JPH0572714A - フオトマスクの製造方法および欠陥修正方法 - Google Patents
フオトマスクの製造方法および欠陥修正方法Info
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- JPH0572714A JPH0572714A JP23212191A JP23212191A JPH0572714A JP H0572714 A JPH0572714 A JP H0572714A JP 23212191 A JP23212191 A JP 23212191A JP 23212191 A JP23212191 A JP 23212191A JP H0572714 A JPH0572714 A JP H0572714A
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- Japan
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- photomask
- gas
- defect
- light
- ion beam
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フォトマスク上の微細な遮光パターンを高精
度に加工することができ、かつ腐食性および毒性が低い
エッチングガスを提供する。 【構成】 ガラス基板上に蒸着したＣｒまたはＣｒx Ｏ
y からなる遮光膜をドライエッチングしてフォトマスク
６を製造する際、ドライエッチングの反応ガスとして、
Ｈｅ、ＣＦ4 およびＯ2 からなる混合ガスを用いる。ま
た、集束イオンビームを用いたガスアシストエッチング
でフォトマスク６の黒点欠陥９を修正する際、反応ガス
として、Ｈｅ、ＣＦ4 およびＯ2 からなる混合ガスを用
いる。
度に加工することができ、かつ腐食性および毒性が低い
エッチングガスを提供する。 【構成】 ガラス基板上に蒸着したＣｒまたはＣｒx Ｏ
y からなる遮光膜をドライエッチングしてフォトマスク
６を製造する際、ドライエッチングの反応ガスとして、
Ｈｅ、ＣＦ4 およびＯ2 からなる混合ガスを用いる。ま
た、集束イオンビームを用いたガスアシストエッチング
でフォトマスク６の黒点欠陥９を修正する際、反応ガス
として、Ｈｅ、ＣＦ4 およびＯ2 からなる混合ガスを用
いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩなどの製造工程
で使用されるフォトマスクの製造技術ならびに欠陥修正
技術に関する。
で使用されるフォトマスクの製造技術ならびに欠陥修正
技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの製造工程で使用されるフォトマ
スク（レチクル）を製造するには、クロム（Ｃｒ）や酸
化クロム（Ｃｒx Ｏy ) からなる遮光膜を全面に蒸着し
たガラス基板（マスクブランクス）の表面に電子線レジ
ストをスピン塗布し、電子線描画装置を用いて上記電子
線レジストに所望の集積回路パターンの潜像を形成した
後、電子線レジストの露光部分を現像液により除去し、
露出した遮光膜をウェットエッチングして遮光パターン
を形成する方法が用いられている。
スク（レチクル）を製造するには、クロム（Ｃｒ）や酸
化クロム（Ｃｒx Ｏy ) からなる遮光膜を全面に蒸着し
たガラス基板（マスクブランクス）の表面に電子線レジ
ストをスピン塗布し、電子線描画装置を用いて上記電子
線レジストに所望の集積回路パターンの潜像を形成した
後、電子線レジストの露光部分を現像液により除去し、
露出した遮光膜をウェットエッチングして遮光パターン
を形成する方法が用いられている。
【０００３】また、上記したフォトマスクの製造過程で
発生した黒点欠陥（ピンドット、突起などのＣｒ残り）
