JPH057334A - Electronic still camera - Google Patents

Electronic still camera

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Publication number
JPH057334A
JPH057334A JP3148436A JP14843691A JPH057334A JP H057334 A JPH057334 A JP H057334A JP 3148436 A JP3148436 A JP 3148436A JP 14843691 A JP14843691 A JP 14843691A JP H057334 A JPH057334 A JP H057334A
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JP
Japan
Prior art keywords
value
average value
photometry
output
time
Prior art date
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Application number
JP3148436A
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Japanese (ja)
Inventor
Akira Kan
章 管
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Canon Inc
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Canon Inc
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Publication of JPH057334A publication Critical patent/JPH057334A/en
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  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 電子スチルカメラにおいて、測光によるレリ
ーズタイムラグを短縮する。 【構成】 電荷蓄積時間を(2)に設定して測光を開始
し、その測光における固体撮像素子の出力の平均値が上
限値を超えたときは電荷蓄積時間を(1)に設定して測
光し、下限値を超えたときは電荷蓄積時間を(3)に設
定して測光する。このように前記平均値が上限値と下限
値の範囲内に入るように制御し、範囲内に入ったときの
平均値にもとづいて所要の露出量を算出する。
(57) [Summary] [Purpose] To reduce the release time lag due to photometry in electronic still cameras. [Structure] When the charge accumulation time is set to (2) and photometry is started, and when the average value of the output of the solid-state image sensor in the photometry exceeds the upper limit value, the charge accumulation time is set to (1) and photometry is performed. If the lower limit is exceeded, the charge accumulation time is set to (3) and photometry is performed. In this way, the average value is controlled so as to fall within the range between the upper limit value and the lower limit value, and the required exposure amount is calculated based on the average value when it falls within the range.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、電子スチルカメラ(ス
チルビデオカメラともいう)に関し、特にその測光に関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic still camera (also called a still video camera), and more particularly to photometry thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】図5は従来の電子スチルカメラのブロッ
ク図である。図において、1はレンズユニット、2はレ
ンズ駆動モータであり、22はシャッタ、3は絞り、4
はシャッタ絞り駆動回路である。5は画像を電気信号に
変換する固体撮像素子であり、システム制御回路9の指
示により1H(水平走査期間)単位で電荷蓄積時間を可
変出来る機能がある。23はγ補正回路である。6は固
体撮像素子5の出力をアナログ−ディジタル変換するA
/D変換回路である。現状安価に得られるA/D変換回
路は8ビット分解能程度のものが多いのでγ補正回路2
3によってγ補正を行ってからA/D変換を行うことに
よって量子化ノイズの発生を抑えている。7はA/D変
換回路6の出力を記憶するフレームメモリである。9は
システム全体を制御するシステム制御回路である。10
はメモリ7の出力に対して帯域制限等の処理を行う撮像
信号処理回路である。11は撮像信号処理回路10の出
力をディジタル−アナログ変換するD/A変換回路であ
る。12はD/A変換回路11の出力をFM変調するF
M変調回路である。13はFM変調回路12の出力を電
流増幅するREC(記録)アンプである。14は磁気ヘ
ッド、15は記録媒体である磁気シート、16は磁気シ
ート15を回転させるモータ、17はモータの回転を安
定させるためのモータサーボ回路である。20はレリー
ズスイッチでありこのスイッチの投入とともに一連の撮
影動作が開始される。21はA/D変換回路6の信号の
平均値を算出する平均値算出回路である。
2. Description of the Related Art FIG. 5 is a block diagram of a conventional electronic still camera. In the figure, 1 is a lens unit, 2 is a lens drive motor, 22 is a shutter, 3 is an aperture, and 4
Is a shutter diaphragm drive circuit. Reference numeral 5 denotes a solid-state image sensor that converts an image into an electric signal, and has a function of changing the charge storage time in 1H (horizontal scanning period) units according to an instruction from the system control circuit 9. Reference numeral 23 is a γ correction circuit. Reference numeral 6 denotes A for performing analog-digital conversion on the output of the solid-state image sensor
It is a / D conversion circuit. Currently, most of the A / D conversion circuits that can be obtained at low cost have about 8-bit resolution, so the γ correction circuit 2
Generation of quantization noise is suppressed by performing A / D conversion after performing .gamma. A frame memory 7 stores the output of the A / D conversion circuit 6. A system control circuit 9 controls the entire system. 10
Is an imaging signal processing circuit that performs processing such as band limitation on the output of the memory 7. Reference numeral 11 is a D / A conversion circuit that performs digital-analog conversion on the output of the imaging signal processing circuit 10. Reference numeral 12 denotes an F that FM-modulates the output of the D / A conversion circuit 11.
It is an M modulation circuit. Reference numeral 13 is a REC (recording) amplifier that current-amplifies the output of the FM modulation circuit 12. Reference numeral 14 is a magnetic head, 15 is a magnetic sheet as a recording medium, 16 is a motor for rotating the magnetic sheet 15, and 17 is a motor servo circuit for stabilizing the rotation of the motor. Reference numeral 20 denotes a release switch. When the switch is turned on, a series of photographing operations is started. Reference numeral 21 is an average value calculation circuit for calculating the average value of the signals of the A / D conversion circuit 6.

