JPH0572760A - 浸漬塗布装置 - Google Patents
浸漬塗布装置Info
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- JPH0572760A JPH0572760A JP23324391A JP23324391A JPH0572760A JP H0572760 A JPH0572760 A JP H0572760A JP 23324391 A JP23324391 A JP 23324391A JP 23324391 A JP23324391 A JP 23324391A JP H0572760 A JPH0572760 A JP H0572760A
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- tank
- cylindrical tube
- cylindrical
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 塗布液中に、円筒状の基体を浸漬し、塗布液
を塗布槽の上端よりオーバーフローさせ次いで塗布液か
ら基体を離脱させて、基体の表面に塗布液を塗布する装
置において、塗布槽に基体の直径より大きい直径を有す
る仕切円筒管を、塗布槽の上端より上に仕切円筒管の上
端があり、塗布槽の上端より下に仕切円筒管の下端があ
るように装着する浸漬塗布装置。 【効果】 塗布槽を交換することなく、種々の直径の円
筒状基体において塗布ムラのない極めて均一な塗膜を作
成でき、品種切替えに要する時間を大幅に短縮でき、か
つ浸漬塗布に要する時間も大幅に短縮できる。
を塗布槽の上端よりオーバーフローさせ次いで塗布液か
ら基体を離脱させて、基体の表面に塗布液を塗布する装
置において、塗布槽に基体の直径より大きい直径を有す
る仕切円筒管を、塗布槽の上端より上に仕切円筒管の上
端があり、塗布槽の上端より下に仕切円筒管の下端があ
るように装着する浸漬塗布装置。 【効果】 塗布槽を交換することなく、種々の直径の円
筒状基体において塗布ムラのない極めて均一な塗膜を作
成でき、品種切替えに要する時間を大幅に短縮でき、か
つ浸漬塗布に要する時間も大幅に短縮できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は浸漬塗布装置に関するも
のであり、特に電子写真感光体の製造にあたり円筒状基
体の外表面に光導電膜を塗布形成するに好適な浸漬塗布
装置に関するものである。
のであり、特に電子写真感光体の製造にあたり円筒状基
体の外表面に光導電膜を塗布形成するに好適な浸漬塗布
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、複写機あるいはプリンターが広範
囲に使用されるようになり光導電膜が塗布形成された円
筒状基体のサイズも種々のものが望まれるようになって
いる。従来浸漬塗布のための生産設備で種々の直径の円
筒状基体を製造するためには製造しようとする基体の直
径が変わるごとに、基体の直径に適した直径の塗布槽に
交換して用いていた。この場合品種切替変更に長時間を
要し、生産可能な時間が短かくなる等の問題があった。
囲に使用されるようになり光導電膜が塗布形成された円
筒状基体のサイズも種々のものが望まれるようになって
いる。従来浸漬塗布のための生産設備で種々の直径の円
筒状基体を製造するためには製造しようとする基体の直
径が変わるごとに、基体の直径に適した直径の塗布槽に
交換して用いていた。この場合品種切替変更に長時間を
要し、生産可能な時間が短かくなる等の問題があった。
【０００３】これに対し、塗布槽の直径を生産すべき品
種の中で最も直径の大きい基体に合ったものにしておく
ことは便利であるがこうした塗布槽を用いて直径の小さ
い基体を浸漬塗布すると塗布ムラが発生しやすいという
問題があった。
種の中で最も直径の大きい基体に合ったものにしておく
ことは便利であるがこうした塗布槽を用いて直径の小さ