を修正するには、フォトマスク上の修正箇所にレーザビ
ームを照射して黒点欠陥を除去する方法が用いられてい
る。なお、フォトマスクの欠陥修正技術については、特
公昭６３−６２７３３号公報などに記載がある。
発生した黒点欠陥（ピンドット、突起などのＣｒ残り）
を修正するには、フォトマスク上の修正箇所にレーザビ
ームを照射して黒点欠陥を除去する方法が用いられてい
る。なお、フォトマスクの欠陥修正技術については、特
公昭６３−６２７３３号公報などに記載がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＬＳＩの高集積化、高
密度化は、0.８μｍから0.５μｍ、さらには0.３μｍ以
下の微細なパターンの加工技術を要求している。そのた
め、フォトマスクの製造工程においても、ウェットエッ
チングに比べて加工精度の高いドライエッチングによる
遮光膜の加工が検討されている。
密度化は、0.８μｍから0.５μｍ、さらには0.３μｍ以
下の微細なパターンの加工技術を要求している。そのた
め、フォトマスクの製造工程においても、ウェットエッ
チングに比べて加工精度の高いドライエッチングによる
遮光膜の加工が検討されている。
【０００５】ところが、ＣｒやＣｒx Ｏy などの遮光膜
をドライエッチングするには、反応ガスとして腐食性や
毒性の高いＣｌ2 、ＣＣｌ4 などの塩素系ガスを使用し
なければならないため、ドライエッチング装置の排気用
ポンプ、チャンバ内の部品、有機系の各シール、計器類
などに対する防腐対策や、毒性に対する各種の安全対策
に多大な費用がかかるという問題がある。
をドライエッチングするには、反応ガスとして腐食性や
毒性の高いＣｌ2 、ＣＣｌ4 などの塩素系ガスを使用し
なければならないため、ドライエッチング装置の排気用
ポンプ、チャンバ内の部品、有機系の各シール、計器類
などに対する防腐対策や、毒性に対する各種の安全対策
に多大な費用がかかるという問題がある。
【０００６】また、ＬＳＩの高集積化、高密度化は、フ
ォトマスクの微細な黒点欠陥を高精度に修正する技術を
も要求しており、レーザビームに比べて加工精度の高い
集束イオンビーム(Focused Ion Beam;ＦＩＢ）による欠
陥修正が検討されている。
ォトマスクの微細な黒点欠陥を高精度に修正する技術を
も要求しており、レーザビームに比べて加工精度の高い
集束イオンビーム(Focused Ion Beam;ＦＩＢ）による欠
陥修正が検討されている。
【０００７】ところが、ＦＩＢを使った黒点欠陥の修正
方法は、フォトマスクに高エネルギーのイオンを打込む
ため、欠陥修正箇所のガラス基板にイオンソース金属が
残留し、フォトマスクの光透過率が低下するという問題
がある。
方法は、フォトマスクに高エネルギーのイオンを打込む
ため、欠陥修正箇所のガラス基板にイオンソース金属が
残留し、フォトマスクの光透過率が低下するという問題
がある。
【０００８】その代案として、フォトマスクの修正箇所
に反応ガスを供給しながらＦＩＢを照射する、いわゆる
ガスアシストエッチングが提案されているが、この場合
も反応ガスとして前記Ｃｌ2 、ＣＣｌ4 などの塩素系ガ
スを使用しなければならないため、前述した防腐対策や
安全対策が必要になるという問題がある。
に反応ガスを供給しながらＦＩＢを照射する、いわゆる
ガスアシストエッチングが提案されているが、この場合
も反応ガスとして前記Ｃｌ2 、ＣＣｌ4 などの塩素系ガ
スを使用しなければならないため、前述した防腐対策や
安全対策が必要になるという問題がある。
【０００９】本発明の目的は、微細な遮光パターンを高
精度に加工することのできるフォトマスク製造技術を提
供することにある。
精度に加工することのできるフォトマスク製造技術を提
供することにある。