【0003】図6は、よく用いられる固体撮像素子の一
例としてのインターライン型CCDの概念図である。図
において、102は光を電荷に変えて蓄積するフォトダ
イオード、103はフォトダイオード102から移され
た電荷を1Hに1段ずつ垂直に転送する垂直CCDであ
る。V1〜V4は垂直CCDの転送電極であり、V1は
フォトダイオード102の奇数行の電荷を垂直CCDに
転送する転送ゲートを兼ねている。また、V3は同様に
偶数行のフォトダイオード102に対応する転送ゲート
となっている。垂直CCDは4相の転送パルスで駆動さ
れる。104は、垂直CCD103より1Hに1段転送
されてくる電荷を水平に転送する水平CCDである。H
1,H2は水平CCDの転送電極であり、2相のパルス
で駆動される。105は電荷を電圧に変換し出力する出
力アンプである。Voutは出力端子である。106は
不要電荷を掃き捨てるためのトップドレインである。V
subは基板バイアス端子である。
FIG. 6 is a conceptual diagram of an interline CCD as an example of a solid-state image pickup element that is often used. In the figure, reference numeral 102 denotes a photodiode that converts light into electric charges and stores the electric charges, and reference numeral 103 denotes a vertical CCD that vertically transfers the electric charges transferred from the photodiode 102 to 1H step by step. V1 to V4 are transfer electrodes of the vertical CCD, and V1 also serves as a transfer gate for transferring the charges in the odd rows of the photodiode 102 to the vertical CCD. Similarly, V3 is a transfer gate corresponding to the photodiodes 102 in even rows. The vertical CCD is driven by four-phase transfer pulses. Reference numeral 104 denotes a horizontal CCD that horizontally transfers the charges transferred from the vertical CCD 103 one stage to 1H. H
Reference numerals 1 and H2 denote horizontal CCD transfer electrodes, which are driven by two-phase pulses. Reference numeral 105 denotes an output amplifier that converts charges into a voltage and outputs the voltage. Vout is an output terminal. Reference numeral 106 is a top drain for sweeping away unnecessary charges. V
Sub is a substrate bias terminal.

【0004】図7は図6に示すインターライン型CCD
の駆動タイミングを示す図である。図7において、時刻
t1から奇数フィールドの垂直ブランキング期間が開始
される。時刻t2に転送ゲートV1をハイレベルにして
奇数行の電荷を垂直CCD103に転送する。時刻t3
よりV1からV4に4相の駆動パルスを印加することに
よって1Hに1ラインずつ電荷を水平CCD104にシ
フトし水平方向に高速転送して読み出す。時刻t5で奇
数フィールドの電荷読出しを終了し偶数フィールドの垂
直ブランキング期間になる。時刻t6で転送ゲートV3
をハイレベルにすることによって偶数行の電荷を垂直C
CD103に転送し時刻t7から読出しを開始する。V
subに30V程度のパルスを与えることによってそれ
までにフォトダイオード102に蓄積されていた電荷を
基板方向に掃き捨てることが可能である。このことを利
用して電荷蓄積時間のコントロールが可能である。図7
の時刻t4は水平ブランキング期間であり、時刻t4に
図示のようにVsubにパルスを印加した場合、時刻t
4からt6迄がフォトダイオード102の電荷蓄積時間
となる。
FIG. 7 is an interline CCD shown in FIG.
It is a figure which shows the drive timing of. In FIG. 7, the vertical blanking period of the odd field starts from time t1. At time t2, the transfer gate V1 is set to the high level to transfer the charges in the odd rows to the vertical CCD 103. Time t3
By applying four-phase drive pulses from V1 to V4, the charges are shifted line by line to 1H to the horizontal CCD 104, and are transferred at high speed in the horizontal direction for reading. At time t5, the charge reading of the odd field is completed and the vertical blanking period of the even field starts. Transfer gate V3 at time t6
Is set to a high level, the charges of even rows are vertically C
The data is transferred to the CD 103 and the reading is started from time t7. V
By applying a pulse of about 30 V to the sub, it is possible to sweep away the charges accumulated in the photodiode 102 up to that time toward the substrate. This can be used to control the charge storage time. Figure 7
At time t4 is the horizontal blanking period, and when a pulse is applied to Vsub as shown at time t4,
The charge accumulation time of the photodiode 102 is from 4 to t6.

