JPH0573841A - 磁気ヘツド及びその製造方法 - Google Patents
磁気ヘツド及びその製造方法Info
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- JPH0573841A JPH0573841A JP13906891A JP13906891A JPH0573841A JP H0573841 A JPH0573841 A JP H0573841A JP 13906891 A JP13906891 A JP 13906891A JP 13906891 A JP13906891 A JP 13906891A JP H0573841 A JPH0573841 A JP H0573841A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 積層コア型磁気ヘッドにおいて、媒体摺接面
に偏摩耗等が生じず、且つ製造が容易な磁気ヘッド及び
その製造方法を提供する。 【構成】 非磁性基板としての第１の結晶化ガラス基板
１７、１７の一方の面に形成された積層薄膜３、３と第
２の結晶化ガラス基板１７’、１７’とを、その第２の
結晶化ガラス基板１７’、１７’の積層薄膜３、３と接
する面側に形成したガラス質を含有した領域１６、１６
のガラス質によって接合して、磁気ヘッドのコア半体１
５ａ、１５ｂを構成する。
に偏摩耗等が生じず、且つ製造が容易な磁気ヘッド及び
その製造方法を提供する。 【構成】 非磁性基板としての第１の結晶化ガラス基板
１７、１７の一方の面に形成された積層薄膜３、３と第
２の結晶化ガラス基板１７’、１７’とを、その第２の
結晶化ガラス基板１７’、１７’の積層薄膜３、３と接
する面側に形成したガラス質を含有した領域１６、１６
のガラス質によって接合して、磁気ヘッドのコア半体１
５ａ、１５ｂを構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波信号を効率よく記
録再生するのに好適な磁気ヘッドに関する。
録再生するのに好適な磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＶＴＲ等の高周波信号を記録再生
する装置においては、ビデオヘッド用磁性材料として高
周波損失の少ないフェライト材料が用いられている。し
かし、近年になって高品位ＶＴＲやデジタルＶＴＲのよ
うに更に広帯域の信号を取り扱うシステムの開発が盛ん
になってきており、記録媒体もこのような大量の情報を
記録するための高密度化の流れの中で酸化鉄系媒体から
合金粉末媒体や金属蒸着媒体等の高抗磁力媒体へ移行し
つつある。
する装置においては、ビデオヘッド用磁性材料として高
周波損失の少ないフェライト材料が用いられている。し
かし、近年になって高品位ＶＴＲやデジタルＶＴＲのよ
うに更に広帯域の信号を取り扱うシステムの開発が盛ん
になってきており、記録媒体もこのような大量の情報を
記録するための高密度化の流れの中で酸化鉄系媒体から
合金粉末媒体や金属蒸着媒体等の高抗磁力媒体へ移行し
つつある。
【０００３】これに対してフェライトヘッドではその最
大磁束密度が高々５０００ガウス程度であり、又短波長
信号を効率よく再生するためには狭ギャップにする必要
があり、上述のような保磁力ＨCが１０００Ｏe以上の高
抗磁力媒体ではギャップ先端部のフェライトコアが飽和
し、十分な記録ができない。そこで最大磁束密度の高い
センダストやアモルファス磁性合金等の金属磁性材料を
用いた磁気ヘッドの開発が行われているが、バルク状の
金属磁性材料を用いたのではうず電流による高周波信号
が大きく上記システムには適していない。
大磁束密度が高々５０００ガウス程度であり、又短波長
信号を効率よく再生するためには狭ギャップにする必要
があり、上述のような保磁力ＨCが１０００Ｏe以上の高
抗磁力媒体ではギャップ先端部のフェライトコアが飽和
し、十分な記録ができない。そこで最大磁束密度の高い
センダストやアモルファス磁性合金等の金属磁性材料を
用いた磁気ヘッドの開発が行われているが、バルク状の
金属磁性材料を用いたのではうず電流による高周波信号
が大きく上記システムには適していない。
【０００４】従来、このような欠点を解消するため、例
えば特開昭６２−１１９７０９号公報（Ｇ１１Ｂ ５／
１２７）等に開示されているような高周波用積層型磁気
ヘッドが提案されている。
えば特開昭６２−１１９７０９号公報（Ｇ１１Ｂ ５／
１２７）等に開示されているような高周波用積層型磁気
ヘッドが提案されている。
【０００５】図１１は高周波用積層型磁気ヘッドの外観
を示す斜視図、図１２は上記磁気ヘッドの媒体摺動面を
示す図である。
を示す斜視図、図１２は上記磁気ヘッドの媒体摺動面を
示す図である。
【０００６】図中、１ａ，１ｂはそれぞれ結晶化ガラ
ス、非磁性セラミックス等よりなる非磁性基板２，２，
２，２間にセンダスト等の強磁性金属膜４とＳｉＯ2等
の絶縁薄膜５との積層薄膜３よりなる主コア半体が狭持
されている第１，第２コア半体である。前記第１コア半
体１ａには巻線溝７及びガラス充填溝８が形成されてい
る。
ス、非磁性セラミックス等よりなる非磁性基板２，２，
２，２間にセンダスト等の強磁性金属膜４とＳｉＯ2等
の絶縁薄膜５との積層薄膜３よりなる主コア半体が狭持
されている第１，第２コア半体である。前記第１コア半
体１ａには巻線溝７及びガラス充填溝８が形成されてい
る。
【０００７】前記第１，第２コア半体１ａ，１ｂはその
ギャップ形成面同士が衝き合わされた状態で前期ガラス
充填溝８及び巻線溝７の上端に充填された低融点ガラス
９により接合されており、該接合面にはＳｉＯ2等介在
させてなる磁気ギャップ１０が形成されている。
ギャップ形成面同士が衝き合わされた状態で前期ガラス
充填溝８及び巻線溝７の上端に充填された低融点ガラス
９により接合されており、該接合面にはＳｉＯ2等介在
させてなる磁気ギャップ１０が形成されている。
【０００８】上記積層型磁気ヘッドの製造方法として
は、例えば特開昭５８−７０４１８号公報（Ｇ１１Ｂ
５／１６）に開示されている方法がある。
は、例えば特開昭５８−７０４１８号公報（Ｇ１１Ｂ
５／１６）に開示されている方法がある。
【０００９】この製造方法は、まず、図１３に示すよう
に非磁性基板２上に強磁性金属膜４と絶縁薄膜５とを交
互に被着して積層薄膜３を形成する。
に非磁性基板２上に強磁性金属膜４と絶縁薄膜５とを交
互に被着して積層薄膜３を形成する。
【００１０】次に、図１３に示す非磁性基板２を複数枚
用意し、該基板２を図１４に示すように複数枚積み重
ね、最上面の積層薄膜３上に非磁性基板２’を載置し、
封着ガラス１４を用いて一体化することにより積層ブロ
ック１１を形成する。
用意し、該基板２を図１４に示すように複数枚積み重
ね、最上面の積層薄膜３上に非磁性基板２’を載置し、
封着ガラス１４を用いて一体化することにより積層ブロ
ック１１を形成する。
【００１１】次に、前記積層ブロック１１を破線ｄ−
ｄ’、ｅ−ｅ’で切断して、図１５に示す積層ヘッドピ
ース１２を形成する。
ｄ’、ｅ−ｅ’で切断して、図１５に示す積層ヘッドピ
ース１２を形成する。
【００１２】次に、図１６に示すように前記積層ヘッド
ピース１２ａ，１２ｂを一対用意した後、図１７に示す
ように一方の積層ヘッドピース１２ａに巻線溝７及びガ
ラス充填溝８を形成し、その後、前記一対の積層ヘッド
ピース１２ａ，１２ｂを低融点ガラス９，９により接合
して積層ヘッドブロック１３を形成する。
ピース１２ａ，１２ｂを一対用意した後、図１７に示す
ように一方の積層ヘッドピース１２ａに巻線溝７及びガ
ラス充填溝８を形成し、その後、前記一対の積層ヘッド
ピース１２ａ，１２ｂを低融点ガラス９，９により接合
して積層ヘッドブロック１３を形成する。
【００１３】そして、最後に前記積層ヘッドブロック１
３の媒体摺接面側の端面にＲ加工を施した後、該ヘッド
ブロック１３を切断して図１１に示す磁気ヘッドが完成
する。
３の媒体摺接面側の端面にＲ加工を施した後、該ヘッド
ブロック１３を切断して図１１に示す磁気ヘッドが完成
する。
【００１４】然し乍ら、上記従来の磁気ヘッドでは、図
１２に示す積層薄膜３と非磁性基板２とをガラス接合す
るための数μｍ厚の封着ガラス１４としては、軟化点が
４００〜６００℃、ガラス接合時の溶解温度が５００〜
８００℃のものが主に使用されるが、この種の封着ガラ
ス１４は前記非磁性基板２，２に比べ化学的及び機械的
耐久性が劣るため、長時間にわたり磁気媒体を高速摺動
させると前記封着ガラス１４が偏摩耗する。
１２に示す積層薄膜３と非磁性基板２とをガラス接合す
るための数μｍ厚の封着ガラス１４としては、軟化点が
４００〜６００℃、ガラス接合時の溶解温度が５００〜
８００℃のものが主に使用されるが、この種の封着ガラ
ス１４は前記非磁性基板２，２に比べ化学的及び機械的
耐久性が劣るため、長時間にわたり磁気媒体を高速摺動
させると前記封着ガラス１４が偏摩耗する。
【００１５】また、上記封着ガラス１４，１４によるガ
ラス接合は、接合面の汚れによる気泡の発生が起こり易
く、前記気泡は媒体摺接面に孔を形成し、良好なヘッド
テープの走行系が得られないという問題も生じる。
ラス接合は、接合面の汚れによる気泡の発生が起こり易
く、前記気泡は媒体摺接面に孔を形成し、良好なヘッド
テープの走行系が得られないという問題も生じる。
【００１６】また、上記従来の製造方法は、量産性には
適しているが、図１４に示す積層ブロック１１を形成す
るには非磁性基板２の下面に封着ガラスを均一に形成し
て積層薄膜３の上面の非磁性基板２の下面とを大面積に
て接合する必要がある。このため、前記積層ブロック１
１においては、積層薄膜３と非磁性基板２との間にはガ
スが滞留するため、接合強度が低下したり、図１８に示
すように、封着ガラス１４の厚みのバラツキにより、積
層薄膜３のピッチＴＰ2、ＴＰ3にバラツキが生じるた
め、図１７において一対の積層ヘッドピース１２ａ，１
２ａを衝き合わせてギャップ接合する際、トラック幅が
バラツキ、製造歩留まりが悪化する。
適しているが、図１４に示す積層ブロック１１を形成す
るには非磁性基板２の下面に封着ガラスを均一に形成し
て積層薄膜３の上面の非磁性基板２の下面とを大面積に
て接合する必要がある。このため、前記積層ブロック１
１においては、積層薄膜３と非磁性基板２との間にはガ
スが滞留するため、接合強度が低下したり、図１８に示
すように、封着ガラス１４の厚みのバラツキにより、積
層薄膜３のピッチＴＰ2、ＴＰ3にバラツキが生じるた
め、図１７において一対の積層ヘッドピース１２ａ，１
２ａを衝き合わせてギャップ接合する際、トラック幅が
バラツキ、製造歩留まりが悪化する。
【００１７】上述のような欠点を解消した磁気ヘッド
を、本発明者は特願平２−１６８８０６号公報（Ｇ１１
Ｂ ５／３１）で提案している。
を、本発明者は特願平２−１６８８０６号公報（Ｇ１１
Ｂ ５／３１）で提案している。
【００１８】この先行技術の磁気ヘッドは、屈伏点が５
００〜８００℃の結晶化ガラスからなる第２の非磁性基
板と屈伏点が前記非磁性基板の屈伏点の温度近傍にあ
り、屈伏点の温度より高い結晶化ガラスかからなる第１
の非磁性基板が積層薄膜を狭持する構成を採っている。
前記第２の非磁性基板は、その屈伏点温度の加熱により
該基板を構成する結晶化ガラス中から染み出したガラス
質によって積層薄膜上に直接接合されるため、媒体摺接
面の積層薄膜と第１の非磁性基板との間に軟質な接合層
が露出せず、又気泡が発生することもない。
００〜８００℃の結晶化ガラスからなる第２の非磁性基
板と屈伏点が前記非磁性基板の屈伏点の温度近傍にあ
り、屈伏点の温度より高い結晶化ガラスかからなる第１
の非磁性基板が積層薄膜を狭持する構成を採っている。
前記第２の非磁性基板は、その屈伏点温度の加熱により
該基板を構成する結晶化ガラス中から染み出したガラス
質によって積層薄膜上に直接接合されるため、媒体摺接
面の積層薄膜と第１の非磁性基板との間に軟質な接合層
が露出せず、又気泡が発生することもない。
【００１９】然し乍ら、上記磁気ヘッドにおいては、第
１の非磁性基板と第２の非磁性基板の機械的特性を合わ
せるので、屈伏点が近接するような基板を使用する必要
があるため、接合時の加熱温度の制御等が困難であっ
た。又、第１、第２の非磁性基板の機械的特性等を完全
に一致することは不可能なので、ヘッドの機械的特性が
悪かった。又、接合時の加熱は、第２の非磁性基板の屈
伏点近傍であることが必要があるので、接合強度が比較
的弱かった。更に、非磁性基板の耐熱性が比較的低いた
め、アニール等の熱的プロセスに制約があった。
１の非磁性基板と第２の非磁性基板の機械的特性を合わ
せるので、屈伏点が近接するような基板を使用する必要
があるため、接合時の加熱温度の制御等が困難であっ
た。又、第１、第２の非磁性基板の機械的特性等を完全
に一致することは不可能なので、ヘッドの機械的特性が
悪かった。又、接合時の加熱は、第２の非磁性基板の屈
伏点近傍であることが必要があるので、接合強度が比較
的弱かった。更に、非磁性基板の耐熱性が比較的低いた
め、アニール等の熱的プロセスに制約があった。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来の欠
点に鑑み為されたものであり、媒体摺接面に露出したガ
ラスに偏摩耗や気泡による孔が生じ、媒体との当りが劣
化するのを防止すると共に、製造工程が容易である磁気
ヘッドを提供するものである。
点に鑑み為されたものであり、媒体摺接面に露出したガ
ラスに偏摩耗や気泡による孔が生じ、媒体との当りが劣
化するのを防止すると共に、製造工程が容易である磁気
ヘッドを提供するものである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気ヘッドは、
第１の非磁性基板上に磁性材料からなる薄膜を形成し、
該薄膜上に第２の非磁性基板を接合してなる一対の第
１，第２コア半体を有し、該第１、第２コア半体の前記
薄膜の端面同士を磁気ギャップとなる非磁性材料を介し
て衝き合わせてなる磁気ヘッドにおいて、第２の非磁性
基板は前記薄膜と接する側にガラス質を含有する領域を
形成し、該領域が前記薄膜と融着接合されてなることを
特徴とする。
第１の非磁性基板上に磁性材料からなる薄膜を形成し、
該薄膜上に第２の非磁性基板を接合してなる一対の第
１，第２コア半体を有し、該第１、第２コア半体の前記
薄膜の端面同士を磁気ギャップとなる非磁性材料を介し
て衝き合わせてなる磁気ヘッドにおいて、第２の非磁性
基板は前記薄膜と接する側にガラス質を含有する領域を
形成し、該領域が前記薄膜と融着接合されてなることを
特徴とする。
【００２２】本発明の磁気ヘッドの製造方法は、第１の
非磁性基板上に磁性材料からなる薄膜を形成し、該薄膜
上に第２の非磁性基板を接合してなる一対の第１，第２
コア半体を有し、該第１、第２コア半体の前記薄膜の端
面同士を磁気ギャップとなる非磁性材料を介して衝き合
わせてなる磁気ヘッドの製造方法において、非磁性基板
の一方の面側にガラス質を含有させ、他方の面に磁性材
料からなる薄膜を形成して積層基板を作製する工程と、
前記積層基板を複数積層して融着固定して積層ブロック
を作製する工程と、積層ブロックを切断加工して積層ヘ
ッドピースを作製する工程と、一対の積層ヘッドピース
を絶縁膜を介して衝き合わせる工程を有する。
非磁性基板上に磁性材料からなる薄膜を形成し、該薄膜
上に第２の非磁性基板を接合してなる一対の第１，第２
コア半体を有し、該第１、第２コア半体の前記薄膜の端
面同士を磁気ギャップとなる非磁性材料を介して衝き合
わせてなる磁気ヘッドの製造方法において、非磁性基板
の一方の面側にガラス質を含有させ、他方の面に磁性材
料からなる薄膜を形成して積層基板を作製する工程と、
前記積層基板を複数積層して融着固定して積層ブロック
を作製する工程と、積層ブロックを切断加工して積層ヘ
ッドピースを作製する工程と、一対の積層ヘッドピース
を絶縁膜を介して衝き合わせる工程を有する。
【００２３】又、本発明の磁気ヘッドの製造方法は、第
１の非磁性基板上に磁性材料からなる薄膜を形成し、該
薄膜上に第２の非磁性基板を接合してなる一対の第１，
第２コア半体を有し、該第１、第２コア半体の前記薄膜
の端面同士を磁気ギャップとなる非磁性材料を介して衝
き合わせてなる磁気ヘッドの製造方法において、第１非
磁性基板の両方の面側にガラス質を含有させる工程と、
第２非磁性基板の一方の面に磁性材料からなる薄膜を形
成して作製する工程と、前記第１非磁性基板と第２非磁
性基板を交互に複数積層して融着固定して積層ブロック
を作製する工程と、積層ブロックを切断加工して積層ヘ
ッドピースを作製する工程と、一対の積層ヘッドピース
を絶縁膜を介して衝き合わせる工程を有する。
１の非磁性基板上に磁性材料からなる薄膜を形成し、該
薄膜上に第２の非磁性基板を接合してなる一対の第１，
第２コア半体を有し、該第１、第２コア半体の前記薄膜
の端面同士を磁気ギャップとなる非磁性材料を介して衝
き合わせてなる磁気ヘッドの製造方法において、第１非
磁性基板の両方の面側にガラス質を含有させる工程と、
第２非磁性基板の一方の面に磁性材料からなる薄膜を形
成して作製する工程と、前記第１非磁性基板と第２非磁
性基板を交互に複数積層して融着固定して積層ブロック
を作製する工程と、積層ブロックを切断加工して積層ヘ
ッドピースを作製する工程と、一対の積層ヘッドピース
を絶縁膜を介して衝き合わせる工程を有する。
【００２４】
【作用】上記の磁気ヘッドによれば、第２の非磁性基板
は加熱により該非磁性基板中に含有されるガラス質によ
って薄膜上に融着されるため、媒体摺接面の薄膜と前記
非磁性基板との間に軟質な接合層が生じず、又、気泡が
発生することもない。更に、非磁性基板の屈伏点より低
い温度をもつ前記ガラス質の屈伏点の温度によって、上
記薄膜と非磁性基板の接合温度の設定されることになる
ので、製造工程が容易になる。
は加熱により該非磁性基板中に含有されるガラス質によ
って薄膜上に融着されるため、媒体摺接面の薄膜と前記
非磁性基板との間に軟質な接合層が生じず、又、気泡が
発生することもない。更に、非磁性基板の屈伏点より低
い温度をもつ前記ガラス質の屈伏点の温度によって、上
記薄膜と非磁性基板の接合温度の設定されることになる
ので、製造工程が容易になる。
【００２５】
【実施例】以下、図１〜図１０を参照しつつ本発明の一
実施例を詳細に説明する。図１は本実施例の磁気ヘッド
の外観を示す斜視図、図２は磁気ヘッドの媒体摺接面を
示す図であり、図１１及び図１２と同一部分には同一符
号を付し、その説明を割愛する。
実施例を詳細に説明する。図１は本実施例の磁気ヘッド
の外観を示す斜視図、図２は磁気ヘッドの媒体摺接面を
示す図であり、図１１及び図１２と同一部分には同一符
号を付し、その説明を割愛する。
【００２６】本実施例の第１，第２コア半体１５ａ，１
５ｂは、それぞれ結晶化ガラス等からなる第１の非磁性
基板１７，１７上に積層薄膜３，３が被着形成され、結
晶化ガラス等からなる第２の非磁性基板１７’，１７’
は、前記積層薄膜３，３と接する面側にＮａ2Ｏ−Ｂ2Ｏ
3−ＳｉＯ2系（例えば、屈伏点：４６０℃）、ＺｎＯ−
Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系（例えば、屈伏点：５１０℃）又は
Ｎａ2Ｏ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系（例えば、屈伏点：５３
０℃）等のガラス質（非晶質）を前記面から基板内部の
方向に該ガラス質の濃度が減少するように含有した１〜
２０μｍ厚の含有領域１６、１６を有し、該基板１
７’，１７’の前記含有領域１６、１６のガラス質によ
り前記積層薄膜３，３と接合固定された構成となってい
る。
５ｂは、それぞれ結晶化ガラス等からなる第１の非磁性
基板１７，１７上に積層薄膜３，３が被着形成され、結
晶化ガラス等からなる第２の非磁性基板１７’，１７’
は、前記積層薄膜３，３と接する面側にＮａ2Ｏ−Ｂ2Ｏ
3−ＳｉＯ2系（例えば、屈伏点：４６０℃）、ＺｎＯ−
Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系（例えば、屈伏点：５１０℃）又は
Ｎａ2Ｏ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系（例えば、屈伏点：５３
０℃）等のガラス質（非晶質）を前記面から基板内部の
方向に該ガラス質の濃度が減少するように含有した１〜
２０μｍ厚の含有領域１６、１６を有し、該基板１
７’，１７’の前記含有領域１６、１６のガラス質によ
り前記積層薄膜３，３と接合固定された構成となってい
る。
【００２７】第１の非磁性基板１７及び第２の非磁性基
板１７’の材料としては、ＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2
系（例えば、屈伏点：１０００℃）、Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2
系（例えば、屈伏点：８５０℃）又はＬｉ2Ｏ−ＺｎＯ
−ＳｉＯ2系（例えば、屈伏点：９００℃）等の結晶化
ガラスで構成されており、十分な耐熱性を有している。
板１７’の材料としては、ＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2
系（例えば、屈伏点：１０００℃）、Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2
系（例えば、屈伏点：８５０℃）又はＬｉ2Ｏ−ＺｎＯ
−ＳｉＯ2系（例えば、屈伏点：９００℃）等の結晶化
ガラスで構成されており、十分な耐熱性を有している。
【００２８】上記含有領域１６、１６は、屈伏点の低い
上記ガラス質の濃度の増加と共に、屈伏点温度が低下す
るので、該ガラス質の濃度を調整することにより含有領
域１６、１６の表面での屈伏点温度を適当な温度、例え
ば６００〜８００℃に調整でき、従って、この含有領域
１６中のガラスにより上記６００〜８００℃で接合する
ことができる。
上記ガラス質の濃度の増加と共に、屈伏点温度が低下す
るので、該ガラス質の濃度を調整することにより含有領
域１６、１６の表面での屈伏点温度を適当な温度、例え
ば６００〜８００℃に調整でき、従って、この含有領域
１６中のガラスにより上記６００〜８００℃で接合する
ことができる。
【００２９】又、上記含有領域１６、１６の厚みは、非
磁性基板１７’とガラス質の材質の組み合わせ及び加熱
圧着条件を適宜変更することにより、１〜２０μｍ厚程
度の範囲で形成することができる。
磁性基板１７’とガラス質の材質の組み合わせ及び加熱
圧着条件を適宜変更することにより、１〜２０μｍ厚程
度の範囲で形成することができる。
【００３０】次に、上記実施例の磁気ヘッドの製造方法
について説明する。
について説明する。
【００３１】先づ、図３に示すようにＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3
−ＳｉＯ2系の結晶化ガラスからなる非磁性基板１７の
上面に例えばＮａ2Ｏ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系からなる接合
ガラス板６を載置する。次に、この状態で加熱圧着（例
えば、２ｋｇ／ｃｍ2，７００℃で１時間保持）するこ
とにより、接合ガラス板６が接する非磁性基板１７の表
面（界面）で、接合ガラス板６のガラス質が拡散反応を
起こし、図４に示すように非磁性基板１７の表面には、
ガラス質が前記表面から基板内部の方向に該ガラス質の
濃度が連続的に減少するように含有した１〜２０μｍ厚
の含有領域１６が形成される 次に、図５に示すように非磁性基板１７上の含有領域１
６が残存するように未反応の接合ガラス板６を研摩、研
削又はエッチング等により除去する。
−ＳｉＯ2系の結晶化ガラスからなる非磁性基板１７の
上面に例えばＮａ2Ｏ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系からなる接合
ガラス板６を載置する。次に、この状態で加熱圧着（例
えば、２ｋｇ／ｃｍ2，７００℃で１時間保持）するこ
とにより、接合ガラス板６が接する非磁性基板１７の表
面（界面）で、接合ガラス板６のガラス質が拡散反応を
起こし、図４に示すように非磁性基板１７の表面には、
ガラス質が前記表面から基板内部の方向に該ガラス質の
濃度が連続的に減少するように含有した１〜２０μｍ厚
の含有領域１６が形成される 次に、図５に示すように非磁性基板１７上の含有領域１
６が残存するように未反応の接合ガラス板６を研摩、研
削又はエッチング等により除去する。
【００３２】次に、図６に示すように非磁性基板１７の
含有領域１６が形成された面と逆の面にスパッタ法等の
真空薄膜形成技術により、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金また
はＣｏを主成分とするアモルファス合金等の強磁性金属
膜４とＳｉＯ2等の絶縁薄膜５を交互に積層し、積層薄
膜３を作製し、更に、後述する接合の強度を向上するた
めに、前記積層薄膜３の上面にはＳｉＯ2、Ｔｉ2Ｏ、Ｚ
ｎＯ等からなる０．１〜０．５μｍ厚の保護膜２５を形
成して積層基板１８を作製する。
含有領域１６が形成された面と逆の面にスパッタ法等の
真空薄膜形成技術により、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金また
はＣｏを主成分とするアモルファス合金等の強磁性金属
膜４とＳｉＯ2等の絶縁薄膜５を交互に積層し、積層薄
膜３を作製し、更に、後述する接合の強度を向上するた
めに、前記積層薄膜３の上面にはＳｉＯ2、Ｔｉ2Ｏ、Ｚ
ｎＯ等からなる０．１〜０．５μｍ厚の保護膜２５を形
成して積層基板１８を作製する。
【００３３】次に、図７に示すように上記積層基板１８
を複数枚積層し、更にその最上面に含有領域１６を持つ
非磁性基板１７と、その最下面に積層薄膜３を持つ非磁
性基板１７を配置し、含有領域１６の屈伏点温度６００
〜８００℃で加熱圧着（望ましくは、加圧２ｋｇ／ｃｍ
2，保持時間１時間程度）して、積層一体化された積層
ブロック１９が作製される。
を複数枚積層し、更にその最上面に含有領域１６を持つ
非磁性基板１７と、その最下面に積層薄膜３を持つ非磁
性基板１７を配置し、含有領域１６の屈伏点温度６００
〜８００℃で加熱圧着（望ましくは、加圧２ｋｇ／ｃｍ
2，保持時間１時間程度）して、積層一体化された積層
ブロック１９が作製される。
【００３４】次に、前記積層ブロック１９を破線ｄ−
ｄ’、ｅ−ｅ’に沿って切断して図８に示すように一対
の積層ヘッドピース２０ａ，２０ｂを形成する。
ｄ’、ｅ−ｅ’に沿って切断して図８に示すように一対
の積層ヘッドピース２０ａ，２０ｂを形成する。
【００３５】次に、図９に示すように一方の積層ヘッド
ピース２０ａに巻線溝７及びガラス充填溝８を形成し、
その後、前記一対の積層ヘッドピース２０ａ，２０ｂを
溶融温度が前記含有領域１６の屈伏点よりも低い低融点
の封着ガラス９’，９’により接合して積層ヘッドブロ
ック２１を形成する。
ピース２０ａに巻線溝７及びガラス充填溝８を形成し、
その後、前記一対の積層ヘッドピース２０ａ，２０ｂを
溶融温度が前記含有領域１６の屈伏点よりも低い低融点
の封着ガラス９’，９’により接合して積層ヘッドブロ
ック２１を形成する。
【００３６】最後に、前記積層ヘッドブロック２１の媒
体摺接側の端面にＲ付加工を施した後、該ヘッドブロッ
ク２１の前記非磁性基板１７を第１の非磁性基板１７と
第２の非磁性基板１７’になるように切断し、積層薄膜
３が第１，第２の非磁性基板１７，１７’に狭持された
図１に示す本実施例の磁気ヘッドを完成する。
体摺接側の端面にＲ付加工を施した後、該ヘッドブロッ
ク２１の前記非磁性基板１７を第１の非磁性基板１７と
第２の非磁性基板１７’になるように切断し、積層薄膜
３が第１，第２の非磁性基板１７，１７’に狭持された
図１に示す本実施例の磁気ヘッドを完成する。
【００３７】上述の本実施例の磁気ヘッドでは、非磁性
基板１７，１７’の屈伏点の温度より低い任意の温度の
屈伏点を有する含有領域１６を形成でき、含有領域１６
の表面の屈伏点近傍の温度から非磁性基板１７，１７’
の屈伏点の温度より低い適当な温度で加熱することによ
り、該含有領域１６に含有されたガラス質により積層薄
膜３上に非磁性基板１７’が直接融着接合されている。
このため、図２に示すように積層薄膜３と第２の非磁性
基板１７’との間には軟質な接合層が形成されない。
又、非磁性基板１７，１７’の屈伏点温度より低い温度
で接合できるので、接合温度の設定の自由度が高く、含
有領域１６の屈伏点より高い温度でも接合でき、堅固な
接合が得られる。又、非磁性基板１７，１７’の屈伏点
よりかなり低い温度で接合できるので、接合時の温度制
御が容易であり、製造が容易である。
基板１７，１７’の屈伏点の温度より低い任意の温度の
屈伏点を有する含有領域１６を形成でき、含有領域１６
の表面の屈伏点近傍の温度から非磁性基板１７，１７’
の屈伏点の温度より低い適当な温度で加熱することによ
り、該含有領域１６に含有されたガラス質により積層薄
膜３上に非磁性基板１７’が直接融着接合されている。
このため、図２に示すように積層薄膜３と第２の非磁性
基板１７’との間には軟質な接合層が形成されない。
又、非磁性基板１７，１７’の屈伏点温度より低い温度
で接合できるので、接合温度の設定の自由度が高く、含
有領域１６の屈伏点より高い温度でも接合でき、堅固な
接合が得られる。又、非磁性基板１７，１７’の屈伏点
よりかなり低い温度で接合できるので、接合時の温度制
御が容易であり、製造が容易である。
【００３８】又、含有領域１６から、気泡が発生するこ
とはなく、媒体摺接面には気泡による孔は全く発生しな
い。
とはなく、媒体摺接面には気泡による孔は全く発生しな
い。
【００３９】又、含有領域１６は結晶化ガラス材がベー
スと成っているので、偏摩耗が起こらず、更に、含有領
域１６に含まれるガラス質の濃度が連続的に変化するの
で、機械的特性、摩耗特性等が良好である。
スと成っているので、偏摩耗が起こらず、更に、含有領
域１６に含まれるガラス質の濃度が連続的に変化するの
で、機械的特性、摩耗特性等が良好である。
【００４０】又、本実施例の製造方法では、上述したよ
うに第１，第２の非磁性基板１７，１７’はその屈伏点
温度より低い温度で加熱するので、外形が変化せず、又
含有領域１６も外形変化が起こらないので、図１８の積
層ブロック１９における積層薄膜３のピッチを非磁性基
板１７の厚みにより高精度に設定できる。
うに第１，第２の非磁性基板１７，１７’はその屈伏点
温度より低い温度で加熱するので、外形が変化せず、又
含有領域１６も外形変化が起こらないので、図１８の積
層ブロック１９における積層薄膜３のピッチを非磁性基
板１７の厚みにより高精度に設定できる。
【００４１】本発明の磁気ヘッド及びその製造方法は、
上記実施例に限定されず適宜変更が可能である。例え
ば、上記ヘッドでは、積層薄膜を磁気コアとしている
が、磁性膜単体からなる磁気コアでもよい。又、上記製
造方法では、含有領域を形成するのに接合ガラス板を用
いているが、結晶化ガラスからなる非磁性基板上にスク
リーン印刷でガラスぺーストの塗布、またはスパッタ等
でガラス層を形成した後、加熱して含有領域を形成する
ようにしてもよい。
上記実施例に限定されず適宜変更が可能である。例え
ば、上記ヘッドでは、積層薄膜を磁気コアとしている
が、磁性膜単体からなる磁気コアでもよい。又、上記製
造方法では、含有領域を形成するのに接合ガラス板を用
いているが、結晶化ガラスからなる非磁性基板上にスク
リーン印刷でガラスぺーストの塗布、またはスパッタ等
でガラス層を形成した後、加熱して含有領域を形成する
ようにしてもよい。
【００４２】更に、図１０に示すように含有領域１６，
１６を両面に形成した非磁性基板１７と積層薄膜３を形
成した非磁性基板１７を交互に積層して積層ブロックを
作製しても同様に本発明の磁気ヘッドが完成できる。
１６を両面に形成した非磁性基板１７と積層薄膜３を形
成した非磁性基板１７を交互に積層して積層ブロックを
作製しても同様に本発明の磁気ヘッドが完成できる。
【００４３】更に、含有領域１６はそのガラス質濃度が
上述のように変化せずとも同様の効果がある。
上述のように変化せずとも同様の効果がある。
【００４４】
【発明の効果】本発明によれば、媒体摺接面に偏摩耗等
が生じず、媒体との当りが劣化するのを防止できると共
に、製造工程に於ける接合時の温度制御当が容易である
磁気ヘッドとその製造方法を提供し得る。
が生じず、媒体との当りが劣化するのを防止できると共
に、製造工程に於ける接合時の温度制御当が容易である
磁気ヘッドとその製造方法を提供し得る。
【図１】本発明に係る磁気ヘッドの一実施例の外観を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図２】上記磁気ヘッドの媒体摺接面を示す図である。
【図３】上記磁気ヘッドの製造工程を示す斜視図であ
る。
る。
【図４】上記磁気ヘッドの製造工程を示す要部の断面図
である。
である。
【図５】上記磁気ヘッドの製造工程を示す要部の断面図
である。
である。
【図６】上記磁気ヘッドの製造工程を示す斜視図であ
る。
る。
【図７】上記磁気ヘッドの製造工程を示す斜視図であ
る。
る。
【図８】上記磁気ヘッドの製造工程を示す斜視図であ
る。
る。
【図９】上記磁気ヘッドの製造工程を示す斜視図であ
る。
る。
【図10】本発明に係る磁気ヘッドの他の実施例の製造工
程を示す斜視図である。
程を示す斜視図である。
【図11】従来例に係る磁気ヘッドの外観を示す斜視図で
ある。
ある。
【図12】上記磁気ヘッドの媒体摺接面を示す図である。
【図13】上記磁気ヘッドの製造工程を示す斜視図であ
る。
る。
【図14】上記磁気ヘッドの製造工程を示す斜視図であ
る。
る。
【図15】上記磁気ヘッドの製造工程を示す斜視図であ
る。
る。
【図16】上記磁気ヘッドの製造工程を示す斜視図であ
る。
る。
【図17】上記磁気ヘッドの製造工程を示す斜視図であ
る。
る。
【図18】上記磁気ヘッドの積層薄膜のピッチを示す図で
ある。
ある。
３ 積層薄膜 １０ 磁気ギャップ １５ａ 第１コア半体 １５ｂ 第２コア半体 １６ 含有領域 １７ 第１の非磁性基板 １７’ 第２の非磁性基板 １８ 積層基板 １９ 積層ブロック ２０ 積層ヘッドピース ２１ 積層ヘッドブロック
【手続補正書】
【提出日】平成４年１０月１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の詳細な説明
【補正方法】追加
【補正内容】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波信号を効率よく記
録再生するのに好適な磁気ヘッドに関する。
録再生するのに好適な磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＶＴＲ等の高周波信号を記録再生
する装置においては、ビデオヘッド用磁性材料として高
周波損失の少ないフェライト材料が用いられている。し
かし、近年になって高品位ＶＴＲやデジタルＶＴＲのよ
うに更に広帯域の信号を取り扱うシステムの開発が盛ん
になってきており、記録媒体もこのような大量の情報を
記録するための高密度化の流れの中で酸化鉄系媒体から
合金粉末媒体や金属蒸着媒体等の高抗磁力媒体へ移行し
つつある。
する装置においては、ビデオヘッド用磁性材料として高
周波損失の少ないフェライト材料が用いられている。し
かし、近年になって高品位ＶＴＲやデジタルＶＴＲのよ
うに更に広帯域の信号を取り扱うシステムの開発が盛ん
になってきており、記録媒体もこのような大量の情報を
記録するための高密度化の流れの中で酸化鉄系媒体から
合金粉末媒体や金属蒸着媒体等の高抗磁力媒体へ移行し
つつある。
【０００３】これに対してフェライトヘッドではその最
大磁束密度が高々５０００ガウス程度であり、又短波長
信号を効率よく再生するためには狭ギャップにする必要
があり、上述のような保磁力ＨCが１０００Ｏe以上の高
抗磁力媒体ではギャップ先端部のフェライトコアが飽和
し、十分な記録ができない。そこで最大磁束密度の高い
センダストやアモルファス磁性合金等の金属磁性材料を
用いた磁気ヘッドの開発が行われているが、バルク状の
金属磁性材料を用いたのではうず電流による高周波信号
が大きく上記システムには適していない。
大磁束密度が高々５０００ガウス程度であり、又短波長
信号を効率よく再生するためには狭ギャップにする必要
があり、上述のような保磁力ＨCが１０００Ｏe以上の高
抗磁力媒体ではギャップ先端部のフェライトコアが飽和
し、十分な記録ができない。そこで最大磁束密度の高い
センダストやアモルファス磁性合金等の金属磁性材料を
用いた磁気ヘッドの開発が行われているが、バルク状の
金属磁性材料を用いたのではうず電流による高周波信号
が大きく上記システムには適していない。
【０００４】従来、このような欠点を解消するため、例
えば特開昭６２−１１９７０９号公報（Ｇ１１Ｂ ５／
１２７）等に開示されているような高周波用積層型磁気
ヘッドが提案されている。
えば特開昭６２−１１９７０９号公報（Ｇ１１Ｂ ５／
１２７）等に開示されているような高周波用積層型磁気
ヘッドが提案されている。
【０００５】図１１は高周波用積層型磁気ヘッドの外観
を示す斜視図、図１２は上記磁気ヘッドの媒体摺動面を
示す図である。
を示す斜視図、図１２は上記磁気ヘッドの媒体摺動面を
示す図である。
【０００６】図中、１ａ，１ｂはそれぞれ結晶化ガラ
ス、非磁性セラミックス等よりなる非磁性基板２，２，
２，２間にセンダスト等の強磁性金属膜４とＳｉＯ2等
の絶縁薄膜５との積層薄膜３よりなる主コア半体が狭持
されている第１，第２コア半体である。前記第１コア半
体１ａには巻線溝７及びガラス充填溝８が形成されてい
る。
ス、非磁性セラミックス等よりなる非磁性基板２，２，
２，２間にセンダスト等の強磁性金属膜４とＳｉＯ2等
の絶縁薄膜５との積層薄膜３よりなる主コア半体が狭持
されている第１，第２コア半体である。前記第１コア半
体１ａには巻線溝７及びガラス充填溝８が形成されてい
る。
【０００７】前記第１，第２コア半体１ａ，１ｂはその
ギャップ形成面同士が衝き合わされた状態で前期ガラス
充填溝８及び巻線溝７の上端に充填された低融点ガラス
９により接合されており、該接合面にはＳｉＯ2等介在
させてなる磁気ギャップ１０が形成されている。
ギャップ形成面同士が衝き合わされた状態で前期ガラス
充填溝８及び巻線溝７の上端に充填された低融点ガラス
９により接合されており、該接合面にはＳｉＯ2等介在
させてなる磁気ギャップ１０が形成されている。
【０００８】上記積層型磁気ヘッドの製造方法として
は、例えば特開昭５８−７０４１８号公報（Ｇ１１Ｂ
５／１６）に開示されている方法がある。
は、例えば特開昭５８−７０４１８号公報（Ｇ１１Ｂ
５／１６）に開示されている方法がある。
【０００９】この製造方法は、まず、図１３に示すよう
に非磁性基板２上に強磁性金属膜４と絶縁薄膜５とを交
互に被着して積層薄膜３を形成する。
に非磁性基板２上に強磁性金属膜４と絶縁薄膜５とを交
互に被着して積層薄膜３を形成する。
【００１０】次に、図１３に示す非磁性基板２を複数枚
用意し、該基板２を図１４に示すように複数枚積み重
ね、最上面の積層薄膜３上に非磁性基板２’を載置し、
封着ガラス１４を用いて一体化することにより積層ブロ
ック１１を形成する。
用意し、該基板２を図１４に示すように複数枚積み重
ね、最上面の積層薄膜３上に非磁性基板２’を載置し、
封着ガラス１４を用いて一体化することにより積層ブロ
ック１１を形成する。
【００１１】次に、前記積層ブロック１１を破線ｄ−
ｄ’、ｅ−ｅ’で切断して、図１５に示す積層ヘッドピ
ース１２を形成する。
ｄ’、ｅ−ｅ’で切断して、図１５に示す積層ヘッドピ
ース１２を形成する。
【００１２】次に、図１６に示すように前記積層ヘッド
ピース１２ａ，１２ｂを一対用意した後、図１７に示す
ように一方の積層ヘッドピース１２ａに巻線溝７及びガ
ラス充填溝８を形成し、その後、前記一対の積層ヘッド
ピース１２ａ，１２ｂを低融点ガラス９，９により接合
して積層ヘッドブロック１３を形成する。
ピース１２ａ，１２ｂを一対用意した後、図１７に示す
ように一方の積層ヘッドピース１２ａに巻線溝７及びガ
ラス充填溝８を形成し、その後、前記一対の積層ヘッド
ピース１２ａ，１２ｂを低融点ガラス９，９により接合
して積層ヘッドブロック１３を形成する。
【００１３】そして、最後に前記積層ヘッドブロック１
３の媒体摺接面側の端面にＲ加工を施した後、該ヘッド
ブロック１３を切断して図１１に示す磁気ヘッドが完成
する。
３の媒体摺接面側の端面にＲ加工を施した後、該ヘッド
ブロック１３を切断して図１１に示す磁気ヘッドが完成
する。
【００１４】然し乍ら、上記従来の磁気ヘッドでは、図
１２に示す積層薄膜３と非磁性基板２とをガラス接合す
るための数μｍ厚の封着ガラス１４としては、軟化点が
４００〜６００℃、ガラス接合時の溶解温度が５００〜
８００℃のものが主に使用されるが、この種の封着ガラ
ス１４は前記非磁性基板２，２に比べ化学的及び機械的
耐久性が劣るため、長時間にわたり磁気媒体を高速摺動
させると前記封着ガラス１４が偏摩耗する。
１２に示す積層薄膜３と非磁性基板２とをガラス接合す
るための数μｍ厚の封着ガラス１４としては、軟化点が
４００〜６００℃、ガラス接合時の溶解温度が５００〜
８００℃のものが主に使用されるが、この種の封着ガラ
ス１４は前記非磁性基板２，２に比べ化学的及び機械的
耐久性が劣るため、長時間にわたり磁気媒体を高速摺動
させると前記封着ガラス１４が偏摩耗する。
【００１５】また、上記封着ガラス１４，１４によるガ
ラス接合は、接合面の汚れによる気泡の発生が起こり易
く、前記気泡は媒体摺接面に孔を形成し、良好なヘッド
テープの走行系が得られないという問題も生じる。
ラス接合は、接合面の汚れによる気泡の発生が起こり易
く、前記気泡は媒体摺接面に孔を形成し、良好なヘッド
テープの走行系が得られないという問題も生じる。
【００１６】また、上記従来の製造方法は、量産性には
適しているが、図１４に示す積層ブロック１１を形成す
るには非磁性基板２の下面に封着ガラスを均一に形成し
て積層薄膜３の上面の非磁性基板２の下面とを大面積に
て接合する必要がある。このため、前記積層ブロック１
１においては、積層薄膜３と非磁性基板２との間にはガ
スが滞留するため、接合強度が低下したり、図１８に示
すように、封着ガラス１４の厚みのバラツキにより、積
層薄膜３のピッチＴＰ2、ＴＰ3にバラツキが生じるた
め、図１７において一対の積層ヘッドピース１２ａ，１
２ａを衝き合わせてギャップ接合する際、トラック幅が
バラツキ、製造歩留まりが悪化する。
適しているが、図１４に示す積層ブロック１１を形成す
るには非磁性基板２の下面に封着ガラスを均一に形成し
て積層薄膜３の上面の非磁性基板２の下面とを大面積に
て接合する必要がある。このため、前記積層ブロック１
１においては、積層薄膜３と非磁性基板２との間にはガ
スが滞留するため、接合強度が低下したり、図１８に示
すように、封着ガラス１４の厚みのバラツキにより、積
層薄膜３のピッチＴＰ2、ＴＰ3にバラツキが生じるた
め、図１７において一対の積層ヘッドピース１２ａ，１
２ａを衝き合わせてギャップ接合する際、トラック幅が
バラツキ、製造歩留まりが悪化する。
【００１７】上述のような欠点を解消した磁気ヘッド
を、本発明者は特願平２−１６８８０６号公報（Ｇ１１
Ｂ ５／３１）で提案している。
を、本発明者は特願平２−１６８８０６号公報（Ｇ１１
Ｂ ５／３１）で提案している。
【００１８】この先行技術の磁気ヘッドは、屈伏点が５
００〜８００℃の結晶化ガラスからなる第２の非磁性基
板と屈伏点が前記非磁性基板の屈伏点の温度近傍にあ
り、屈伏点の温度より高い結晶化ガラスかからなる第１
の非磁性基板が積層薄膜を狭持する構成を採っている。
前記第２の非磁性基板は、その屈伏点温度の加熱により
該基板を構成する結晶化ガラス中から染み出したガラス
質によって積層薄膜上に直接接合されるため、媒体摺接
面の積層薄膜と第１の非磁性基板との間に軟質な接合層
が露出せず、又気泡が発生することもない。
００〜８００℃の結晶化ガラスからなる第２の非磁性基
板と屈伏点が前記非磁性基板の屈伏点の温度近傍にあ
り、屈伏点の温度より高い結晶化ガラスかからなる第１
の非磁性基板が積層薄膜を狭持する構成を採っている。
前記第２の非磁性基板は、その屈伏点温度の加熱により
該基板を構成する結晶化ガラス中から染み出したガラス
質によって積層薄膜上に直接接合されるため、媒体摺接
面の積層薄膜と第１の非磁性基板との間に軟質な接合層
が露出せず、又気泡が発生することもない。
【００１９】然し乍ら、上記磁気ヘッドにおいては、第
１の非磁性基板と第２の非磁性基板の機械的特性を合わ
せるので、屈伏点が近接するような基板を使用する必要
があるため、接合時の加熱温度の制御等が困難であっ
た。又、第１、第２の非磁性基板の機械的特性等を完全
に一致することは不可能なので、ヘッドの機械的特性が
悪かった。又、接合時の加熱は、第２の非磁性基板の屈
伏点近傍であることが必要があるので、接合強度が比較
的弱かった。更に、非磁性基板の耐熱性が比較的低いた
め、アニール等の熱的プロセスに制約があった。
１の非磁性基板と第２の非磁性基板の機械的特性を合わ
せるので、屈伏点が近接するような基板を使用する必要
があるため、接合時の加熱温度の制御等が困難であっ
た。又、第１、第２の非磁性基板の機械的特性等を完全
に一致することは不可能なので、ヘッドの機械的特性が
悪かった。又、接合時の加熱は、第２の非磁性基板の屈
伏点近傍であることが必要があるので、接合強度が比較
的弱かった。更に、非磁性基板の耐熱性が比較的低いた
め、アニール等の熱的プロセスに制約があった。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来の欠
点に鑑み為されたものであり、媒体摺接面に露出したガ
ラスに偏摩耗や気泡による孔が生じ、媒体との当りが劣
化するのを防止すると共に、製造工程が容易である磁気
ヘッドを提供するものである。
点に鑑み為されたものであり、媒体摺接面に露出したガ
ラスに偏摩耗や気泡による孔が生じ、媒体との当りが劣
化するのを防止すると共に、製造工程が容易である磁気
ヘッドを提供するものである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気ヘッドは、
第１の非磁性基板上に磁性材料からなる薄膜を形成し、
該薄膜上に第２の非磁性基板を接合してなる一対の第
１，第２コア半体を有し、該第１、第２コア半体の前記
薄膜の端面同士を磁気ギャップとなる非磁性材料を介し
て衝き合わせてなる磁気ヘッドにおいて、第２の非磁性
基板は前記薄膜と接する側にガラス質を含有する領域を
形成し、該領域が前記薄膜と融着接合されてなることを
特徴とする。
第１の非磁性基板上に磁性材料からなる薄膜を形成し、
該薄膜上に第２の非磁性基板を接合してなる一対の第
１，第２コア半体を有し、該第１、第２コア半体の前記
薄膜の端面同士を磁気ギャップとなる非磁性材料を介し
て衝き合わせてなる磁気ヘッドにおいて、第２の非磁性
基板は前記薄膜と接する側にガラス質を含有する領域を
形成し、該領域が前記薄膜と融着接合されてなることを
特徴とする。
【００２２】本発明の磁気ヘッドの製造方法は、第１の
非磁性基板上に磁性材料からなる薄膜を形成し、該薄膜
上に第２の非磁性基板を接合してなる一対の第１，第２
コア半体を有し、該第１、第２コア半体の前記薄膜の端
面同士を磁気ギャップとなる非磁性材料を介して衝き合
わせてなる磁気ヘッドの製造方法において、非磁性基板
の一方の面側にガラス質を含有させ、他方の面に磁性材
料からなる薄膜を形成して積層基板を作製する工程と、
前記積層基板を複数積層して融着固定して積層ブロック
を作製する工程と、積層ブロックを切断加工して積層ヘ
ッドピースを作製する工程と、一対の積層ヘッドピース
を絶縁膜を介して衝き合わせる工程を有する。
非磁性基板上に磁性材料からなる薄膜を形成し、該薄膜
上に第２の非磁性基板を接合してなる一対の第１，第２
コア半体を有し、該第１、第２コア半体の前記薄膜の端
面同士を磁気ギャップとなる非磁性材料を介して衝き合
わせてなる磁気ヘッドの製造方法において、非磁性基板
の一方の面側にガラス質を含有させ、他方の面に磁性材
料からなる薄膜を形成して積層基板を作製する工程と、
前記積層基板を複数積層して融着固定して積層ブロック
を作製する工程と、積層ブロックを切断加工して積層ヘ
ッドピースを作製する工程と、一対の積層ヘッドピース
を絶縁膜を介して衝き合わせる工程を有する。
【００２３】又、本発明の磁気ヘッドの製造方法は、第
１の非磁性基板上に磁性材料からなる薄膜を形成し、該
薄膜上に第２の非磁性基板を接合してなる一対の第１，
第２コア半体を有し、該第１、第２コア半体の前記薄膜
の端面同士を磁気ギャップとなる非磁性材料を介して衝
き合わせてなる磁気ヘッドの製造方法において、第１非
磁性基板の両方の面側にガラス質を含有させる工程と、
第２非磁性基板の一方の面に磁性材料からなる薄膜を形
成して作製する工程と、前記第１非磁性基板と第２非磁
性基板を交互に複数積層して融着固定して積層ブロック
を作製する工程と、積層ブロックを切断加工して積層ヘ
ッドピースを作製する工程と、一対の積層ヘッドピース
を絶縁膜を介して衝き合わせる工程を有する。
１の非磁性基板上に磁性材料からなる薄膜を形成し、該
薄膜上に第２の非磁性基板を接合してなる一対の第１，
第２コア半体を有し、該第１、第２コア半体の前記薄膜
の端面同士を磁気ギャップとなる非磁性材料を介して衝
き合わせてなる磁気ヘッドの製造方法において、第１非
磁性基板の両方の面側にガラス質を含有させる工程と、
第２非磁性基板の一方の面に磁性材料からなる薄膜を形
成して作製する工程と、前記第１非磁性基板と第２非磁
性基板を交互に複数積層して融着固定して積層ブロック
を作製する工程と、積層ブロックを切断加工して積層ヘ
ッドピースを作製する工程と、一対の積層ヘッドピース
を絶縁膜を介して衝き合わせる工程を有する。
【００２４】
【作用】上記の磁気ヘッドによれば、第２の非磁性基板
は加熱により該非磁性基板中に含有されるガラス質によ
って薄膜上に融着されるため、媒体摺接面の薄膜と前記
非磁性基板との間に軟質な接合層が生じず、又、気泡が
発生することもない。更に、非磁性基板の屈伏点より低
い温度をもつ前記ガラス質の屈伏点の温度によって、上
記薄膜と非磁性基板の接合温度の設定されることになる
ので、製造工程が容易になる。
は加熱により該非磁性基板中に含有されるガラス質によ
って薄膜上に融着されるため、媒体摺接面の薄膜と前記
非磁性基板との間に軟質な接合層が生じず、又、気泡が
発生することもない。更に、非磁性基板の屈伏点より低
い温度をもつ前記ガラス質の屈伏点の温度によって、上
記薄膜と非磁性基板の接合温度の設定されることになる
ので、製造工程が容易になる。
【００２５】
【実施例】以下、図１〜図１０を参照しつつ本発明の一
実施例を詳細に説明する。図１は本実施例の磁気ヘッド
の外観を示す斜視図、図２は磁気ヘッドの媒体摺接面を
示す図であり、図１１及び図１２と同一部分には同一符
号を付し、その説明を割愛する。
実施例を詳細に説明する。図１は本実施例の磁気ヘッド
の外観を示す斜視図、図２は磁気ヘッドの媒体摺接面を
示す図であり、図１１及び図１２と同一部分には同一符
号を付し、その説明を割愛する。
【００２６】本実施例の第１，第２コア半体１５ａ，１
５ｂは、それぞれ結晶化ガラス等からなる第１の非磁性
基板１７，１７上に積層薄膜３，３が被着形成され、結
晶化ガラス等からなる第２の非磁性基板１７’，１７’
は、前記積層薄膜３，３と接する面側にＮａ2Ｏ−Ｂ2Ｏ
3−ＳｉＯ2系（例えば、屈伏点：４６０℃）、ＺｎＯ−
Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系（例えば、屈伏点：５１０℃）又は
Ｎａ2Ｏ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系（例えば、屈伏点：５３
０℃）等のガラス質（非晶質）を前記面から基板内部の
方向に該ガラス質の濃度が減少するように含有した１〜
２０μｍ厚の含有領域１６、１６を有し、該基板１
７’，１７’の前記含有領域１６、１６のガラス質によ
り前記積層薄膜３，３と接合固定された構成となってい
る。
５ｂは、それぞれ結晶化ガラス等からなる第１の非磁性
基板１７，１７上に積層薄膜３，３が被着形成され、結
晶化ガラス等からなる第２の非磁性基板１７’，１７’
は、前記積層薄膜３，３と接する面側にＮａ2Ｏ−Ｂ2Ｏ
3−ＳｉＯ2系（例えば、屈伏点：４６０℃）、ＺｎＯ−
Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系（例えば、屈伏点：５１０℃）又は
Ｎａ2Ｏ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系（例えば、屈伏点：５３
０℃）等のガラス質（非晶質）を前記面から基板内部の
方向に該ガラス質の濃度が減少するように含有した１〜
２０μｍ厚の含有領域１６、１６を有し、該基板１
７’，１７’の前記含有領域１６、１６のガラス質によ
り前記積層薄膜３，３と接合固定された構成となってい
る。
【００２７】第１の非磁性基板１７及び第２の非磁性基
板１７’の材料としては、ＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2
系（例えば、屈伏点：１０００℃）、Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2
系（例えば、屈伏点：８５０℃）又はＬｉ2Ｏ−ＺｎＯ
−ＳｉＯ2系（例えば、屈伏点：９００℃）等の結晶化
ガラスで構成されており、十分な耐熱性を有している。
板１７’の材料としては、ＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2
系（例えば、屈伏点：１０００℃）、Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2
系（例えば、屈伏点：８５０℃）又はＬｉ2Ｏ−ＺｎＯ
−ＳｉＯ2系（例えば、屈伏点：９００℃）等の結晶化
ガラスで構成されており、十分な耐熱性を有している。
【００２８】上記含有領域１６、１６は、屈伏点の低い
上記ガラス質の濃度の増加と共に、屈伏点温度が低下す
るので、該ガラス質の濃度を調整することにより含有領
域１６、１６の表面での屈伏点温度を適当な温度、例え
ば６００〜８００℃に調整でき、従って、この含有領域
１６中のガラスにより上記６００〜８００℃で接合する
ことができる。
上記ガラス質の濃度の増加と共に、屈伏点温度が低下す
るので、該ガラス質の濃度を調整することにより含有領
域１６、１６の表面での屈伏点温度を適当な温度、例え
ば６００〜８００℃に調整でき、従って、この含有領域
１６中のガラスにより上記６００〜８００℃で接合する
ことができる。
【００２９】又、上記含有領域１６、１６の厚みは、非
磁性基板１７’とガラス質の材質の組み合わせ及び加熱
圧着条件を適宜変更することにより、１〜２０μｍ厚程
度の範囲で形成することができる。
磁性基板１７’とガラス質の材質の組み合わせ及び加熱
圧着条件を適宜変更することにより、１〜２０μｍ厚程
度の範囲で形成することができる。
【００３０】次に、上記実施例の磁気ヘッドの製造方法
について説明する。
について説明する。
【００３１】先づ、図３に示すようにＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3
−ＳｉＯ2系の結晶化ガラスからなる非磁性基板１７の
上面に例えばＮａ2Ｏ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系からなる接合
ガラス板６を載置する。次に、この状態で加熱圧着（例
えば、２ｋｇ／ｃｍ2，７００℃で１時間保持）するこ
とにより、接合ガラス板６が接する非磁性基板１７の表
面（界面）で、接合ガラス板６のガラス質が拡散反応を
起こし、図４に示すように非磁性基板１７の表面には、
ガラス質が前記表面から基板内部の方向に該ガラス質の
濃度が連続的に減少するように含有した１〜２０μｍ厚
の含有領域１６が形成される 次に、図５に示すように非磁性基板１７上の含有領域１
６が残存するように未反応の接合ガラス板６を研摩、研
削又はエッチング等により除去する。
−ＳｉＯ2系の結晶化ガラスからなる非磁性基板１７の
上面に例えばＮａ2Ｏ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系からなる接合
ガラス板６を載置する。次に、この状態で加熱圧着（例
えば、２ｋｇ／ｃｍ2，７００℃で１時間保持）するこ
とにより、接合ガラス板６が接する非磁性基板１７の表
面（界面）で、接合ガラス板６のガラス質が拡散反応を
起こし、図４に示すように非磁性基板１７の表面には、
ガラス質が前記表面から基板内部の方向に該ガラス質の
濃度が連続的に減少するように含有した１〜２０μｍ厚
の含有領域１６が形成される 次に、図５に示すように非磁性基板１７上の含有領域１
６が残存するように未反応の接合ガラス板６を研摩、研
削又はエッチング等により除去する。
【００３２】次に、図６に示すように非磁性基板１７の
含有領域１６が形成された面と逆の面にスパッタ法等の
真空薄膜形成技術により、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金また
はＣｏを主成分とするアモルファス合金等の強磁性金属
膜４とＳｉＯ2等の絶縁薄膜５を交互に積層し、積層薄
膜３を作製し、更に、後述する接合の強度を向上するた
めに、前記積層薄膜３の上面にはＳｉＯ2、Ｔｉ2Ｏ、Ｚ
ｎＯ等からなる０．１〜０．５μｍ厚の保護膜２５を形
成して積層基板１８を作製する。
含有領域１６が形成された面と逆の面にスパッタ法等の
真空薄膜形成技術により、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金また
はＣｏを主成分とするアモルファス合金等の強磁性金属
膜４とＳｉＯ2等の絶縁薄膜５を交互に積層し、積層薄
膜３を作製し、更に、後述する接合の強度を向上するた
めに、前記積層薄膜３の上面にはＳｉＯ2、Ｔｉ2Ｏ、Ｚ
ｎＯ等からなる０．１〜０．５μｍ厚の保護膜２５を形
成して積層基板１８を作製する。
【００３３】次に、図７に示すように上記積層基板１８
を複数枚積層し、更にその最上面に含有領域１６を持つ
非磁性基板１７と、その最下面に積層薄膜３を持つ非磁
性基板１７を配置し、含有領域１６の屈伏点温度６００
〜８００℃で加熱圧着（望ましくは、加圧２ｋｇ／ｃｍ
2，保持時間１時間程度）して、積層一体化された積層
ブロック１９が作製される。
を複数枚積層し、更にその最上面に含有領域１６を持つ
非磁性基板１７と、その最下面に積層薄膜３を持つ非磁
性基板１７を配置し、含有領域１６の屈伏点温度６００
〜８００℃で加熱圧着（望ましくは、加圧２ｋｇ／ｃｍ
2，保持時間１時間程度）して、積層一体化された積層
ブロック１９が作製される。
【００３４】次に、前記積層ブロック１９を破線ｄ−
ｄ’、ｅ−ｅ’に沿って切断して図８に示すように一対
の積層ヘッドピース２０ａ，２０ｂを形成する。
ｄ’、ｅ−ｅ’に沿って切断して図８に示すように一対
の積層ヘッドピース２０ａ，２０ｂを形成する。
【００３５】次に、図９に示すように一方の積層ヘッド
ピース２０ａに巻線溝７及びガラス充填溝８を形成し、
その後、前記一対の積層ヘッドピース２０ａ，２０ｂを
溶融温度が前記含有領域１６の屈伏点よりも低い低融点
の封着ガラス９’，９’により接合して積層ヘッドブロ
ック２１を形成する。
ピース２０ａに巻線溝７及びガラス充填溝８を形成し、
その後、前記一対の積層ヘッドピース２０ａ，２０ｂを
溶融温度が前記含有領域１６の屈伏点よりも低い低融点
の封着ガラス９’，９’により接合して積層ヘッドブロ
ック２１を形成する。
【００３６】最後に、前記積層ヘッドブロック２１の媒
体摺接側の端面にＲ付加工を施した後、該ヘッドブロッ
ク２１の前記非磁性基板１７を第１の非磁性基板１７と
第２の非磁性基板１７’になるように切断し、積層薄膜
３が第１，第２の非磁性基板１７，１７’に狭持された
図１に示す本実施例の磁気ヘッドを完成する。
体摺接側の端面にＲ付加工を施した後、該ヘッドブロッ
ク２１の前記非磁性基板１７を第１の非磁性基板１７と
第２の非磁性基板１７’になるように切断し、積層薄膜
３が第１，第２の非磁性基板１７，１７’に狭持された
図１に示す本実施例の磁気ヘッドを完成する。
【００３７】上述の本実施例の磁気ヘッドでは、非磁性
基板１７，１７’の屈伏点の温度より低い任意の温度の
屈伏点を有する含有領域１６を形成でき、含有領域１６
の表面の屈伏点近傍の温度から非磁性基板１７，１７’
の屈伏点の温度より低い適当な温度で加熱することによ
り、該含有領域１６に含有されたガラス質により積層薄
膜３上に非磁性基板１７’が直接融着接合されている。
このため、図２に示すように積層薄膜３と第２の非磁性
基板１７’との間には軟質な接合層が形成されない。
又、非磁性基板１７，１７’の屈伏点温度より低い温度
で接合できるので、接合温度の設定の自由度が高く、含
有領域１６の屈伏点より高い温度でも接合でき、堅固な
接合が得られる。又、非磁性基板１７，１７’の屈伏点
よりかなり低い温度で接合できるので、接合時の温度制
御が容易であり、製造が容易である。
基板１７，１７’の屈伏点の温度より低い任意の温度の
屈伏点を有する含有領域１６を形成でき、含有領域１６
の表面の屈伏点近傍の温度から非磁性基板１７，１７’
の屈伏点の温度より低い適当な温度で加熱することによ
り、該含有領域１６に含有されたガラス質により積層薄
膜３上に非磁性基板１７’が直接融着接合されている。
このため、図２に示すように積層薄膜３と第２の非磁性
基板１７’との間には軟質な接合層が形成されない。
又、非磁性基板１７，１７’の屈伏点温度より低い温度
で接合できるので、接合温度の設定の自由度が高く、含
有領域１６の屈伏点より高い温度でも接合でき、堅固な
接合が得られる。又、非磁性基板１７，１７’の屈伏点
よりかなり低い温度で接合できるので、接合時の温度制
御が容易であり、製造が容易である。
【００３８】又、含有領域１６から、気泡が発生するこ
とはなく、媒体摺接面には気泡による孔は全く発生しな
い。
とはなく、媒体摺接面には気泡による孔は全く発生しな
い。
【００３９】又、含有領域１６は結晶化ガラス材がベー
スと成っているので、偏摩耗が起こらず、更に、含有領
域１６に含まれるガラス質の濃度が連続的に変化するの
で、機械的特性、摩耗特性等が良好である。
スと成っているので、偏摩耗が起こらず、更に、含有領
域１６に含まれるガラス質の濃度が連続的に変化するの
で、機械的特性、摩耗特性等が良好である。
【００４０】又、本実施例の製造方法では、上述したよ
うに第１，第２の非磁性基板１７，１７’はその屈伏点
温度より低い温度で加熱するので、外形が変化せず、又
含有領域１６も外形変化が起こらないので、図１８の積
層ブロック１９における積層薄膜３のピッチを非磁性基
板１７の厚みにより高精度に設定できる。
うに第１，第２の非磁性基板１７，１７’はその屈伏点
温度より低い温度で加熱するので、外形が変化せず、又
含有領域１６も外形変化が起こらないので、図１８の積
層ブロック１９における積層薄膜３のピッチを非磁性基
板１７の厚みにより高精度に設定できる。
【００４１】本発明の磁気ヘッド及びその製造方法は、
上記実施例に限定されず適宜変更が可能である。例え
ば、上記ヘッドでは、積層薄膜を磁気コアとしている
が、磁性膜単体からなる磁気コアでもよい。又、上記製
造方法では、含有領域を形成するのに接合ガラス板を用
いているが、結晶化ガラスからなる非磁性基板上にスク
リーン印刷でガラスぺーストの塗布、またはスパッタ等
でガラス層を形成した後、加熱して含有領域を形成する
ようにしてもよい。
上記実施例に限定されず適宜変更が可能である。例え
ば、上記ヘッドでは、積層薄膜を磁気コアとしている
が、磁性膜単体からなる磁気コアでもよい。又、上記製
造方法では、含有領域を形成するのに接合ガラス板を用
いているが、結晶化ガラスからなる非磁性基板上にスク
リーン印刷でガラスぺーストの塗布、またはスパッタ等
でガラス層を形成した後、加熱して含有領域を形成する
ようにしてもよい。
【００４２】更に、図１０に示すように含有領域１６，
１６を両面に形成した非磁性基板１７と積層薄膜３を形
成した非磁性基板１７を交互に積層して積層ブロックを
作製しても同様に本発明の磁気ヘッドが完成できる。
１６を両面に形成した非磁性基板１７と積層薄膜３を形
成した非磁性基板１７を交互に積層して積層ブロックを
作製しても同様に本発明の磁気ヘッドが完成できる。
【００４３】更に、含有領域１６はそのガラス質濃度が
上述のように変化せずとも同様の効果がある。
上述のように変化せずとも同様の効果がある。
【００４４】
【発明の効果】本発明によれば、媒体摺接面に偏摩耗等
が生じず、媒体との当りが劣化するのを防止できると共
に、製造工程に於ける接合時の温度制御当が容易である
磁気ヘッドとその製造方法を提供し得る。
が生じず、媒体との当りが劣化するのを防止できると共
に、製造工程に於ける接合時の温度制御当が容易である
磁気ヘッドとその製造方法を提供し得る。
Claims (3)
- 【請求項１】 第１の非磁性基板上に磁性材料からなる
薄膜を形成し、該薄膜上に第２の非磁性基板を接合して
なる一対の第１，第２コア半体を有し、該第１、第２コ
ア半体の前記薄膜の端面同士を磁気ギャップとなる非磁
性材料を介して衝き合わせてなる磁気ヘッドにおいて、
第２の非磁性基板は前記薄膜と接する側にガラス質を含
有する領域が形成され、該領域が前記薄膜と融着接合さ
れてなることを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】 第１の非磁性基板上に磁性材料からなる
薄膜を形成し、該薄膜上に第２の非磁性基板を接合して
なる一対の第１，第２コア半体を有し、該第１、第２コ
ア半体の前記薄膜の端面同士を磁気ギャップとなる非磁
性材料を介して衝き合わせてなる磁気ヘッドの製造方法
において、非磁性基板の一方の面側にガラス質を含有さ
せ、他方の面に磁性材料からなる薄膜を形成して積層基
板を作製する工程と、前記積層基板を複数積層して融着
固定して積層ブロックを作製する工程と、積層ブロック
を切断加工して積層ヘッドピースを作製する工程と、一
対の積層ヘッドピースを絶縁膜を介して衝き合わせる工
程を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】 第１の非磁性基板上に磁性材料からなる
薄膜を形成し、該薄膜上に第２の非磁性基板を接合して
なる一対の第１，第２コア半体を有し、該第１、第２コ
ア半体の前記薄膜の端面同士を磁気ギャップとなる非磁
性材料を介して衝き合わせてなる磁気ヘッドの製造方法
において、第１の非磁性基板の両方の面側にガラス質を
含有させる工程と、第２の非磁性基板の一方の面に磁性
材料からなる薄膜を形成して作製する工程と、前記第１
の非磁性基板と第２の非磁性基板を交互に複数積層して
融着固定して積層ブロックを作製する工程と、積層ブロ
ックを切断加工して積層ヘッドピースを作製する工程
と、一対の積層ヘッドピースを絶縁膜を介して衝き合わ
せる工程を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13906891A JPH0573841A (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | 磁気ヘツド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13906891A JPH0573841A (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | 磁気ヘツド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0573841A true JPH0573841A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=15236748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13906891A Pending JPH0573841A (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | 磁気ヘツド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0573841A (ja) |
-
1991
- 1991-06-11 JP JP13906891A patent/JPH0573841A/ja active Pending
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