JPH0572723B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0572723B2 JPH0572723B2 JP58251005A JP25100583A JPH0572723B2 JP H0572723 B2 JPH0572723 B2 JP H0572723B2 JP 58251005 A JP58251005 A JP 58251005A JP 25100583 A JP25100583 A JP 25100583A JP H0572723 B2 JPH0572723 B2 JP H0572723B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- varistor
- plating layer
- ohmic contact
- plating
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Thermistors And Varistors (AREA)
- Motor Or Generator Current Collectors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本発明は、例えばチツプ状或いはリング状バリ
スタ等のように、外装樹脂モールド等を施さず
に、電極を直接に半田付けするタイプのバリスタ
に関する。
スタ等のように、外装樹脂モールド等を施さず
に、電極を直接に半田付けするタイプのバリスタ
に関する。
バリスタは印加電圧がその素子の持つバリスタ
電圧（制限電圧）を越える範囲で抵抗値が激減す
る特異な特性を有する。この特異性に着目し、バ
リスタは、音響機器に関連する小型直流モータの
ノイズ防止、リレー接点の保護、カラーテレビブ
ラウン管回路の放電吸収等の手段として広く利用
されている。
電圧（制限電圧）を越える範囲で抵抗値が激減す
る特異な特性を有する。この特異性に着目し、バ
リスタは、音響機器に関連する小型直流モータの
ノイズ防止、リレー接点の保護、カラーテレビブ
ラウン管回路の放電吸収等の手段として広く利用
されている。
＜従来の技術＞
例えば酸化チタン（TiO2）系、チタン酸スト
ロンチウム（SrTiO3）系及び酸化亜鉛（ZnO）
系のバリスタ等のように、バリスタ素体自体がバ
リスタ特性を有するバリスタにおいては、焼結体
自身の持つバリスタ特性を充分に発揮させるため
に、第１図に示す如く、バリスタ素体１に対して
オーム性接触となる電極２を形成することが行な
われる。このようなオーム性接触電極２は、一般
には、銀を主成分とし、これにオーム性接触化を
助ける微量の金属成分、例えばIn、Ga、Sn、
Sb、Cd、Zn、Al等の少なくとも一種を添加し、
これらをフリツトと共にバリスタ素体１の表面に
スクリーン印刷等の手段によつて塗布し、かつ焼
付けて形成される。
ロンチウム（SrTiO3）系及び酸化亜鉛（ZnO）
系のバリスタ等のように、バリスタ素体自体がバ
リスタ特性を有するバリスタにおいては、焼結体
自身の持つバリスタ特性を充分に発揮させるため
に、第１図に示す如く、バリスタ素体１に対して
オーム性接触となる電極２を形成することが行な
われる。このようなオーム性接触電極２は、一般
には、銀を主成分とし、これにオーム性接触化を
助ける微量の金属成分、例えばIn、Ga、Sn、
Sb、Cd、Zn、Al等の少なくとも一種を添加し、
これらをフリツトと共にバリスタ素体１の表面に
スクリーン印刷等の手段によつて塗布し、かつ焼
付けて形成される。
また、このオーム性接触電極２の半田付け性及
び密着強度を補うと同時に、酸化によるオーム性
接触の劣化等を防止するため、第２図に示すよう
に、オーム性接触電極２の上に銀ペーストをスク
リーン印刷等の手段によつて塗布焼付して、保護
電極３を形成することも、普通に取られている。
び密着強度を補うと同時に、酸化によるオーム性
接触の劣化等を防止するため、第２図に示すよう
に、オーム性接触電極２の上に銀ペーストをスク
リーン印刷等の手段によつて塗布焼付して、保護
電極３を形成することも、普通に取られている。
＜発明が解決しようとする課題＞
しかしながら、従来のバリスタには次のような
欠点がある。
欠点がある。
(イ) オーム性接触電極２及び保護電極３の何れに
も銀が多量に含まれるため、半田付けの際に電
極２，３中に含まれている銀が半田中に拡散移
行する半田喰われ現象が発生し、電極とバリス
タ素体との間の接着強度の低下及び電気特性の
劣化を招く。
も銀が多量に含まれるため、半田付けの際に電
極２，３中に含まれている銀が半田中に拡散移
行する半田喰われ現象が発生し、電極とバリス
タ素体との間の接着強度の低下及び電気特性の
劣化を招く。
(ロ) 電極の接着力の強化手段としては、電極を厚
くする方法が考えられる。しかし、電極を厚く
したのでは、貴金属材料たる銀の使用量が多く
なり、コスト高になる。
くする方法が考えられる。しかし、電極を厚く
したのでは、貴金属材料たる銀の使用量が多く
なり、コスト高になる。
(ハ) 電極の接着力を強化する別の方法として、フ
リツト含有量を増加する方法が考えられるが、
この場合にはバリスタ素体１の粒界への拡散が
増し、バリスタ特性が取れなくなり、特性的に
著しく限定されたものしか得られないこと、信
頼性が悪くなる。
リツト含有量を増加する方法が考えられるが、
この場合にはバリスタ素体１の粒界への拡散が
増し、バリスタ特性が取れなくなり、特性的に
著しく限定されたものしか得られないこと、信
頼性が悪くなる。
本発明の一つの課題は、焼結体自身の持つバリ
スタ特性を充分に発揮させ得るバリスタを提供す
ることである。
スタ特性を充分に発揮させ得るバリスタを提供す
ることである。
本発明のもう一つ課題は、半田付け性の良好な
バリスタを提供することである。
バリスタを提供することである。
本発明の更にもう一つの課題は、焼結体自身の
持つバリスタ特性を充分に発揮させるため、オー
ム性接触電極を形成した場合でも、半田喰われ現
象を生じることがなく、従つて、充分な半田付け
性を確保しつつ、オーム性接触電極とバリスタ素
体との間の接着強度の低下及び電気的特性の劣化
を防止し得るバリスタを提供することである。
持つバリスタ特性を充分に発揮させるため、オー
ム性接触電極を形成した場合でも、半田喰われ現
象を生じることがなく、従つて、充分な半田付け
性を確保しつつ、オーム性接触電極とバリスタ素
体との間の接着強度の低下及び電気的特性の劣化
を防止し得るバリスタを提供することである。
本発明の更にもう一つの課題は、電極形成コス
トが安価で、量産性及び工業性に富んだバリスタ
を提供することである。
トが安価で、量産性及び工業性に富んだバリスタ
を提供することである。
＜課題を解決するための手段＞
上述した課題解決のため、本発明は、バリスタ
素体と、オーム性接触電極と、メツキ層とを含む
バリスタであつて、 前記バリスタ素体は、それ自体がバリスタ特性
を示す燒結体でなり、 前記オーム性接触電極は、前記バリスタ素体の
表面に形成されており、 前記メツキ層は、第１のメツキ層と、第２のメ
ツキ層との複層構造でなり、 前記第１のメツキ層は、耐半田侵蝕性に優れた
NiまたはCu等の化学メツキによつて構成され、
前記オーム性接触電極の表面を覆うように形成さ
れており、 前記第２のメツキ層は、半田付け性の良好な
Cu、Snまたは半田メツキによつて構成され、前
記第１のメツキ層の表面を覆うように形成されて
いる。
素体と、オーム性接触電極と、メツキ層とを含む
バリスタであつて、 前記バリスタ素体は、それ自体がバリスタ特性
を示す燒結体でなり、 前記オーム性接触電極は、前記バリスタ素体の
表面に形成されており、 前記メツキ層は、第１のメツキ層と、第２のメ
ツキ層との複層構造でなり、 前記第１のメツキ層は、耐半田侵蝕性に優れた
NiまたはCu等の化学メツキによつて構成され、
前記オーム性接触電極の表面を覆うように形成さ
れており、 前記第２のメツキ層は、半田付け性の良好な
Cu、Snまたは半田メツキによつて構成され、前
記第１のメツキ層の表面を覆うように形成されて
いる。
＜作用＞
バリスタ素体はそれ自体がバリスタ特性を示す
燒結体でなり、オーム性接触電極はバリスタ素体
の表面に形成されているから、燒結体自身の持つ
バリスタ特性を充分に発揮させることができる。
燒結体でなり、オーム性接触電極はバリスタ素体
の表面に形成されているから、燒結体自身の持つ
バリスタ特性を充分に発揮させることができる。
第２のメツキ層は半田付け性の良好なメツキに
よつて構成され、第１のメツキ層の表面を覆うよ
うに形成されているから、半田付け性が良好にな
る。
よつて構成され、第１のメツキ層の表面を覆うよ
うに形成されているから、半田付け性が良好にな
る。
また、第２のメツキ層は、Cu、Snまたは半田
メツキによつて構成されているから、電極形成コ
ストが安価になる。しかも化学メツキにより容易
に量産的に形成できるから、工業性に富んだもの
となる。
メツキによつて構成されているから、電極形成コ
ストが安価になる。しかも化学メツキにより容易
に量産的に形成できるから、工業性に富んだもの
となる。
更に、第１のメツキ層は、耐半田侵蝕性に優れ
たメツキによつて構成され、オーム接触電極の表
面を覆うように形成されているから、第１のメツ
キ層が、第２のメツキ層に付着された半田がオー
ム性接触電極へ拡散し、侵蝕するのを阻止する阻
止層として機能する。このため、バリスタ素体自
体がバリスタ特性を有するバリスタにおいて、燒
結体自身の持つバリスタ特性を充分に発揮させる
ため、、バリスタ素体にオーム性接触電極を形成
した場合でも、半田喰われ現象を生じることがな
い。従つて、第２のメツキ層による充分な半田付
け性を確保しつつ、オーム性接触電極とバリスタ
素体との間の接着強度の低下及び電気的特性の劣
化を防止することができる。
たメツキによつて構成され、オーム接触電極の表
面を覆うように形成されているから、第１のメツ
キ層が、第２のメツキ層に付着された半田がオー
ム性接触電極へ拡散し、侵蝕するのを阻止する阻
止層として機能する。このため、バリスタ素体自
体がバリスタ特性を有するバリスタにおいて、燒
結体自身の持つバリスタ特性を充分に発揮させる
ため、、バリスタ素体にオーム性接触電極を形成
した場合でも、半田喰われ現象を生じることがな
い。従つて、第２のメツキ層による充分な半田付
け性を確保しつつ、オーム性接触電極とバリスタ
素体との間の接着強度の低下及び電気的特性の劣
化を防止することができる。
加えて、第１のメツキ層は、NiまたはCuの化
学メツキによつて構成されているから、電極形成
コストが安価である。しかも化学メツキにより容
易に量産的に形成できるから、工業性に富んだも
のとなる。
学メツキによつて構成されているから、電極形成
コストが安価である。しかも化学メツキにより容
易に量産的に形成できるから、工業性に富んだも
のとなる。
＜実施例＞
第３図は本発明に係るバリスタの正面図であ
る。図において、１はバリスタ素体である。バリ
スタ素体１は素体自体がバリスタ特性を示す焼結
体、例えばZnO系、TiO2系またはSrTiO3系の焼
結体によつて構成してある。
る。図において、１はバリスタ素体である。バリ
スタ素体１は素体自体がバリスタ特性を示す焼結
体、例えばZnO系、TiO2系またはSrTiO3系の焼
結体によつて構成してある。
２はバリスタ素体１の面上に被着形成されたオ
ーム性接触電極である。オーム性接触電極２は、
前述した如く、銀を主成分とし、これにオーム性
接触化を助ける微量の金属成分、例えばIn、Ga、
Sn、Sb、Cd、Zn、Al等の少なくとも一種を添加
し、これらをフリツトと共にバリスタ素体１の表
面にスクリーン印刷等のよつて塗布し、かつ、焼
付けて形成してある。
ーム性接触電極である。オーム性接触電極２は、
前述した如く、銀を主成分とし、これにオーム性
接触化を助ける微量の金属成分、例えばIn、Ga、
Sn、Sb、Cd、Zn、Al等の少なくとも一種を添加
し、これらをフリツトと共にバリスタ素体１の表
面にスクリーン印刷等のよつて塗布し、かつ、焼
付けて形成してある。
３は半田付け性が良好で、耐半田侵蝕性のある
メツキ層であり、オーム性接触電極２を覆うよう
に、その表面に形成されている。メツキ層３は
Ni、Cu、Snまたは半田の化学のメツキによつて
形成する。メツキ層３は、オーム性接触電極２の
表面を覆うように形成された耐半田侵蝕性に優れ
た第１のメツキ層３１と、この第１のメツキ層３
１の表面に形成された半田付け性の良好な第２の
メツキ層３２との二層構造となつている。第１の
メツキ層３１はNiまたはCu等の化学メツキによ
つて構成され、半田付け性の良好な第２のメツキ
層３２はCu、Snまたは半田メツキによつて構成
される。
メツキ層であり、オーム性接触電極２を覆うよう
に、その表面に形成されている。メツキ層３は
Ni、Cu、Snまたは半田の化学のメツキによつて
形成する。メツキ層３は、オーム性接触電極２の
表面を覆うように形成された耐半田侵蝕性に優れ
た第１のメツキ層３１と、この第１のメツキ層３
１の表面に形成された半田付け性の良好な第２の
メツキ層３２との二層構造となつている。第１の
メツキ層３１はNiまたはCu等の化学メツキによ
つて構成され、半田付け性の良好な第２のメツキ
層３２はCu、Snまたは半田メツキによつて構成
される。
上述の如く、バリスタ素体１はそれ自体がバリ
スタ特性を示す材料でなり、オーム性触電極２は
バリスタ素体１の表面に形成されているから、焼
結体自身の持つバリスタ特性を充分に発揮させる
ことができる。
スタ特性を示す材料でなり、オーム性触電極２は
バリスタ素体１の表面に形成されているから、焼
結体自身の持つバリスタ特性を充分に発揮させる
ことができる。
メツキ層３は、第２のメツキ層３２が半田付け
性の良好なメツキによつて構成され、第１のメツ
キ層３１の表面を覆うように形成されているか
ら、半田付け性が良好になる。
性の良好なメツキによつて構成され、第１のメツ
キ層３１の表面を覆うように形成されているか
ら、半田付け性が良好になる。
また、第２のメツキ層３２は、Cu、Snまたは
半田メツキによつて構成されているから、電極形
成コストが安価である。しかも化学メツキにより
容易に量産的に形成できるから、工業性に富んだ
ものとなる。
半田メツキによつて構成されているから、電極形
成コストが安価である。しかも化学メツキにより
容易に量産的に形成できるから、工業性に富んだ
ものとなる。
更に、第１のメツキ層３１は、耐半田侵蝕性に
優れたメツキよつて構成され、オーム性接触電極
２の表面を覆うように形成されているから、第１
のメツキ層３１が、第２のメツキ層３２に付着さ
れた半田がオーム性接触電極２へ拡散し、侵蝕す
るのを阻止する阻止層として機能する。このた
め、例えば酸化チタン（TiO2）系、チタンスト
ロンチウム（SrTiO3）系及び酸化亜鉛（ZnO）
系のバリスタ等のようにバリスタ素体１がバリス
タ特性を有するバリスタにおいて、焼結体自身の
持つバリスタ特性を充分に発揮させるため、バリ
スタ素体１に対して銀合金より成るオーム性接触
電極２を形成した場合でも、半田喰われ現象を生
じることがない。従つて、第２のメツキ層３２に
よる充分な半田付け性を確保しつつ、オーム性接
触電極２とバリスタ素体１との間の接着強度の低
下及び電気的特性の劣化を防止することができ
る。
優れたメツキよつて構成され、オーム性接触電極
２の表面を覆うように形成されているから、第１
のメツキ層３１が、第２のメツキ層３２に付着さ
れた半田がオーム性接触電極２へ拡散し、侵蝕す
るのを阻止する阻止層として機能する。このた
め、例えば酸化チタン（TiO2）系、チタンスト
ロンチウム（SrTiO3）系及び酸化亜鉛（ZnO）
系のバリスタ等のようにバリスタ素体１がバリス
タ特性を有するバリスタにおいて、焼結体自身の
持つバリスタ特性を充分に発揮させるため、バリ
スタ素体１に対して銀合金より成るオーム性接触
電極２を形成した場合でも、半田喰われ現象を生
じることがない。従つて、第２のメツキ層３２に
よる充分な半田付け性を確保しつつ、オーム性接
触電極２とバリスタ素体１との間の接着強度の低
下及び電気的特性の劣化を防止することができ
る。
加えて、第１のメツキ層３１は、NiまたはCu
の化学メツキによつて構成されているから、電極
形成コストが安価である。しかも化学メツキによ
り容易に量産的に形成できるから、工業性に富ん
だものとなる。
の化学メツキによつて構成されているから、電極
形成コストが安価である。しかも化学メツキによ
り容易に量産的に形成できるから、工業性に富ん
だものとなる。
第４図は本発明に係るバリスタの別の実施例を
示し、オーム性接触電極２の上にNiメツキ層３
１１及びCuメツキ層３１２で成る耐半田侵蝕性
に優れた第１のメツキ層３１を形成すると共に、
この第１のメツキ層３１の表面にCuの化学メツ
キで形成された半田付け性の良好な第２のメツキ
層３２を設けた電極構造となつている。図示は省
略したが、第１のメツキ層３１はオーム性接触電
極２の上にCuメツキ層を設け、その上にNiメツ
キ層を設けた構造としても良い。また第２のメツ
キ層３２も、Cuメツキの代りにSnメツキまたは
半田メツキによつて形成してもよい。
示し、オーム性接触電極２の上にNiメツキ層３
１１及びCuメツキ層３１２で成る耐半田侵蝕性
に優れた第１のメツキ層３１を形成すると共に、
この第１のメツキ層３１の表面にCuの化学メツ
キで形成された半田付け性の良好な第２のメツキ
層３２を設けた電極構造となつている。図示は省
略したが、第１のメツキ層３１はオーム性接触電
極２の上にCuメツキ層を設け、その上にNiメツ
キ層を設けた構造としても良い。また第２のメツ
キ層３２も、Cuメツキの代りにSnメツキまたは
半田メツキによつて形成してもよい。
実施例では、バリスタ素体１の片面に電極２，
３を有するものを例に取つて説明したが、バリス
タ素体１の片面または両面に複数の分割電極を有
する電極構造のもの等、他の電極構造のものにも
同様に適用が可能である。また、バリスタ素体１
の形状も、実施例に示すものに限定されない。
３を有するものを例に取つて説明したが、バリス
タ素体１の片面または両面に複数の分割電極を有
する電極構造のもの等、他の電極構造のものにも
同様に適用が可能である。また、バリスタ素体１
の形状も、実施例に示すものに限定されない。
第５図は半田付け時間と電極接着強度との関係
を示す図である。図において、曲線Ａは第４図に
示した構造の本発明に係るバリスタの特性、曲線
Ｂは第２図に示す従来のバリスタの特性である。
この第５図から明らかなように、従来のバリスタ
では、半田付け時間が５秒以上になると、電極の
接着強度が急激に低下してしまい、20秒以上では
接着強度が殆ど零になつてしまうが、本発明に係
るバリスタは半田付け時間30秒になつても、電極
の接着強度が殆ど劣化しない。
を示す図である。図において、曲線Ａは第４図に
示した構造の本発明に係るバリスタの特性、曲線
Ｂは第２図に示す従来のバリスタの特性である。
この第５図から明らかなように、従来のバリスタ
では、半田付け時間が５秒以上になると、電極の
接着強度が急激に低下してしまい、20秒以上では
接着強度が殆ど零になつてしまうが、本発明に係
るバリスタは半田付け時間30秒になつても、電極
の接着強度が殆ど劣化しない。
＜発明の効果＞
以上述べたように、本発明によれば、次のよう
な効果を得ることができる。
な効果を得ることができる。
(a) 焼結体自身の持つバリスタ特性を充分に発揮
させ得るバリスタを提供できる。
させ得るバリスタを提供できる。
(b) 半田付け性の良好なバリスタを提供できる。
(c) バリスタ素体自体がバリスタ特性を有するバ
リスタにおいて、焼結体自身の持つバリスタ特
性を充分に発揮させるため、バリスタ素体にオ
ーム性接触電極を形成した場合でも、半田喰わ
れ現象を生じることがなく、充分な半田付け性
を確保しつつ、オーム性接触電極とバリスタ素
体との間の接着強度の低下及び電気的特性の劣
化を防止し得るバリスタを提供できる。
リスタにおいて、焼結体自身の持つバリスタ特
性を充分に発揮させるため、バリスタ素体にオ
ーム性接触電極を形成した場合でも、半田喰わ
れ現象を生じることがなく、充分な半田付け性
を確保しつつ、オーム性接触電極とバリスタ素
体との間の接着強度の低下及び電気的特性の劣
化を防止し得るバリスタを提供できる。
(d) 電極形成コストが安価で、しかも化学メツキ
により容易に量産的に形成でき、工場性に富ん
だバリスタを提供できる。
により容易に量産的に形成でき、工場性に富ん
だバリスタを提供できる。
第１図は従来のバリスタの正面図、第２図は同
じく別の従来例における正面図、第３図は本発明
に係るバリスタの正面図、第４図は同じく別の実
施例における正面図、第５図は半田付け時間と電
極接着強度との関係を示す図である。 １……バリスタ素体１、２……オーム性接触電
極２、３……メツキ層、３１……耐半田侵蝕性の
あるメツキ層、３２……半田付け性の良好なメツ
キ層。
じく別の従来例における正面図、第３図は本発明
に係るバリスタの正面図、第４図は同じく別の実
施例における正面図、第５図は半田付け時間と電
極接着強度との関係を示す図である。 １……バリスタ素体１、２……オーム性接触電
極２、３……メツキ層、３１……耐半田侵蝕性の
あるメツキ層、３２……半田付け性の良好なメツ
キ層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ バリスタ素体と、オーム性接触電極と、メツ
キ層とを含むバリスタであつて、 前記バリスタ素体は、それ自体がバリスタ特性
を示す燒結体でなり、 前記オーム性接触電極は、前記バリスタ素体の
表面に形成されており、 前記メツキ層は、第１のメツキ層と、第２のメ
ツキ層との複層構造でなり、 前記第１のメツキ層は、耐半田侵蝕性に優れた
NiまたCu等の化学メツキによつて構成され、前
記オーム性接触電極の表面を覆うように形成され
ており、 前記第２のメツキ層は、半田付け性の良好な
Cu、Snまたは半田メツキによつて構成され、前
記第１のメツキ層の表面を覆うように形成されて
いる バリスタ。 ２ 前記バリスタ素体はTiO2、SrTiO3または
ZnO系焼結体の何れかで成ることを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載のバリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58251005A JPS60142503A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | バリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58251005A JPS60142503A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | バリスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60142503A JPS60142503A (ja) | 1985-07-27 |
| JPH0572723B2 true JPH0572723B2 (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=17216222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58251005A Granted JPS60142503A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | バリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60142503A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6181602A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-25 | 松下電器産業株式会社 | バリスタ |
| JP4568975B2 (ja) * | 2000-08-23 | 2010-10-27 | 株式会社村田製作所 | コンデンサの製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5426459A (en) * | 1977-07-29 | 1979-02-28 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method of forming electrode terminals for tip parts |
| JPS56118323A (en) * | 1980-02-21 | 1981-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method of manufacturing ceramic electronic part |
| JPS6058561B2 (ja) * | 1980-07-23 | 1985-12-20 | 太陽誘電株式会社 | 非直線抵抗体用の電極 |
| JPS57111004A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-10 | Tdk Electronics Co Ltd | Voltage non-linear resistance element and method of producing same |
| JPS57180112A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-06 | Taiyo Yuden Kk | Method of forming electrode for porcelain electronic part |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP58251005A patent/JPS60142503A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60142503A (ja) | 1985-07-27 |
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