【0005】図8は図5の電子スチルカメラの動作シー
クエンスを示す図である。図において、時刻T0にレリ
ーズスイッチ20(図5参照)が投入されるとシャッタ
22が開き、一連の撮影シークエンスが開始される。時
刻T0からT1の間に、ある絞り値にて電荷蓄積時間を
変えながらM回の走査すなわち測光走査を行い固体撮像
素子5の出力の平均値より最適絞り値Avおよび最適シ
ャッタスピードTvを算出する。測光動作について説明
すると、まず絞り22を解放にして電荷蓄積時間を変え
ながらK回の走査を行い同時に平均値検出回路21にて
固体撮像素子5の出力の走査毎の平均値を検出する。電
荷蓄積時間は最初の走査では最大値(例えば1/30
秒)にし走査毎に前回走査の1/2の電荷蓄積時間に変
化させて行く。平均値算出回路21の出力である平均値
がある値の範囲内に入っていればその値からシステム制
御回路9にて適正露出量を得るシャッタスピードと絞り
値であるTvとAvを計算することが出来る。平均値が
大きすぎた場合は固体撮像素子5のエリアの大部分が飽
和していたと考えられる。また平均値が小さすぎた場合
はS/Nが悪すぎて適正露出量を得る際の計算の誤差が
大きくなりすぎるため画像の平均値が適正な範囲に入る
まで電荷蓄積時間を変えながら走査する。最小の電荷蓄
積時間にしても最適露出量が得られなかった場合は絞り
を1段絞って再び電荷蓄積時間を変えながらM回の走査
を行う。この動作を最適露出量が得られるまで繰り返
す。時刻T1からT2の間に、絞りをAvに設定しT2
に固体撮像素子5のVsubにリセットパルスを印加し
て全蓄積電荷を基板に掃き捨て本露出を開始する。時刻
T3にシャッタ22を閉じ本露出を終了する。次に時刻
T4からT5にかけて読出し走査を行うとともに磁気シ
ート15に処理信号を記録する。
FIG. 8 is a diagram showing an operation sequence of the electronic still camera shown in FIG. In the figure, when the release switch 20 (see FIG. 5) is turned on at time T0, the shutter 22 is opened and a series of photographing sequences is started. From time T0 to T1, scanning is performed M times, that is, photometric scanning while changing the charge storage time at a certain aperture value, and the optimal aperture value Av and the optimal shutter speed Tv are calculated from the average value of the output of the solid-state image sensor 5. .. The photometric operation will be described. First, the diaphragm 22 is opened and K times of scanning are performed while changing the charge accumulation time, and at the same time, the average value detection circuit 21 detects the average value of each output of the solid-state image sensor 5 for each scan. The charge storage time is the maximum value (eg 1/30) in the first scan.
Every second scan, the charge storage time is changed to 1/2 of the previous scan. If the average value which is the output of the average value calculation circuit 21 falls within a range of a certain value, the system control circuit 9 calculates the shutter speed and the aperture values Tv and Av for obtaining an appropriate exposure amount from the value. Can be done. If the average value is too large, it is considered that most of the area of the solid-state image sensor 5 is saturated. If the average value is too small, the S / N is too bad and the calculation error when obtaining the appropriate exposure amount becomes too large. Therefore, scanning is performed while changing the charge accumulation time until the average value of the image falls within the appropriate range. .. If the optimum exposure amount is not obtained even with the minimum charge storage time, the aperture is stopped by one step and the scanning is performed M times while changing the charge storage time again. This operation is repeated until the optimum exposure amount is obtained. From time T1 to T2, set the aperture to Av
Then, a reset pulse is applied to Vsub of the solid-state image sensor 5 to sweep away all the accumulated charges to the substrate and start the main exposure. At time T3, the shutter 22 is closed and the main exposure is finished. Next, from time T4 to T5, read scanning is performed and a processing signal is recorded on the magnetic sheet 15.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】通常、一般用のカメラ
で測光システムに要求される測光範囲は、EV値でEV
8からEV17程度までは最低限必要である。しかしな
がら前記従来例では最適露出量を決定するまでに最大1
0回の走査が必要であり、測光走査だけで絞りの切替え
時間を無視しても160ミリ秒以上の時間を要してしま
い、レリーズタイムラグが問題になる。
Generally, the metering range required for a metering system in a general-purpose camera is EV value EV.
A minimum of 8 to EV17 is required. However, in the above-mentioned conventional example, it takes a maximum of 1 to determine the optimum exposure amount.
Scanning is required 0 times, and even if the switching time of the diaphragm is neglected only by photometric scanning, it takes 160 milliseconds or more, which causes a release time lag.

【0007】本発明はこのような問題を解決するためな
されもので、測光によるレリーズタイムラグを短縮でき
る電子スチルカメラを提供することを目的とするもので
ある。
The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide an electronic still camera capable of reducing the release time lag due to photometry.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を達成
するため電子スチルカメラをつぎの(1)に示すとおり
に構成するものである。 (1)電荷蓄積時間が変更可能な固体撮像素子と、該固
体撮像素子の出力を直線特性で入力しその平均値又は積
分値を算出する平均値算出手段と、前記電荷蓄積時間を
N段階に設定する電荷蓄積時間設定手段と、前記N段階
の途中の段階から測光を開始し、その測光における前記
平均値算出手段の出力値が上限値を超えるときは電荷蓄
積時間を1段減らして更に測光し下限値を超えるときは
電荷蓄積時間を1段増して更に測光して前記平均値算出
手段の出力値が上限値と下限値の範囲内に入るように測
光状態を制御する測光制御手段と、前記平均値算出手段
の出力値が上限値とか下限値の範囲内に入ったときの当
該出力値にもとづいて所要の露出量を算出する露出量算
出手段とを備えた電子スチルカメラ。
According to the present invention, in order to achieve the above object, an electronic still camera is constructed as shown in the following (1). (1) A solid-state image sensor capable of changing a charge storage time, an average value calculating means for inputting an output of the solid-state image sensor with a linear characteristic and calculating an average value or an integrated value thereof, and the charge storage time in N stages. When the charge accumulation time setting means to be set and photometry is started from a stage in the middle of the N steps, and when the output value of the average value calculation means in the photometry exceeds the upper limit value, the charge accumulation time is reduced by one step to perform further photometry. When the value exceeds the lower limit value, the charge accumulation time is increased by one step, and further photometry is performed to control the photometric state so that the output value of the average value calculation means falls within the range between the upper limit value and the lower limit value. An electronic still camera comprising: an exposure amount calculation unit that calculates a required exposure amount based on the output value when the output value of the average value calculation unit falls within a range of an upper limit value or a lower limit value.

【0009】[0009]

【作用】固体撮像素子の出力を直線特性で入力しその平
均値又は積分値を算出するので、1段階の電荷蓄積時間
設定で複数EV値の範囲の測光ができ、又N段階の途中
の段階から測光を開始するので、結局測光に要する時間
が短かくてすむ。
Since the output of the solid-state image pickup device is inputted as a linear characteristic and the average value or integrated value thereof is calculated, photometry in a range of a plurality of EV values can be performed by setting the charge accumulation time in one step, and the step in the middle of N steps can be performed. Since photometry is started from, the time required for photometry is short after all.

【0010】[0010]

【実施例】以下本発明を実施例により詳しく説明する。
図2は本発明の一実施例である“電子スチルカメラ”の
ブロック図である。図において、図5と同一番号を付し
たブロックは同一の機能を有しており、異なっているの
は固体撮像素子5の出力に対するゲインを切り替る可変
ゲインアンプ24と可変ゲインアンプ24の出力に対し
てγ補正をオンオフできるよう構成した可変γ補正回路
25である。図1は固体撮像素子に一様な光量を与えた
ときの各電荷蓄積時間設定における固体撮像素子の平均
出力値の例を表にしたものである。この表の中で固体撮
像素子の出力値は、固体撮像素子の規格上保証されてい
る飽和出力値を3としたときの相対値で示している。こ
こで例として固体撮像素子の飽和の1/3程度の出力で
記録すべき信号のレベルが100%となるようなゲイン
設定を行うものとする。その場合画像信号の出力レベル
の平均値が記録信号レベルの100%に対して60%の
レベルであれば露出量が適正であったと判断することに
する。γ補正の係数を0.45とすると適正レベルを与
える固体撮像素子の出力の平均値は飽和を3とした場合
0.32となる。図1に示す例で電荷蓄積時間を6Hと
したときEV17で2.56、EV14で0.32とな
っている。同様に電荷蓄積時間を48Hにした場合、E
V14で2.56、EV11で0.32の値が得られ
る、同様に電荷蓄積時間を384Hに設定した場合、E
V11で2.56、EV8で0.32の値が得られる。
図2のA/D変換回路6の分解能が8ビットであれば2
56段階の分解能を持っているから2.56をフルスケ
ールになるようゲイン設定してやれば0.32程度まで
の値は精度よく表現できる。したがって1段階の電荷蓄
積時間で蓄積された固体撮像素子5の出力の平均値から
4EVに相当する範囲の測光データを得ることが可能で
ある。図3はこのような考え方に基づいて短時間に最適
露出量を求めるアルゴリズムを示すフロチャートであ
る。本実施例では電荷蓄積時間の段数Nは3としてい
る。N=3とすれば通常要求されるEV8から17の範
囲は充分測光することが出来る。
EXAMPLES The present invention will be described in detail below with reference to examples.
FIG. 2 is a block diagram of an "electronic still camera" which is an embodiment of the present invention. In the figure, blocks having the same numbers as those in FIG. 5 have the same functions, and are different in that the variable gain amplifier 24 for switching the gain with respect to the output of the solid-state image sensor 5 and the output of the variable gain amplifier 24 are different. On the other hand, the variable γ correction circuit 25 is configured to turn γ correction on and off. FIG. 1 is a table showing an example of an average output value of the solid-state image pickup device in each charge storage time setting when a uniform light amount is given to the solid-state image pickup device. In this table, the output value of the solid-state image sensor is shown as a relative value when the saturated output value guaranteed by the standard of the solid-state image sensor is 3. Here, as an example, it is assumed that the gain is set so that the level of the signal to be recorded becomes 100% at an output of about 1/3 of the saturation of the solid-state image sensor. In that case, if the average value of the output levels of the image signals is 60% with respect to 100% of the recording signal level, it is determined that the exposure amount is appropriate. When the coefficient of γ correction is 0.45, the average value of the output of the solid-state image pickup element that gives an appropriate level is 0.32 when the saturation is 3. In the example shown in FIG. 1, when the charge storage time is 6H, EV17 has 2.56, and EV14 has 0.32. Similarly, when the charge storage time is set to 48H, E
A value of 2.56 is obtained with V14 and a value of 0.32 is obtained with EV11. Similarly, when the charge storage time is set to 384H, E
A value of 2.56 is obtained with V11 and a value of 0.32 is obtained with EV8.
If the resolution of the A / D conversion circuit 6 in FIG.
Since it has a resolution of 56 steps, if a gain of 2.56 is set to a full scale, values up to about 0.32 can be expressed accurately. Therefore, it is possible to obtain the photometric data in the range corresponding to 4 EV from the average value of the output of the solid-state image sensor 5 accumulated in one step of charge accumulation time. FIG. 3 is a flowchart showing an algorithm for obtaining the optimum exposure amount in a short time based on such a concept. In this embodiment, the number N of stages of charge storage time is 3. If N = 3, the normally required range of EV8 to 17 can be measured sufficiently.

【0011】以下図3に基づいて本実施例の動作を説明
する。測光動作の開始とともにシステム制御回路9は絞
りを解放に、可変γ補正回路25のγ補正値を1に、可
変ゲインアンプ24のゲインをA/D変換回路6の入力
において固体撮像素子5の飽和出力がA/D変換回路6
のフルスケールとなるようなゲインに設定する(S1参
照)。次に図1の(2)に示す蓄積時間で蓄積し走査す
る(S2)。平均値算出回路21で平均値を算出しあら
かじめ設定された上限値よりも大きかった場合(S3
YES)は1/8の電荷蓄積時間である図1の蓄積時間
(1)の設定で蓄積し走査する(S4)。逆にあらかじ
め設定された下限値よりも小さかった場合(S3 N
O,S8 YES)は電荷蓄積時間を8倍すなわち図1
の蓄積時間(3)で蓄積し走査する(S9)。上限値と
下限値の中間であった場合は(S3NO,S8 N
O)、初期に設定した(2)の蓄積時間で蓄積したデー
タより最適露出量(所要の露出量)すなわち固体撮像素
子5の出力の平均値が飽和を3としたときに0.32と
なるような絞りとシャッタスピードの値を算出する(S
13)。蓄積時間(1)で走査(S4)しても平均値が
上限値よりも大であった場合(S5 YES)はカメラ
の追従できる光量の超えていると判断される(S7)。
上限値以下であれば(S5 NO)蓄積時間(1)のデ
ータの平均値より最適露出量を算出する。蓄積時間
(3)で蓄積しても下限値を下回ったときは(S10
YES)カメラの追従できる光量の範囲を下回っている
と判断される(S12)。下限値以上であれば(S10
NO)蓄積時間(3)の平均値から最適露出量を算出
する。記録時は可変ゲインアンプ24のゲインは固体撮
像素子5の飽和出力が記録信号の100%レベルを与え
るよう設定し、可変γ補正回路25のγ補正値は0.4
5に設定する。
The operation of this embodiment will be described below with reference to FIG. When the photometry operation is started, the system control circuit 9 releases the diaphragm, sets the γ correction value of the variable γ correction circuit 25 to 1, and the gain of the variable gain amplifier 24 to the saturation of the solid-state image sensor 5 at the input of the A / D conversion circuit 6. Output is A / D conversion circuit 6
The gain is set so as to be the full scale (see S1). Next, the data is accumulated and scanned for the accumulation time shown in (2) of FIG. 1 (S2). When the average value is calculated by the average value calculation circuit 21 and is larger than the preset upper limit value (S3
If "YES", the charge is accumulated for 1/8, and scanning is performed with the accumulation time (1) of FIG. 1 set (S4). On the contrary, when it is smaller than the preset lower limit value (S3 N
O, S8 YES) means that the charge storage time is eight times as long as in FIG.
The data is accumulated and scanned in the accumulation time (3) (S9). If it is between the upper limit and the lower limit (S3 NO, S8 N
O), the optimum exposure amount (required exposure amount) from the data accumulated for the initially set accumulation time (2), that is, the average value of the output of the solid-state image sensor 5 is 0.32 when the saturation is set to 3. Calculate the aperture and shutter speed values (S
13). If the average value is larger than the upper limit value even after scanning (S4) in the accumulation time (1) (YES in S5), it is determined that the amount of light that the camera can follow exceeds (S7).
If it is less than or equal to the upper limit value (S5 NO), the optimum exposure amount is calculated from the average value of the data of the accumulation time (1). If the value is below the lower limit even if the data is accumulated for the accumulation time (3) (S10
(YES) It is determined that the amount of light is below the range that the camera can follow (S12). If the lower limit value or more (S10
(NO) The optimum exposure amount is calculated from the average value of the accumulation time (3). During recording, the gain of the variable gain amplifier 24 is set so that the saturated output of the solid-state image sensor 5 gives a 100% level of the recording signal, and the γ correction value of the variable γ correction circuit 25 is 0.4.
Set to 5.

【0012】このように本実施例では、1度の測光で4
EVの範囲の測光ができ、また途中の段階から測光を開
始するので、測光に要する時間が短かくてすみ、測光に
よるレリーズタイムラグが短縮できる。
As described above, according to the present embodiment, it is possible to obtain 4 times with one photometry.
Since the photometry in the EV range can be performed and the photometry is started from the middle stage, the time required for the photometry can be short and the release time lag due to the photometry can be shortened.

【0013】図4は本発明の第2実施例のブロック図で
ある。図において、26は固体撮像素子5の飽和出力が
A/D変換回路6の出力において最大値を与えるような
ゲイン設定のアンプである。27,28はシステム制御
回路9によって制御されるスイッチである。第1実施例
から明らかなようにγ補正値は1と0.45の2通りで
よく、アンプゲインも通常撮影時と測光時の2とおりに
可変できれば充分であるから、本実施例では可変ゲイン
アンプ24と可変γ補正回路25の動作をスイッチ2
7,28とアンプ26によって実現する構成とした。測
光時はスイッチ27,28はアンプ側へスイッチされ、
記録時27,28はγ補正回路23の側へスイッチされ
る。
FIG. 4 is a block diagram of the second embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 26 is an amplifier having a gain setting such that the saturated output of the solid-state image sensor 5 gives the maximum value in the output of the A / D conversion circuit 6. 27 and 28 are switches controlled by the system control circuit 9. As is clear from the first embodiment, the γ correction value may be two kinds of 1 and 0.45, and it suffices that the amplifier gain can be changed in two ways during the normal shooting and the photometry. Therefore, in the present embodiment, the variable gain is variable. The operation of the amplifier 24 and the variable γ correction circuit 25 is switched to the switch 2
The configuration is realized by 7, 28 and the amplifier 26. During photometry, switches 27 and 28 are switched to the amplifier side,
During recording, 27 and 28 are switched to the γ correction circuit 23 side.

【0014】なお、固体撮像素子は電荷蓄積時間が微小
単位で可変できる構成であればインターライン型CCD
でなくとも本発明を実施することができる。平均値算出
のかわり積分値算出によって実施することもできる。
The solid-state image pickup device has an interline CCD if the charge storage time can be changed in minute units.
Alternatively, the present invention can be implemented. It is also possible to carry out by calculating an integral value instead of calculating the average value.

【0015】[0015]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
測光によるレリーズタイムラグが短縮できる。
As described above, according to the present invention,
The release time lag due to photometry can be shortened.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 第1実施例の説明図FIG. 1 is an explanatory diagram of a first embodiment.

【図2】 第1実施例のブロック図FIG. 2 is a block diagram of the first embodiment.

【図3】 第1実施例の動作を示すフローチャートFIG. 3 is a flowchart showing the operation of the first embodiment.

【図4】 第2実施例のブロック図FIG. 4 is a block diagram of a second embodiment.

【図5】 従来例のブロック図FIG. 5 is a block diagram of a conventional example.

【図6】 インターライン型CCDの概念図FIG. 6 is a conceptual diagram of an interline CCD.

【図7】 インターライン型CCDの駆動タイミングチ
ャート
FIG. 7 is a drive timing chart of an interline CCD.

【図8】 従来例の動作シーケンスを示す図FIG. 8 is a diagram showing an operation sequence of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

5 固体撮像素子 9 システム制御回路 21 平均値算出回路 25 可変γ補正回路 5 solid-state image sensor 9 system control circuit 21 average value calculation circuit 25 variable γ correction circuit

Claims (1)

【特許請求の範囲】 【請求項1】 電荷蓄積時間が変更可能な固体撮像素子
と、該固体撮像素子の出力を直線特性で入力しその平均
値又は積分値を算出する平均値算出手段と、前記電荷蓄
積時間をN段階に設定する電荷蓄積時間設定手段と、前
記N段階の途中の段階から測光を開始し、その測光にお
ける前記平均値算出手段の出力値が上限値を超えるとき
は電荷蓄積時間を1段減らして更に測光し下限値を超え
るときは電荷蓄積時間を1段増して更に測光して前記平
均値算出手段の出力値が上限値と下限値の範囲内に入る
ように測光状態を制御する測光制御手段と、前記平均値
算出手段の出力値が上限値と下限値の範囲内に入ったと
きの当該出力値にもとづいて所要の露出量を算出する露
出量算出手段とを備えたことを特徴とする電子スチルカ
メラ。
Claim: What is claimed is: 1. A solid-state image sensor capable of changing a charge storage time, and an average value calculating means for inputting an output of the solid-state image sensor with a linear characteristic and calculating an average value or an integrated value thereof. Charge accumulation time setting means for setting the charge accumulation time to N stages, and photometry is started from a stage in the middle of the N stages, and charge accumulation is performed when the output value of the average value calculation means in the photometry exceeds the upper limit value. When the time is reduced by one step and the photometric value is further exceeded and the lower limit value is exceeded, the charge accumulation time is increased by one step and the photometric value is further measured so that the output value of the average value calculating means falls within the range between the upper limit value and the lower limit value. And an exposure amount calculation unit for calculating a required exposure amount based on the output value when the output value of the average value calculation unit falls within the range of the upper limit value and the lower limit value. Electronic still characterized by Mera.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011070958A1 (en) 2009-12-08 2011-06-16 株式会社資生堂 Cleanser composition, method for generating foam, foam, and method for washing hair

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