JPH0573322B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0573322B2 JPH0573322B2 JP10277087A JP10277087A JPH0573322B2 JP H0573322 B2 JPH0573322 B2 JP H0573322B2 JP 10277087 A JP10277087 A JP 10277087A JP 10277087 A JP10277087 A JP 10277087A JP H0573322 B2 JPH0573322 B2 JP H0573322B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- reactor
- flow rate
- supply means
- organometallic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 47
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 14
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 13
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 12
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 10
- -1 hydrogen compound Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 20
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 10
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002483 hydrogen compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は化合物半導体の有機金属気相成長装置
に係り、各々の希釈された原料ガスを混合し反応
炉へ流入させるに際し、該原料ガスの切り換え後
のバルブ内に原料ガスの滞留部分が存在しない構
造とすることにより、成長層の特性の再現性、組
成変化及び不純物濃度変化の急峻性を向上させる
ようにした有機金属気相成長装置に関する。
に係り、各々の希釈された原料ガスを混合し反応
炉へ流入させるに際し、該原料ガスの切り換え後
のバルブ内に原料ガスの滞留部分が存在しない構
造とすることにより、成長層の特性の再現性、組
成変化及び不純物濃度変化の急峻性を向上させる
ようにした有機金属気相成長装置に関する。
従来、化合物半導体の有機金属化合物及び水素
化合物を原料とした気相成長装置（以下有機金属
気相成長装置という）は良く知られている。
化合物を原料とした気相成長装置（以下有機金属
気相成長装置という）は良く知られている。
第３図はこのような従来の有機金属気相成長装
置を示す図であり、ここでは最も一般的な水素
H2をキヤリアガスとしたGaAs、AlGaAsの有機
金属気相成長装置を例に従来技術を説明する。図
中、１は反応炉、２は高周波誘導加熱コイル、３
はサセプタ、４は基板、５ａはトリメチルガリウ
ム（以下TMG）を飽和蒸気化する恒温槽、５ｂ
はトリメチルアルミニウム（以下TMA）を飽和
蒸気化する恒温槽、６はアルシン（以下AsH3）
の容器、７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄは質量流量計、
８，９，１０，１１はバルブ、１２はTMG蒸気
用のライン、１３はTMA蒸気用のライン、１４
は水素（H2）で希釈されたAsH3用のライン、１
５はベントライン、１６ａ，１６ｂは滞留領域で
ある。
置を示す図であり、ここでは最も一般的な水素
H2をキヤリアガスとしたGaAs、AlGaAsの有機
金属気相成長装置を例に従来技術を説明する。図
中、１は反応炉、２は高周波誘導加熱コイル、３
はサセプタ、４は基板、５ａはトリメチルガリウ
ム（以下TMG）を飽和蒸気化する恒温槽、５ｂ
はトリメチルアルミニウム（以下TMA）を飽和
蒸気化する恒温槽、６はアルシン（以下AsH3）
の容器、７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄは質量流量計、
８，９，１０，１１はバルブ、１２はTMG蒸気
用のライン、１３はTMA蒸気用のライン、１４
は水素（H2）で希釈されたAsH3用のライン、１
５はベントライン、１６ａ，１６ｂは滞留領域で
ある。