【００１０】本発明の他の目的は、フォトマスクの微細
な黒点欠陥を高精度に修正することのできる欠陥修正技
術を提供することにある。
な黒点欠陥を高精度に修正することのできる欠陥修正技
術を提供することにある。
【００１１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【００１３】(1) ガラス基板上に堆積したＣｒまたはＣ
ｒx Ｏy からなる遮光膜をドライエッチングする際の反
応ガスとして、Ｈｅ、ＣＦ4 およびＯ2 からなる混合ガ
スを用いるフォトマスクの製造方法である。
ｒx Ｏy からなる遮光膜をドライエッチングする際の反
応ガスとして、Ｈｅ、ＣＦ4 およびＯ2 からなる混合ガ
スを用いるフォトマスクの製造方法である。
【００１４】(2) ＦＩＢを用いたガスアシストエッチン
グでガラス基板上の黒点欠陥を除去する際の反応ガスと
して、Ｈｅ、ＣＦ4 およびＯ2 からなる混合ガスを用い
るフォトマスクの欠陥修正方法である。
グでガラス基板上の黒点欠陥を除去する際の反応ガスと
して、Ｈｅ、ＣＦ4 およびＯ2 からなる混合ガスを用い
るフォトマスクの欠陥修正方法である。
【００１５】
【作用】ＣｒやＣｒ2 Ｏ3 がＨｅ、ＣＦ4 およびＯ2 か
らなる混合ガスでドライエッチングされる機構について
は未だ明らかではないが、本発明者による実験の結果、
ＨｅにＯ2,およびＣＦ4 を添加した混合ガスを用いるこ
とにより、ＣｒおよびＣｒx Ｏy をドライエッチングす
ることができた。
らなる混合ガスでドライエッチングされる機構について
は未だ明らかではないが、本発明者による実験の結果、
ＨｅにＯ2,およびＣＦ4 を添加した混合ガスを用いるこ
とにより、ＣｒおよびＣｒx Ｏy をドライエッチングす
ることができた。
【００１６】上記混合ガスは、不燃性で、かつ腐食性お
よび毒性が低いことから、塩素系ガスを使用する場合の
ような防腐対策や安全対策が不要である。
よび毒性が低いことから、塩素系ガスを使用する場合の
ような防腐対策や安全対策が不要である。
【００１７】従って、Ｈｅ、ＣＦ4 およびＯ2 からなる
上記混合ガスは、0.３μｍまたはそれ以下の微細なパタ
ーンを有するフォトマスクの製造ならびに欠陥修正に用
いる反応ガスとして極めて実用性が高い。
上記混合ガスは、0.３μｍまたはそれ以下の微細なパタ
ーンを有するフォトマスクの製造ならびに欠陥修正に用
いる反応ガスとして極めて実用性が高い。
【００１８】以下、本発明によるフォトマスクの欠陥修
正方法およびフォトマスクの製造方法を実施例により説
明する。
正方法およびフォトマスクの製造方法を実施例により説
明する。
【００１９】
【実施例１】まず、図１および図２を用いて、フォトマ
スクの欠陥修正方法の一実施例を説明する。
スクの欠陥修正方法の一実施例を説明する。
【００２０】図２に示す集束イオンビーム装置１は、反
応室２と予備排気室３とからなり、反応室２には室内を
排気するための真空ポンプ４ａが、予備排気室３には同
じく真空ポンプ４ｂが接続されている。反応室２の下部
には、水平面内で移動自在なＸＹテーブル５が設置され
ている。このＸＹテーブル５の上には、フォトマスク６
を載せたステージ７が載置される。
応室２と予備排気室３とからなり、反応室２には室内を
排気するための真空ポンプ４ａが、予備排気室３には同
じく真空ポンプ４ｂが接続されている。反応室２の下部
には、水平面内で移動自在なＸＹテーブル５が設置され
ている。このＸＹテーブル５の上には、フォトマスク６
を載せたステージ７が載置される。
【００２１】上記フォトマスク６は、1.４７程度の屈折
率を有する透明な合成石英のガラス基板からなり、図１
（ａ）に示すように、その表面には膜厚５００〜１５０
０Å程度、線幅0.３〜0.５μｍ程度の微細な遮光パター
ン８が形成されている。
率を有する透明な合成石英のガラス基板からなり、図１
（ａ）に示すように、その表面には膜厚５００〜１５０
０Å程度、線幅0.３〜0.５μｍ程度の微細な遮光パター
ン８が形成されている。
【００２２】上記遮光パターン８は、半導体ウエハ上に
転写される集積回路パターンの原画となるもので、上記
ガラス基板の表面に蒸着したＣｒまたはＣｒx Ｏy から
なる遮光膜を電子線リソグラフィ技術で加工して形成し
たものである。
転写される集積回路パターンの原画となるもので、上記
ガラス基板の表面に蒸着したＣｒまたはＣｒx Ｏy から
なる遮光膜を電子線リソグラフィ技術で加工して形成し
たものである。
【００２３】上記遮光パターン８は露光の際に遮光領域
となり、その他の領域は光透過領域となるが、図１
（ａ）に示すように、この光透過領域の一部にはピンド
ット状の黒点欠陥９が生じている。
となり、その他の領域は光透過領域となるが、図１
（ａ）に示すように、この光透過領域の一部にはピンド
ット状の黒点欠陥９が生じている。
【００２４】前記集束イオンビーム装置１の反応室２に
は、ステージ７上のフォトマスク６の表面に反応ガスＧ
を供給する反応ガス供給ノズル１０と、フォトマスク６
の表面から発生する二次イオンを捕捉してエッチングの
終点を検出する二次イオンディテクタ１１とが設置され
ている。
は、ステージ７上のフォトマスク６の表面に反応ガスＧ
を供給する反応ガス供給ノズル１０と、フォトマスク６
の表面から発生する二次イオンを捕捉してエッチングの
終点を検出する二次イオンディテクタ１１とが設置され
ている。
【００２５】上記反応ガス供給ノズル１０は、集束イオ
ンビーム装置１の外部のガスボンベ１２ａ，１２ｂ，１
２ｃに接続されている。ガスボンベ１２ａにはＨｅガス
が、ガスボンベ１２ｂにはＣＦ4 ガスが、ガスボンベ１
２ｃにはＯ2 ガスが各々充填されている。
ンビーム装置１の外部のガスボンベ１２ａ，１２ｂ，１
２ｃに接続されている。ガスボンベ１２ａにはＨｅガス
が、ガスボンベ１２ｂにはＣＦ4 ガスが、ガスボンベ１
２ｃにはＯ2 ガスが各々充填されている。
【００２６】上記反応室２の上部には円筒形のイオンビ
ームカラム１３が設置されている。
ームカラム１３が設置されている。
【００２７】このイオンビームカラム１３の最上部に
は、イオンビーム源であるイオン銃１４が設置されてい
る。このイオン銃１４からは、Ｇａ（ガリウム）などの
金属イオンが放射される。
は、イオンビーム源であるイオン銃１４が設置されてい
る。このイオン銃１４からは、Ｇａ（ガリウム）などの
金属イオンが放射される。
【００２８】上記イオン銃１４の下方には、上記金属イ
オンに所定の加速電圧を印加する引出し電極１５が設置
されている。この引出し電極１５には、高加速電源１６
と低加速電源１７とが接続されており、加速電圧変換ス
イッチ１８を切換えることにより、引出し電極１５を通
過する集束イオンビームＢに高加速電圧（例えば２５ｋ
ｅＶ）または低加速電圧（例えば１５ｋｅＶ）のいずれ
かが印加される。
オンに所定の加速電圧を印加する引出し電極１５が設置
されている。この引出し電極１５には、高加速電源１６
と低加速電源１７とが接続されており、加速電圧変換ス
イッチ１８を切換えることにより、引出し電極１５を通
過する集束イオンビームＢに高加速電圧（例えば２５ｋ
ｅＶ）または低加速電圧（例えば１５ｋｅＶ）のいずれ
かが印加される。
【００２９】上記引出し電極１５の下方には、ビームア
パーチャ１９が設置されている。このビームアパーチャ
１９の下方には、集束イオンビームＢのビーム径を制御
するためのビーム偏向コイル２０が設置されている。
パーチャ１９が設置されている。このビームアパーチャ
１９の下方には、集束イオンビームＢのビーム径を制御
するためのビーム偏向コイル２０が設置されている。
【００３０】上記ビーム偏向コイル２０には、一対のビ
ーム絞り制御回路２１，２２が接続されており、ビーム
径変換スイッチ２３を切換えることにより、ステージ７
上のフォトマスク６の表面に照射される集束イオンビー
ムＢのビーム径が拡大または縮小される。
ーム絞り制御回路２１，２２が接続されており、ビーム
径変換スイッチ２３を切換えることにより、ステージ７
上のフォトマスク６の表面に照射される集束イオンビー
ムＢのビーム径が拡大または縮小される。
【００３１】上記ビーム径変換スイッチ２３の切換えタ
イミング、加速電圧変換スイッチ１８の切換えタイミン
グ、二次イオンディテクタ１２により出力される終点検
出信号、ガスボンベ１２ａ〜１２ｃから供給されるガス
の流量制御などは、コントロール部２４により集中管理
される。
イミング、加速電圧変換スイッチ１８の切換えタイミン
グ、二次イオンディテクタ１２により出力される終点検
出信号、ガスボンベ１２ａ〜１２ｃから供給されるガス
の流量制御などは、コントロール部２４により集中管理
される。
【００３２】上記集束イオンビーム装置１を用いてフォ
トマスク６の黒点欠陥９を除去するには、まず、予備排
気室３の蓋２５を開き、フォトマスク６を基台２６上の
ステージ７に載せた後、蓋２５を閉じる。
トマスク６の黒点欠陥９を除去するには、まず、予備排
気室３の蓋２５を開き、フォトマスク６を基台２６上の
ステージ７に載せた後、蓋２５を閉じる。
【００３３】次に、予備排気室３のバルブ２７ａおよび
反応室２のバルブ２７ｂを開き、真空ポンプ４ａ，４ｂ
を使って反応室２および予備排気室３を所定の真空度
（例えば１〜２×１０-6Ｔｏｒｒ）になるまで排気した
後、フォトマスク６を載せたステージ７をゲートバルブ
２８を通じて反応室２に搬送し、ＸＹテーブル５上に載
せる。
反応室２のバルブ２７ｂを開き、真空ポンプ４ａ，４ｂ
を使って反応室２および予備排気室３を所定の真空度
（例えば１〜２×１０-6Ｔｏｒｒ）になるまで排気した
後、フォトマスク６を載せたステージ７をゲートバルブ
２８を通じて反応室２に搬送し、ＸＹテーブル５上に載
せる。
【００３４】すると、コントロール部２４からの信号に
よってガスボンベ１２ａ〜１２ｃのバルブ２７ｃ〜２７
ｆが開放され、図１（ｂ）に示すように、反応ガス供給
ノズル１０を通じてフォトマスク６の表面に反応ガスＧ
が供給され、次いで１５ｋｅＶの低加速電圧で加速され
た集束イオンビームＢが黒点欠陥９に照射される。
よってガスボンベ１２ａ〜１２ｃのバルブ２７ｃ〜２７
ｆが開放され、図１（ｂ）に示すように、反応ガス供給
ノズル１０を通じてフォトマスク６の表面に反応ガスＧ
が供給され、次いで１５ｋｅＶの低加速電圧で加速され
た集束イオンビームＢが黒点欠陥９に照射される。
【００３５】上記反応ガスＧは、Ｈｅを主成分とし、そ
れに２〜５％程度のＣＦ4 および２〜５％程度のＯ2 を
加えた混合ガスからなり、その流量は、例えば反応室２
の真空度が1.５〜2.０×１０-6Ｔｏｒｒになる程度とす
る。
れに２〜５％程度のＣＦ4 および２〜５％程度のＯ2 を
加えた混合ガスからなり、その流量は、例えば反応室２
の真空度が1.５〜2.０×１０-6Ｔｏｒｒになる程度とす
る。
【００３６】フォトマスク６の表面に供給された上記反
応ガスＧは、集束イオンビームＢのエネルギーによって
活性化され、ＣｒまたはＣｒx Ｏy からなる黒点欠陥９
を選択的にエッチングする。
応ガスＧは、集束イオンビームＢのエネルギーによって
活性化され、ＣｒまたはＣｒx Ｏy からなる黒点欠陥９
を選択的にエッチングする。
【００３７】このときの集束イオンビームＢは、低加速
電圧で加速されているため、イオンソース金属（Ｇａ）
がフォトマスク６のガラス基板に打込まれることはな
い。
電圧で加速されているため、イオンソース金属（Ｇａ）
がフォトマスク６のガラス基板に打込まれることはな
い。
【００３８】なお、低加速の集束イオンビームＢを黒点
欠陥９に照射する上記の方法に代えて、まず、高加速の
集束イオンビームＢを黒点欠陥９に照射してその大部分
をエッチングし、エッチングが終点に近づいた時点で集
束イオンビームＢを低加速に切り換えてエッチングを完
了させてもよい。
欠陥９に照射する上記の方法に代えて、まず、高加速の
集束イオンビームＢを黒点欠陥９に照射してその大部分
をエッチングし、エッチングが終点に近づいた時点で集
束イオンビームＢを低加速に切り換えてエッチングを完
了させてもよい。
【００３９】上記の方法によれば、最初から低加速の集
束イオンビームＢを使って黒点欠陥９をエッチングする
場合に比べてエッチングのスループットが向上し、しか
もイオンソース金属がガラス基板に打込まれることもな
い。
束イオンビームＢを使って黒点欠陥９をエッチングする
場合に比べてエッチングのスループットが向上し、しか
もイオンソース金属がガラス基板に打込まれることもな
い。
【００４０】
【実施例２】次に、図３および図４を用いて、フォトマ
スクの製造方法の一実施例を説明する。
スクの製造方法の一実施例を説明する。
【００４１】図３に示す平行平板形のＲＩＥ（リアクテ
ィブイオンエッチング）装置３０の反応室２には、所定
数のマスクブランクスを載せたアノード電極３１と、反
応ガス供給管を兼ねたカソード電極３２とが設置されて
いる。アノード電極３１とカソード電極３２との間に
は、高周波電源３３を通じて１3.５６ＭHz程度の高周波
が印加される。
ィブイオンエッチング）装置３０の反応室２には、所定
数のマスクブランクスを載せたアノード電極３１と、反
応ガス供給管を兼ねたカソード電極３２とが設置されて
いる。アノード電極３１とカソード電極３２との間に
は、高周波電源３３を通じて１3.５６ＭHz程度の高周波
が印加される。
【００４２】上記カソード電極３２は、ＲＩＥ装置３０
の外部のガスボンベ１２ａ，１２ｂ，１２ｃに接続され
ている。ガスボンベ１２ａにはＨｅガスが、ガスボンベ
１２ｂにはＣＦ4 ガスが、ガスボンベ１２ｃにはＯ2 ガ
スが各々充填されている。
の外部のガスボンベ１２ａ，１２ｂ，１２ｃに接続され
ている。ガスボンベ１２ａにはＨｅガスが、ガスボンベ
１２ｂにはＣＦ4 ガスが、ガスボンベ１２ｃにはＯ2 ガ
スが各々充填されている。
【００４３】上記アノード電極３１上のマスクブランク
ス６ａは、1.４７程度の屈折率を有する透明な合成石英
のガラス基板からなる。図３（ａ）に示すように、この
マスクブランクス６ａの表面には、膜厚５００〜１５０
０Å程度の遮光膜８ａが形成されている。この遮光膜８
ａは、上記ガラス基板の表面にＣｒまたはＣｒ2 Ｏ3 の
薄膜を蒸着して形成したものである。
ス６ａは、1.４７程度の屈折率を有する透明な合成石英
のガラス基板からなる。図３（ａ）に示すように、この
マスクブランクス６ａの表面には、膜厚５００〜１５０
０Å程度の遮光膜８ａが形成されている。この遮光膜８
ａは、上記ガラス基板の表面にＣｒまたはＣｒ2 Ｏ3 の
薄膜を蒸着して形成したものである。
【００４４】上記遮光膜８ａの上部には、電子線レジス
トからなるレジストパターン３４が形成されている。こ
のレジストパターン３４は、遮光膜８ａの上部に電子線
レジストをスピン塗布し、電子線描画装置を用いて上記
電子線レジストに所望の集積回路パターンの潜像を形成
した後、この電子線レジストの露光部分を現像して形成
したものである。
トからなるレジストパターン３４が形成されている。こ
のレジストパターン３４は、遮光膜８ａの上部に電子線
レジストをスピン塗布し、電子線描画装置を用いて上記
電子線レジストに所望の集積回路パターンの潜像を形成
した後、この電子線レジストの露光部分を現像して形成
したものである。
【００４５】上記ＲＩＥ装置３０を用いてマスクブラン
クス６ａの遮光膜８ａをエッチングするには、真空ポン
プ４ａを使って反応室２を所定の真空度（例えば２×１
０-2Ｔｏｒｒ）になるまで排気した後、高周波電源３３
を通じてアノード電極３１とカソード電極３２との間に
２００〜３００Ｗ程度の高周波が印加すると共に、ガス
ボンベ１２ａ〜１２ｃのバルブ２７ｃ〜２７ｆを開放
し、アノード電極３１とカソード電極３２との間に反応
ガスＧを供給する。
クス６ａの遮光膜８ａをエッチングするには、真空ポン
プ４ａを使って反応室２を所定の真空度（例えば２×１
０-2Ｔｏｒｒ）になるまで排気した後、高周波電源３３
を通じてアノード電極３１とカソード電極３２との間に
２００〜３００Ｗ程度の高周波が印加すると共に、ガス
ボンベ１２ａ〜１２ｃのバルブ２７ｃ〜２７ｆを開放
し、アノード電極３１とカソード電極３２との間に反応
ガスＧを供給する。
【００４６】上記反応ガスＧは、Ｈｅを主成分とし、そ
れに２〜５％程度のＣＦ4 および２〜５％程度のＯ2 を
加えた混合ガスからなり、その流量は、例えば反応室２
の真空度が３×１０-1Ｔｏｒｒになる程度とする。
れに２〜５％程度のＣＦ4 および２〜５％程度のＯ2 を
加えた混合ガスからなり、その流量は、例えば反応室２
の真空度が３×１０-1Ｔｏｒｒになる程度とする。
【００４７】これにより、図３（ｂ）に示すように、レ
ジストパターン３４の下部を除く遮光膜８ａがエッチン
グされ、遮光パターン８が形成される。その後、遮光パ
ターン８の上部のレジストパターン３４をアッシングで
除去することにより、フォトマスクが完成する。
ジストパターン３４の下部を除く遮光膜８ａがエッチン
グされ、遮光パターン８が形成される。その後、遮光パ
ターン８の上部のレジストパターン３４をアッシングで
除去することにより、フォトマスクが完成する。
【００４８】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００４９】また、本発明で用いる混合ガスは、フォト
マスクの製造ならびに欠陥修正のみならず、プリント配
線板や液晶パネルなどの製造ならびに欠陥修正に適用す
ることもできる。
マスクの製造ならびに欠陥修正のみならず、プリント配
線板や液晶パネルなどの製造ならびに欠陥修正に適用す
ることもできる。
【００５０】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【００５１】Ｈｅ、ＣＦ4 およびＯ2 からなる混合ガス
は、0.３μｍ以下の微細なＣｒ（またはＣｒx Ｏy ）の
パターンを高精度に加工することができ、しかも、不燃
性で、かつ腐食性および毒性が低いことから、フォトマ
スクの製造ならびに欠陥修正に用いる反応ガスとして極
めて実用性が高い。
は、0.３μｍ以下の微細なＣｒ（またはＣｒx Ｏy ）の
パターンを高精度に加工することができ、しかも、不燃
性で、かつ腐食性および毒性が低いことから、フォトマ
スクの製造ならびに欠陥修正に用いる反応ガスとして極
めて実用性が高い。
【図１】本発明の一実施例であるフォトマスクの欠陥修
正方法を示す要部断面図である。
正方法を示す要部断面図である。
【図２】この欠陥修正方法に用いる集束イオンビーム装
置の概略図である。
置の概略図である。
【図３】本発明の一実施例であるフォトマスクの製造方
法を示す要部断面図である。
法を示す要部断面図である。
【図４】この製造方法に用いるＲＩＥ装置の概略図であ
る。
る。
１ 集束イオンビーム装置 ２ 反応室 ３ 予備排気室 ４ａ 真空ポンプ ４ｂ 真空ポンプ ５ ＸＹテーブル ６ フォトマスク ６ａ マスクブランクス ７ ステージ ８ 遮光パターン ８ａ 遮光膜 ９ 黒点欠陥 １０ 反応ガス供給ノズル １１ 二次イオンディテクタ １２ａ ガスボンベ １２ｂ ガスボンベ １２ｃ ガスボンベ １３ イオンビームカラム １４ イオン銃 １５ 引出し電極 １６ 高加速電源 １７ 低加速電源 １８ 加速電圧変換スイッチ １９ ビームアパーチャ ２０ ビーム偏向コイル ２１ ビーム絞り制御回路 ２２ ビーム絞り制御回路 ２３ ビーム径変換スイッチ ２４ コントロール部 ２５ 蓋 ２６ 基台 ２７ａ バルブ ２７ｂ バルブ ２７ｃ バルブ ２７ｄ バルブ ２７ｅ バルブ ２７ｆ バルブ ２８ ゲートバルブ ３０ ＲＩＥ装置 ３１ アノード電極 ３２ カソード電極 ３３ 高周波電源 ３４ レジストパターン Ｂ 集束イオンビーム Ｇ 反応ガス
Claims (4)
- 【請求項１】 ガラス基板上に堆積したクロムまたは酸
化クロムからなる遮光膜をドライエッチングする際、ヘ
リウム、フッ化炭素および酸素の混合ガスからなる反応
ガスを用いることを特徴とするフォトマスクの製造方
法。 - 【請求項２】 前記混合ガス中のフッ化炭素および酸素
の含有率が各々２〜５％であることを特徴とする請求項
１記載のフォトマスクの製造方法。 - 【請求項３】 ガラス基板上のクロムまたは酸化クロム
からなる黒点欠陥を除去する際、ヘリウム、フッ化炭素
および酸素の混合ガスからなる反応ガスの雰囲気中で前
記黒点欠陥に集束イオンビームを照射することを特徴と
するフォトマスクの欠陥修正方法。 - 【請求項４】 前記混合ガス中のフッ化炭素および酸素
の含有率が各々２〜５％であることを特徴とする請求項
３記載のフォトマスクの欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23212191A JPH0572714A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | フオトマスクの製造方法および欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23212191A JPH0572714A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | フオトマスクの製造方法および欠陥修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0572714A true JPH0572714A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16934340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23212191A Pending JPH0572714A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | フオトマスクの製造方法および欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0572714A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10217635B2 (en) | 2016-03-25 | 2019-02-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
-
1991
- 1991-09-12 JP JP23212191A patent/JPH0572714A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10217635B2 (en) | 2016-03-25 | 2019-02-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
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