い基体を浸漬塗布すると塗布ムラが発生しやすいという
問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は大きさ
が一定の塗布槽を用いて、種々の直径の円筒状の基体を
浸漬塗布する際塗布ムラが生じない浸漬塗布装置を提供
するものである。
が一定の塗布槽を用いて、種々の直径の円筒状の基体を
浸漬塗布する際塗布ムラが生じない浸漬塗布装置を提供
するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の問題を解
決するためになされたものであり、その要旨は塗布液中
に円筒状の基体を浸漬し、塗布液を塗布槽の上端よりオ
ーバーフローさせ次いで塗布液から基体を離脱させて、
基体の表面に塗布液を塗布する装置において、塗布槽に
基体の直径より大きい直径を有する仕切円筒管を、該塗
布槽の上端より上に該仕切円筒管の上端があり、該塗布
槽の上端より下に該仕切円筒管の下端があるように装着
することを特徴とする浸漬塗布装置に存する。
決するためになされたものであり、その要旨は塗布液中
に円筒状の基体を浸漬し、塗布液を塗布槽の上端よりオ
ーバーフローさせ次いで塗布液から基体を離脱させて、
基体の表面に塗布液を塗布する装置において、塗布槽に
基体の直径より大きい直径を有する仕切円筒管を、該塗
布槽の上端より上に該仕切円筒管の上端があり、該塗布
槽の上端より下に該仕切円筒管の下端があるように装着
することを特徴とする浸漬塗布装置に存する。
【０００６】以下、本発明につき詳細に説明する。本発
明において塗布槽の上方部を仕切るために装着する仕切
円筒管としては円筒状の基体の直径より大きい直径を有
するものであって、円筒状の基体の断面積をＳ（m
m2 ）、仕切り円筒管の断面積をＡ（mm2 ）とした時、
Ｓ／Ａの値は０．７〜０．３の範囲にあることが好まし
く０．６５〜０．３５の範囲にあることがより好まし
い。Ｓ／Ａの値が０．３より小さいと浸漬塗布された基
体に塗布ムラが発生しやすく好ましくない。又Ｓ／Ａの
値が０．７より大きくても塗布ムラが同様に発生しやす
く好ましくない。このような仕切円筒管を塗布槽内に装
置する位置としては、塗布槽の上端より上に該仕切円筒
管の上端があり、該塗布槽の上端より下に該仕切円筒管
の下端があるようにすることが必要である。更に、仕切
円筒管の塗布槽の上端より下方にある部分の長さをＬ
（mm）とし、円筒状の基体の長さをＨ（mm）とし、塗布
槽の断面積をＢ（mm2 ）とし、円筒状の基体の断面積を
Ｓ（mm2 ）とした時、Ｌ（mm）がＳＨ／Ｂの値以上にあ
ることが好ましい。Ｌ（mm）がＳＨ／Ｂの値より小さい
と、基体の下部に塗布ムラが生じ好ましくない。
明において塗布槽の上方部を仕切るために装着する仕切
円筒管としては円筒状の基体の直径より大きい直径を有
するものであって、円筒状の基体の断面積をＳ（m
m2 ）、仕切り円筒管の断面積をＡ（mm2 ）とした時、
Ｓ／Ａの値は０．７〜０．３の範囲にあることが好まし
く０．６５〜０．３５の範囲にあることがより好まし
い。Ｓ／Ａの値が０．３より小さいと浸漬塗布された基
体に塗布ムラが発生しやすく好ましくない。又Ｓ／Ａの
値が０．７より大きくても塗布ムラが同様に発生しやす
く好ましくない。このような仕切円筒管を塗布槽内に装
置する位置としては、塗布槽の上端より上に該仕切円筒
管の上端があり、該塗布槽の上端より下に該仕切円筒管
の下端があるようにすることが必要である。更に、仕切
円筒管の塗布槽の上端より下方にある部分の長さをＬ
（mm）とし、円筒状の基体の長さをＨ（mm）とし、塗布
槽の断面積をＢ（mm2 ）とし、円筒状の基体の断面積を
Ｓ（mm2 ）とした時、Ｌ（mm）がＳＨ／Ｂの値以上にあ
ることが好ましい。Ｌ（mm）がＳＨ／Ｂの値より小さい
と、基体の下部に塗布ムラが生じ好ましくない。
【０００７】又、こうした仕切円筒管の断面の中心は塗
布槽の断面の中心に一致させることが好ましいが、塗布
状態に悪影響を及ぼさない限り多少中心が偏っても良
い。仕切円筒管の装着方法としては、塗布槽に直接装着
することもできるし、又塗布槽の側面の周囲に設けられ
たオーバーフロー液の受け皿に装着することもできる。
例えば、仕切円筒管に天板を設けその天板をオーバーフ
ロー液の受け皿の側壁の上部にのせて装着することがで
きる。
布槽の断面の中心に一致させることが好ましいが、塗布
状態に悪影響を及ぼさない限り多少中心が偏っても良
い。仕切円筒管の装着方法としては、塗布槽に直接装着
することもできるし、又塗布槽の側面の周囲に設けられ
たオーバーフロー液の受け皿に装着することもできる。
例えば、仕切円筒管に天板を設けその天板をオーバーフ
ロー液の受け皿の側壁の上部にのせて装着することがで
きる。
【０００８】仕切円筒管の材質としては使用する塗布液
に対し耐えることができるものであれば特に限定されな
い。例えばステンレス、アルミニウム、テフロン等を用
いることができる。仕切円筒管の管壁の厚みは使用に際
して変形しない程度の厚さを有していればよく、浸漬塗
布する際に好ましい厚さを選択することができる。又、
管壁の厚みを変えることにより塗布槽内に存在する塗布
液の量を調節することもできる。
に対し耐えることができるものであれば特に限定されな
い。例えばステンレス、アルミニウム、テフロン等を用
いることができる。仕切円筒管の管壁の厚みは使用に際
して変形しない程度の厚さを有していればよく、浸漬塗
布する際に好ましい厚さを選択することができる。又、
管壁の厚みを変えることにより塗布槽内に存在する塗布
液の量を調節することもできる。
【０００９】こうした浸漬塗布装置を用いることにより
円筒状の基体直径に制限されることなく、塗布槽の直径
を、仕切円筒管の直径より大きい範囲で任意に選択して
も塗布ムラのない基体を得ることができる。又、円筒状
の基体の断面積をＳ（mm2 ）とし塗布槽の断面積をＢ
（mm2 ）とした時Ｓ／Ｂを０．３より小さくすることに
より、浸漬塗布における引き上げ速度を大きくすること
ができ浸漬塗布のサイクルを短縮することができる。こ
こで、引き上げ速度とは、基体と塗布槽の間の相対的な
上下の移動速度を言う。
円筒状の基体直径に制限されることなく、塗布槽の直径
を、仕切円筒管の直径より大きい範囲で任意に選択して
も塗布ムラのない基体を得ることができる。又、円筒状
の基体の断面積をＳ（mm2 ）とし塗布槽の断面積をＢ
（mm2 ）とした時Ｓ／Ｂを０．３より小さくすることに
より、浸漬塗布における引き上げ速度を大きくすること
ができ浸漬塗布のサイクルを短縮することができる。こ
こで、引き上げ速度とは、基体と塗布槽の間の相対的な
上下の移動速度を言う。
【００１０】一般に浸漬塗布方法において、基体に形成
される膜厚は、塗布液面から基体を離脱させる速度によ
って決る。この塗布液面から基体を離脱させる速度は、
引き上げ速度と、塗布槽内の塗布液面の低下速度との和
で表わされる。従って、一定の膜厚を基体に形成させる
場合、塗布槽内の塗布液面の低下速度が小さい程、引き
上げ速度を大きくすることができる。この塗布槽内の塗
布液面の低下速度は、基体の断面積が一定の場合は、塗
布槽の断面積が大きい程小さくなる。従って、塗布槽の
断面積が大きい程、直径が一定の基体に一定膜厚を形成
するに要する引き上げ速度を大きくできる。
される膜厚は、塗布液面から基体を離脱させる速度によ
って決る。この塗布液面から基体を離脱させる速度は、
引き上げ速度と、塗布槽内の塗布液面の低下速度との和
で表わされる。従って、一定の膜厚を基体に形成させる
場合、塗布槽内の塗布液面の低下速度が小さい程、引き
上げ速度を大きくすることができる。この塗布槽内の塗
布液面の低下速度は、基体の断面積が一定の場合は、塗
布槽の断面積が大きい程小さくなる。従って、塗布槽の
断面積が大きい程、直径が一定の基体に一定膜厚を形成
するに要する引き上げ速度を大きくできる。
【００１１】
【実施例】以下に実施例及び比較例によって本発明をよ
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。 実施例１ 第１図は、本発明装置の１実施例であり基体を塗布液に
浸漬させた状態を示す断面説明図であり同図において、
１は円筒状基体、２は仕切り円筒管、３は塗布槽、４は
塗布液、５は補給用タンク、６は循環用ポンプであり、
本実施例装置における円筒状基体１の大きさは直径３０
mm、長さ３４０mm、仕切り円筒管２の直径は５０mm、仕
切円筒管の塗布槽の上端より下方にある部分の長さは５
０mm、塗布槽３の直径は１３３mmである。
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。 実施例１ 第１図は、本発明装置の１実施例であり基体を塗布液に
浸漬させた状態を示す断面説明図であり同図において、
１は円筒状基体、２は仕切り円筒管、３は塗布槽、４は
塗布液、５は補給用タンク、６は循環用ポンプであり、
本実施例装置における円筒状基体１の大きさは直径３０
mm、長さ３４０mm、仕切り円筒管２の直径は５０mm、仕
切円筒管の塗布槽の上端より下方にある部分の長さは５
０mm、塗布槽３の直径は１３３mmである。
【００１２】塗布槽３に設置されたオーバーフロー皿の
上部に、天板７の付いた仕切り円筒管２を装着した。こ
のようにセットされた塗布槽に下記構造を有するビスア
ゾ化合物１０部とフェノキシ樹脂（ユニオンカーバイト
社製ＰＫＨＨ）５部、ポリビニルブチラール樹脂（積水
化学工業社製ＢＨ−３）５部に、４−メトキシ−４−メ
チルペンタノン−２ １００部を加え、サンドグライン
ドミルにて粉砕分散処理を行った。
上部に、天板７の付いた仕切り円筒管２を装着した。こ
のようにセットされた塗布槽に下記構造を有するビスア
ゾ化合物１０部とフェノキシ樹脂（ユニオンカーバイト
社製ＰＫＨＨ）５部、ポリビニルブチラール樹脂（積水
化学工業社製ＢＨ−３）５部に、４−メトキシ−４−メ
チルペンタノン−２ １００部を加え、サンドグライン
ドミルにて粉砕分散処理を行った。
【００１３】
【化１】
【００１４】得られた電荷発生用塗布液を所定量みた
し、円筒状基体１に浸漬塗布し、乾燥後の膜厚が０．４
μｍとなる様に引上げ速度を決定した。この時の速度は
３８０mm／min であった。この基体表面を目視観察した
ところ、ムラのない均一な電荷発生層が得られた。この
様にして得られた電荷発生層の上にＮ−メチルカルバゾ
ール−３−アルデヒドジフェニルヒドラゾン９０部、ポ
リカーボネート樹脂１００部、下記構造のシアノ化合物
４．５部を
し、円筒状基体１に浸漬塗布し、乾燥後の膜厚が０．４
μｍとなる様に引上げ速度を決定した。この時の速度は
３８０mm／min であった。この基体表面を目視観察した
ところ、ムラのない均一な電荷発生層が得られた。この
様にして得られた電荷発生層の上にＮ−メチルカルバゾ
ール−３−アルデヒドジフェニルヒドラゾン９０部、ポ
リカーボネート樹脂１００部、下記構造のシアノ化合物
４．５部を
【００１５】
【化２】
【００１６】１，４−ジオキサン９００部に溶解した溶
液を浸漬塗布し、乾燥後の膜厚が２０μｍとなる様に電
荷移動層を設けた。この時の引き上げ速度は３３３mm／
minであった。この時の電荷移動層の膜厚を渦電流方式
（フィッシャー製）で測定を実施した。その測定結果を
図２に示す。図２から明らかなように、ムラのない均一
な電荷移動層が得られた。上記製造法によって得られた
電子写真感光体を実際の複写機にセットし実写試験を行
った結果ムラのない鮮明な画像を得ることができた。
液を浸漬塗布し、乾燥後の膜厚が２０μｍとなる様に電
荷移動層を設けた。この時の引き上げ速度は３３３mm／
minであった。この時の電荷移動層の膜厚を渦電流方式
（フィッシャー製）で測定を実施した。その測定結果を
図２に示す。図２から明らかなように、ムラのない均一
な電荷移動層が得られた。上記製造法によって得られた
電子写真感光体を実際の複写機にセットし実写試験を行
った結果ムラのない鮮明な画像を得ることができた。
【００１７】実施例２ 実施例１で使用した浸漬塗布装置に、オキシチタニウム
フタロシアニン１０重量部、ポリビニルブチラール（積
水化学工業社製エレックスＢＨ−３）５重量部に、１，
２−ジメトキシエタン５００重量部を加え、サンドグラ
インドミルで粉砕、分散処理を行った。
フタロシアニン１０重量部、ポリビニルブチラール（積
水化学工業社製エレックスＢＨ−３）５重量部に、１，
２−ジメトキシエタン５００重量部を加え、サンドグラ
インドミルで粉砕、分散処理を行った。
【００１８】得られた電荷発生用塗布液を所定量みた
し、円筒状基体１に浸漬塗布し、乾燥後の膜厚が０．４
μｍとなる様に引上げ速度を決定した。この時の速度は
３８０mm／min であった。この基体表面を目視観察した
ところ、ムラのない均一な電荷発生層が得られた。この
様にして得られた電荷発生層の上に下記構造（１）を有
するヒドラゾン化合物５６重量部と、下記構造（２）を
有するヒドラゾン化合物１４重量部と、下記構造（３）
を有するシアン化合物１．５重量部及び
し、円筒状基体１に浸漬塗布し、乾燥後の膜厚が０．４
μｍとなる様に引上げ速度を決定した。この時の速度は
３８０mm／min であった。この基体表面を目視観察した
ところ、ムラのない均一な電荷発生層が得られた。この
様にして得られた電荷発生層の上に下記構造（１）を有
するヒドラゾン化合物５６重量部と、下記構造（２）を
有するヒドラゾン化合物１４重量部と、下記構造（３）
を有するシアン化合物１．５重量部及び
【００１９】
【化３】
【００２０】ポリカーボネート樹脂（三菱化成（株）製
ノバレックス７０３０Ａ）１００重量部を１，４−ジオ
キサン１０００重量部に溶解させた溶液に浸漬塗布し、
乾燥後の膜厚が１７μｍとなる様に電荷移動層を設け
た。この時の引き上げ速度は３３３mm／min であった。
ノバレックス７０３０Ａ）１００重量部を１，４−ジオ
キサン１０００重量部に溶解させた溶液に浸漬塗布し、
乾燥後の膜厚が１７μｍとなる様に電荷移動層を設け
た。この時の引き上げ速度は３３３mm／min であった。
【００２１】この時の電荷移動層の膜厚を渦電流方式
（フィッシャー製）で測定を実施した。その測定結果を
図３に示す。図３から明らかなように、ムラのない均一
な電荷移動層が得られた。上記製造法によって得られた
電子写真感光体を実際の複写機にセットし実写試験を行
った結果ムラのない鮮明な画像を得ることができた。
（フィッシャー製）で測定を実施した。その測定結果を
図３に示す。図３から明らかなように、ムラのない均一
な電荷移動層が得られた。上記製造法によって得られた
電子写真感光体を実際の複写機にセットし実写試験を行
った結果ムラのない鮮明な画像を得ることができた。
【００２２】比較例１ 上記実施例１で使用したと同様の円筒状基体及び塗布液
を用いて、仕切り円筒管を装着しない他は実施例１で用
いたと同様の浸漬塗布装置（塗布層の直径１３３mm）に
て浸漬塗布を実施した。このとき、乾燥後の膜厚は実施
例１と同様の設定にした。その結果、電荷発生層につい
ては目視観察したところ基体の上端及び下端部にムラが
発生した。電荷移動層については、渦電流方式（フィッ
シャー製）にて膜厚を測定した。測定結果を図４に示
す。図４から明らかなように、基体上端部の膜厚の盛り
上がりが発生している。また、基体の下端にいくにした
がって膜厚が高くなっていく傾向が見られる。よって均
一な膜厚の電子写真感光体を得ることができなかった。
この場合も、上記実施例１と同様に実写試験をおこなっ
た結果、鮮明な画像を得ることができなかった。
を用いて、仕切り円筒管を装着しない他は実施例１で用
いたと同様の浸漬塗布装置（塗布層の直径１３３mm）に
て浸漬塗布を実施した。このとき、乾燥後の膜厚は実施
例１と同様の設定にした。その結果、電荷発生層につい
ては目視観察したところ基体の上端及び下端部にムラが
発生した。電荷移動層については、渦電流方式（フィッ
シャー製）にて膜厚を測定した。測定結果を図４に示
す。図４から明らかなように、基体上端部の膜厚の盛り
上がりが発生している。また、基体の下端にいくにした
がって膜厚が高くなっていく傾向が見られる。よって均
一な膜厚の電子写真感光体を得ることができなかった。
この場合も、上記実施例１と同様に実写試験をおこなっ
た結果、鮮明な画像を得ることができなかった。
【００２３】比較例２ 上記実施例２で使用したと同様の円筒状基体及び塗布液
を用いて、仕切り円筒管を装着しない他は実施例２で用
いたと同様の浸漬塗布装置（塗布層の直径１３３mm）に
て浸漬塗布を実施した。このとき、乾燥後の膜厚は実施
例２と同様の設定とした。その結果、電荷発生層につい
ては目視観察したところ基体の上端及び下端部にムラが
発生した。電荷移動層については、渦電流方式（フィッ
シャー製）にて膜厚を測定した。測定結果を図５に示
す。図５から明らかなように、基体上端部の膜厚の盛り
上がりが発生している。また、基体の下端にいくにした
がって膜厚が高くなっていく傾向が見られる。よって均
一な膜厚の電子写真感光体を得ることができなかった。
この場合も、上記実施例２と同様に実写試験をおこなっ
た結果、鮮明な画像を得ることができなかった。
を用いて、仕切り円筒管を装着しない他は実施例２で用
いたと同様の浸漬塗布装置（塗布層の直径１３３mm）に
て浸漬塗布を実施した。このとき、乾燥後の膜厚は実施
例２と同様の設定とした。その結果、電荷発生層につい
ては目視観察したところ基体の上端及び下端部にムラが
発生した。電荷移動層については、渦電流方式（フィッ
シャー製）にて膜厚を測定した。測定結果を図５に示
す。図５から明らかなように、基体上端部の膜厚の盛り
上がりが発生している。また、基体の下端にいくにした
がって膜厚が高くなっていく傾向が見られる。よって均
一な膜厚の電子写真感光体を得ることができなかった。
この場合も、上記実施例２と同様に実写試験をおこなっ
た結果、鮮明な画像を得ることができなかった。
【００２４】比較例３ 上記実施例１で使用したと同様の円筒状基体及び塗布液
を用いて、仕切り円筒管を装着していない浸漬塗布装置
（塗布槽の直径５０mm）にて浸漬塗布を実施した。この
とき、乾燥後の膜厚は実施例１と同様の設定にした。そ
の結果、ムラのない均一な電子写真感光体を得ることが
できた。この時の電荷発生層の引き上げ速度は２５６mm
／min であり、電荷移動層の引き上げ速度は２２４mm／
min であった。
を用いて、仕切り円筒管を装着していない浸漬塗布装置
（塗布槽の直径５０mm）にて浸漬塗布を実施した。この
とき、乾燥後の膜厚は実施例１と同様の設定にした。そ
の結果、ムラのない均一な電子写真感光体を得ることが
できた。この時の電荷発生層の引き上げ速度は２５６mm
／min であり、電荷移動層の引き上げ速度は２２４mm／
min であった。
【００２５】比較例４ 上記実施例２で使用したと同様の円筒状基体及び塗布液
を用いて、仕切り円筒管を装着していない浸漬塗布装置
（塗布槽の直径５０mm）にて浸漬塗布を実施した。この
とき、乾燥後の膜厚は実施例２と同様に設定した。その
結果、ムラのない均一な電子写真感光体を得ることがで
きた。この時の電荷発生層の引き上げ速度は２５６mm／
min であり、電荷移動層の引き上げ速度は２２４mm／mi
n であった。
を用いて、仕切り円筒管を装着していない浸漬塗布装置
（塗布槽の直径５０mm）にて浸漬塗布を実施した。この
とき、乾燥後の膜厚は実施例２と同様に設定した。その
結果、ムラのない均一な電子写真感光体を得ることがで
きた。この時の電荷発生層の引き上げ速度は２５６mm／
min であり、電荷移動層の引き上げ速度は２２４mm／mi
n であった。
【００２６】
【発明の効果】本発明の方法に従って浸漬塗布すること
により、塗布層を交換することなく、種々の直径の円筒
状基体において塗布ムラのない極めて均一な塗膜を作成
でき、品種切替えに要する時間を大幅に短縮でき、か
つ、浸漬塗布に要する時間も大幅に短縮できる。
により、塗布層を交換することなく、種々の直径の円筒
状基体において塗布ムラのない極めて均一な塗膜を作成
でき、品種切替えに要する時間を大幅に短縮でき、か
つ、浸漬塗布に要する時間も大幅に短縮できる。
【図１】本発明の浸漬塗布装置の一例であり、円筒状基
体を塗布液に浸漬させた状態を示す。
体を塗布液に浸漬させた状態を示す。
【図２】実施例１における電荷移動層の膜厚の測定結果
【図３】実施例２における電荷移動層の膜厚の測定結果
【図４】比較例１における電荷移動層の膜厚の測定結果
【図５】比較例２における電荷移動層の膜厚の測定結果
１ 円筒状基体 ２ 仕切り円筒管 ３ 塗布層 ４ 塗布液 ５ 補給用タンク ６ 循環用ポンプ ７ 仕切り円筒管の天板
Claims (4)
- 【請求項１】 塗布液中に、円筒状の被塗布体（以下基
体と称す。）を浸漬し、塗布液を塗布槽の上端よりオー
バーフローさせ次いで塗布液から基体を離脱させて、基
体の表面に塗布液を塗布する装置において、塗布槽に基
体の直径より大きい直径を有する仕切円筒管を、該塗布
槽の上端より上に該仕切円筒管の上端があり、該塗布槽
の上端より下に該仕切円筒管の下端があるように装着す
ることを特徴とする浸漬塗布装置。 - 【請求項２】 円筒状の基体の断面積をＳ（mm2 ）、仕
切り円筒管の断面積をＡ（mm2 ）とした時、０．３≦Ｓ
／Ａ≦０．７で規定される範囲にＳ／Ａの値があること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の浸漬塗布装
置。 - 【請求項３】 仕切り円筒管の塗布槽の上端より下方に
ある部分の長さをＬ（mm）、塗布槽の断面積をＢ（m
m2 ）、円筒状の基体の長さをＨ（mm）、円筒状の基体
の断面積をＳ（mm2 ）とした時、Ｌ≧ＳＨ／Ｂで規定さ
れる範囲内にＬの値があることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の浸漬塗布装置。 - 【請求項４】 円筒状の基体の断面積をＳ（mm2 ）、塗
布槽の断面積をＢ（mm2 ）とした時、Ｓ／Ｂ＜０．３で
規定される範囲内にＳ／Ｂの値があることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の浸漬塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23324391A JPH0572760A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 浸漬塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23324391A JPH0572760A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 浸漬塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0572760A true JPH0572760A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16952017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23324391A Pending JPH0572760A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 浸漬塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0572760A (ja) |
-
1991
- 1991-09-12 JP JP23324391A patent/JPH0572760A/ja active Pending
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