図において、GaAsをエピタキシヤル成長させ
る場合には、まずバルブ８及び１０を閉成し、バ
ルブ９及び１１を開放しておき、容器６中の
AsH3を質量流量計７ｄを介して得られる所定流
量を、同様に質量流量計７ｃで軽量されたH2に
より希釈し、ライン１４を通して反応路１へ流入
させ、所定の成長温度まで高周波誘導加熱コイル
２により昇温する。その後、バルブ９を閉成し、
バルブ８を開放することにより、Gaの原料であ
るTMG蒸気がライン１２を通して反応炉１へ流
入し、熱分解反応によりサセプタ３上に置かれた
基板４の上にGaAsがエピタキシヤル成長する。
さらに、連続してAlGaAsをエピタキシヤル成長
させる場合には、バルブ１１を閉成し、バルブ１
０を開放することによりTMA蒸気がライン１３
を通して反応炉１へ流入し、熱分解反応によりエ
ピタキシヤル成長が行われる。
る場合には、まずバルブ８及び１０を閉成し、バ
ルブ９及び１１を開放しておき、容器６中の
AsH3を質量流量計７ｄを介して得られる所定流
量を、同様に質量流量計７ｃで軽量されたH2に
より希釈し、ライン１４を通して反応路１へ流入
させ、所定の成長温度まで高周波誘導加熱コイル
２により昇温する。その後、バルブ９を閉成し、
バルブ８を開放することにより、Gaの原料であ
るTMG蒸気がライン１２を通して反応炉１へ流
入し、熱分解反応によりサセプタ３上に置かれた
基板４の上にGaAsがエピタキシヤル成長する。
さらに、連続してAlGaAsをエピタキシヤル成長
させる場合には、バルブ１１を閉成し、バルブ１
０を開放することによりTMA蒸気がライン１３
を通して反応炉１へ流入し、熱分解反応によりエ
ピタキシヤル成長が行われる。
また、Ｐ型及びｎ型の不純物をドープする場合
も有機金属化合物であるいは水素化合物のドーピ
ング原料が同様の方法で反応炉へ流入することに
より行われていた。
も有機金属化合物であるいは水素化合物のドーピ
ング原料が同様の方法で反応炉へ流入することに
より行われていた。
しかしながら、この従来の有機金属気相成長装
置では、第３図中１６ａ，１６ｂの太線で示され
た部分に高濃度の原料ガスが滞留する有限の領域
が存在するために成長層の特性の再現性、組成変
化および不純物濃度変化の急峻性が得られにくい
等の点で問題があつた。また、、原料ガスの切り
換えに集合化した３方向バルブを使用することに
より原料ガスの滞留部分１６ａ，１６ｂを極めて
小さな容積にすることは可能であるが、バルブ切
り換え時に反応炉内の圧力、全ガス流量の変化が
生じ根本的に上記の問題を解決するには至つてい
ない。
置では、第３図中１６ａ，１６ｂの太線で示され
た部分に高濃度の原料ガスが滞留する有限の領域
が存在するために成長層の特性の再現性、組成変
化および不純物濃度変化の急峻性が得られにくい
等の点で問題があつた。また、、原料ガスの切り
換えに集合化した３方向バルブを使用することに
より原料ガスの滞留部分１６ａ，１６ｂを極めて
小さな容積にすることは可能であるが、バルブ切
り換え時に反応炉内の圧力、全ガス流量の変化が
生じ根本的に上記の問題を解決するには至つてい
ない。
本発明は上記問題点を解決するためのもので、
原料ガスの切り換え時にバルブ内に原料ガスの滞
留部分が存在しない構造とすることにより、高品
質化合物半導体層を再現性良くエピタキシヤル成
長させ、かつ急峻な組成変化及び不純物分布を形
成させることを可能とする有機金属気相成長装置
を提供することを目的とする。
原料ガスの切り換え時にバルブ内に原料ガスの滞
留部分が存在しない構造とすることにより、高品
質化合物半導体層を再現性良くエピタキシヤル成
長させ、かつ急峻な組成変化及び不純物分布を形
成させることを可能とする有機金属気相成長装置
を提供することを目的とする。
そのために本発明の有機金属気相成長装置は、
希釈して流量調整した有機金属化合物を供給する
有機金属化合物供給手段と、希釈して流量調整し
た水素化合物を供給する水素化合物供給手段と、
流量調整したパージ用ガスを供給するパージ用ガ
ス供給手段と、有機金属化合物供給手段とパージ
用ガス供給手段にそれぞれ配管を通して接続され
た２つの入口ポート及び２つの出口ポートを有す
る四方弁と、四方弁の一方の出口ポート及び水素
化合物供給手段に配管を通して接続された反応炉
と、四方弁の他方の出口ポートに接続された排出
用配管とを備えた、前記四方弁の２つの入口ポー
トには、流量調整された同流量の有機金属化合物
及びパージ用ガスがそれぞれ供給され、四方弁の
切り替えにより、互いに同流量の有機金属化合物
またはパージ用ガスが前記一方の出口ポートより
反応炉へ、前記他方の出口ポートより排出用配管
へ流出するようにしたことを特徴とする。
希釈して流量調整した有機金属化合物を供給する
