JPH0573263B2 - - Google Patents
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- JPH0573263B2 JPH0573263B2 JP86195539A JP19553986A JPH0573263B2 JP H0573263 B2 JPH0573263 B2 JP H0573263B2 JP 86195539 A JP86195539 A JP 86195539A JP 19553986 A JP19553986 A JP 19553986A JP H0573263 B2 JPH0573263 B2 JP H0573263B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- cooling
- thermally conductive
- conductive fluid
- cooling container
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W95/00—Packaging processes not covered by the other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/70—Fillings or auxiliary members in containers or in encapsulations for thermal protection or control
- H10W40/77—Auxiliary members characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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- Y10T29/49144—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. by metal fusion
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路、殊にLSIパツケー
ジの冷却装置およびその製造方法に関するもので
ある。
ジの冷却装置およびその製造方法に関するもので
ある。
従来より、LSIパツケージの冷却技術として、
例えば、アイ・イー・イー・イー「IEEE ICCD
83」に報告された論文、アイ・ビー・エム 4381
モジユール「NEW INTERNAL AND
EXTERNAL COOLING ENHANCEMENTS
FOR THE AIR COOLED IBM 4381
MODULE」がある。すなわち、基板上に実装さ
れた集積回路と、この集積回路に対向する冷却板
との間には微小ギヤツプが存在し、この微小ギヤ
ツプの寸法によつてその冷却特性が左右され、微
小ギヤツプを狭くすることが熱抵抗の低下につな
がる。微小ギヤツプを0.2mmに保つて、そのギヤ
ツプに熱伝導性のコンパウンドを充填した時、集
積回路と冷却板との間の熱抵抗は9℃/Wと報告
されている。
例えば、アイ・イー・イー・イー「IEEE ICCD
83」に報告された論文、アイ・ビー・エム 4381
モジユール「NEW INTERNAL AND
EXTERNAL COOLING ENHANCEMENTS
FOR THE AIR COOLED IBM 4381
MODULE」がある。すなわち、基板上に実装さ
れた集積回路と、この集積回路に対向する冷却板
との間には微小ギヤツプが存在し、この微小ギヤ
ツプの寸法によつてその冷却特性が左右され、微
小ギヤツプを狭くすることが熱抵抗の低下につな
がる。微小ギヤツプを0.2mmに保つて、そのギヤ
ツプに熱伝導性のコンパウンドを充填した時、集
積回路と冷却板との間の熱抵抗は9℃/Wと報告
されている。
しかしながら、このようなLSIパツケージにお
いては、そのLSIパツケージの構成部品をなす基
板、集積回路、冷却板等に寸法誤差があり、組み
立ての際に生ずる組立誤差も合わせると、その誤
差の累積値は100〜200μmにも達する。つまり、
この誤差の累積値よりも微小ギヤツプを狭く設計
すると、集積回路と冷却板とが接触し破損してし
まう虞れが有り、したがつて微小ギヤツプを誤差
の累積値よりも狭くすることができなかつた。こ
のため、従来の冷却構造では、熱抵抗の低減を達
成することができなかつた。
いては、そのLSIパツケージの構成部品をなす基
板、集積回路、冷却板等に寸法誤差があり、組み
立ての際に生ずる組立誤差も合わせると、その誤
差の累積値は100〜200μmにも達する。つまり、
この誤差の累積値よりも微小ギヤツプを狭く設計
すると、集積回路と冷却板とが接触し破損してし
まう虞れが有り、したがつて微小ギヤツプを誤差
の累積値よりも狭くすることができなかつた。こ
のため、従来の冷却構造では、熱抵抗の低減を達
