液晶表示装置は、図６
（ｇ）に示すように、基板１上に下部電極２が形成され
ており、該下部電極２の上面平坦部を除いた基板１の全
面には化学量論比に合ったＡｌＮ膜が設けられている。
また、該下部電極２の上面平坦部に非線型抵抗膜３ａが
配置されており、その上には上部電極５が設けられてい
て画素電極６と接続されている。
（ｇ）に示すように、基板１上に下部電極２が形成され
ており、該下部電極２の上面平坦部を除いた基板１の全
面には化学量論比に合ったＡｌＮ膜が設けられている。
また、該下部電極２の上面平坦部に非線型抵抗膜３ａが
配置されており、その上には上部電極５が設けられてい
て画素電極６と接続されている。
【００２０】この液晶表示装置の製造方法は、先ず、図
６（ａ）に示すように、基板１上に、電極パターン２
を、レジストを用いたリフトオフを利用して形成した
後、基板１全面にポジ形レジスト９を塗布し、電極パタ
ーン２をマスクとして裏面露光を行い、電極パターン２
上にレジストパターン９ａを形成する。この工程におい
て、電極パターンをマスクとして裏面露光を行うことに
より、別途マスクを用意する必要がなくなり、マスクの
位置合わせなどの煩雑な作業も省くことができる。次
に、図６（ｂ）に示すように、基板１全面に絶縁性の中
間層として、例えば化学量論比に合ったＡｌＮ膜４を、
無加熱で成膜できるスパッタ法やイオンプレーティング
法やＥＣＲプラズマ反応性蒸着法等により、電極パター
ン２より厚く形成し、図６（ｃ）に示すように、リフト
オフを行って電極パターン外の部分に絶縁膜４を残す。
６（ａ）に示すように、基板１上に、電極パターン２
を、レジストを用いたリフトオフを利用して形成した
後、基板１全面にポジ形レジスト９を塗布し、電極パタ
ーン２をマスクとして裏面露光を行い、電極パターン２
上にレジストパターン９ａを形成する。この工程におい
て、電極パターンをマスクとして裏面露光を行うことに
より、別途マスクを用意する必要がなくなり、マスクの
位置合わせなどの煩雑な作業も省くことができる。次
に、図６（ｂ）に示すように、基板１全面に絶縁性の中
間層として、例えば化学量論比に合ったＡｌＮ膜４を、
無加熱で成膜できるスパッタ法やイオンプレーティング
法やＥＣＲプラズマ反応性蒸着法等により、電極パター
ン２より厚く形成し、図６（ｃ）に示すように、リフト
オフを行って電極パターン外の部分に絶縁膜４を残す。
【００２１】次に、図６（ｄ）に示すように、ネガ形レ
ジスト１０を基板１全面に塗布し、電極パターンをマス
クとして裏面露光を行って電極２上に開口部を設ける。
この工程において、電極パターン２をマスクとして裏面
露光を行うことにより、別途マスクを用意する必要がな
くなり、マスクの位置合わせなどの煩雑な作業も省くこ
とができる。以上の工程により、ＭＩＭ素子の下部電極
と非線形抵抗膜のコンタクト部を下部電極２のエッジ部
分を除いた部分に特定することができ、エッジ部分の影
響による素子不良の問題を解決することができる。
ジスト１０を基板１全面に塗布し、電極パターンをマス
クとして裏面露光を行って電極２上に開口部を設ける。
この工程において、電極パターン２をマスクとして裏面
露光を行うことにより、別途マスクを用意する必要がな
くなり、マスクの位置合わせなどの煩雑な作業も省くこ
とができる。以上の工程により、ＭＩＭ素子の下部電極
と非線形抵抗膜のコンタクト部を下部電極２のエッジ部
分を除いた部分に特定することができ、エッジ部分の影
響による素子不良の問題を解決することができる。
【００２２】次に、図６（ｅ），（ｆ）に示すように、
基板１全面に無加熱で成膜できるスパッタ法やイオンプ
レーティング法やＥＣＲプラズマ反応蒸着法等により、
例えば抵抗値が非線形性を示すＡｌＮX （ｘ＜１）等３
を成膜し、レジストのリフトオフを行って、電極パター
ン２上のみに非線形抵抗膜３を形成する。ＡｌＮX は、
ｘの値を変えることにより抵抗の非線形性をコントロー
ルすることができる材料である。次に、上部電極５，画
素電極６をフォトレジスト工程により順に形成する。
基板１全面に無加熱で成膜できるスパッタ法やイオンプ
レーティング法やＥＣＲプラズマ反応蒸着法等により、
例えば抵抗値が非線形性を示すＡｌＮX （ｘ＜１）等３
を成膜し、レジストのリフトオフを行って、電極パター
ン２上のみに非線形抵抗膜３を形成する。ＡｌＮX は、
ｘの値を変えることにより抵抗の非線形性をコントロー
ルすることができる材料である。次に、上部電極５，画
素電極６をフォトレジスト工程により順に形成する。
【００２３】以上の実施例において、フォトレジスト
は、水銀灯のｇ線（４３６ｎｍ）を用いて裏面露光を行
うが、基板１としては、ガラスはもとより、４００ｎｍ
の波長で８０％以上の高い透過率を有するＰＥＴ，Ｐ
Ｃ，ＰＥＳ，ＮＡＰ等の高分子フィルムであっても何ら
問題はない。また、基板上に形成された化学量論比に合
ったＡｌＮ膜についても、３００ｎｍの波長以上で８０
