JPH0572775A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPH0572775A JPH0572775A JP26266691A JP26266691A JPH0572775A JP H0572775 A JPH0572775 A JP H0572775A JP 26266691 A JP26266691 A JP 26266691A JP 26266691 A JP26266691 A JP 26266691A JP H0572775 A JPH0572775 A JP H0572775A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- free phthalocyanine
- phthalocyanine
- derivative
- electrophotographic photoreceptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、優れた電子写真特性を有する無金属
フタロシアニンを使用した電子写真感光体に関するもの
である。 【構成】ヘミメリット酸などの下記化合物を合成時に加
えて作成した無金属フタロシアニンを電荷発生材料とし
て使用した電子写真感光体に関するものである。この方
法により、τ型無金属フタロシアニンを一段で合成する
ことが出来た。さらには、そのτ型無金属フタロシアニ
ンの電子写真特性は、従来のα型無金属フタロシアニン
からミリングして結晶転移させたものより良好であっ
た。
フタロシアニンを使用した電子写真感光体に関するもの
である。 【構成】ヘミメリット酸などの下記化合物を合成時に加
えて作成した無金属フタロシアニンを電荷発生材料とし
て使用した電子写真感光体に関するものである。この方
法により、τ型無金属フタロシアニンを一段で合成する
ことが出来た。さらには、そのτ型無金属フタロシアニ
ンの電子写真特性は、従来のα型無金属フタロシアニン
からミリングして結晶転移させたものより良好であっ
た。
Description
【0001】本発明は、優れた電子写真特性を有する無
金属フタロシアニンを使用した電子写真感光体に関する
ものである。
金属フタロシアニンを使用した電子写真感光体に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】従来までの電子写真感光体は、セレン、
セレン合金、酸化亜鉛、硫化カドミウムおよびテルルな
どの無機光導電体が主として使用されてきた。近年にな
り半導体レーザーの発展は目ざましく、小型で安定した
レーザー発振器が安価で入手出来るようになり、電子写
真用光源として用いられ始めている。従って、従来まで
用いられた短波長領域に感度を持つ材料を半導体レーザ
ー用に使うには不適当であり、長波長領域(760nm
以上)に高感度を持つ材料を開発する必要が生じてき
た。最近は有機材料、特に長波長領域に大きな吸収を持
つフタロシアニンを使用した、積層型有機感光体の研究
が盛んに行われている。例えば、電荷発生材料として
は、X型無金属フタロシアニン(X−H2Pc)、τ型
無金属フタロシアニン(τ−H2Pc)、二価金属フタ
ロシアニンは、ε型銅フタロシアニン(ε−CuPc)
が長波長領域に感度を持つ。三価、四価金属フタロシア
ニンとしては、クロロアルミニウムフタロシアニン(A
lPcCl)、クロロガリウムフタロシアニン(GaP
cCl)、クロロインジウムフタロシアニン(InPc
Cl)、バナジウムフタロシアニン(VOPc)および
チタニウムフタロシアニン(TiOPc)が盛んに研究
されている(特開昭57−39484号,特開昭57−
166959号,特開昭59−36254号,特開昭5
9−204045号公報等)。しかしながら、現在まで
の材料では電子写真感度、帯電性、暗減衰、繰り返し使
用時での電子写真特性や画像の安定性に問題があった。
その中で、無金属フタロシアニンは帯電性が高く、安定
性の優れた材料である。高い電子写真特性を持つτ−H
2Pcを得るためには、粗合成段階でのβ型から、α型
を経由して結晶転移させる必要が有り、多くの工程が必
要であり、各工程で混入する不純物が電子写真特性の低
下の一因になっていた。。以上の様に、半導体レーザー
の発振波長領域に高感度を有する実用的な電荷発生剤は
未だ数少なく、その開発が待たれているのが現状であ
る。プリンター用光源として発光ダイオード(LED)
も使用され、その発振波長は650nm前後である。フ
タロシアニン化合物は650nm前後にも大きな吸収を
持ち、LED用電荷発生材料としても期待されている。
セレン合金、酸化亜鉛、硫化カドミウムおよびテルルな
どの無機光導電体が主として使用されてきた。近年にな
り半導体レーザーの発展は目ざましく、小型で安定した
レーザー発振器が安価で入手出来るようになり、電子写
真用光源として用いられ始めている。従って、従来まで
用いられた短波長領域に感度を持つ材料を半導体レーザ
ー用に使うには不適当であり、長波長領域(760nm
以上)に高感度を持つ材料を開発する必要が生じてき
た。最近は有機材料、特に長波長領域に大きな吸収を持
つフタロシアニンを使用した、積層型有機感光体の研究
が盛んに行われている。例えば、電荷発生材料として
は、X型無金属フタロシアニン(X−H2Pc)、τ型
無金属フタロシアニン(τ−H2Pc)、二価金属フタ
ロシアニンは、ε型銅フタロシアニン(ε−CuPc)
が長波長領域に感度を持つ。三価、四価金属フタロシア
ニンとしては、クロロアルミニウムフタロシアニン(A
lPcCl)、クロロガリウムフタロシアニン(GaP
cCl)、クロロインジウムフタロシアニン(InPc
Cl)、バナジウムフタロシアニン(VOPc)および
チタニウムフタロシアニン(TiOPc)が盛んに研究
されている(特開昭57−39484号,特開昭57−
166959号,特開昭59−36254号,特開昭5
9−204045号公報等)。しかしながら、現在まで
の材料では電子写真感度、帯電性、暗減衰、繰り返し使
用時での電子写真特性や画像の安定性に問題があった。
その中で、無金属フタロシアニンは帯電性が高く、安定
性の優れた材料である。高い電子写真特性を持つτ−H
2Pcを得るためには、粗合成段階でのβ型から、α型
を経由して結晶転移させる必要が有り、多くの工程が必
要であり、各工程で混入する不純物が電子写真特性の低
下の一因になっていた。。以上の様に、半導体レーザー
の発振波長領域に高感度を有する実用的な電荷発生剤は
未だ数少なく、その開発が待たれているのが現状であ
る。プリンター用光源として発光ダイオード(LED)
も使用され、その発振波長は650nm前後である。フ
タロシアニン化合物は650nm前後にも大きな吸収を
持ち、LED用電荷発生材料としても期待されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は特定の合成法
から得られた無金属フタロシアニンを使用した電子写真
感光体であり、この化合物を電荷発生剤に用いて、優れ
た露光感度特性、波長特性に加え、長期にわたる繰り返
し使用時の耐劣化特性、耐刷性、画像安定性を有する電
子写真感光体を得ることにある。
から得られた無金属フタロシアニンを使用した電子写真
感光体であり、この化合物を電荷発生剤に用いて、優れ
た露光感度特性、波長特性に加え、長期にわたる繰り返
し使用時の耐劣化特性、耐刷性、画像安定性を有する電
子写真感光体を得ることにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、導電性支持体
上に、電荷発生剤を使用してなる電子写真感光体におい
て、電荷発生剤が本無金属フタロシアニン化合物である
ことを特徴とする電子写真感光体である。本発明の無金
属フタロシアニンは、フタル酸、フタロジニトリル、イ
ソインドレニンおよび/またはその誘導体、銅またはそ
の化合物、一般式(1)で示される化合物の存在下、不
活性有機溶媒中で反応させて得た、τ,変形τ,ηおよ
び変形η型の少なくとも一種である無金属フタロシアニ
ンである。 一般式(1)
上に、電荷発生剤を使用してなる電子写真感光体におい
て、電荷発生剤が本無金属フタロシアニン化合物である
ことを特徴とする電子写真感光体である。本発明の無金
属フタロシアニンは、フタル酸、フタロジニトリル、イ
ソインドレニンおよび/またはその誘導体、銅またはそ
の化合物、一般式(1)で示される化合物の存在下、不
活性有機溶媒中で反応させて得た、τ,変形τ,ηおよ
び変形η型の少なくとも一種である無金属フタロシアニ
ンである。 一般式(1)
【0005】
【化2】
【0006】〔式中、X1〜X3は水素原子、アルキル
基、アリル基、カルボキシル基、もしくはそれらより誘
導される基を表す。Y1〜Y3はカルボキシル基、ニトロ
基および/またはそれらより誘導される基を表す。Xお
よびYは同一でも異なっていても良く、Yは2つ以上の
基で閉環してイミドまたは酸無水物を形成しても良
い。〕
基、アリル基、カルボキシル基、もしくはそれらより誘
導される基を表す。Y1〜Y3はカルボキシル基、ニトロ