成することができなかつた。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたも
ので、硬化することにより体積収縮する熱伝導性
流体が硬化した部材を収容した冷却容器と、集積
回路を実装してなり、該集積回路が前記熱伝導性
流体が硬化した部材に対して略全面にわたつて略
一定の微小間隙を有するように配置された回路基
板と、この回路基板を保持すると共にスペーサを
介して前記冷却容器に載置される基板保持部材と
で集積回路の冷却装置を構成したものである。
ので、硬化することにより体積収縮する熱伝導性
流体が硬化した部材を収容した冷却容器と、集積
回路を実装してなり、該集積回路が前記熱伝導性
流体が硬化した部材に対して略全面にわたつて略
一定の微小間隙を有するように配置された回路基
板と、この回路基板を保持すると共にスペーサを
介して前記冷却容器に載置される基板保持部材と
で集積回路の冷却装置を構成したものである。
また、硬化することにより体積収縮する熱伝導
性流体を冷却容器に蓄え、回路基板を保持する基
板保持部材を前記冷却容器に載置することにより
前記例角容器に蓄えられた熱伝導性流体層内に前
記回路基板に実装された集積回路を浸漬し、前記
熱伝導性流体の硬化による体積収縮により前記集
積回路と前記熱伝導性流体層表面との間に微小ギ
ヤツプを形成した後、前記冷却容器と前記基板保
持部材との間に所定厚みのスペーサを介在させて
冷却装置を製造するようにしたものである。
性流体を冷却容器に蓄え、回路基板を保持する基
板保持部材を前記冷却容器に載置することにより
前記例角容器に蓄えられた熱伝導性流体層内に前
記回路基板に実装された集積回路を浸漬し、前記
熱伝導性流体の硬化による体積収縮により前記集
積回路と前記熱伝導性流体層表面との間に微小ギ
ヤツプを形成した後、前記冷却容器と前記基板保
持部材との間に所定厚みのスペーサを介在させて
冷却装置を製造するようにしたものである。
したがつて、この発明による装置によれば、集
積回路と熱伝導性流体が硬化した部材との間に、
略全面にわたつて略一定の微小間隙が設けられ
る。
積回路と熱伝導性流体が硬化した部材との間に、
略全面にわたつて略一定の微小間隙が設けられ
る。
また、この発明による製造方法によれば、集積
回路と硬化した後の熱伝導性流体層表面との間
に、熱伝導性流体の体積収縮により生ずる微小ギ
ヤツプとスペーサの板厚との和による微小間隙が
設けられる。
回路と硬化した後の熱伝導性流体層表面との間
に、熱伝導性流体の体積収縮により生ずる微小ギ
ヤツプとスペーサの板厚との和による微小間隙が
設けられる。
以下、本発明に係る集積回路の冷却装置および
その製造方法を詳細に説明する。第1図は、この
冷却装置の一実施例を示すLSIパツケージの側断
面図である。同図において、1は冷却容器、2は
この冷却容器1に蓄えられ冷却固化した半田層、
3は回路基板4に実装された複数個の集積回路
(LSIチツプ)である。集積回路3と半田層2の
表面とは寸法hの微小間隙9を隔てて対向してお
り、回路基板4の外周縁部は基板枠5に強固に固
着され、基板枠5は所定厚みtのスペーサ6を介
して、固定ねじ7,7を用いて冷却容器1に一体
的に固定されている。冷却容器1には、水冷ジヤ
ケツト8が固着されており、この水冷ジヤケツト
8の空洞部8aに冷却水を通して水冷としてい
る。
その製造方法を詳細に説明する。第1図は、この
冷却装置の一実施例を示すLSIパツケージの側断
面図である。同図において、1は冷却容器、2は
この冷却容器1に蓄えられ冷却固化した半田層、
3は回路基板4に実装された複数個の集積回路
(LSIチツプ)である。集積回路3と半田層2の
表面とは寸法hの微小間隙9を隔てて対向してお
り、回路基板4の外周縁部は基板枠5に強固に固
着され、基板枠5は所定厚みtのスペーサ6を介
して、固定ねじ7,7を用いて冷却容器1に一体
的に固定されている。冷却容器1には、水冷ジヤ
ケツト8が固着されており、この水冷ジヤケツト
8の空洞部8aに冷却水を通して水冷としてい
る。
次に、このように構成されたLSIパツケージに
おける微小間隙9の実現方法について説明する。
すなわち、第2図aに示すように、冷却容器1に
前もつて融着した半田2を、冷却容器1を加熱す
ることによつて融解する。そして、この融解され
た溶融半田層2内に回路基板4に実装された集積
回路3を浸漬する(第2図b)。つまり、基板枠
5の外周縁下端面5aと冷却容器1の外周縁上端
面1aとを当接させ、基板枠5を冷却容器1に載
置し、回路基板4に装着された集積回路3を溶融
半田層2内に浸漬保持する。この時、すべての集
積回路チツプ3の表面が溶融半田2に接触する量
がこの溶融半田の最低必要量である。集積回路3
には、溶融半田層2に浸漬する前にソルダレジス
トもしくはシリコーンオイル等で予め半田ぬれ防
止を施しておき、集積回路3を浸漬した後、即ち
基板枠5を冷却容器1に載置した後、冷却容器1
への加熱を中断する。この加熱に中断により、冷
却容器1内の溶融半田2の温度は徐々に低下し、
この温度低下により溶融半田が体積収縮しながら
冷却固化する。集積回路3には半田ぬれ防止が施
されているため、第2図cに示すように、固化し
た半田層2の表面と集積回路3との間には、溶融
半田の体積収縮により、寸法h1の微小ギヤツプ1
0が形成される。そして、基板枠5を冷却容器1
より一旦分離し、分解洗浄を行いフラツクス等を
除去した後、第2図dに示すように、スペーサ6
を基板枠5の外周縁下端面5aと冷却容器1の外
周縁上端面1aとの間に差し入れ、基板枠5と冷
却容器1とを固定ねじ7,7を用いて一体的に固
定する。このようにして、第1図に示した寸法h
の微小間隙9が実現される。この微小間隙9は、
図よりも明らかなように、第2図cに示した微小
ギヤツプ10とスペーサ6の板厚との和、即ちh1
+tとなり、スペーサ6の板厚を適当に選ぶこと
により、微小間隙9の寸法hを最適値に設定する
ことができる。つまり、第2図cに示した寸法h1
のままでは、あまりにもその寸法が狭すぎるた
め、外力等による基板4の弾性変形により、集積
回路3と半田層2とが接触する虞れがある。この
ため、微小ギヤツプ10の寸法h1にスペーサ6の
板厚tを加えて微小間隙9とし、基板4が弾性変
形したとしても集積回路3と半田層2とが接触す
る虞れのない最適寸法を設定するようにしてい
る。この微小間隙9は構成部品の寸法精度および
組立精度の規制を受けないので、誤差の累積値よ
りも狭く設定することが可能であり、従来の冷却
構造に比して大幅な熱抵抗の低減を図ることがで
きる。
おける微小間隙9の実現方法について説明する。
すなわち、第2図aに示すように、冷却容器1に
前もつて融着した半田2を、冷却容器1を加熱す
ることによつて融解する。そして、この融解され
た溶融半田層2内に回路基板4に実装された集積
回路3を浸漬する(第2図b)。つまり、基板枠
5の外周縁下端面5aと冷却容器1の外周縁上端
面1aとを当接させ、基板枠5を冷却容器1に載
置し、回路基板4に装着された集積回路3を溶融
半田層2内に浸漬保持する。この時、すべての集
積回路チツプ3の表面が溶融半田2に接触する量
がこの溶融半田の最低必要量である。集積回路3
には、溶融半田層2に浸漬する前にソルダレジス
トもしくはシリコーンオイル等で予め半田ぬれ防
止を施しておき、集積回路3を浸漬した後、即ち
基板枠5を冷却容器1に載置した後、冷却容器1
への加熱を中断する。この加熱に中断により、冷
却容器1内の溶融半田2の温度は徐々に低下し、
この温度低下により溶融半田が体積収縮しながら
冷却固化する。集積回路3には半田ぬれ防止が施
されているため、第2図cに示すように、固化し
た半田層2の表面と集積回路3との間には、溶融
半田の体積収縮により、寸法h1の微小ギヤツプ1
0が形成される。そして、基板枠5を冷却容器1
より一旦分離し、分解洗浄を行いフラツクス等を
除去した後、第2図dに示すように、スペーサ6
を基板枠5の外周縁下端面5aと冷却容器1の外
周縁上端面1aとの間に差し入れ、基板枠5と冷
却容器1とを固定ねじ7,7を用いて一体的に固
定する。このようにして、第1図に示した寸法h
の微小間隙9が実現される。この微小間隙9は、
図よりも明らかなように、第2図cに示した微小
ギヤツプ10とスペーサ6の板厚との和、即ちh1
+tとなり、スペーサ6の板厚を適当に選ぶこと
により、微小間隙9の寸法hを最適値に設定する
ことができる。つまり、第2図cに示した寸法h1
のままでは、あまりにもその寸法が狭すぎるた
め、外力等による基板4の弾性変形により、集積
回路3と半田層2とが接触する虞れがある。この
ため、微小ギヤツプ10の寸法h1にスペーサ6の
板厚tを加えて微小間隙9とし、基板4が弾性変
形したとしても集積回路3と半田層2とが接触す
る虞れのない最適寸法を設定するようにしてい
る。この微小間隙9は構成部品の寸法精度および
組立精度の規制を受けないので、誤差の累積値よ
りも狭く設定することが可能であり、従来の冷却
構造に比して大幅な熱抵抗の低減を図ることがで
きる。
尚、本実施例においては、集積回路3に半田ぬ
れ防止を施すようにしたが、セラミツクケース入
りの集積回路等においては、もともと半田が付着
しないので半田ぬれ防止の必要がないことは言う
までもない。また、本実施例においては、微小ギ
ヤツプ10を形成するために溶融半田の冷却固化
による体積収縮を利用したが、必ずしも溶融半田
でなくともよく、硬化することにより体積収縮す
る熱伝導性流体であれば、他の流体を用いてもよ
い。また、微小間隙9に熱伝導性のコンパウンド
を充填するようにすれば、さらに良好な冷却特性
を得ることができ、冷却容器1にフインを装着す
るようにすれば空冷化も容易に可能である。
れ防止を施すようにしたが、セラミツクケース入
りの集積回路等においては、もともと半田が付着
しないので半田ぬれ防止の必要がないことは言う
までもない。また、本実施例においては、微小ギ
ヤツプ10を形成するために溶融半田の冷却固化
による体積収縮を利用したが、必ずしも溶融半田
でなくともよく、硬化することにより体積収縮す
る熱伝導性流体であれば、他の流体を用いてもよ
い。また、微小間隙9に熱伝導性のコンパウンド
を充填するようにすれば、さらに良好な冷却特性
を得ることができ、冷却容器1にフインを装着す
るようにすれば空冷化も容易に可能である。
以上説明したように本発明によれば、熱伝導性
流体の体積収縮により、集積回路と熱伝導性流体
層表面との間に微小ギヤツプを形成した後、冷却
容器と基板保持部材との間に所定厚みのスペーサ
を介在させたので、集積回路と硬化した後の熱伝
導性流体層表面との間に、略全面にわたつて略一
定の微小間隙を設けることができ、この微小間隙
はスペーサの厚みを選ぶことにより最適値に設定
することが可能であり、且つ構成部品の寸法精度
および組立精度の規制を受けないので、誤差の累
積値よりも狭く設定することが可能であり、従来
に比して大幅な熱抵抗の低減を図ることができ
る。
流体の体積収縮により、集積回路と熱伝導性流体
層表面との間に微小ギヤツプを形成した後、冷却
容器と基板保持部材との間に所定厚みのスペーサ
を介在させたので、集積回路と硬化した後の熱伝
導性流体層表面との間に、略全面にわたつて略一
定の微小間隙を設けることができ、この微小間隙
はスペーサの厚みを選ぶことにより最適値に設定
することが可能であり、且つ構成部品の寸法精度
および組立精度の規制を受けないので、誤差の累
積値よりも狭く設定することが可能であり、従来
に比して大幅な熱抵抗の低減を図ることができ
る。
第1図は本発明に係る集積回路の冷却装置の一
実施例を示すLSIパツケージの側断面図、第2図
はこの冷却装置を実現する方法を説明する工程図
である。 1……冷却容器、2……半田層、3……集積回
路、4……回路基板、5……基板枠、6……スペ
ーサ、9……微小間隙、10……微小ギヤツプ。
実施例を示すLSIパツケージの側断面図、第2図
はこの冷却装置を実現する方法を説明する工程図
である。 1……冷却容器、2……半田層、3……集積回
路、4……回路基板、5……基板枠、6……スペ
ーサ、9……微小間隙、10……微小ギヤツプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 硬化することにより体積収縮する熱伝導性流
体が硬化した部材を収容した冷却容器と、集積回
路を実装してなり、該集積回路が前記熱伝導性流
体が硬化した部材に対して略全面にわたつて略一
定の微小間隙を有するように配置された回路基板
と、この回路基板を保持すると共にスペーサを介
して前記冷却容器に載置される基板保持部材とを
備えてなる集積回路の冷却装置。 2 硬化することにより体積収縮する熱伝導性流
体を冷却容器に蓄え、回路基板を保持する基板保
持部材を前記冷却容器に載置することにより前記
冷却容器に蓄えられた熱伝導性流体層内に前記回
路基板に実装された集積回路を浸漬し、前記熱伝
導性流体の硬化による体積収縮により前記集積回
路と前記熱伝導性流体層表面との間に微小ギヤツ
プを形成した後、前記冷却容器と前記基板保持部
材との間に所定厚みのスペーサを介在させたこと
を特徴とする集積回路の冷却装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18388985 | 1985-08-23 | ||
| JP60-183889 | 1985-08-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62122156A JPS62122156A (ja) | 1987-06-03 |
| JPH0573263B2 true JPH0573263B2 (ja) | 1993-10-14 |
Family
ID=16143585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61195539A Granted JPS62122156A (ja) | 1985-08-23 | 1986-08-22 | 集積回路の冷却装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4724611A (ja) |
| JP (1) | JPS62122156A (ja) |
| FR (1) | FR2586510B1 (ja) |
Families Citing this family (51)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0320198B1 (en) * | 1987-12-07 | 1995-03-01 | Nec Corporation | Cooling system for IC package |
| EP0341950B1 (en) * | 1988-05-09 | 1994-09-14 | Nec Corporation | Flat cooling structure of integrated circuit |
| US4975766A (en) * | 1988-08-26 | 1990-12-04 | Nec Corporation | Structure for temperature detection in a package |
| JPH06100408B2 (ja) * | 1988-09-09 | 1994-12-12 | 日本電気株式会社 | 冷却装置 |
| CA1304830C (en) * | 1988-09-20 | 1992-07-07 | Toshifumi Sano | Cooling structure |
| DE69112389T2 (de) * | 1991-06-06 | 1996-03-21 | Ibm | Elektronischer Packungsmodul. |
| JP2728105B2 (ja) * | 1991-10-21 | 1998-03-18 | 日本電気株式会社 | 集積回路用冷却装置 |
| US5263245A (en) * | 1992-01-27 | 1993-11-23 | International Business Machines Corporation | Method of making an electronic package with enhanced heat sinking |
| US5731633A (en) * | 1992-09-16 | 1998-03-24 | Gary W. Hamilton | Thin multichip module |
| US5484959A (en) * | 1992-12-11 | 1996-01-16 | Staktek Corporation | High density lead-on-package fabrication method and apparatus |
| US5604978A (en) * | 1994-12-05 | 1997-02-25 | International Business Machines Corporation | Method for cooling of chips using a plurality of materials |
| US5517753A (en) * | 1995-04-06 | 1996-05-21 | International Business Machines Corporation | Adjustable spacer for flat plate cooling applications |
| DE19643717A1 (de) * | 1996-10-23 | 1998-04-30 | Asea Brown Boveri | Flüssigkeits-Kühlvorrichtung für ein Hochleistungshalbleitermodul |
| FR2766967A1 (fr) * | 1997-07-31 | 1999-02-05 | Scps | Dispositif de dissipation thermique et/ou protection electromagnetique pour cartes et composants electroniques |
| US7656678B2 (en) * | 2001-10-26 | 2010-02-02 | Entorian Technologies, Lp | Stacked module systems |
| US7026708B2 (en) * | 2001-10-26 | 2006-04-11 | Staktek Group L.P. | Low profile chip scale stacking system and method |
| US6576992B1 (en) * | 2001-10-26 | 2003-06-10 | Staktek Group L.P. | Chip scale stacking system and method |
| US20060255446A1 (en) * | 2001-10-26 | 2006-11-16 | Staktek Group, L.P. | Stacked modules and method |
| US7371609B2 (en) * | 2001-10-26 | 2008-05-13 | Staktek Group L.P. | Stacked module systems and methods |
| US6956284B2 (en) * | 2001-10-26 | 2005-10-18 | Staktek Group L.P. | Integrated circuit stacking system and method |
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