有機金属化合物供給手段と、希釈して流量調整し
た水素化合物を供給する水素化合物供給手段と、
流量調整したパージ用ガスを供給するパージ用ガ
ス供給手段と、有機金属化合物供給手段とパージ
用ガス供給手段にそれぞれ配管を通して接続され
た２つの入口ポート及び２つの出口ポートを有す
る四方弁と、四方弁の一方の出口ポート及び水素
化合物供給手段に配管を通して接続された反応炉
と、四方弁の他方の出口ポートに接続された排出
用配管とを備えた、前記四方弁の２つの入口ポー
トには、流量調整された同流量の有機金属化合物
及びパージ用ガスがそれぞれ供給され、四方弁の
切り替えにより、互いに同流量の有機金属化合物
またはパージ用ガスが前記一方の出口ポートより
反応炉へ、前記他方の出口ポートより排出用配管
へ流出するようにしたことを特徴とする。
本発明の有機金属気相成長装置は、原料ガスの
切り換えに時に、切り換えバルブ内に原料ガスの
滞留部分を存在させず、かつ反応炉内の圧力、全
ガス量流を常に一定に保つことにより、高品質化
合物半導体層を再現性良くエピタキシヤル成長さ
せ、さらに急峻な組成変化及び不純物分布の形成
を遠成する。
切り換えに時に、切り換えバルブ内に原料ガスの
滞留部分を存在させず、かつ反応炉内の圧力、全
ガス量流を常に一定に保つことにより、高品質化
合物半導体層を再現性良くエピタキシヤル成長さ
せ、さらに急峻な組成変化及び不純物分布の形成
を遠成する。
以下、本発明の実施例を図面に基づき説明す
る。
る。
第１図は本発明による有機金属気相成長装置の
一実施例を示す図、第２図イ，ロは本発明の有機
金属気相成長装置に用いられる切り換えバルブの
切り換え動作を説明するための図で、第３図にお
ける番号と同一番号は同一内容を示している。
一実施例を示す図、第２図イ，ロは本発明の有機
金属気相成長装置に用いられる切り換えバルブの
切り換え動作を説明するための図で、第３図にお
ける番号と同一番号は同一内容を示している。
第１図において、第３図の装置に示した１〜
６，７ｃ，７ｄ及び１４，１５についてはここで
は詳細な説明は省略するが、新たに付加した手段
について説明する。
６，７ｃ，７ｄ及び１４，１５についてはここで
は詳細な説明は省略するが、新たに付加した手段
について説明する。
図中、７ｅ，７ｆ，７ｇ，７ｈ，７ｉ，７ｊは
質量流量計、１７は水素で希釈されたTMGガス
を供給するライン、１８は水素で希釈された
TMAガスを供給するライン、１９はパージ用水
素（H2）キヤリヤガスを供給するライン、２０
はパージ用水素（H2）キヤリヤガスを供給する
ライン、２１ａ，２１ｂは切り換えバルブであ
る。
質量流量計、１７は水素で希釈されたTMGガス
を供給するライン、１８は水素で希釈された
TMAガスを供給するライン、１９はパージ用水
素（H2）キヤリヤガスを供給するライン、２０
はパージ用水素（H2）キヤリヤガスを供給する
ライン、２１ａ，２１ｂは切り換えバルブであ
る。
エピタキシヤル成長の開始前には、ステンレス
製容器に封入されたTMG及びTMAはそれぞれ
所定の温度に保たれた恒温層５ａ，５ｂ中で、質
量流量計７ｆ，７ｉにより制御されたH2を通す
ことにより、TMG＋H2及びTMA＋H2の飽和蒸
気として抽出される。抽出直後、さらに、質量流
量計７ｅ，７ｈを介して希釈用H2により500c.c.／
minの流量に制御された原料ガスTMG＋H2及び
TMA＋H2は、それぞれライン１７、ライン１９
から切り換えバルブ２１ａ及び２１ｂを経由して
ベントライン１５へ流出されている。
製容器に封入されたTMG及びTMAはそれぞれ
所定の温度に保たれた恒温層５ａ，５ｂ中で、質
量流量計７ｆ，７ｉにより制御されたH2を通す
ことにより、TMG＋H2及びTMA＋H2の飽和蒸
気として抽出される。抽出直後、さらに、質量流
量計７ｅ，７ｈを介して希釈用H2により500c.c.／
minの流量に制御された原料ガスTMG＋H2及び
TMA＋H2は、それぞれライン１７、ライン１９
から切り換えバルブ２１ａ及び２１ｂを経由して
ベントライン１５へ流出されている。
一方、それぞれ質量流量計７ｇ，７ｊにより
500c.c.／minの流量に制御されたパージ用H2キヤ
リヤガスはライン１８及びライン２０を介して切
り換えバルブ２１ａ及び２１ｂを経由して反応炉
１へ流入している。また、質量流量計７ｃで計量
されたH2ガスにより、同様に質量流量計７ｄで
計算された容器６中のAsH3を希釈し、300c.c.／
minに流量調整されたAsH3＋H2ガスがライン１
４を介して反応炉１へ流入している。
500c.c.／minの流量に制御されたパージ用H2キヤ
リヤガスはライン１８及びライン２０を介して切
り換えバルブ２１ａ及び２１ｂを経由して反応炉