％以上の高い透過率を有するため、本発明の実施を何ら
妨げるものではない。
は、水銀灯のｇ線（４３６ｎｍ）を用いて裏面露光を行
うが、基板１としては、ガラスはもとより、４００ｎｍ
の波長で８０％以上の高い透過率を有するＰＥＴ，Ｐ
Ｃ，ＰＥＳ，ＮＡＰ等の高分子フィルムであっても何ら
問題はない。また、基板上に形成された化学量論比に合
ったＡｌＮ膜についても、３００ｎｍの波長以上で８０
％以上の高い透過率を有するため、本発明の実施を何ら
妨げるものではない。
【００２４】ＭＩＭ素子形成時における基板温度につい
ても、スパッタ法やイオンプレーティング法やＥＣＲプ
ラズマ反応性蒸着法等の低温成膜プロセスを用いている
ため、上記高分子フィルムにも十分に対応できる。ま
た、このような高分子フィルムを基板として用いる場合
は、成膜プロセス中に基板が収縮する現象が見られ、こ
のために、従来の方法だとマスクパターンの位置合わせ
にずれが生じ、ＭＩＭ素子部を精度良く形成することが
できないという問題があったが、本発明によって、別途
マスクを用いることなく、下部電極と非線形抵抗膜の構
成を精度良く仕上げることができ、上記高分子フィルム
基板にも十分対応できる。また、従来の方法では、画素
電極が基板直上に形成されるため、高分子フィルム基板
を用いる場合などは、基板の影響による画素電極の劣化
が問題となっていたが、本発明においては、中間層とし
て設けた化学量論比にあったＡｌＮ層がパッシベーショ
ン膜としての役割を果たし、画素電極の劣化の問題も解
消できている。
ても、スパッタ法やイオンプレーティング法やＥＣＲプ
ラズマ反応性蒸着法等の低温成膜プロセスを用いている
ため、上記高分子フィルムにも十分に対応できる。ま
た、このような高分子フィルムを基板として用いる場合
は、成膜プロセス中に基板が収縮する現象が見られ、こ
のために、従来の方法だとマスクパターンの位置合わせ
にずれが生じ、ＭＩＭ素子部を精度良く形成することが
できないという問題があったが、本発明によって、別途
マスクを用いることなく、下部電極と非線形抵抗膜の構
成を精度良く仕上げることができ、上記高分子フィルム
基板にも十分対応できる。また、従来の方法では、画素
電極が基板直上に形成されるため、高分子フィルム基板
を用いる場合などは、基板の影響による画素電極の劣化
が問題となっていたが、本発明においては、中間層とし
て設けた化学量論比にあったＡｌＮ層がパッシベーショ
ン膜としての役割を果たし、画素電極の劣化の問題も解
消できている。
【００２５】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。請
求項１により、下部電極平坦部のみを特定して、ＭＩＭ
素子部として利用することができ、これにより、高頻度
で起こる下部電極エッジ部での絶縁破壊を防止し、歩留
まりを飛躍的に向上させることができる。請求項２，４
により、非線形抵抗膜の下部電極エッジ部付近のみを酸
化することができる。請求項３、４により、非線形抵抗
膜の下部電極平坦部以外の部分を酸化あるいは、窒化す
ることができる。請求項４により、マスクを省いて工程
を簡略化することができ、コストの低減が図れる。ま
た、精度良いパターニングを実現することができる。請
求項５，６により、非線形抵抗膜、及び絶縁性の中間層
の形成において、別途マスクを必要とすることなくフォ
トレジスト工法を行うことができ、マスクの位置合わせ
などの煩雑な作業を省くことができる。請求項７によ
り、絶縁性の中間層をパッシベーション膜として利用す
ることができ、画素電極の劣化を防ぐことができる。請
求項７，８により、下部電極のエッジ部を除いた部分に
ＭＩＭ素子部を特定することができ、素子の不良，劣化
をなくし、良好な非線形特性を持つ液晶表示装置を形成
することができる。請求項９により、フレキシブルな液
晶表示装置に対応できる。請求項１０により、低温成膜
が可能になり、高分子フィルム上にＭＩＭが形成可能と
なる。
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。請
求項１により、下部電極平坦部のみを特定して、ＭＩＭ
素子部として利用することができ、これにより、高頻度
で起こる下部電極エッジ部での絶縁破壊を防止し、歩留
まりを飛躍的に向上させることができる。請求項２，４
により、非線形抵抗膜の下部電極エッジ部付近のみを酸
化することができる。請求項３、４により、非線形抵抗
膜の下部電極平坦部以外の部分を酸化あるいは、窒化す
ることができる。請求項４により、マスクを省いて工程
を簡略化することができ、コストの低減が図れる。ま
た、精度良いパターニングを実現することができる。請
求項５，６により、非線形抵抗膜、及び絶縁性の中間層
の形成において、別途マスクを必要とすることなくフォ
トレジスト工法を行うことができ、マスクの位置合わせ
などの煩雑な作業を省くことができる。請求項７によ
り、絶縁性の中間層をパッシベーション膜として利用す
ることができ、画素電極の劣化を防ぐことができる。請
求項７，８により、下部電極のエッジ部を除いた部分に
ＭＩＭ素子部を特定することができ、素子の不良，劣化
をなくし、良好な非線形特性を持つ液晶表示装置を形成
することができる。請求項９により、フレキシブルな液
晶表示装置に対応できる。請求項１０により、低温成膜
が可能になり、高分子フィルム上にＭＩＭが形成可能と
なる。
【図１】本発明実施例の液晶表示装置の断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例の液晶表示装置の断面図
である。
である。
【図３】本発明実施例の液晶表示装置の平面図である。
【図４】本発明実施例の液晶表示装置の製造工程の一部
を示す図である。
を示す図である。
【図５】同じく本発明実施例の液晶表示装置の製造工程
の一部を示す図である。
の一部を示す図である。
【図６】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第３の実施例の液
晶表示装置の製造工程を示す図であり、（ｇ）は本発明
の第３の実施例の液晶表示装置の断面図である。
晶表示装置の製造工程を示す図であり、（ｇ）は本発明
の第３の実施例の液晶表示装置の断面図である。
【図７】従来のＭＩＭ型液晶表示装置の断面図である。
１ 基板 ２ 下部電極 ３ 非線型抵抗膜 ４ 絶縁膜 ５ 上部電極 ６ 画素電極
Claims (10)
- 【請求項１】 ２枚の対向する透明基板，該基板間に保
持された液晶層，液晶駆動用電極間に設けた非線形抵抗
膜などからなるアクティブマトリックス液晶表示装置で
あって、非線形抵抗膜を化学量論比よりも金属含有量の
多い金属窒化膜，金属酸化膜または、金属酸窒化膜とし
たものにおいて、下部電極平坦部以外の少なくとも下部
電極エッジ部上の非線形抵抗膜を、酸化あるいは窒化
し、化学量論比にあった金属窒化物，金属酸化物また
は、金属酸窒化物としたことを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項２】 前記下部電極エッジ部付近の非線形抵抗
膜及び、膜内の低抵抗部を、下部電極パターンを陽極と
した陽極酸化により、自己選択的に酸化あるいは窒化
し、化学量論比にあった金属酸化物または金属酸窒化物
とすることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の
製造方法。 - 【請求項３】 前記非線形抵抗膜の下部電極平坦部上以
外の部分を、プラズマ処理またはイオン注入により、自
己選択的に酸化あるいは窒化し、化学量論比にあった金
属窒化物，金属酸化物または、金属酸窒化物とすること
を特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項４】 下部電極パターンをマスクとした裏面露
光を用いたフォトレジスト工法により、非線形抵抗膜上
に、酸化または窒化の非選択部分を形成することを特徴
とする請求項２，３記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項５】 ２枚の対向する透明基板，該基板間に保
持された液晶層，液晶駆動用電極間に設けた非線形抵抗
膜などからなるアクティブマトリックス液晶表示装置に
おいて、下部電極パターンをマスクとした裏面露光を用
いたフォトレジスト工法により、非線形抵抗膜、及び絶
縁性の中間層が形成されていることを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項６】 非線形抵抗膜、及び絶縁性の中間層を、
下部電極パターンをマスクとした裏面露光を用いたフォ
トレジスト工法により形成することを特徴とする請求項
５記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項７】 ポジ形レジストを用いたリフトオフを利
用して、下部電極パターン平坦部以外の部分に絶縁性の
中間層を形成したことを特徴とする請求項５記載の液晶
表示装置の製造方法。 - 【請求項８】 ネガ形レジストを用いたリフトオフを利
用して、下部電極パターン平坦部上に非線形抵抗膜を形
成したことを特徴とする請求項５記載の液晶表示装置の
製造方法。 - 【請求項９】 基板にガラスおよびポリエチレンテレフ
タラート（ＰＥＴ）などの高分子フィルム（ＰＣ，ＰＥ
Ｓ，ＮＡＰ）を用いたことを特徴とする請求項１，５記
載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１０】 非線形抵抗膜の成膜をスパッタ法，イ
オンプレーティング法、あるいはＥＣＲプラズマ反応性
蒸着法により形成したことを特徴とする請求項１，５記
載の液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23761691A JPH0572570A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23761691A JPH0572570A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0572570A true JPH0572570A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17017963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23761691A Withdrawn JPH0572570A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0572570A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5642212A (en) * | 1993-02-03 | 1997-06-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display apparatus having a two-terminal device including a zinc sulfide layer and method for producing the same |
| US5642211A (en) * | 1993-04-30 | 1997-06-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus having a non-linear resistor connected to the pixel electrode and using a two-terminal device as a switching device |
| US5734452A (en) * | 1994-09-26 | 1998-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Two-terminal non-linear resistive device and a method for producing the same in which nickel or iron is an impurity in the zinc sulfide layer |
-
1991
- 1991-09-18 JP JP23761691A patent/JPH0572570A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5642212A (en) * | 1993-02-03 | 1997-06-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display apparatus having a two-terminal device including a zinc sulfide layer and method for producing the same |
| US5663020A (en) * | 1993-02-03 | 1997-09-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display apparatus having a two-terminal device including a zinc sulfide layer and a method for producing the same |
| US5642211A (en) * | 1993-04-30 | 1997-06-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus having a non-linear resistor connected to the pixel electrode and using a two-terminal device as a switching device |
| US5734452A (en) * | 1994-09-26 | 1998-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Two-terminal non-linear resistive device and a method for producing the same in which nickel or iron is an impurity in the zinc sulfide layer |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |