JPH0792658A - 位相シフトレチクルの修正方法 - Google Patents
位相シフトレチクルの修正方法Info
- Publication number
- JPH0792658A JPH0792658A JP23373593A JP23373593A JPH0792658A JP H0792658 A JPH0792658 A JP H0792658A JP 23373593 A JP23373593 A JP 23373593A JP 23373593 A JP23373593 A JP 23373593A JP H0792658 A JPH0792658 A JP H0792658A
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- Japan
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- phase shift
- shifter
- residue
- shift reticle
- laser beam
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 位相シフトレチクルの不良を生じさせず歩留
まりの低下を防ぐ位相シフトレチクルの修正方法を提供
する。 【構成】 位相シフトレチクル１０の製造時に形成され
るシフタ残渣１３にカーボン膜（エネルギ吸収体）１５
を堆積する工程と、カーボン膜１５にレーザビーム（レ
ーザ光線）１６を照射して、カーボン膜１５と共にシフ
タ残渣１３を除去する工程とを有する。
まりの低下を防ぐ位相シフトレチクルの修正方法を提供
する。 【構成】 位相シフトレチクル１０の製造時に形成され
るシフタ残渣１３にカーボン膜（エネルギ吸収体）１５
を堆積する工程と、カーボン膜１５にレーザビーム（レ
ーザ光線）１６を照射して、カーボン膜１５と共にシフ
タ残渣１３を除去する工程とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、位相シフトレチクル製
造時の欠陥を無くすための位相シフトレチクルの修正方
法に関する。
造時の欠陥を無くすための位相シフトレチクルの修正方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近時、半導体装置の高集積化に伴い、レ
チクルにも微細で且つ特別な加工を必要とするようにな
ってきており、このような要求を満たすものとして位相
シフトレチクルがある。図５、６に、位相シフトレチク
ルの製造工程を示す。
チクルにも微細で且つ特別な加工を必要とするようにな
ってきており、このような要求を満たすものとして位相
シフトレチクルがある。図５、６に、位相シフトレチク
ルの製造工程を示す。
【０００３】先ず、ガラス基板１を用意し（図５（ａ）
参照）、ガラス基板１上に、スパッタリングによりクロ
ム（Ｃｒ）等の遮光膜２を形成する（図５（ｂ）参
照）。次に、遮光膜２上にＥＢレジスト３を塗布し（図
５（ｃ）参照）、電子ビーム描画により遮光膜パターン
を描画した後に現像して、レジストパターン３ａを形成
する（図５（ｄ）参照）。
参照）、ガラス基板１上に、スパッタリングによりクロ
ム（Ｃｒ）等の遮光膜２を形成する（図５（ｂ）参
照）。次に、遮光膜２上にＥＢレジスト３を塗布し（図
５（ｃ）参照）、電子ビーム描画により遮光膜パターン
を描画した後に現像して、レジストパターン３ａを形成
する（図５（ｄ）参照）。
【０００４】次に、レジストパターン３ａをマスクとし
て、ドライエッチング又はウェットエッチングにより遮
光膜２をエッチングする（図５（ｅ）参照）。エッチン
グ後、ＥＢレジスト３を除去し、約３μｍの厚さに透過
領域であるメインパターン４を形成する（図５（ｆ）参
照）。次に、フォトレジスト５を全面に塗布し、ガラス
基板１側から紫外線を照射して背面露光を行う（図５
（ｇ）参照）。露光後、現像してメインパターン４上の
レジストのみ除去し、レジストパターン５ａを形成する
（図６（ｈ）参照）。
て、ドライエッチング又はウェットエッチングにより遮
光膜２をエッチングする（図５（ｅ）参照）。エッチン
グ後、ＥＢレジスト３を除去し、約３μｍの厚さに透過
領域であるメインパターン４を形成する（図５（ｆ）参
照）。次に、フォトレジスト５を全面に塗布し、ガラス
基板１側から紫外線を照射して背面露光を行う（図５
（ｇ）参照）。露光後、現像してメインパターン４上の
レジストのみ除去し、レジストパターン５ａを形成する
（図６（ｈ）参照）。
【０００５】次に、レジストパターン５ａをマスクとし
て、ガラス基板１を反応性ガスによりエッチング（約３
９０ｎｍ、Ｉ線）し（図６（ｉ）参照）、その後レジス
トパターン５ａを除去する。次に、再びフォトレジスト
６を塗布して紫外線Ｒにより背面露光を行う（図６
（ｊ）参照）。露光後、現像してメインパターン４上の
フォトレジスト６を除去し、レジストパターン６ａを形
成する（図６（ｋ）参照）。
て、ガラス基板１を反応性ガスによりエッチング（約３
９０ｎｍ、Ｉ線）し（図６（ｉ）参照）、その後レジス
トパターン５ａを除去する。次に、再びフォトレジスト
６を塗布して紫外線Ｒにより背面露光を行う（図６
（ｊ）参照）。露光後、現像してメインパターン４上の
フォトレジスト６を除去し、レジストパターン６ａを形
成する（図６（ｋ）参照）。
【０００６】次に、反応性ガス（Ｏ2）によりフォトレ
ジスト６をメインパターン４のエッジより後退させて遮
光膜２の一部を露出させ、レジストパターン６ｂを形成
する（図６（ｌ）参照）。次に、レジストパターン６ｂ
をマスクとして、露出させた遮光膜２をドライエッチン
グ又はウェットエッチングし、約０．５μｍの厚さにシ
フタパターン７を形成する（図６（ｍ）参照）。
ジスト６をメインパターン４のエッジより後退させて遮
光膜２の一部を露出させ、レジストパターン６ｂを形成
する（図６（ｌ）参照）。次に、レジストパターン６ｂ
をマスクとして、露出させた遮光膜２をドライエッチン
グ又はウェットエッチングし、約０．５μｍの厚さにシ
フタパターン７を形成する（図６（ｍ）参照）。
【０００７】最後に、フォトレジスト６を除去する（図
６（ｎ）参照）。ところで、この位相シフトレチクルの
製造工程において、例えば、ガラス基板１を反応性ガス
によりエッチングする際（図６（ｉ）参照）、図７に示
すように、メインパターン４上に何等かの異物（ゴミ、
レジスト残渣、洗浄染み等）８が付着したままエッチン
グしてしまうと、図８に示すシフタ残渣９が形成されて
しまう。
６（ｎ）参照）。ところで、この位相シフトレチクルの
製造工程において、例えば、ガラス基板１を反応性ガス
によりエッチングする際（図６（ｉ）参照）、図７に示
すように、メインパターン４上に何等かの異物（ゴミ、
レジスト残渣、洗浄染み等）８が付着したままエッチン
グしてしまうと、図８に示すシフタ残渣９が形成されて
しまう。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、メイン
パターン４に形成されたシフタ残渣９は、図９に示すよ
うに、最終工程であるシフタパターン７形成時にも存在
することから、位相シフト法としての効果が減少してウ
ェハパターンの寸法不良等が生じてしまい、位相シフト
レチクルは不良となって歩留まりが低下するという問題
点がある。
パターン４に形成されたシフタ残渣９は、図９に示すよ
うに、最終工程であるシフタパターン７形成時にも存在
することから、位相シフト法としての効果が減少してウ
ェハパターンの寸法不良等が生じてしまい、位相シフト
レチクルは不良となって歩留まりが低下するという問題
点がある。
【０００９】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、位相シフトレチクルの不良を生
じさせず歩留まりの低下を防ぐ位相シフトレチクルの修
正方法を提供することにある。
のであり、その目的は、位相シフトレチクルの不良を生
じさせず歩留まりの低下を防ぐ位相シフトレチクルの修
正方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的は、位相シフト
レチクルの製造時に形成されるシフタ残渣にエネルギ吸
収体を堆積する工程と、前記エネルギ吸収体にレーザ光
線を照射して、前記エネルギ吸収体と共に前記シフタ残
渣を除去する工程とを有することを特徴とする位相シフ
トレチクルの修正方法により達成される。
レチクルの製造時に形成されるシフタ残渣にエネルギ吸
収体を堆積する工程と、前記エネルギ吸収体にレーザ光
線を照射して、前記エネルギ吸収体と共に前記シフタ残
渣を除去する工程とを有することを特徴とする位相シフ
トレチクルの修正方法により達成される。
【００１１】また、位相シフトレチクルの修正方法にお
いて、前記レーザ光線を前記位相シフトレチクルの裏面
から照射することを特徴とする位相シフトレチクルの修
正方法により達成される。
いて、前記レーザ光線を前記位相シフトレチクルの裏面
から照射することを特徴とする位相シフトレチクルの修
正方法により達成される。
【００１２】
【作用】本発明によれば、位相シフトレチクルの製造時
に形成されるシフタ残渣にエネルギ吸収体を堆積する工
程と、エネルギ吸収体にレーザ光線を照射して、エネル
ギ吸収体と共にシフタ残渣を除去する工程とを有するこ
とから、位相シフトレチクルのシフタ残渣を選択的に修
正することができる。また、位相シフトレチクルの裏面
からレーザ光線を照射することにより、吸収体の再付着
を無くすことができる。
に形成されるシフタ残渣にエネルギ吸収体を堆積する工
程と、エネルギ吸収体にレーザ光線を照射して、エネル
ギ吸収体と共にシフタ残渣を除去する工程とを有するこ
とから、位相シフトレチクルのシフタ残渣を選択的に修
正することができる。また、位相シフトレチクルの裏面
からレーザ光線を照射することにより、吸収体の再付着
を無くすことができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例による位相シフトレ
チクルの修正方法を図面を参照して説明する。図１は、
位相シフトレチクルの修正方法を示す工程図である。図
１（ａ）に、位相シフトレチクル１０の製造工程におい
て、ガラス基板１１を反応性ガスによりエッチングする
際に、メインパターン１２上に何等かの異物（ゴミ、レ
ジスト残渣、洗浄染み等）が付着した状態（図７参照）
のままエッチングしてしまい、シフタ残渣１３が形成さ
れた状態を示す。図中、１４は遮光膜である。
チクルの修正方法を図面を参照して説明する。図１は、
位相シフトレチクルの修正方法を示す工程図である。図
１（ａ）に、位相シフトレチクル１０の製造工程におい
て、ガラス基板１１を反応性ガスによりエッチングする
際に、メインパターン１２上に何等かの異物（ゴミ、レ
ジスト残渣、洗浄染み等）が付着した状態（図７参照）
のままエッチングしてしまい、シフタ残渣１３が形成さ
れた状態を示す。図中、１４は遮光膜である。
【００１４】先ず、シフタ残渣１３の表面に、ＦＩＢ修
正装置等によりカーボン膜（エネルギ吸収体）１５を堆
積する。カーボン膜１５は、シフタ残渣１３の厚さや大
きさに応じた膜厚に正確に堆積する（（ｂ）参照）。次
に、黒欠陥（遮光膜の残渣・出っ張り等）の修正用のレ
ーザリペア装置（ＹＡＧレーザ）により、位相シフトレ
チクル１０の上面１０ａ側から適当な出力でレーザビー
ム（レーザ光線）１６を照射する（（ｃ）参照）。
正装置等によりカーボン膜（エネルギ吸収体）１５を堆
積する。カーボン膜１５は、シフタ残渣１３の厚さや大
きさに応じた膜厚に正確に堆積する（（ｂ）参照）。次
に、黒欠陥（遮光膜の残渣・出っ張り等）の修正用のレ
ーザリペア装置（ＹＡＧレーザ）により、位相シフトレ
チクル１０の上面１０ａ側から適当な出力でレーザビー
ム（レーザ光線）１６を照射する（（ｃ）参照）。
【００１５】レーザビームを照射することにより、カー
ボン膜１５がレーザビーム１６のエネルギを吸収して高
熱を発し、カーボン膜１５と共にシフタ残渣１３が溶解
気化してメインパターン１２上から消滅する（（ｄ）参
照）。このように、シフタ残渣１３に堆積したカーボン
膜１５にレーザビーム１６を照射することにより、シフ
タ残渣１３を除去できることから、位相シフトレチクル
１０のシフタ残渣１３による欠陥を、必要に応じて選択
的に修正することが可能となる。
ボン膜１５がレーザビーム１６のエネルギを吸収して高
熱を発し、カーボン膜１５と共にシフタ残渣１３が溶解
気化してメインパターン１２上から消滅する（（ｄ）参
照）。このように、シフタ残渣１３に堆積したカーボン
膜１５にレーザビーム１６を照射することにより、シフ
タ残渣１３を除去できることから、位相シフトレチクル
１０のシフタ残渣１３による欠陥を、必要に応じて選択
的に修正することが可能となる。
【００１６】なお、図２のように、メインパターン１２
上に複数のシフタ残渣１３がある場合でも、メインパタ
ーン１２の大きさより小さな照射径のレーザビーム１６
であれば、一回の照射で選択的にシフタ残渣１３の除去
が可能である。この場合、精度的にも余裕ができる（但
し、カーボン膜１５の堆積には高精度が要求される）。
上に複数のシフタ残渣１３がある場合でも、メインパタ
ーン１２の大きさより小さな照射径のレーザビーム１６
であれば、一回の照射で選択的にシフタ残渣１３の除去
が可能である。この場合、精度的にも余裕ができる（但
し、カーボン膜１５の堆積には高精度が要求される）。
【００１７】また、図３に示すように、シフタ残渣１３
の表面に（（ａ）参照）、カーボン膜１５を堆積し
（（ｂ）参照）、レーザビーム１６を、位相シフトレチ
クル１０の裏面１０ｂ側から照射してやれば（（ｃ）参
照）、他の透過領域へのカーボン膜１５の再付着を防い
で、カーボン膜１５と共にシフタ残渣１３を消滅させる
ことができる（（ｄ）参照）。
の表面に（（ａ）参照）、カーボン膜１５を堆積し
（（ｂ）参照）、レーザビーム１６を、位相シフトレチ
クル１０の裏面１０ｂ側から照射してやれば（（ｃ）参
照）、他の透過領域へのカーボン膜１５の再付着を防い
で、カーボン膜１５と共にシフタ残渣１３を消滅させる
ことができる（（ｄ）参照）。
【００１８】このとき、下側から排気を行えば、より効
果的にカーボン膜１５及びシフタ残渣１３を除去するこ
とができる。なお、図４のように、メインパターン１２
上に複数のシフタ残渣１３がある場合でも、上面１０ａ
側からのレーザビーム１６の照射の際と同様に、一回の
照射で選択的にシフタ残渣１３の除去が可能であり、精
度的にも余裕ができる。
果的にカーボン膜１５及びシフタ残渣１３を除去するこ
とができる。なお、図４のように、メインパターン１２
上に複数のシフタ残渣１３がある場合でも、上面１０ａ
側からのレーザビーム１６の照射の際と同様に、一回の
照射で選択的にシフタ残渣１３の除去が可能であり、精
度的にも余裕ができる。
【００１９】ところで、シフタ残渣１３は、位相差が３
０度程度ならば、ウェハに与える影響は殆ど無くなるこ
とから、除去残し（図３（ｄ）参照）或は除去し過ぎ
（図３（ｄ）破線参照）等若干の修正残しがあっても無
視でき、高さ方向の修正精度にも余裕が生ずる。以上説
明したように、位相シフトレチクル１０製造中に発生す
るシフタ残渣１３による欠陥の解消が可能となり、位相
シフトレチクル１０製造における歩留まりの向上に寄与
することができる。
０度程度ならば、ウェハに与える影響は殆ど無くなるこ
とから、除去残し（図３（ｄ）参照）或は除去し過ぎ
（図３（ｄ）破線参照）等若干の修正残しがあっても無
視でき、高さ方向の修正精度にも余裕が生ずる。以上説
明したように、位相シフトレチクル１０製造中に発生す
るシフタ残渣１３による欠陥の解消が可能となり、位相
シフトレチクル１０製造における歩留まりの向上に寄与
することができる。
【００２０】なお、本発明は上記実施例に限らず種々の
変形が可能であり、例えば、成膜によるシフタのシフタ
残渣による欠陥にも適用できる。
変形が可能であり、例えば、成膜によるシフタのシフタ
残渣による欠陥にも適用できる。
【００２１】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、位相シフ
トレチクルの不良を生じさせず歩留まりの低下を防ぐこ
とができる。
トレチクルの不良を生じさせず歩留まりの低下を防ぐこ
とができる。
【図１】本発明の一実施例による位相シフトレチクルの
修正方法を示しており、（ａ）はシフタ残渣の説明図、
（ｂ）はシフタ残渣にカーボン膜を堆積した状態の説明
図、（ｃ）はレーザビームの照射状態の説明図、（ｄ）
はシフタ残渣の消滅状態の説明図である。
修正方法を示しており、（ａ）はシフタ残渣の説明図、
（ｂ）はシフタ残渣にカーボン膜を堆積した状態の説明
図、（ｃ）はレーザビームの照射状態の説明図、（ｄ）
はシフタ残渣の消滅状態の説明図である。
【図２】シフタ残渣が複数ある場合の図１（ｃ）と同様
の説明図である。
の説明図である。
【図３】レーザビームを裏面側から照射した場合の位相
シフトレチクルの修正方法を示しており、（ａ）はシフ
タ残渣の説明図、（ｂ）はシフタ残渣にカーボン膜を堆
積した状態の説明図、（ｃ）はレーザビームの照射状態
の説明図、（ｄ）はシフタ残渣の消滅状態の説明図であ
る。
シフトレチクルの修正方法を示しており、（ａ）はシフ
タ残渣の説明図、（ｂ）はシフタ残渣にカーボン膜を堆
積した状態の説明図、（ｃ）はレーザビームの照射状態
の説明図、（ｄ）はシフタ残渣の消滅状態の説明図であ
る。
【図４】シフタ残渣が複数ある場合の図３（ｃ）と同様
の説明図である。
の説明図である。
【図５】位相シフトレチクルの製造方法を示す工程説明
図（その一）である。
図（その一）である。
【図６】位相シフトレチクルの製造方法を示す工程説明
図（その二）である。
図（その二）である。
【図７】メインパターン上に異物が付着した状態を示す
説明図である。
説明図である。
【図８】シフタ残渣が形成された状態を示す説明図であ
る。
る。
【図９】シフタパターン形成時のシフタ残渣を示す説明
図である。
図である。
１０…位相シフトレチクル １０ａ…上面 １０ｂ…裏面 １１…ガラス基板 １２…メインパターン １３…シフタ残渣 １４…遮光膜 １５…カーボン膜（エネルギ吸収体） １６…レーザビーム（レーザ光線）
Claims (2)
- 【請求項１】 位相シフトレチクルの製造時に形成され
るシフタ残渣にエネルギ吸収体を堆積する工程と、 前記エネルギ吸収体にレーザ光線を照射して、前記エネ
ルギ吸収体と共に前記シフタ残渣を除去する工程とを有
することを特徴とする位相シフトレチクルの修正方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の位相シフトレチクルの修
正方法において、 前記レーザ光線を前記位相シフトレチクルの裏面から照
射することを特徴とする位相シフトレチクルの修正方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23373593A JPH0792658A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 位相シフトレチクルの修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23373593A JPH0792658A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 位相シフトレチクルの修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0792658A true JPH0792658A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=16959758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23373593A Withdrawn JPH0792658A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 位相シフトレチクルの修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0792658A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100675880B1 (ko) * | 2001-05-19 | 2007-02-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 위상반전 마스크의 제조방법 |
-
1993
- 1993-09-20 JP JP23373593A patent/JPH0792658A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100675880B1 (ko) * | 2001-05-19 | 2007-02-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 위상반전 마스크의 제조방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001128 |