JPH0572736A - 含フツ素系ポリイミド樹脂膜パターンの製造法 - Google Patents
含フツ素系ポリイミド樹脂膜パターンの製造法Info
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】感光性樹脂膜の現像と低誘電率材料被膜のエッ
チングを同時に行い、クラックの発生しないパターンの
製造法を提供する。 【構成】四塩基酸二無水物とジアミンとを有機溶剤中で
反応させて得られる一般式(I) (R1は4 価の有機基、R2は2 価の有機基、R はＨ又は炭
素数4 以下のアルキル基、n は1 以上の整数。R1とR2の
少なくとも一方はＦを有する) で表されるポリアミド酸
溶液を基板上に塗布し、160 〜200 ℃の範囲で熱処理し
て含フッ素系ポリイミド樹脂膜４を形成し、この膜上に
感光性ポリイミド樹脂膜５を形成した後、フォトマスク
を介して露光し、次いで現像液により感光性ポリイミド
樹脂膜の現像処理と含フッ素系ポリイミド樹脂膜のエッ
チング加工を同時に行う。
チングを同時に行い、クラックの発生しないパターンの
製造法を提供する。 【構成】四塩基酸二無水物とジアミンとを有機溶剤中で
反応させて得られる一般式(I) (R1は4 価の有機基、R2は2 価の有機基、R はＨ又は炭
素数4 以下のアルキル基、n は1 以上の整数。R1とR2の
少なくとも一方はＦを有する) で表されるポリアミド酸
溶液を基板上に塗布し、160 〜200 ℃の範囲で熱処理し
て含フッ素系ポリイミド樹脂膜４を形成し、この膜上に
感光性ポリイミド樹脂膜５を形成した後、フォトマスク
を介して露光し、次いで現像液により感光性ポリイミド
樹脂膜の現像処理と含フッ素系ポリイミド樹脂膜のエッ
チング加工を同時に行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は含フッ素系ポリイミド樹
脂膜パターンの製造法、さらに詳しくは半導体素子など
の表面保護膜および層間絶縁膜に好適な含フッ素系ポリ
イミド樹脂膜パターンの製造法に関する。
脂膜パターンの製造法、さらに詳しくは半導体素子など
の表面保護膜および層間絶縁膜に好適な含フッ素系ポリ
イミド樹脂膜パターンの製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体などの各種電子部品の表面
保護膜や層間絶縁膜としてポリイミド樹脂が用いられて
いる。このポリイミド樹脂は、ＰＳＧ、ＳｉＯ2 、Ｓｉ
Ｎなどの無機絶縁膜に比較して凹凸の大きい基板上に平
坦な膜を形成できるとともに、１μｍ以上の厚い膜を容
易に形成でき、さらに他の有機材料に比較して耐熱性が
高いなどの利点を有するため、バイポーラＩＣの層間絶
縁膜に採用され、最近ではメモリー素子のα線遮蔽膜や
バッファーコート膜として幅広く用いられている。
保護膜や層間絶縁膜としてポリイミド樹脂が用いられて
いる。このポリイミド樹脂は、ＰＳＧ、ＳｉＯ2 、Ｓｉ
Ｎなどの無機絶縁膜に比較して凹凸の大きい基板上に平
坦な膜を形成できるとともに、１μｍ以上の厚い膜を容
易に形成でき、さらに他の有機材料に比較して耐熱性が
高いなどの利点を有するため、バイポーラＩＣの層間絶
縁膜に採用され、最近ではメモリー素子のα線遮蔽膜や
バッファーコート膜として幅広く用いられている。
【０００３】これらの用途にポリイミド樹脂膜を適用す
るに当たっては、スピニング法などにより半導体基板で
あるウエハ上に形成されたポリイミド樹脂膜にスルーホ
ールなどのパターンを形成する必要があり、該パターン
は、フォトレジストを介したウェットエッチング工程な
どにより形成されている。パターンの形成法としては、
（１）２２０〜３５０℃で熱処理したポリイミド樹脂膜
上に、マスク材としてネガレジストパターンを形成した
後、ヒドラジン系溶液を用いてパターン化する方法、
（２）１１０〜１６０℃で熱処理したポリイミド樹脂膜
上に、マスク材としてポジレジスト膜を形成し、アルカ
リ性水溶液を用いてレジストと同時にパターン化する方
法などが知られている。
るに当たっては、スピニング法などにより半導体基板で
あるウエハ上に形成されたポリイミド樹脂膜にスルーホ
ールなどのパターンを形成する必要があり、該パターン
は、フォトレジストを介したウェットエッチング工程な
どにより形成されている。パターンの形成法としては、
（１）２２０〜３５０℃で熱処理したポリイミド樹脂膜
上に、マスク材としてネガレジストパターンを形成した
後、ヒドラジン系溶液を用いてパターン化する方法、
（２）１１０〜１６０℃で熱処理したポリイミド樹脂膜
上に、マスク材としてポジレジスト膜を形成し、アルカ
リ性水溶液を用いてレジストと同時にパターン化する方
法などが知られている。
【０００４】近年、各種電子部品の高速応答性に対応す
る絶縁膜として、低誘電率材料である一般式（II）
る絶縁膜として、低誘電率材料である一般式（II）
【化２】 （式中、Ｒ1 は４価の有機基、Ｒ2 は２価の有機基、ｎ
は１以上の整数を示し、Ｒ1 およびＲ2 の少なくとも一
方はフッ素原子を有する）で表される含フッ素系ポリイ
ミドが開発されている。これらの含フッ素系ポリイミド
樹脂膜の誘電率は２．７以下と低い誘電率を示す。
は１以上の整数を示し、Ｒ1 およびＲ2 の少なくとも一
方はフッ素原子を有する）で表される含フッ素系ポリイ
ミドが開発されている。これらの含フッ素系ポリイミド
樹脂膜の誘電率は２．７以下と低い誘電率を示す。
【０００５】しかし、これらの低誘電率材料被膜に前記
（１）の方法でパターンを形成すると、Ｊ−１００（長
瀬産業社製商品名）、Ｓ−５０２、Ｓ−５０２Ａ（東京
応化工業社製商品名）などの一般に広く用いられている
ネガレジスト用剥離液に被膜が溶解するという問題があ
った。また（２）の方法でパターンを形成すると、ポジ
レジスト成膜時に被膜にクラックが生じ、水酸化テトラ
メチルアンモニウム水溶液（ＮＭＤ−３：東京応化工業
社製）などのアルカリ性水溶液では被膜がエッチングさ
れず、また酢酸−ｎ−ブチル、エチルセロソルブアセテ
ート、メチルエチルケトンなどのポジレジスト剥離液に
よりポジレジスト膜を剥離すると被膜も一緒に剥離する
などの問題があった。
（１）の方法でパターンを形成すると、Ｊ−１００（長
瀬産業社製商品名）、Ｓ−５０２、Ｓ−５０２Ａ（東京
応化工業社製商品名）などの一般に広く用いられている
ネガレジスト用剥離液に被膜が溶解するという問題があ
った。また（２）の方法でパターンを形成すると、ポジ
レジスト成膜時に被膜にクラックが生じ、水酸化テトラ
メチルアンモニウム水溶液（ＮＭＤ−３：東京応化工業
社製）などのアルカリ性水溶液では被膜がエッチングさ
れず、また酢酸−ｎ−ブチル、エチルセロソルブアセテ
ート、メチルエチルケトンなどのポジレジスト剥離液に
よりポジレジスト膜を剥離すると被膜も一緒に剥離する
などの問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来技
術の問題を解決し、マスク材としての感光性樹脂膜の現
像と保護膜としての低誘電率材料被膜のエッチングとを
同時に行い、クラックの発生しない優れた保護膜を形成
することができる含フッ素系ポリイミド樹脂膜パターン
の製造法を提供するものである。
術の問題を解決し、マスク材としての感光性樹脂膜の現
像と保護膜としての低誘電率材料被膜のエッチングとを
同時に行い、クラックの発生しない優れた保護膜を形成
することができる含フッ素系ポリイミド樹脂膜パターン
の製造法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、四塩基酸二無
水物とジアミンとを有機溶剤中で反応させて得られる一
般式（Ｉ）
水物とジアミンとを有機溶剤中で反応させて得られる一
般式（Ｉ）
【化３】 （式中、Ｒ1 は４価の有機基、Ｒ2 は２価の有機基、Ｒ
は水素または炭素数４以下のアルキル基、ｎは１以上の
整数を示し、Ｒ1 およびＲ2 の少なくとも一方はフッ素
原子を有する）で表されるポリアミド酸溶液を基板上に
塗布し、１６０〜２００℃の範囲で熱処理して含フッ素
系ポリイミド樹脂膜を形成し、この膜上に感光性ポリイ
ミド樹脂膜を形成した後、フォトマスクを介して露光
し、次いで現像液により感光性ポリイミド樹脂膜の現像
処理と含フッ素系ポリイミド樹脂膜のエッチング加工を
同時に行うことを特徴とする含フッ素系ポリイミド樹脂
膜のパターン製造法および現像処理後の前記感光性ポリ
イミド樹脂膜をアルカリ水溶液で除去することを特徴と
する含フッ素系ポリイミド樹脂膜パターンの製造法に関
する。
は水素または炭素数４以下のアルキル基、ｎは１以上の
整数を示し、Ｒ1 およびＲ2 の少なくとも一方はフッ素
原子を有する）で表されるポリアミド酸溶液を基板上に
塗布し、１６０〜２００℃の範囲で熱処理して含フッ素
系ポリイミド樹脂膜を形成し、この膜上に感光性ポリイ
ミド樹脂膜を形成した後、フォトマスクを介して露光
し、次いで現像液により感光性ポリイミド樹脂膜の現像
処理と含フッ素系ポリイミド樹脂膜のエッチング加工を
同時に行うことを特徴とする含フッ素系ポリイミド樹脂
膜のパターン製造法および現像処理後の前記感光性ポリ
イミド樹脂膜をアルカリ水溶液で除去することを特徴と
する含フッ素系ポリイミド樹脂膜パターンの製造法に関
する。
【０００８】本発明に用いられる上記一般式（Ｉ）で表
されるポリアミド酸溶液は、例えばＮ−メチル−２−ピ
ロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、キシレン、
ブチルセロソルブアセテート、ジイソブチルケトン等の
有機溶剤中に四塩基酸二無水物とジアミンとを無水条件
下、好ましくは５０℃またはそれ以下の温度で攪拌、反
応させて得られる。本発明においては、四塩基酸二無水
物およびジアミンの少なくとも一方にフッ素原子を有す
る化合物を用いる必要がある。
されるポリアミド酸溶液は、例えばＮ−メチル−２−ピ
ロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、キシレン、
ブチルセロソルブアセテート、ジイソブチルケトン等の
有機溶剤中に四塩基酸二無水物とジアミンとを無水条件
下、好ましくは５０℃またはそれ以下の温度で攪拌、反
応させて得られる。本発明においては、四塩基酸二無水
物およびジアミンの少なくとも一方にフッ素原子を有す
る化合物を用いる必要がある。
【０００９】含フッ素ジアミンとしては、ジアミノベン
ゾトリフルオロライド、ビス（トリフルオロメチル）フ
ェニレンジアミン、ジアミノテトラ（トリフルオロメチ
ル）ベンゼン、ジアミノ（ペンタフルオロエチル）ベン
ゼン、２，２′−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジ
ン、３，３′−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジ
ン、２，２′−ビス（トリフルオロメチル）−４，４′
−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′−ビス（トリ
フルオロメチル）−４，４′−ジアミノジフェニルエー
テル、３，３′，５，５′−テトラキス（トリフルオロ
メチル）−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、
３，３′−ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジ
アミノベンゾフェノン、ビス（アミノフェノキシ）ジ
（トリフルオロメチル）ベンゼン、ビス（アミノフェノ
キシ）テトラキス（トリフルオロメチル）ベンゼン、ビ
ス〔（トリフルオロメチル）アミノフェノキシ〕ベンゼ
ン、ビス〔（トリフルオロメチル））アミノフェノキ
シ〕ビフェニル、ビス｛〔（トリフルオロメチル））ア
ミノフェノキシ〕フェニル｝ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス｛４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニ
ル｝ヘキサフロロプロパン、２，２−ビス｛４−（ｍ−
アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフロロプロパン、
２，２−ビス｛４−（ｏ−アミノフェノキシ）フェニ
ル｝ヘキサフロロプロパン、２−｛４−（ｐ−アミノフ
ェノキシ）フェニル｝−２−｛４−（ｍ−アミノフェノ
キシ）フェニル｝ヘキサフロロプロパン、２−｛４−
（ｍ−アミノフェノキシ）フェニル｝−２−｛４−（ｏ
−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフロロプロパ
ン、２−｛４−（ｏ−アミノフェノキシ）フェニル｝−
２−｛４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサ
フロロプロパンなどが用いられる。
ゾトリフルオロライド、ビス（トリフルオロメチル）フ
ェニレンジアミン、ジアミノテトラ（トリフルオロメチ
ル）ベンゼン、ジアミノ（ペンタフルオロエチル）ベン
ゼン、２，２′−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジ
ン、３，３′−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジ
ン、２，２′−ビス（トリフルオロメチル）−４，４′
−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′−ビス（トリ
フルオロメチル）−４，４′−ジアミノジフェニルエー
テル、３，３′，５，５′−テトラキス（トリフルオロ
メチル）−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、
３，３′−ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジ
アミノベンゾフェノン、ビス（アミノフェノキシ）ジ
（トリフルオロメチル）ベンゼン、ビス（アミノフェノ
キシ）テトラキス（トリフルオロメチル）ベンゼン、ビ
ス〔（トリフルオロメチル）アミノフェノキシ〕ベンゼ
ン、ビス〔（トリフルオロメチル））アミノフェノキ
シ〕ビフェニル、ビス｛〔（トリフルオロメチル））ア
ミノフェノキシ〕フェニル｝ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス｛４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニ
ル｝ヘキサフロロプロパン、２，２−ビス｛４−（ｍ−
アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフロロプロパン、
２，２−ビス｛４−（ｏ−アミノフェノキシ）フェニ
ル｝ヘキサフロロプロパン、２−｛４−（ｐ−アミノフ
ェノキシ）フェニル｝−２−｛４−（ｍ−アミノフェノ
キシ）フェニル｝ヘキサフロロプロパン、２−｛４−
（ｍ−アミノフェノキシ）フェニル｝−２−｛４−（ｏ
−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフロロプロパ
ン、２−｛４−（ｏ−アミノフェノキシ）フェニル｝−
２−｛４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサ
フロロプロパンなどが用いられる。
【００１０】フッ素原子を含まないジアミンとしては、
ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、ベ
ンジジン、４，４″−ジアミノターフェニル、４，４−
ジアミノクオーターフェニル、４，４′−ジアミノジフ
ェニルエーテル、４，４′−ジアミノジフェニルメタ
ン、ジアミノジフェニルスルホン、２，２−ビス（ｐ−
アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（ｐ−アミノ
フェニル）ヘキサフロロプロパン、１，５−ジアミノナ
フタレン、２，６−ジアミノナフタレン、３，３′−ジ
メチルベンジジン、３，３′−ジメトキシベンジジン、
３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミノジフェニルエ
ーテル、３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミノジフ
ェニルメタン、１，４−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）
ベンゼン、４，４′−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ビ
フェニル、２，２−ビス｛４−（ｐ−アミノフェノキ
シ）フェニル｝プロパン、下記一般式(III)
ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、ベ
ンジジン、４，４″−ジアミノターフェニル、４，４−
ジアミノクオーターフェニル、４，４′−ジアミノジフ
ェニルエーテル、４，４′−ジアミノジフェニルメタ
ン、ジアミノジフェニルスルホン、２，２−ビス（ｐ−
アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（ｐ−アミノ
フェニル）ヘキサフロロプロパン、１，５−ジアミノナ
フタレン、２，６−ジアミノナフタレン、３，３′−ジ
メチルベンジジン、３，３′−ジメトキシベンジジン、
３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミノジフェニルエ
ーテル、３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミノジフ
ェニルメタン、１，４−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）
ベンゼン、４，４′−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ビ
フェニル、２，２−ビス｛４−（ｐ−アミノフェノキ
シ）フェニル｝プロパン、下記一般式(III)
【化４】 （両式中、ｍは１〜３の整数である）で表されるジアミ
ン、２，３，５，６−テトラアミノ−ｐ−フェニレンジ
アミンなどが用いられる。
ン、２，３，５，６−テトラアミノ−ｐ−フェニレンジ
アミンなどが用いられる。
【００１１】反応に際しては、ガラス、セラミック、金
属類との接着性などを向上させるために下記一般式（I
V）
属類との接着性などを向上させるために下記一般式（I
V）
【化５】 または下記一般式 (Ｖ)
【化６】 （両式中、Ｒ2 およびＲ4 は２価の有機基、Ｒ1 および
Ｒ3 は１価の有機基、ｐ、ｑは１より大きい整数であ
る）で表されるシリコン含有ジアミンを併用することが
できる。
Ｒ3 は１価の有機基、ｐ、ｑは１より大きい整数であ
る）で表されるシリコン含有ジアミンを併用することが
できる。
【００１２】含フッ素四塩基酸二無水物としては、（ト
リフルオロメチル）ピロメリット酸、ビス（トリフルオ
ロメチル）ピロメリット酸、５，５′−ビス（トリフル
オロメチル）−３，３′，４，４′−テトラカルボキシ
ビフェニル、２，２′，５，５′−テトラキス（トリフ
ルオロメチル）−３，３′，４，４′−テトラカルボキ
シビフェニル、５，５′−ビス（トリフルオロメチル）
−３，３′，４，４′−テトラカルボキシジフェニルエ
ーテル、５，５′−ビス（トリフルオロメチル）−３，
３′，４，４′−テトラカルボキシベンゾフェノン、ビ
ス〔（トリフルオロメチル）ジカルボキシフェノキシ〕
ベンゼン、ビス〔（トリフルオロメチル）ジカルボキシ
フェノキシ〕ビフェニル、ビス〔（トリフルオロメチ
ル）ジカルボキシフェノキシ〕（トリフルオロメチル）
ベンゼン、ビス〔（トリフルオロメチル）ジカルボキシ
フェノキシ〕ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル、
ビス〔（トリフルオロメチル）ジカルボキシフェノキ
シ〕ジフェニルエーテル、ビス（ジカルボキシフェノキ
シ）（トリフルオロメチル）ベンゼン、ビス（ジカルボ
キシフェノキシ）ビス（トリフルオロメチル）ベンゼ
ン、ビス（ジカルボキシフェノキシ）テトラキス（トリ
フルオロメチル）ベンゼン、ビス（ジカルボキシフェノ
キシ）ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル、ビス
（ジカルボキシフェノキシ）テトラキス（トリフルオロ
メチル）ビフェニル、２，２−ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス
〔４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕
ヘキサフルオロプロパンなどのカルボン酸の酸二無水物
およびこれらの化合物の酸ハライド、エステルなどの誘
導体が用いられる。
リフルオロメチル）ピロメリット酸、ビス（トリフルオ
ロメチル）ピロメリット酸、５，５′−ビス（トリフル
オロメチル）−３，３′，４，４′−テトラカルボキシ
ビフェニル、２，２′，５，５′−テトラキス（トリフ
ルオロメチル）−３，３′，４，４′−テトラカルボキ
シビフェニル、５，５′−ビス（トリフルオロメチル）
−３，３′，４，４′−テトラカルボキシジフェニルエ
ーテル、５，５′−ビス（トリフルオロメチル）−３，
３′，４，４′−テトラカルボキシベンゾフェノン、ビ
ス〔（トリフルオロメチル）ジカルボキシフェノキシ〕
ベンゼン、ビス〔（トリフルオロメチル）ジカルボキシ
フェノキシ〕ビフェニル、ビス〔（トリフルオロメチ
ル）ジカルボキシフェノキシ〕（トリフルオロメチル）
ベンゼン、ビス〔（トリフルオロメチル）ジカルボキシ
フェノキシ〕ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル、
ビス〔（トリフルオロメチル）ジカルボキシフェノキ
シ〕ジフェニルエーテル、ビス（ジカルボキシフェノキ
シ）（トリフルオロメチル）ベンゼン、ビス（ジカルボ
キシフェノキシ）ビス（トリフルオロメチル）ベンゼ
ン、ビス（ジカルボキシフェノキシ）テトラキス（トリ
フルオロメチル）ベンゼン、ビス（ジカルボキシフェノ
キシ）ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル、ビス
（ジカルボキシフェノキシ）テトラキス（トリフルオロ
メチル）ビフェニル、２，２−ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス
〔４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕
ヘキサフルオロプロパンなどのカルボン酸の酸二無水物
およびこれらの化合物の酸ハライド、エステルなどの誘
導体が用いられる。
【００１３】フッ素原子を含まない四塩基酸二無水物と
しては、ピロメリット酸、３，３′，４，４′−テトラ
カルボキシビフェニル、２，３，３′，４′−テトラカ
ルボキシビフェニル、３，３′，４，４′−テトラカル
ボキシジフェニルエーテル、２，３，３′，４′−テト
ラカルボキシジフェニルエーテル、３，３′，４，４′
−テトラカルボキシベンゾフェノン、２，３，３′，
４′−テトラカルボキシベンゾフェノン、２，３，６，
７−テトラカルボキシナフタレン、１，４，５，８−テ
トラカルボキシナフタレン、１，２，５，６−テトラカ
ルボキシナフタレン、３，３′，４，４′−テトラカル
ボキシジフェニルメタン、２，２−ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）プロパン、３，３′，４，４′−テ
トラカルボキシジフェニルスルホン、３，４，９，１０
−テトラカルボキシペリレン、２，２−ビス〔４−
（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕プロパ
ン、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−
１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、ｐ−ター
フェニル−３，４，３″，４″−テトラカルボン酸、ｍ
−ターフェニル−３，４，３″，４″−テトラカルボン
酸などの芳香族カルボン酸の酸二無水物およびこれらの
化合物の酸ハライド、エステルなどの誘導体が用いられ
る。
しては、ピロメリット酸、３，３′，４，４′−テトラ
カルボキシビフェニル、２，３，３′，４′−テトラカ
ルボキシビフェニル、３，３′，４，４′−テトラカル
ボキシジフェニルエーテル、２，３，３′，４′−テト
ラカルボキシジフェニルエーテル、３，３′，４，４′
−テトラカルボキシベンゾフェノン、２，３，３′，
４′−テトラカルボキシベンゾフェノン、２，３，６，
７−テトラカルボキシナフタレン、１，４，５，８−テ
トラカルボキシナフタレン、１，２，５，６−テトラカ
ルボキシナフタレン、３，３′，４，４′−テトラカル
ボキシジフェニルメタン、２，２−ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）プロパン、３，３′，４，４′−テ
トラカルボキシジフェニルスルホン、３，４，９，１０
−テトラカルボキシペリレン、２，２−ビス〔４−
（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕プロパ
ン、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−
１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、ｐ−ター
フェニル−３，４，３″，４″−テトラカルボン酸、ｍ
−ターフェニル−３，４，３″，４″−テトラカルボン
酸などの芳香族カルボン酸の酸二無水物およびこれらの
化合物の酸ハライド、エステルなどの誘導体が用いられ
る。
【００１４】本発明において、感光性ポリイミド樹脂膜
は、感光性ポリアミド酸溶液を上記含フッ素系ポリイミ
ド樹脂膜上に塗布し、乾燥して得られる。感光性ポリア
ミド酸には特に制限はなく、例えば感光基をエステル結
合で導入した感光性ポリアミド酸に増感剤、光重合開始
剤などを加えたもの、ポリアミド酸に炭素−炭素二重結
合を有するアミン化合物を加えたものに光重合開始剤、
増感剤、ビスアジドなどを加えたもの、ポリアミド酸に
イソシアナートエチルメタクリレートを反応させて得ら
れる反応物に１，６−ヘキサンジオールジアクリレート
などの不飽和化合物、光重合開始剤、増感剤などを加え
たもの等が好ましく用いられる。これらの市販品として
は、ＰＬ−２０３５、ＰＬ−２１３５（日立化成工業社
製商品名）などが挙げられる。また、ポリアミド酸はシ
ロキサン結合を有してもよい。
は、感光性ポリアミド酸溶液を上記含フッ素系ポリイミ
ド樹脂膜上に塗布し、乾燥して得られる。感光性ポリア
ミド酸には特に制限はなく、例えば感光基をエステル結
合で導入した感光性ポリアミド酸に増感剤、光重合開始
剤などを加えたもの、ポリアミド酸に炭素−炭素二重結
合を有するアミン化合物を加えたものに光重合開始剤、
増感剤、ビスアジドなどを加えたもの、ポリアミド酸に
イソシアナートエチルメタクリレートを反応させて得ら
れる反応物に１，６−ヘキサンジオールジアクリレート
などの不飽和化合物、光重合開始剤、増感剤などを加え
たもの等が好ましく用いられる。これらの市販品として
は、ＰＬ−２０３５、ＰＬ−２１３５（日立化成工業社
製商品名）などが挙げられる。また、ポリアミド酸はシ
ロキサン結合を有してもよい。
【００１５】本発明に用いられる現像液としては、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルスルホキシドなどの極性有機溶剤を主成分
とする現像液が挙げられる。
メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルスルホキシドなどの極性有機溶剤を主成分
とする現像液が挙げられる。
【００１６】本発明において、ウエハなどの基板上に塗
布された含フッ素系ポリアミド酸溶液は、１６０℃〜２
００℃の温度で熱処理を行い、含フッ素系ポリイミド樹
脂膜とされる。熱処理温度が１６０℃未満では、含フッ
素系ポリイミド樹脂膜が感光性ポリアミド酸組成物に溶
解してクラックを生じる。また２００℃を超えると、感
光性ポリイミド前駆体用現像液によるエッチングが困難
となる。処理時間は１時間を超えないことが好ましい。
また含フッ素系ポリイミド樹脂膜上に塗布された感光性
ポリアミド酸組成物は、例えばホットプレートなどで通
常６０〜１００℃、好ましくは６０〜８０℃の比較的低
い温度で１時間以下で熱処理して感光性ポリイミド樹脂
膜とされる。
布された含フッ素系ポリアミド酸溶液は、１６０℃〜２
００℃の温度で熱処理を行い、含フッ素系ポリイミド樹
脂膜とされる。熱処理温度が１６０℃未満では、含フッ
素系ポリイミド樹脂膜が感光性ポリアミド酸組成物に溶
解してクラックを生じる。また２００℃を超えると、感
光性ポリイミド前駆体用現像液によるエッチングが困難
となる。処理時間は１時間を超えないことが好ましい。
また含フッ素系ポリイミド樹脂膜上に塗布された感光性
ポリアミド酸組成物は、例えばホットプレートなどで通
常６０〜１００℃、好ましくは６０〜８０℃の比較的低
い温度で１時間以下で熱処理して感光性ポリイミド樹脂
膜とされる。
【００１７】図１は、本発明の一実施例を示す含フッ素
系ポリイミド樹脂膜パターンの製造法の説明図である。
図において、半導体基板１上に所定形状に形成されたア
ルミニウム（Ａｌ）からなる配線層２の一部が、シリコ
ン酸化膜からなる無機絶縁層３（いわゆるパッシベーシ
ョン膜）に露出して電極（ボンディングパッド）を形成
し、この半導体ウエハに含フッ素系ポリイミド樹脂膜４
が積層される。この含フッ素系ポリイミド樹脂膜４は、
半導体ウエハ上にポリアミド酸溶液をスピニング塗布
し、１６０〜２００℃の温度で熱処理して溶媒を除去
し、脱水閉環して形成される。次いでこの含フッ素系ポ
リイミド樹脂膜４上に感光性ポリイミド樹脂膜５が前記
の含フッ素系ポリイミド樹脂膜同様の方法で感光性ポリ
イミド前駆体樹脂組成物を塗布し、６０〜１００℃の熱
処理により形成される（図１ａ）。
系ポリイミド樹脂膜パターンの製造法の説明図である。
図において、半導体基板１上に所定形状に形成されたア
ルミニウム（Ａｌ）からなる配線層２の一部が、シリコ
ン酸化膜からなる無機絶縁層３（いわゆるパッシベーシ
ョン膜）に露出して電極（ボンディングパッド）を形成
し、この半導体ウエハに含フッ素系ポリイミド樹脂膜４
が積層される。この含フッ素系ポリイミド樹脂膜４は、
半導体ウエハ上にポリアミド酸溶液をスピニング塗布
し、１６０〜２００℃の温度で熱処理して溶媒を除去
し、脱水閉環して形成される。次いでこの含フッ素系ポ
リイミド樹脂膜４上に感光性ポリイミド樹脂膜５が前記
の含フッ素系ポリイミド樹脂膜同様の方法で感光性ポリ
イミド前駆体樹脂組成物を塗布し、６０〜１００℃の熱
処理により形成される（図１ａ）。
【００１８】次にフォトマスクを介して露光した後、公
知の写真食刻技術により現像液を用いて感光性ポリイミ
ド樹脂膜５の現像と含フッ素系ポリイミド樹脂膜４のエ
ッチングを同時に処理し、所定部分にパターン６が形成
され、Ａｌボンディングパッド部７が露出される。この
とき、感光性ポリイミド樹脂膜５の露光部の一部も上記
現像液で溶解して除去される（図１ｂ）。感光性ポリイ
ミド樹脂膜５は全部が除去されてもよい。含フッ素系ポ
リイミド樹脂膜４および／または感光性ポリイミド樹脂
膜５からなる表面保護膜は、上記工程で水分の吸収があ
った場合、またはイミド化が充分でない場合には１００
〜３５０℃の温度で３時間以下の熱処理が行われる。
知の写真食刻技術により現像液を用いて感光性ポリイミ
ド樹脂膜５の現像と含フッ素系ポリイミド樹脂膜４のエ
ッチングを同時に処理し、所定部分にパターン６が形成
され、Ａｌボンディングパッド部７が露出される。この
とき、感光性ポリイミド樹脂膜５の露光部の一部も上記
現像液で溶解して除去される（図１ｂ）。感光性ポリイ
ミド樹脂膜５は全部が除去されてもよい。含フッ素系ポ
リイミド樹脂膜４および／または感光性ポリイミド樹脂
膜５からなる表面保護膜は、上記工程で水分の吸収があ
った場合、またはイミド化が充分でない場合には１００
〜３５０℃の温度で３時間以下の熱処理が行われる。
【００１９】また本発明においては、図２に示すよう
に、パターンを形成した後に残っている感光性ポリイミ
ド樹脂膜５を必要に応じて水酸化テトラメチルアンモニ
ウム水溶液等のアルカリ水溶液で除去することができ
る。なお、本発明におけるパターン形状とは、ポリイミ
ド樹脂膜に形成されるスクライブライン、スルーホール
等の底部の形状である。
に、パターンを形成した後に残っている感光性ポリイミ
ド樹脂膜５を必要に応じて水酸化テトラメチルアンモニ
ウム水溶液等のアルカリ水溶液で除去することができ
る。なお、本発明におけるパターン形状とは、ポリイミ
ド樹脂膜に形成されるスクライブライン、スルーホール
等の底部の形状である。
【００２０】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳しく説明す
る。 実施例１ Ｎ−メチル−２−ピロリドン６３０ｇ中で２，２−ビス
〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフル
オロプロパン８８．６６ｇおよび１，３−ビス（アミノ
プロピル）テトラメチルジシロキサン４．７２ｇを攪拌
溶解させ、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン二無水物８４．４１ｇを徐
々に加えて室温で６時間反応後、８０℃で８時間攪拌し
て粘度８０ポアズ、樹脂分濃度２１．３重量％の含フッ
素系ポリアミド酸溶液を得た。この溶液を、図１ａの工
程において、配線層２および無機絶縁膜層３が形成され
た半導体基板１上に３８００ｒｐｍで３０秒間スピニン
グ塗布した後、ホットプレートで１００℃で９０秒間、
さらに１８０℃で９０秒間熱処理（プリベーク）して
６．０μｍ厚の含フッ素系ポリイミド樹脂膜４（保護膜
層）を形成した。次に、該層４上に感光性ポリアミド酸
組成物（ＰＬ−２０３５、粘度３５ポアズ、樹脂分濃度
１５．３重量％、日立化成工業社製商品名）を４０００
ｒｐｍで６０秒間スピニング塗布した後、ホットプレー
トを用いて８０℃で９０秒間熱処理（プリベーク）を行
い、膜厚３．２μｍの感光性ポリイミド樹脂膜５を形成
した。
る。 実施例１ Ｎ−メチル−２−ピロリドン６３０ｇ中で２，２−ビス
〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフル
オロプロパン８８．６６ｇおよび１，３−ビス（アミノ
プロピル）テトラメチルジシロキサン４．７２ｇを攪拌
溶解させ、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン二無水物８４．４１ｇを徐
々に加えて室温で６時間反応後、８０℃で８時間攪拌し
て粘度８０ポアズ、樹脂分濃度２１．３重量％の含フッ
素系ポリアミド酸溶液を得た。この溶液を、図１ａの工
程において、配線層２および無機絶縁膜層３が形成され
た半導体基板１上に３８００ｒｐｍで３０秒間スピニン
グ塗布した後、ホットプレートで１００℃で９０秒間、
さらに１８０℃で９０秒間熱処理（プリベーク）して
６．０μｍ厚の含フッ素系ポリイミド樹脂膜４（保護膜
層）を形成した。次に、該層４上に感光性ポリアミド酸
組成物（ＰＬ−２０３５、粘度３５ポアズ、樹脂分濃度
１５．３重量％、日立化成工業社製商品名）を４０００
ｒｐｍで６０秒間スピニング塗布した後、ホットプレー
トを用いて８０℃で９０秒間熱処理（プリベーク）を行
い、膜厚３．２μｍの感光性ポリイミド樹脂膜５を形成
した。
【００２１】次に図１ｂの工程において、保護膜層４の
所定部分であるボンディングパッド部およびスクライブ
ラインのみを選択的に除去するため、スルーホール寸法
１００μｍ四角およびスクライブライン幅寸法７０μｍ
のネガクロムマスクを介して公知の写真食刻技術により
露光した後、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを主成分とす
る現像液ＰＬ−ＤＥＶＥＬＯＰＥＲ−２Ｎ（日立化成工
業社製商品名）を用いて、２５℃で５．５分間静止パド
ル法により、感光性ポリイミド樹脂膜層５の現像と含フ
ッ素系ポリイミド樹脂膜層４のエッチングを同時に行
い、パターン部６を形成し、配線層２であるボンディン
グパッド部７（１３０×１３０μｍ）の一部を露出させ
た。含フッ素系ポリイミド樹脂膜層４のパターン部６の
無機絶縁層３上の底部は、１００×１００μｍサイズを
持つ。現像およびエッチング処理により含フッ素系ポリ
イミド樹脂膜４の上に形成された感光性ポリイミド樹脂
膜５は溶解されて膜厚が１．８μｍになった。
所定部分であるボンディングパッド部およびスクライブ
ラインのみを選択的に除去するため、スルーホール寸法
１００μｍ四角およびスクライブライン幅寸法７０μｍ
のネガクロムマスクを介して公知の写真食刻技術により
露光した後、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを主成分とす
る現像液ＰＬ−ＤＥＶＥＬＯＰＥＲ−２Ｎ（日立化成工
業社製商品名）を用いて、２５℃で５．５分間静止パド
ル法により、感光性ポリイミド樹脂膜層５の現像と含フ
ッ素系ポリイミド樹脂膜層４のエッチングを同時に行
い、パターン部６を形成し、配線層２であるボンディン
グパッド部７（１３０×１３０μｍ）の一部を露出させ
た。含フッ素系ポリイミド樹脂膜層４のパターン部６の
無機絶縁層３上の底部は、１００×１００μｍサイズを
持つ。現像およびエッチング処理により含フッ素系ポリ
イミド樹脂膜４の上に形成された感光性ポリイミド樹脂
膜５は溶解されて膜厚が１．８μｍになった。
【００２２】次に窒素雰囲気の乾燥機を用いて１４０℃
で３０分間、次いで２００℃で３０分間、さらに３５０
℃で６０分間熱処理して感光性ポリイミド樹脂膜５と含
フッ素系ポリイミド樹脂膜４からなる膜厚６．３μｍの
表面保護膜を得た（図１ｂ）。この表面保護膜は、感光
性ポリイミド樹脂膜５と含フッ素系ポリイミド樹脂膜４
との界面間で剥離も見られず、良好なパターン形状であ
った。
で３０分間、次いで２００℃で３０分間、さらに３５０
℃で６０分間熱処理して感光性ポリイミド樹脂膜５と含
フッ素系ポリイミド樹脂膜４からなる膜厚６．３μｍの
表面保護膜を得た（図１ｂ）。この表面保護膜は、感光
性ポリイミド樹脂膜５と含フッ素系ポリイミド樹脂膜４
との界面間で剥離も見られず、良好なパターン形状であ
った。
【００２３】実施例２ Ｎ−メチル−２−ピロリドン６４０ｇとジイソブチルケ
トン１６０ｇの混合溶媒中で２，２−ビス〔４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン
１０１．９ｇ、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル
１０．５ｇおよび１，３−ビス（アミノプロピル）テト
ラメチルジシロキサン１２．４３ｇを攪拌溶解させ、
３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物８４．３９ｇを徐々に加えて室温で５時間反応
後、８０℃で８時間攪拌して粘度４０ポアズ、樹脂分濃
度１８．６重量％の含フッ素系ポリアミド酸溶液を得
た。この溶液を図１ａの工程において、半導体基板１上
に３０００ｒｐｍで３０秒間スピニング塗布した後、ホ
ットプレートで１００℃で９０秒間、さらに２００℃で
９０秒間プリベークし、５．２μｍ厚の含フッ素系ポリ
イミド樹脂膜４を形成した。該層４上に感光性ポリイミ
ド樹脂膜５を実施例１と同様にして形成した。
トン１６０ｇの混合溶媒中で２，２−ビス〔４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン
１０１．９ｇ、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル
１０．５ｇおよび１，３−ビス（アミノプロピル）テト
ラメチルジシロキサン１２．４３ｇを攪拌溶解させ、
３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物８４．３９ｇを徐々に加えて室温で５時間反応
後、８０℃で８時間攪拌して粘度４０ポアズ、樹脂分濃
度１８．６重量％の含フッ素系ポリアミド酸溶液を得
た。この溶液を図１ａの工程において、半導体基板１上
に３０００ｒｐｍで３０秒間スピニング塗布した後、ホ
ットプレートで１００℃で９０秒間、さらに２００℃で
９０秒間プリベークし、５．２μｍ厚の含フッ素系ポリ
イミド樹脂膜４を形成した。該層４上に感光性ポリイミ
ド樹脂膜５を実施例１と同様にして形成した。
【００２４】次に実施例１と同様にして露光した後、Ｐ
Ｌ−ＤＥＶＥＬＯＰＥＲ−２Ｎを用いて２５℃で６分間
静止パドル法により、感光性ポリイミド樹脂膜層５の現
像と含フッ素系ポリイミド樹脂膜層４のエッチングとを
同時に行い、パターン部を形成し、配線層２であるボン
ディングパッド部７の一部を露出させた。次に実施例１
と同様にして熱処理を行い、感光性ポリイミド樹脂膜５
と含フッ素系ポリイミド樹脂膜４からなる膜厚５．１μ
ｍの表面保護膜を得た。この表面保護膜は、感光性ポリ
イミド樹脂膜５と含フッ素系ポリイミド樹脂膜４との界
面間で剥離も見られず、良好なパターン形状であった。
Ｌ−ＤＥＶＥＬＯＰＥＲ−２Ｎを用いて２５℃で６分間
静止パドル法により、感光性ポリイミド樹脂膜層５の現
像と含フッ素系ポリイミド樹脂膜層４のエッチングとを
同時に行い、パターン部を形成し、配線層２であるボン
ディングパッド部７の一部を露出させた。次に実施例１
と同様にして熱処理を行い、感光性ポリイミド樹脂膜５
と含フッ素系ポリイミド樹脂膜４からなる膜厚５．１μ
ｍの表面保護膜を得た。この表面保護膜は、感光性ポリ
イミド樹脂膜５と含フッ素系ポリイミド樹脂膜４との界
面間で剥離も見られず、良好なパターン形状であった。
【００２５】実施例３ 実施例１において形成した感光性ポリイミド樹脂膜５と
含フッ素系ポリイミド樹脂膜４からなる表面保護膜を、
ポジレジスト現像液である水酸化テトラメチルアンモニ
ウム水溶液ＮＭＤ−３（東京応化工業社製商品名）を用
いて室温下で９０秒間静止パドル処理し、上層の感光性
ポリイミド樹脂膜層５を溶解除去した。次に温風式乾燥
器に投入し、２００℃で３０分間、さらに３５０℃で６
０分間熱処理し、膜厚５μｍの含フッ素系ポリイミド樹
脂膜４からなる表面保護膜を形成した。この表面保護膜
は、スルーホールパターン部に感光性ポリイミド樹脂膜
の残渣もなく良好なパターン形状を示した。また、クラ
ックも見られなかった。
含フッ素系ポリイミド樹脂膜４からなる表面保護膜を、
ポジレジスト現像液である水酸化テトラメチルアンモニ
ウム水溶液ＮＭＤ−３（東京応化工業社製商品名）を用
いて室温下で９０秒間静止パドル処理し、上層の感光性
ポリイミド樹脂膜層５を溶解除去した。次に温風式乾燥
器に投入し、２００℃で３０分間、さらに３５０℃で６
０分間熱処理し、膜厚５μｍの含フッ素系ポリイミド樹
脂膜４からなる表面保護膜を形成した。この表面保護膜
は、スルーホールパターン部に感光性ポリイミド樹脂膜
の残渣もなく良好なパターン形状を示した。また、クラ
ックも見られなかった。
【００２６】比較例１ 実施例１において、含フッ素系ポリアミド酸溶液を塗布
した後、ホットプレートで１００℃で２分間、さらに１
５０℃で２分間プリベークして熱処理を行った以外は実
施例１と同様にして厚さ６μｍの含フッ素系ポリイミド
樹脂膜を形成し、この層上に実施例１と同様にして感光
性ポリイミド樹脂膜５を形成して表面保護膜を得たが、
スピニング塗布後に含フッ素系ポリイミド樹脂膜層４の
一部に溶解し、クラックが生じた。
した後、ホットプレートで１００℃で２分間、さらに１
５０℃で２分間プリベークして熱処理を行った以外は実
施例１と同様にして厚さ６μｍの含フッ素系ポリイミド
樹脂膜を形成し、この層上に実施例１と同様にして感光
性ポリイミド樹脂膜５を形成して表面保護膜を得たが、
スピニング塗布後に含フッ素系ポリイミド樹脂膜層４の
一部に溶解し、クラックが生じた。
【００２７】また得られた表面保護膜を、現像液として
ジメチルホルムアミドとメチルアルコール成分とからな
る混合液を用いて実施例１と同様にして感光性ポリイミ
ド樹脂膜の現像と含フッ素系ポリイミド樹脂膜のエッチ
ングを行い、パターンを形成したが、エッチング時間３
〜４分で表面保護膜にクラックが発生した。
ジメチルホルムアミドとメチルアルコール成分とからな
る混合液を用いて実施例１と同様にして感光性ポリイミ
ド樹脂膜の現像と含フッ素系ポリイミド樹脂膜のエッチ
ングを行い、パターンを形成したが、エッチング時間３
〜４分で表面保護膜にクラックが発生した。
【００２８】
【発明の効果】本発明のパターンの製造法によれば、含
フッ素系ポリアミド酸溶液を１６０〜２００℃の温度で
熱処理することにより感光性ポリイミド樹脂膜をマスク
材として使用することができ、パターンの製造に際して
現像とエッチングを同時に行うことができるとともに、
クラックが生じない含フッ素系ポリイミド樹脂膜を形成
することができる。
フッ素系ポリアミド酸溶液を１６０〜２００℃の温度で
熱処理することにより感光性ポリイミド樹脂膜をマスク
材として使用することができ、パターンの製造に際して
現像とエッチングを同時に行うことができるとともに、
クラックが生じない含フッ素系ポリイミド樹脂膜を形成
することができる。
【図１】図１は、本発明の一実施例を示す含フッ素系ポ
リイミド樹脂膜パターンの製造法の工程説明図である。
リイミド樹脂膜パターンの製造法の工程説明図である。
【図２】図２は、本発明の製造法によって得られた含フ
ッ素系ポリイミド樹脂膜パターンの一例を示す図であ
る。
ッ素系ポリイミド樹脂膜パターンの一例を示す図であ
る。
１…半導体基板、２…配線層、３…無機絶縁層、４…含
フッ素系ポリイミド樹脂膜（保護膜）、５…感光性ポリ
イミド樹脂膜、６…パターン部、７…Ａｌボンディング
パッド部。
フッ素系ポリイミド樹脂膜（保護膜）、５…感光性ポリ
イミド樹脂膜、６…パターン部、７…Ａｌボンディング
パッド部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/26 ５１１ 7124−2Ｈ Ｈ０１Ｌ 21/027 21/312 Ｂ 8518−4Ｍ
Claims (2)
- 【請求項１】 四塩基酸二無水物とジアミンとを有機溶
剤中で反応させて得られる一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1 は４価の有機基、Ｒ2 は２価の有機基、Ｒ
は水素または炭素数４以下のアルキル基、ｎは１以上の
整数を示し、Ｒ1 およびＲ2 の少なくとも一方はフッ素
原子を有する）で表されるポリアミド酸溶液を基板上に
塗布し、１６０〜２００℃の範囲で熱処理して含フッ素
系ポリイミド樹脂膜を形成し、この膜上に感光性ポリイ
ミド樹脂膜を形成した後、フォトマスクを介して露光
し、次いで現像液により感光性ポリイミド樹脂膜の現像
処理と含フッ素系ポリイミド樹脂膜のエッチング加工を
同時に行うことを特徴とする含フッ素系ポリイミド樹脂
膜パターンの製造法。 - 【請求項２】 現像処理後の感光性ポリイミド樹脂膜を
アルカリ水溶液で除去することを特徴とする請求項１記
載の含フッ素系ポリイミド樹脂膜パターンの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3237498A JPH0572736A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 含フツ素系ポリイミド樹脂膜パターンの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3237498A JPH0572736A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 含フツ素系ポリイミド樹脂膜パターンの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0572736A true JPH0572736A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17016211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3237498A Pending JPH0572736A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 含フツ素系ポリイミド樹脂膜パターンの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0572736A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19533291A1 (de) * | 1994-09-09 | 1996-03-14 | Mitsubishi Electric Corp | Hochfrequenz-Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen der Hochfrequenz-Halbleitervorrichtung |
| DE10025550A1 (de) * | 2000-05-19 | 2001-11-29 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Ätzen |
| JP2005234536A (ja) * | 2003-12-30 | 2005-09-02 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | コーティング組成物 |
| WO2006027950A1 (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | ポリアミド酸を含む下層反射防止膜形成組成物 |
| WO2006040922A1 (ja) * | 2004-10-14 | 2006-04-20 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 芳香族スルホン酸エステル化合物及び光酸発生剤を含む下層反射防止膜形成組成物 |
| JP2007086476A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 有機無機感光性積層絶縁膜 |
| EP1666972A4 (en) * | 2003-08-28 | 2008-09-10 | Nissan Chemical Ind Ltd | POLYAMINIC ACID-CONTAINING COMPOSITION FOR FORMING AN ANTIREFLEX FILM |
-
1991
- 1991-09-18 JP JP3237498A patent/JPH0572736A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE19533291C2 (de) * | 1994-09-09 | 2002-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | Hochfrequenz-Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen der Hochfrequenz-Halbleitervorrichtung |
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| WO2006027950A1 (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | ポリアミド酸を含む下層反射防止膜形成組成物 |
| CN103163736A (zh) * | 2004-09-03 | 2013-06-19 | 日产化学工业株式会社 | 含聚酰胺酸的形成下层防反射膜的组合物 |
| WO2006040922A1 (ja) * | 2004-10-14 | 2006-04-20 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 芳香族スルホン酸エステル化合物及び光酸発生剤を含む下層反射防止膜形成組成物 |
| JPWO2006040922A1 (ja) * | 2004-10-14 | 2008-05-15 | 日産化学工業株式会社 | 芳香族スルホン酸エステル化合物及び光酸発生剤を含む下層反射防止膜形成組成物 |
| JP4525940B2 (ja) * | 2004-10-14 | 2010-08-18 | 日産化学工業株式会社 | 芳香族スルホン酸エステル化合物及び光酸発生剤を含む下層反射防止膜形成組成物 |
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