１へ流入している。また、質量流量計７ｃで計量
されたH2ガスにより、同様に質量流量計７ｄで
計算された容器６中のAsH3を希釈し、300c.c.／
minに流量調整されたAsH3＋H2ガスがライン１
４を介して反応炉１へ流入している。
そして、エピタキシヤル成長は、高周波誘導加
熱コイルによりサセプタ３が加熱され、基板４が
所定の成長温度に達した後、開始される。
熱コイルによりサセプタ３が加熱され、基板４が
所定の成長温度に達した後、開始される。
GaAsのエピタキシヤル成長を行う場合には、
切り換えバルブ２１ａによりベントライン１５へ
流出さけていたTMG＋H2ガスを反応炉１へ流入
させ、同時に反応炉１へ流入させていたパージ用
H2キヤリヤガスをベントライン１５へ流出させ
ることにより、GaAsのエピタキシヤル成長が達
成される。さらに、AlGaAsのエピタキシヤル成
長を行う場合には、切り換えバルブ２１ｂにより
ベントライン１５へ流出させていたTMA＋H2を
反応炉１へ流入させ、同時に反応炉１へ流入させ
ていたパージ用H2キヤリヤガスをベントライン
１５へ流出させることにより、AlGaAsのエピタ
キシヤル成長が達成される。こうして反応炉１に
供給された各原料ガスは、高周波誘導加熱コイル
２で加熱された基板４上あるいはその近傍で熱分
解し、エピタキシヤル層が堆積する。また、不純
物のドーピングにおいても同様に、希釈された原
料ガスが反応炉１に流入し、エピタキシヤル層に
取り込まれる。
切り換えバルブ２１ａによりベントライン１５へ
流出さけていたTMG＋H2ガスを反応炉１へ流入
させ、同時に反応炉１へ流入させていたパージ用
H2キヤリヤガスをベントライン１５へ流出させ
ることにより、GaAsのエピタキシヤル成長が達
成される。さらに、AlGaAsのエピタキシヤル成
長を行う場合には、切り換えバルブ２１ｂにより
ベントライン１５へ流出させていたTMA＋H2を
反応炉１へ流入させ、同時に反応炉１へ流入させ
ていたパージ用H2キヤリヤガスをベントライン
１５へ流出させることにより、AlGaAsのエピタ
キシヤル成長が達成される。こうして反応炉１に
供給された各原料ガスは、高周波誘導加熱コイル
２で加熱された基板４上あるいはその近傍で熱分
解し、エピタキシヤル層が堆積する。また、不純
物のドーピングにおいても同様に、希釈された原
料ガスが反応炉１に流入し、エピタキシヤル層に
取り込まれる。
ここで本発明の装置のガス切り換え動作を第２
図イ、及びロを参照して詳細に説明する。
図イ、及びロを参照して詳細に説明する。
第２図イは、原料ガス２２が反応炉１へ流入
し、エピタキシヤル成長が行われている場合の切
り換えバルブ２１ａ，２１ｂの動作を示してお
り、矢印はガスの流れ方向を、斜線部分は原料ガ
ス２２の流路を示している。この時、原料ガス２
２と同流量のH2キヤリアガス２３がベントライ
ン１５へ流出される。
し、エピタキシヤル成長が行われている場合の切
り換えバルブ２１ａ，２１ｂの動作を示してお
り、矢印はガスの流れ方向を、斜線部分は原料ガ
ス２２の流路を示している。この時、原料ガス２
２と同流量のH2キヤリアガス２３がベントライ
ン１５へ流出される。
第２図ロは、切り換えバルブ２１ａ，２１ｂに
よりガス流路を変更させる場合を示し、原料ガス
２２は反応路１からベントライン１５へ流路が変
わると同時にベントライン１５へ流出されていた
H2キヤリヤガス２３が反応炉１へ流入され、切
り換えバルブ内に残存している原料ガス２２が完
全にパージされる。
よりガス流路を変更させる場合を示し、原料ガス
２２は反応路１からベントライン１５へ流路が変
わると同時にベントライン１５へ流出されていた
H2キヤリヤガス２３が反応炉１へ流入され、切
り換えバルブ内に残存している原料ガス２２が完
全にパージされる。
このように原料ガス切り換え時に切り換えバル
ブ２１ａ，２１ｂ内に原料ガスの滞留部分が存在
せず、かつ反応炉１内の圧力、全ガス流量が変化
しない原料ガスの切り換えが可能となる。
ブ２１ａ，２１ｂ内に原料ガスの滞留部分が存在
せず、かつ反応炉１内の圧力、全ガス流量が変化
しない原料ガスの切り換えが可能となる。
上記実施例で示した有機金属気相成長装置を用
いてアンドープGaAsを成長させたところ、ｎ型
で残留キヤリヤ濃度1014〜1015cm-3のエピタキシ
ヤル層が再現性良く得られ、また、ジメチルジン
ク（DMZ）によるＰ型不純物ドーピングを行つ
た直後のアンドープGaAsエピタキシヤル層にお
いても残留キヤリヤ濃度1014〜1015cm-3のｎ型を
示し高品質なエピタキシヤル層が再現性良く得ら
れることが確認された。
いてアンドープGaAsを成長させたところ、ｎ型
で残留キヤリヤ濃度1014〜1015cm-3のエピタキシ