基および/またはそれらより誘導される基を表す。Xお
よびYは同一でも異なっていても良く、Yは2つ以上の
基で閉環してイミドまたは酸無水物を形成しても良
い。〕
【0007】さらには、フタル酸、フタロジニトリル、
イソインドレニンおよび/またはその誘導体、銅または
その化合物、一般式(1)で示される化合物の存在下、
不活性有機溶媒中で反応させる際に、フタロシアニン誘
導体を添加して得られた銅フタロシアニンであることを
特徴とする電子写真感光体である。一般式(1)で示さ
れる化合物としては、ベンゼン−1,2,3−トリカル
ボン酸(ヘミメリット酸)、ベンゼンヘキサカルボン酸
(メリット酸)およびベンゼン−1,2,4−トリカル
ボン酸(トリメリット酸)などがあるが、これらに限ら
れるものではない。また、導電性支持体上に、電荷発生
剤および電荷輸送剤を使用してなる電子写真感光体にお
いて、電荷発生剤が本銅フタロシアニン化合物であり、
電荷輸送剤がヒドラゾン誘導体およびブタジエン誘導体
もしくは正孔輸送性樹脂の少なくとも一種以上であるこ
とを特徴とする電子写真感光体である。
イソインドレニンおよび/またはその誘導体、銅または
その化合物、一般式(1)で示される化合物の存在下、
不活性有機溶媒中で反応させる際に、フタロシアニン誘
導体を添加して得られた銅フタロシアニンであることを
特徴とする電子写真感光体である。一般式(1)で示さ
れる化合物としては、ベンゼン−1,2,3−トリカル
ボン酸(ヘミメリット酸)、ベンゼンヘキサカルボン酸
(メリット酸)およびベンゼン−1,2,4−トリカル
ボン酸(トリメリット酸)などがあるが、これらに限ら
れるものではない。また、導電性支持体上に、電荷発生
剤および電荷輸送剤を使用してなる電子写真感光体にお
いて、電荷発生剤が本銅フタロシアニン化合物であり、
電荷輸送剤がヒドラゾン誘導体およびブタジエン誘導体
もしくは正孔輸送性樹脂の少なくとも一種以上であるこ
とを特徴とする電子写真感光体である。
【0008】本発明で使用される有機溶媒としては、α
−クロロナフタレン、エチレングリコ−ル、ジアルキル
エーテル、キノリン、スルフォランおよびジクロルベン
ゼンなど反応不活性な高沸点の溶媒が望ましい。合成し
た無金属フタロシアニンクルードは、酸、アルカリ、ア
セトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、ピ
リジン、キノリン、スルフォラン、α−クロルナフタレ
ン、トルエン、ジオキサン、キシレン、クロロフォル
ム、四塩化炭素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、ト
リクロロプロパン、N,N’−ジメチルアセトアミド,
N−メチルピロリドン,N,N’−ジメチルホルムアミ
ド等により精製して得られる。精製法としては溶剤洗
浄、再結晶法、ソックスレー抽出法および熱懸濁法等が
ある。また、昇華精製することも可能である。精製方法
はこれらに限られるものではない。通常、無金属フタロ
シアニンの中で光導電性が最も大きなτ型は、α型無金
属フタロシアニンを機械的磨砕法でτ型に転移させてい
るため、工程も多く、安定した物性を有する顔料の作成
は困難であった。しかしながら、本発明により、必要と
する結晶形が一段合成で得られ、結晶粒子径も小さな無
金属フタロシアニンを得ることに成功した。また本発明
に用いられるフタロシアニン誘導体は、フタロシアニン
1分子中のベンゼン核の1個以上に置換基を有する無金
属または金属フタロシアニンを含むものである。
−クロロナフタレン、エチレングリコ−ル、ジアルキル
エーテル、キノリン、スルフォランおよびジクロルベン
ゼンなど反応不活性な高沸点の溶媒が望ましい。合成し
た無金属フタロシアニンクルードは、酸、アルカリ、ア
セトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、ピ
リジン、キノリン、スルフォラン、α−クロルナフタレ
ン、トルエン、ジオキサン、キシレン、クロロフォル
ム、四塩化炭素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、ト
リクロロプロパン、N,N’−ジメチルアセトアミド,
N−メチルピロリドン,N,N’−ジメチルホルムアミ
ド等により精製して得られる。精製法としては溶剤洗
浄、再結晶法、ソックスレー抽出法および熱懸濁法等が
ある。また、昇華精製することも可能である。精製方法
はこれらに限られるものではない。通常、無金属フタロ
シアニンの中で光導電性が最も大きなτ型は、α型無金
属フタロシアニンを機械的磨砕法でτ型に転移させてい
るため、工程も多く、安定した物性を有する顔料の作成
は困難であった。しかしながら、本発明により、必要と
する結晶形が一段合成で得られ、結晶粒子径も小さな無
金属フタロシアニンを得ることに成功した。また本発明
に用いられるフタロシアニン誘導体は、フタロシアニン
1分子中のベンゼン核の1個以上に置換基を有する無金
属または金属フタロシアニンを含むものである。
【0009】以上の方法で作製した無金属フタロシアニ
ンを使用した電荷発生層は、光吸収効率の大きな均一層
であり、電荷発生層中の顔料の粒子間、電荷発生層と電
荷輸送層の間、感光層と下引き層または導電性基板の間
の空隙も少ないので、繰り返し使用時での電位や感度の
安定性および鮮明な印字画像、耐印刷性等の多くの要求
を満足する電子写真感光体を得ることが出来た。n型感
光体は導電性基板上に、下引き層、電荷発生層、電荷輸
送層の順に積層して作製されるものが一般的である。ま
た、p型感光体は導電性基板または下引き層上に電荷輸
送層、電荷発生層の順に積層したもの。または導電性基
板または下引き層上に電荷発生剤と適切な樹脂、必要が
あれば電荷輸送剤を加えて分散塗工して作製したものが
ある。上記感光体は、必要があれば活性ガスからの表面
保護およびトナーによるフィルミング防止等の意味でオ
ーバーコート層を設けることも出来る。本発明の無金属
フタロシアニンは、上記感光体のすべてに用いられる。
感光体の電荷発生層の塗工は、スピンコーター、アプリ
ケーター、スプレーコーター、浸漬コーター、ローラー
コーター、カーテンコーターおよびビードコーター等を
用いて行い、乾燥は室温から200℃、10分から6時
間の範囲で静止または送風条件下で行う。乾燥後の膜厚
は0.01から5ミクロン、望ましくは0.1から1ミ
クロンになるように塗工される。
ンを使用した電荷発生層は、光吸収効率の大きな均一層
であり、電荷発生層中の顔料の粒子間、電荷発生層と電
荷輸送層の間、感光層と下引き層または導電性基板の間
の空隙も少ないので、繰り返し使用時での電位や感度の
安定性および鮮明な印字画像、耐印刷性等の多くの要求
を満足する電子写真感光体を得ることが出来た。n型感
光体は導電性基板上に、下引き層、電荷発生層、電荷輸
送層の順に積層して作製されるものが一般的である。ま
た、p型感光体は導電性基板または下引き層上に電荷輸
送層、電荷発生層の順に積層したもの。または導電性基
板または下引き層上に電荷発生剤と適切な樹脂、必要が
あれば電荷輸送剤を加えて分散塗工して作製したものが
ある。上記感光体は、必要があれば活性ガスからの表面
保護およびトナーによるフィルミング防止等の意味でオ
ーバーコート層を設けることも出来る。本発明の無金属
フタロシアニンは、上記感光体のすべてに用いられる。
感光体の電荷発生層の塗工は、スピンコーター、アプリ
ケーター、スプレーコーター、浸漬コーター、ローラー
コーター、カーテンコーターおよびビードコーター等を
用いて行い、乾燥は室温から200℃、10分から6時
間の範囲で静止または送風条件下で行う。乾燥後の膜厚
は0.01から5ミクロン、望ましくは0.1から1ミ
クロンになるように塗工される。
【0010】電荷発生層を形成する際に使用する樹脂
は、広範な絶縁性樹脂から選択出来る。また、ポリ−N
−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセンやポリ
シラン類などの有機光導電性ポリマーからも選択出来
る。好ましくは、ポリビニルブチラール、ポリアリレー
ト、ポリカーボネート、ポリエステル、フェノキシ、ア
クリル、ポリアミド、ウレタン、エポキシ、シリコン、
ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、塩酢ビ共重合体、フェ
ノールおよびメラミン樹脂等の絶縁性樹脂を挙げること
が出来る。電荷発生層中に含有する樹脂は、100重量
%以下が好ましいがこの限りではない。樹脂は2種類以
上組み合わせて使用しても良い。また、必要があれば樹
脂を使用しなくてもよい。電荷発生層を形成する際に使
用する溶剤は、下引き層や電荷輸送層に影響を与えない
ものから選択することが好ましい。具体的には、ベンゼ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素、アセトン、メチルエ
チルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、メタノー
ル、エタノール等のアルコール類、酢酸エチル、メチル
セロソルブ等のエステル類、四塩化炭素、クロロホル
ム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエチ
レン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類、クロルベンゼ
ン、ジクロルベンゼン等の芳香族ハロゲン化炭化水素
類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類等
が用いられるがこれらに限られるものではない。電荷輸
送層は電荷輸送剤単体もしくは樹脂に溶解させて形成す
る。本感光体に使用される電荷輸送剤は、電荷を輸送す
る能力のある化合物であれば、いかなる種類の化合物で
あっても良いが、ヒドラゾン化合物およびスチリル化合
物から選ばれる1種以上の化合物が望ましい。電荷輸送
物質は2種類以上組み合わせて使用できる。電荷輸送層
に使用できる樹脂は、電荷発生層用樹脂として記述した
中から選択出来る。塗工方法も電荷発生層と同様の方法
で塗工することが出来る。乾燥後の膜厚は5から50ミ
クロン、好ましくは15から25ミクロンが良い。
は、広範な絶縁性樹脂から選択出来る。また、ポリ−N
−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセンやポリ
シラン類などの有機光導電性ポリマーからも選択出来
る。好ましくは、ポリビニルブチラール、ポリアリレー
ト、ポリカーボネート、ポリエステル、フェノキシ、ア
クリル、ポリアミド、ウレタン、エポキシ、シリコン、
ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、塩酢ビ共重合体、フェ
ノールおよびメラミン樹脂等の絶縁性樹脂を挙げること
が出来る。電荷発生層中に含有する樹脂は、100重量
%以下が好ましいがこの限りではない。樹脂は2種類以
上組み合わせて使用しても良い。また、必要があれば樹
脂を使用しなくてもよい。電荷発生層を形成する際に使
用する溶剤は、下引き層や電荷輸送層に影響を与えない
ものから選択することが好ましい。具体的には、ベンゼ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素、アセトン、メチルエ
チルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、メタノー
ル、エタノール等のアルコール類、酢酸エチル、メチル
セロソルブ等のエステル類、四塩化炭素、クロロホル
ム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエチ
レン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類、クロルベンゼ
ン、ジクロルベンゼン等の芳香族ハロゲン化炭化水素
類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類等
が用いられるがこれらに限られるものではない。電荷輸
送層は電荷輸送剤単体もしくは樹脂に溶解させて形成す
る。本感光体に使用される電荷輸送剤は、電荷を輸送す
る能力のある化合物であれば、いかなる種類の化合物で
あっても良いが、ヒドラゾン化合物およびスチリル化合
物から選ばれる1種以上の化合物が望ましい。電荷輸送
物質は2種類以上組み合わせて使用できる。電荷輸送層
に使用できる樹脂は、電荷発生層用樹脂として記述した
中から選択出来る。塗工方法も電荷発生層と同様の方法
で塗工することが出来る。乾燥後の膜厚は5から50ミ
クロン、好ましくは15から25ミクロンが良い。
【0011】下引き層としてはポリアミド類、カゼイ
ン、ポリビニルアルコール、ゼラチン、ポリビニルブチ
ラール等の樹脂類、酸化アルミニウム等の金属酸化物な
どが用いられる。本発明の材料は、電子写真感光体とし
て複写機やプリンターに使用されるだけではなく、太陽
電池、光電変換素子、エレクトロルミネッセンス(E
L)素子および光ディスク用吸収材料としても好適であ
る。
ン、ポリビニルアルコール、ゼラチン、ポリビニルブチ
ラール等の樹脂類、酸化アルミニウム等の金属酸化物な
どが用いられる。本発明の材料は、電子写真感光体とし
て複写機やプリンターに使用されるだけではなく、太陽
電池、光電変換素子、エレクトロルミネッセンス(E
L)素子および光ディスク用吸収材料としても好適であ
る。
【0012】
【実施例】本発明の実施例について具体的に説明する。
例中で部とは重量部を示す。 実施例 1 無水フタル酸30部、尿素48部およびメリット酸1.
26部をスルフォラン230部中230℃で15時間加
熱撹拌する。100℃以下まで冷却した後に、60℃の
温水250部で洗浄する。次に、2%塩酸500部にリ
スラリーして、60℃で1時間撹拌した後濾過して2
3.0部のτ型無金属フタロシアニンを得た。 実施例 2 原料として、フタロニトリル30部、ヘミメリット酸
1.26部およびスルフォラン230部を使用する以外
は、実施例1と同様の方法で合成および精製して22.
1部の変形τ型無金属フタロシアニンを得た。 実施例 3 フタロニトリル30部の代わりに、2−アミノイミノイ
ソインドレニン35部を使用する以外は、実施例1と同
様の方法で合成および精製して20.3部のτ型無金属
フタロシアニンを得た。 実施例 4〜6 合成時の添加剤として、表1のフタロシアニン誘導体1
部を使用する以外は、実施例1と同様の方法で合成およ
び精製して、順に22.1,23.0および20.5部
のη型無金属フタロシアニンを得た。
例中で部とは重量部を示す。 実施例 1 無水フタル酸30部、尿素48部およびメリット酸1.
26部をスルフォラン230部中230℃で15時間加
熱撹拌する。100℃以下まで冷却した後に、60℃の
温水250部で洗浄する。次に、2%塩酸500部にリ
スラリーして、60℃で1時間撹拌した後濾過して2
3.0部のτ型無金属フタロシアニンを得た。 実施例 2 原料として、フタロニトリル30部、ヘミメリット酸
1.26部およびスルフォラン230部を使用する以外
は、実施例1と同様の方法で合成および精製して22.
1部の変形τ型無金属フタロシアニンを得た。 実施例 3 フタロニトリル30部の代わりに、2−アミノイミノイ
ソインドレニン35部を使用する以外は、実施例1と同
様の方法で合成および精製して20.3部のτ型無金属
フタロシアニンを得た。 実施例 4〜6 合成時の添加剤として、表1のフタロシアニン誘導体1
部を使用する以外は、実施例1と同様の方法で合成およ
び精製して、順に22.1,23.0および20.5部
のη型無金属フタロシアニンを得た。
【0013】表1
【表1】
【0014】実施例 7 合成時の添加剤としてτ型無金属フタロシアニンを使用
する以外は、実施例1と同様の方法で合成および精製し
て23.4部の無金属フタロシアニンを得た。 比較例 1 無水フタル酸30部、尿素48部をスルフォラン230
部中230℃で15時間加熱撹拌する。100℃以下ま
で冷却した後に、60℃の温水250部で洗浄する。次
に、2%塩酸500部にリスラリーして、60℃で1時
間撹拌した後濾過して20.0部のβ型無金属フタロシ
アニンクルードを得た。この無金属フタロシアニンクル
ード20部を、98%硫酸の中に少しずつ溶解し、撹拌
する。続いて、この硫酸溶液を8000部の水中に注入
して結晶を析出させる。この結晶を酸が残留しなくなる
まで蒸留水で洗浄して、α型銅フタロシアニン19部を
得た。このα型無金属フタロシアニン10部をジエチレ
ングリコール60部とともにボールミルで30時間かけ
てτ型に結晶転移させた後、洗浄して9.5部のτ型無
金属フタロシアニンを得た。
する以外は、実施例1と同様の方法で合成および精製し
て23.4部の無金属フタロシアニンを得た。 比較例 1 無水フタル酸30部、尿素48部をスルフォラン230
部中230℃で15時間加熱撹拌する。100℃以下ま
で冷却した後に、60℃の温水250部で洗浄する。次
に、2%塩酸500部にリスラリーして、60℃で1時
間撹拌した後濾過して20.0部のβ型無金属フタロシ
アニンクルードを得た。この無金属フタロシアニンクル
ード20部を、98%硫酸の中に少しずつ溶解し、撹拌
する。続いて、この硫酸溶液を8000部の水中に注入
して結晶を析出させる。この結晶を酸が残留しなくなる
まで蒸留水で洗浄して、α型銅フタロシアニン19部を
得た。このα型無金属フタロシアニン10部をジエチレ
ングリコール60部とともにボールミルで30時間かけ
てτ型に結晶転移させた後、洗浄して9.5部のτ型無
金属フタロシアニンを得た。
【0015】次に、実施例および比較例で作成した無金
属フタロシアニンを電荷発生剤として使用した電子写真
感光体の作製方法を述べる。共重合ナイロン(アミラン
CM−8000;東レ(株)製)10部をエタノール1
90部と共にボールミルで3時間混合した後、その塗液
をポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム上に
アルミニウムを蒸着したシート上にワイヤーバーで塗工
する。乾燥した後、膜厚0.5ミクロンの下引き層を持
つシートを得た。無金属フタロシアニン2部をボールミ
ル10時間後に、テトラヒドロフラン97部にポリビニ
ルブチラール樹脂1部(BH−3;積水化学(株)製)
を溶解した樹脂液と共にボールミルで6時間分散した。
この分散液を下引き層上に塗工して、乾燥した後膜厚
0.3ミクロンの電荷発生層を作製した。ヒドラゾン誘
導体(2)またはブタジエン誘導体(3)を電荷輸送剤
として、電荷輸送剤1部、ポリカーボネート樹脂(パン
ライトK−1300;帝人化成(株)製)1部をジクロ
ロメタン8部で混合溶解した。この塗液を電荷発生層上
に塗工して乾燥させた後に膜厚20ミクロンの電荷輸送
層を形成して、その電子写真特性を測定した。また、正
孔輸送性樹脂であるポリ(メチルフェニルシリレン)
(PMPS)を使用した場合は、樹脂単独で膜厚20ミ
クロンの電荷輸送層を形成した。
属フタロシアニンを電荷発生剤として使用した電子写真
感光体の作製方法を述べる。共重合ナイロン(アミラン
CM−8000;東レ(株)製)10部をエタノール1
90部と共にボールミルで3時間混合した後、その塗液
をポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム上に
アルミニウムを蒸着したシート上にワイヤーバーで塗工
する。乾燥した後、膜厚0.5ミクロンの下引き層を持
つシートを得た。無金属フタロシアニン2部をボールミ
ル10時間後に、テトラヒドロフラン97部にポリビニ
ルブチラール樹脂1部(BH−3;積水化学(株)製)
を溶解した樹脂液と共にボールミルで6時間分散した。
この分散液を下引き層上に塗工して、乾燥した後膜厚
0.3ミクロンの電荷発生層を作製した。ヒドラゾン誘
導体(2)またはブタジエン誘導体(3)を電荷輸送剤
として、電荷輸送剤1部、ポリカーボネート樹脂(パン
ライトK−1300;帝人化成(株)製)1部をジクロ
ロメタン8部で混合溶解した。この塗液を電荷発生層上
に塗工して乾燥させた後に膜厚20ミクロンの電荷輸送
層を形成して、その電子写真特性を測定した。また、正
孔輸送性樹脂であるポリ(メチルフェニルシリレン)
(PMPS)を使用した場合は、樹脂単独で膜厚20ミ
クロンの電荷輸送層を形成した。
【0016】
【化3】
【0017】
【化4】
【0018】感光体の電子写真特性は、以下の方法で測
定した。静電複写紙試験装置(EPA−8100;川口
電機製作所(株)製)により、スタティックモード2、
コロナ帯電は−5.2(kV)、1(μW)の780n
mの単色光を照射して、帯電量が初期の1/2まで減少
する時間から半減露光量感度(E1/2)を調べた。
定した。静電複写紙試験装置(EPA−8100;川口
電機製作所(株)製)により、スタティックモード2、
コロナ帯電は−5.2(kV)、1(μW)の780n
mの単色光を照射して、帯電量が初期の1/2まで減少
する時間から半減露光量感度(E1/2)を調べた。
【0019】表2
【表2】
【0020】第2表の結果より、実施例の無金属フタロ
シアニンを使用した感光体は、帯電性、感度などの電子
写真特性が良好であり、760nm以上の半導体レ−ザ
ー波長領域でも高感度であった。以上の結果より、本発
明の無金属フタロシアニンを電荷発生剤として使用した
電子写真感光体は、電子写真特性の優れた感光体であっ
た。
シアニンを使用した感光体は、帯電性、感度などの電子
写真特性が良好であり、760nm以上の半導体レ−ザ
ー波長領域でも高感度であった。以上の結果より、本発
明の無金属フタロシアニンを電荷発生剤として使用した
電子写真感光体は、電子写真特性の優れた感光体であっ
た。
【0021】
【発明の効果】本発明により合成した無金属フタロシア
ニンを電荷発生材料として使用することにより、優れた
電子写真特性を有する電子写真感光体を得ることが出来
た。
ニンを電荷発生材料として使用することにより、優れた
電子写真特性を有する電子写真感光体を得ることが出来
た。
フロントページの続き (72)発明者 佐藤 直樹 東京都中央区京橋二丁目3番13号 東洋イ ンキ製造株式会社内
Claims (5)
- 【請求項1】 電荷発生剤が、フタル酸、フタロジニト
リル、イソインドレニンおよび/またはその誘導体、下
記一般式(1)で示される化合物の存在下で、不活性有
機溶媒中で反応させて得た無金属フタロシアニンである
ことを特徴とする電子写真感光体。 一般式(1) 【化1】 〔式中、X1〜X3は水素原子、アルキル基、アリル基、
カルボキシル基、もしくはそれらより誘導される基を表
す。Y1〜Y3はカルボキシル基、ニトロ基および/また
はそれらより誘導される基を表す。XおよびYは同一で
も異なっていても良く、Yは2つ以上の基で閉環してイ
ミドまたは酸無水物を形成しても良い。〕 - 【請求項2】 反応させて得た無金属フタロシアニンが
τ,変形τ,ηおよび変形η型の少なくとも一種である
ことを特徴とする請求項1記載の電子写真感光体。 - 【請求項3】 フタル酸、フタロジニトリル、イソイン
ドレニンおよび/またはその誘導体、一般式(1)で示
される化合物の存在下、不活性有機溶媒中で反応させる
際に、フタロシアニン誘導体を添加して得られた請求項
1または2記載の無金属フタロシアニンであることを特
徴とする電子写真感光体。 - 【請求項4】 フタル酸、フタロジニトリル、イソイン
ドレニンおよび/またはその誘導体、一般式(1)で示
される化合物の存在下、不活性有機溶媒中で反応させる
際に、フタロシアニンを添加して得られた請求項1また
は2記載の無金属フタロシアニンであることを特徴とす
る電子写真感光体。 - 【請求項5】 導電性支持体上に、電荷発生剤および電
荷輸送剤を使用してなる電子写真感光体において、電荷
発生剤が請求項1〜4いずれか記載の無金属フタロシア
ニン化合物であり、電荷輸送剤がヒドラゾン誘導体およ
びブタジエン誘導体もしくは正孔輸送性樹脂の少なくと
も一種以上であることを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26266691A JPH0572775A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26266691A JPH0572775A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0572775A true JPH0572775A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17378926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26266691A Pending JPH0572775A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0572775A (ja) |
-
1991
- 1991-09-13 JP JP26266691A patent/JPH0572775A/ja active Pending
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