ヤル層が再現性良く得られ、また、ジメチルジン
ク（DMZ）によるＰ型不純物ドーピングを行つ
た直後のアンドープGaAsエピタキシヤル層にお
いても残留キヤリヤ濃度1014〜1015cm-3のｎ型を
示し高品質なエピタキシヤル層が再現性良く得ら
れることが確認された。
また、GaAsとAl0.5Ga0.5Asのヘテロ構造をエ
ピタキシヤル成長させ組織変化の急峻性を測定し
た結果、両者の遷移領域は１〜２原子層（＜５
Å）と見積もられ、非常に急峻な界面を形成する
ことが確認された。
ピタキシヤル成長させ組織変化の急峻性を測定し
た結果、両者の遷移領域は１〜２原子層（＜５
Å）と見積もられ、非常に急峻な界面を形成する
ことが確認された。
なお、上記実施例ではGaAs、AlGaAsの有機
金属気相成長装置を例に説明したが、本発明は
GaAs、AlGaAsに限定されるものではなく、ま
た反応炉の形状、圧力等にも一切限定されず、全
ての化合物半導体の有機金属気相成長装置に適応
できることは勿論である。
金属気相成長装置を例に説明したが、本発明は
GaAs、AlGaAsに限定されるものではなく、ま
た反応炉の形状、圧力等にも一切限定されず、全
ての化合物半導体の有機金属気相成長装置に適応
できることは勿論である。
以上のように本発明によれば、有機金属気相成
長装置において、原料ガス切り換え時にバルブ内
に原料ガスと滞留部分を除去し、かつ反応炉内の
圧力、全ガス流量が変化しないように原料ガスの
切り換えを行うことにより高品質な化合物半導体
層を再現性良くエピタキシヤル成長させ、さらに
急峻な組成変化及び不純物濃度変化を形成させる
ことが可能となる。
長装置において、原料ガス切り換え時にバルブ内
に原料ガスと滞留部分を除去し、かつ反応炉内の
圧力、全ガス流量が変化しないように原料ガスの
切り換えを行うことにより高品質な化合物半導体
層を再現性良くエピタキシヤル成長させ、さらに
急峻な組成変化及び不純物濃度変化を形成させる
ことが可能となる。
第１図は本発明による有機金属気相成長装置を
示す図、第２図イ、第２図ロは本発明装置に用い
られる切り換えバルブの動作説明図、第３図は従
来の有機金属気相成長装置を示す図である。 １……反応炉、２……高周波誘導加熱コイル、
３……サセプタ、４……基板、５ａ，５ｂ……恒
温槽、６……アルシンの容器、７ａ〜７ｊ……質
量流量計、８〜１１……バルブ、１２，１３，１
４，１７，１８……原料ガス供給ライン、１５…
…ベントライン、１６ａ，１６ｂ……ガス滞留領
域、１９，２０……キヤリヤガスライン、２１
ａ，２１ｂ……切り換えバルブ。
示す図、第２図イ、第２図ロは本発明装置に用い
られる切り換えバルブの動作説明図、第３図は従
来の有機金属気相成長装置を示す図である。 １……反応炉、２……高周波誘導加熱コイル、
３……サセプタ、４……基板、５ａ，５ｂ……恒
温槽、６……アルシンの容器、７ａ〜７ｊ……質
量流量計、８〜１１……バルブ、１２，１３，１
４，１７，１８……原料ガス供給ライン、１５…
…ベントライン、１６ａ，１６ｂ……ガス滞留領
域、１９，２０……キヤリヤガスライン、２１
ａ，２１ｂ……切り換えバルブ。
Claims (1)
- １ 希釈して流量調整した有機金属化合物を供給
する有機金属化合物供給手段と、希釈して流量調
整した水素化合物を供給する水素化合物供給手段
と、流量調整したパージ用ガスを供給するパージ
用ガス供給手段と、有機金属化合物供給手段とパ
ージ用ガス供給手段にそれぞれ配管を通して接続
された２つの入口ポート及び２つの出口ポートを
有する四方弁と、四方弁の一方の出口ポート及び
水素化合物供給手段に配管を通して接続された反
応炉と、四方弁の他方の出口ポートに接続された
排出用配管とを備え、前記四方弁の２つの入口ポ
ートには、流量調整された同流量の有機金属化合
物及びパージ用ガスがそれぞれ供給され、四方弁
の切り替えにより、互いに同流量の有機金属化合
物またはパージ用ガスが前記一方の出口ポートよ
り反応炉へ、前記他方の出口ポートより排出用配
管へ流出するようにしたことを特徴とする有機金
属気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10277087A JPS63268244A (ja) | 1987-04-25 | 1987-04-25 | 有機金属気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10277087A JPS63268244A (ja) | 1987-04-25 | 1987-04-25 | 有機金属気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63268244A JPS63268244A (ja) | 1988-11-04 |
| JPH0573322B2 true JPH0573322B2 (ja) | 1993-10-14 |
Family
ID=14336400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10277087A Granted JPS63268244A (ja) | 1987-04-25 | 1987-04-25 | 有機金属気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63268244A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1486707B1 (en) * | 2003-06-11 | 2007-11-21 | Asm International N.V. | Gas supply system, valve assembly and method of forming reactant pulses by operating a valve assembly |
| US8728239B2 (en) * | 2011-07-29 | 2014-05-20 | Asm America, Inc. | Methods and apparatus for a gas panel with constant gas flow |
-
1987
- 1987-04-25 JP JP10277087A patent/JPS63268244A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63268244A (ja) | 1988-11-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW518670B (en) | A method for fabricating a III-V nitride film and an apparatus for fabricating the same | |
| Haywood et al. | Growth of GaSb by MOVPE; Optimization of electrical quality with respect to growth rate, pressure, temperature and IIIV ratio | |
| JPH04162418A (ja) | 化学気相成長法 | |
| JP2789861B2 (ja) | 有機金属分子線エピタキシャル成長方法 | |
| JPS59188118A (ja) | 気相エピタキシヤル結晶の製造方法 | |
| JPH0654764B2 (ja) | 半絶縁性ガリウムヒ素形成方法 | |
| JPS63268244A (ja) | 有機金属気相成長装置 | |
| JP3052269B2 (ja) | 気相成長装置およびその成長方法 | |
| JPS6129915B2 (ja) | ||
| JPH0527598B2 (ja) | ||
| JPS60131968A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS6237000B2 (ja) | ||
| JPH03110829A (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| JP2743970B2 (ja) | 化合物半導体の分子線エピタキシャル成長法 | |
| JPH03232221A (ja) | 化合物半導体の気相成長方法 | |
| JPH11126754A (ja) | 有機金属気相成長方法 | |
| JPH0594949A (ja) | 半導体気相成長装置 | |
| JP3006776B2 (ja) | 気相成長方法 | |
| JPH02241030A (ja) | 亜鉛拡散方法 | |
| JPH04324623A (ja) | 気相成長装置および気相成長方法 | |
| JPH02122521A (ja) | 化合物半導体結晶層の製造方法 | |
| JPH0788276B2 (ja) | 気相エピタキシヤル成長方法 | |
| JPS59116191A (ja) | Ｉｎ系３−５族化合物半導体結晶の気相成長方法 | |
| JPH11312648A (ja) | 化合物半導体のエピタキシャル成長方法 | |
| JPS6290925A (ja) | 気相成長方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |