JPH02168406A - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

磁気ヘッドの製造方法

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JPH02168406A
JPH02168406A JP6879389A JP6879389A JPH02168406A JP H02168406 A JPH02168406 A JP H02168406A JP 6879389 A JP6879389 A JP 6879389A JP 6879389 A JP6879389 A JP 6879389A JP H02168406 A JPH02168406 A JP H02168406A
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JP
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laminated
thin film
substrate
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nonmagnetic
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JP6879389A
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Michio Kumakiri
熊切 通雄
Isao Yasuda
安田 伊佐雄
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Sanyo Electric Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は高周波信号を効率よく記録再生するのに好適な
磁気ヘッドの製造方法に関する。
(ロ)従来の技術 従来、VTR等の高周波信号を記録再生する装置におい
ては、ビデオヘッド用磁性材料として高周波損失の少な
いフェライト材料が用いられている。しかし、近年にな
って高品位VTRやデジタルVTRのように更に広帯域
の信号を取り扱うシステムの開発が盛んになってきてお
り、記録媒体もこのような大量の情報を記録するための
高密度化の流れの中で酸化鉄系から合金粉末媒体や金属
蒸着媒体等の高抗磁力媒体へ移行しつつある。これに対
してフェライトヘッドではその最大磁束密度が高々50
00ガウス程度であり、又短波長信号を効率よく再生す
る為には狭ギャップにする必要があり、上述のような保
磁力Hcが10000 e以上の高抗磁力媒体ではギャ
ップ先端部のフェライトコアが飽和し、十分な記録が出
来ない。そこで最大磁束密度の高いセンダストやモルフ
ァス磁性合金等の金属磁性材料を用いた磁気ヘッドの開
発が行われているが、バルク状の金属磁性材料を用いた
のではうず電流による高周波信号が大きく上記システム
には適していない。
従来、このような欠点を解消するため、例えば特開昭6
2−119709号公報(G11B5/127)等に開
示されているような高周波用積層型磁気ヘッドが提案さ
れている。
第13図は高周波用積層型磁気ヘッドの外観を示す斜視
図である。
図中、(la)(lb)は夫々結晶化ガラス、非磁性セ
ラミック等よりなる非磁性基板(2)(2)(2)(2
)間にセンダスト等の金属磁性薄膜(4)とSin、等
の絶縁薄膜(5)との積層薄膜(3)よりなる主コア半
体(6)(6)が挟持されている第1、第2コア半体で
あり、第2コア半体(1b)には巻線溝(7)が形成さ
れている。また、前記第2コア半体(lb)にはガラス
充填溝(8)が形成されている。前記第1、第2コア半
体(la)(lb)はそのギャップ形成面同士が衝き合
わされた状態で前記ガラス充填溝(8)及び巻線溝(7
)の上端に充填された低融点ガラス(9)により接合さ
れており、該接合面にはSin、等よりなる作動ギャッ
プ(10)が形成されている。
上記積層型磁気ヘッドの製造方法としては、例えば特開
昭58−70418号(GtIB5.’16)に開示さ
れている方法がある。
この製造方法は、まず、第14図に示すように非磁性基
板(2)上に強磁性金属薄[(4)と絶縁薄膜(5)と
を交互に被着して積層薄膜(3)を形成する。
次に、第14図に示す非磁性基板(2)を複数枚用意し
、該基板(2)を第15図に示すように複数枚積み重ね
、最上面の積層薄膜(3)上に非磁性基板(2°)を載
置し、ガラス接合等により一体化することにより積層ブ
ロック(11)を形成する。
次に、前記積層ブロック(11)を破線A−A’、B 
−13’ で切断して、第16図に示す積層ヘッドピー
ス(12)を形成する。
次に、第17図に示すように前記積層ヘッドピース(1
2)を一対用意した後、第18図に示すように一方の積
層へ7ドピース(12)に巻線溝(7)及びガラス充填
ft(8)を形成し、その後前記一対の積層ヘッドピー
ス(12)(12)を低融点ガラス(9)(9)により
接合して積層ヘッドブロック(13)を形成する。
そして、最後に前記積層ヘッドブロック(13)の媒体
摺接面側の端面にR付加工を施した後、該ヘッドブロッ
ク(13)を切断して第13図に示す磁気ヘッドが完成
する。
この製造方法は量産性には適しているが、第15図に示
す積層ブロック(11)を形成するには非磁性基板(2
)の下面に接合ガラスを均一に形成して積層薄膜(3)
の上面の非磁性基板(2)の下面とを大面積にて接合す
る必要がある。このため、前記積層ブロック(11)に
おいては、積層薄I11!(3)と非磁性基板(2)と
の間にはガスが滞留するため、接1強度が低下したり、
第21図に示すように、接合ガラス(14)の厚みのバ
ラツキにより、積層薄膜(3)のピッチTP、、TP、
にバラツキが生じるため、第18図において一対の積層
ヘッドピース(12)(12)を衝き合ノ)せギャップ
接合する際、トラック幅がバラツキ、製造歩留まりが悪
化する。
又、特開昭62−33309号(G11B5/147)
には上述の欠点を解消した磁気ヘッドの製造方法が示さ
れている。
この製造方法は積層薄膜(3)が形成された非磁性基板
(2)を第19図に示す破線C−C’ 、D−Doで切
断して第20図に示す3〜8掴角の両分磁性積層体(1
5)を形成し、該両分磁性積層体(15)を複数個積層
接合して第16図に示す積層ヘッドピース(12)を形
成するものである。
この製造方法では、上述の欠点を解消出来る反面、量産
性に適していないという問題がある。また、第19図に
示す工程において非磁性基板(2)を破線C−C’ 、
D−D’ で切断する際、積層薄膜(3)にヒビや剥離
が発生するという問題もある。尚、このヒビや剥離の発
生は上述の製造方法においてら第15図に示す工程にお
いて積層ブロック(11)を破線A−A” 、B−B’
 で切断する際にも生じる。
(ハ)発明が解決しようとする課題 本発明は上記従来例の欠点の鑑に為されたものであり、
量産性を悪化させたり、積層薄膜にヒビや剥離を発生さ
せることなく、作動ギャップのトラック幅のバラツキを
抑えた磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とす
るものである。
(ニ)課題を解決するための手段 本発明の磁気ヘッドの製造方法は、非磁性基板の一方の
面上に分断溝を格子状に形成して凸部を形成し、該凸部
上に強磁性金属薄膜と絶縁薄膜との積層薄膜を形成する
と共に前記非磁性基板の他方の面上に接合材層を形成し
て積層基板を形成する工程と、前記積層基板を複数枚積
み重ねた後、前記接合材層を溶融して前記分断溝に接合
材を充填し前記複数の積層基板を接合して積層ブロック
を形成する工程と、前記積層基板を前記分断溝に沿って
切断して積層ヘッドピースを形成する工程とを有するこ
とを特徴とする。
更に、本発明の磁気ヘッドの製造方法は、前記非磁性基
板の凸部上に形成された積層薄膜の上面の端部に非磁性
スペーサを形成することを特徴とする。
(ホ)作 用 −1−記製造方法によれば、複数の積層基板を接合して
積層ブロックを形成する際、積層基板の接合面間のガス
及び余分な接合材は分断溝を通って流出し、前記複数の
積層基板はその間に均−且つ均質な接着層が形成され、
強固に接合される。また、積層ブロックは分断溝に部分
で切断されるので、積層薄膜には切断による衝撃が直接
伝わらない。
更に、積層!!膜の上面の端部に形成された非磁性スペ
ーサにより溶融固化した接合材層の厚みを積層ブロック
全域にわたって更に均一にすることができる。
(へ)実施例 以下、図面を参照しつつ本発明の第1実施例を詳細に説
明する。
第2図乃至第1O図は第1実施例の磁気へ7ドの製造方
法を示す図である。
第1実施例の磁気ヘッドの製造方法は、まず、第2図に
示すように結晶化ガラスよりなる非磁性基板(16)の
下面にN a l O−B ffi 01−8 l O
を系の接合ガラス等よりなる非磁性の接合材層(17)
を塗布、蒸着、スパッタリング等により1〜20μm厚
で形成する。前記非磁性基板(16)は縦25mm、横
25市、厚さ1mmであり、その厚み平行度は1μm以
下、表面粗さは200Å以下である(例えばコーニング
社製のホトセラム)。
次に、第3図に示すように前記非磁性基板(16)の上
面に分断溝(18)を格子状に形成し、前記非磁性基板
(16)の上面に3X1mm角程度(第1.第2コア半
体の面積に略等しい)に区分された凸部(19)を形成
する。
尚、第2図の工程と第3図の工程との順序を入れ替えて
非磁性基板(16)の上面に分断溝(18)を形成した
後、前記非磁性基板(16)の下面に接合材層(17)
を形成してもよい。
次に、第4図に示すように前記非磁性基板(16)上面
の凸部(19)上にセンダスト等よりなる2〜7μm厚
の強磁性金属薄膜(20)とSin、等よりなる0、1
〜0.5μm厚の絶縁薄膜(21)とを交互に被着形成
して3〜6層構造の積層薄膜(22)を有する積層基板
(競)を形成する。前記積層薄膜(22)の膜厚は10
〜30μm程度であり、この値が磁気ヘッドのトラック
幅となる。前記積層薄膜(22)はスパッタリング、蒸
着等によI)形成され、分断溝(18)内にはマスキン
グ、エツチング等により形成されない。尚、前記積層薄
膜(22)の膜厚が前記分断溝(18)の深さに対して
1/3以下であれば前記分断溝(18)内に積層薄膜が
形成されても問題はない。
次に、第4図に示す積層基板(23)を?X数個用意し
、該複数の基板(23)を第5図に示すように隣接する
積層基板(23)の接合材層(17)と積層薄膜(22
)とが当接するように所定の治具を用いて整列させる。
この複数の積層基板(23)の整列体の両端には接a材
層(17)のみが形成されている非磁性基板(16’)
、分断溝(18)のみが形成されている非磁性基板(+
6”)とが当接されている。尚、前記非磁性基板(16
°゛)を用いる代りに、最も下端の積層基板(23)の
接合材層(17)を除去してもよい。
次に、第5図に示す複数の積層基板(競)の整列体を6
00〜700℃の加熱雰囲気中で上下方向に加圧して前
記接合材層(17)を溶融し、第6図に示すように前記
分断溝(18)内に接合材(17a)を充填して前記複
数の積層基板(銭)を接合し積層ブロンク(25)を形
成する。
第11図は前記積層基板(23)の接合状態を示す断面
図であり、(a)は接合前、(b)は接合後の状態を示
す。非磁性基板(16)の下面に形成された接合材層(
17)は加熱雰囲気中で加圧されることにより接合境界
のガス及び余分な接合材は分断溝(18)に逃げ込み、
積層薄膜(22)と基板(16)との境界には1μm以
下の均質な接着層(17b)が形成され、前記積層基板
(23)は強固に接合される。従って、第12図に示す
ように積層プロlり(亜)の積層薄膜(22)のとッチ
TP、は均一である。尚、前記分断溝(18)の溝幅W
、及び深さd、は前記接合材層(17ンの厚み【及び前
記凸部(19)の面積aXb (即ち分断溝(18)に
流し込む接合材の体積)により決定され、その関係はI
 (a+w)(b+w)−abl d>abtであれば
よい3例えば接合材層(17)の厚さが20μm、凸部
(19)の面積が3×111IIII′の時は、前記分
断溝(18)の幅は0.5mm、深さは47μm以上が
好ましい。また、加熱条件、加圧条件を変えることによ
り接着層(17b)の厚みを調整することが可能であり
、例えば700℃、50〜100g/圓1の条件では接
着層(17b)の厚みを1μm以下にすることができる
。これにより、磁気ヘッドのテープ摺接面に露出する接
着層(171>)の偏摩耗による悪影響もほとんど無視
される。
次に、第17実施例の製造方法では、第7図に示すよう
に積層ブロック(25)を分断溝(18)に沿って(破
線E−E’   F−F’ に沿って)切断し切断面を
研削研摩することにより分断1Il(18)を除去して
第8図に示す積層ヘッドピース(26)を形成する。こ
の切断方法では、積層薄膜(22)は直接切断されない
ので、前記積層薄膜(22)にはヒビ、剥離は発生しな
い。
以後は、誕米例と同様に第9図及び第10図に示す工程
を経て第1図に示す本実施例の磁気ヘッドが完成する。
L述のような製造方法では、第6図に示す積層基板(競
)の接合工程においては、接合境界のガスおよび余分な
接合材は分断溝(18)に逃げ込み接着層(17b)が
均−且つ均質になるため、第12図に示すように積層薄
膜(22)のピッチTP、は積層ブロンク(翻)全域に
おいて略等しくなり、第10図のギヤlプ接合の工程に
おいて、接合される一対の積層へ7ドピース(匹)(競
)の積層薄膜(22)(22)は位置ズレがなく、磁気
ヘッドのトラックズレは防止される。また、第7図の切
断工程においては積層ブロック(翻)は分断溝(18)
の部分で切断さ7Lるので、積層薄膜(22)には切断
による衝撃が直接加わらず、前記積層薄膜にヒビ、剥離
等は生じない。
次に、本発明の第2実施例について詳細に説明する。
第22図乃至第26図は第2実施例の磁気ヘッドの製造
方法を示す図である。
第2実施例の磁気ヘッドの製造方法は、まず、第22図
及び第23図に示すように結晶化ガラスよりなる非磁性
基板(16)のF面の両側に互いに平行である幅0.1
〜0. 5mm、深さ0.1mm程度の一対のガラス逃
がし溝(27)(27)を形成し、該溝(27)(27
)の間の領域にNa、0−B2O−5in、系の接bf
fラス等よりなる接合材層(17)1〜20μm厚で形
成する。尚、第22図は非磁性基板(16)を上方から
観た斜視図、第23図は非磁性基板(16)を下方から
観た斜視図である。
次に、第24図に示すように前記非磁性基板(]6)の
上面に分断溝(18)を格子状に形成し、前記非磁性基
板(16)の上面に3X1mm角程度(第1、第2コア
半体の面積に略等しい)に区分された凸部(19)と3
.5−4.OXl、Omm角程度に区分された凸部(1
9°)とを形成する。尚、前記凸部(19°)は非磁性
基板(16)の両側に位置する。
次に、第25図に示すように前記非磁性基板(16)上
面の凸部(19)(19°)上にセンダスト等よりなる
2〜7μm厚の強磁性金属薄Ill!(20)とSin
、等よりなる0、1〜0.5I1m厚の絶縁薄膜(21
)とを交互に被着形成して3〜6層構造の積層薄膜(2
2)を有する積層薄膜(29)を形成する。
その後、前記凸部(19’)上に形成された積層薄膜(
22)上の基板両端側にCuCr、Ti、5iOz等よ
りなる幅Q、  l−Q、  5ma+、厚さ1−5μ
mの非磁性スペーサ(28)をスパッタリング等により
被着形成する。尚、前記非磁性スペーサ(28)の厚み
は自記接合材層(17)の厚みより薄い。
次に、第25図に示す積層基板(29)を複数個用意し
、該複数の基板(29)を第26図に示すように第1実
施例と同様に積み重ね加圧した状態で接合材層(17)
を溶融固化することにより分断溝(18)内に接合材(
17a)を充填して前記複数の基板(29)を接合して
積層ブロック(沖)を形成する。尚、前記積層ブロック
(凹)の最上端には下面に接合材層(17)及、びガラ
ス逃がし溝(27)が形成され、上面には何も形成され
ていない非磁性基板(16’)が接合されており、前記
積層ブロック(30)の最下端には上面に分断溝(18
)及び非磁性スペーサ(28)が形成され、下面には何
も形成されていない非磁性基板(16”)が接合されて
いる。この第26図に示す積層ブロック(30)では接
合時の加圧力が積層ブロック(陳)全域にわたって均一
でなくても接着層(17b)の厚みは全域にわたって前
記非磁性スペーサ(28)のJlみと等しくなる。この
ため、第2実施例の積層ブロック(30)では、第28
図に示すように積層薄膜(22)のピッチTP、、TP
、、TP、。
TP、にバラツキが生じることなく、第27図に示すよ
うに積層薄膜(22)のピッチTP、は積層ブロック(
30)全体にわたって均一になる。しかも、前記接着層
(17b)の厚みが前記非磁性スペーサ(28)の厚み
より大きいため、接合時の加圧力は前記接合材層(17
)に+えられ、溶融した接合材は均一に拡がる。また、
前記ガラス逃がし溝(27)により、′f;融した接合
材が積層薄膜(22)と非磁性スペーサ(28)との隙
間に浸入するのが防止される。尚、前記積層ブロック(
凹)では、ガラス逃がし溝(27)の端部と非磁性スペ
ーサ(28)の端部とは一致している。
次に、前記積層ブロック(30)を分断溝(18)及び
ガラス逃がし溝(27)に沿って(破線G−G’ 、H
−H’ に沿って)切断し、以後は第1実施例の第8図
〜第10図と同様にして第1図に示す磁気ヘッドが完成
する。
上述のような第2実施例の製造方法では、第26図に示
す積層ブロック(30)における接着層(17b)の厚
みは非磁性スペーサ(28)により第1実施例よりも更
に全域にわたって均一になり積層薄膜(22)のとッチ
TP、は積層ブロック(四)全域においてさらに等しく
なり、磁気ヘッドのトラック精度は更に向上する。
又、上述の第1、第2実施例において作動ギヤング(l
O)にアジマス角θを持たせるには、第7図、第26図
に示す切断工程において破線E−E’ 、G−G’ の
切断方向を上下方向に対してアジマス角θだけ傾ければ
よい。尚、この傾いた切断方向に沿って前記分断溝(1
8)が位置するように前記積層基板(競)を予めずらし
て接合すれば、−E述で説明したように積層薄膜のヒビ
、剥離等を防止できる。
(ト) 発明の効果 本発明によれば、トラック幅のズレ及び積層薄膜のヒと
、剥離がない磁気ヘッドを量産性良く製造することがで
きる磁気ヘッドの製造方法を提供し得る。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第12図は本発明に第1実施例に係り、第1
図は磁気ヘッドの外観を示す斜視図、第2図、第3図へ
、第4図、第5図、第6図、第7図、第8図、9図及び
第10図は夫々磁気ヘッドの製造方法を示す斜視図、第
11図は積層基板の接合を示す断面図、第12図は積層
薄膜のピッチを示す図である。第13図乃至第20図は
従来例に係り、第13図は磁気ヘッドの外観を示す斜視
図、第14図、第15図、第16図、第17図、第18
図、第19図及び第20図は夫々従来の磁気ヘッドの製
造方法を示す斜視図、第21図は積層薄膜のピッチを示
す図である。第22図乃至第28図は本発明の第2実施
例に係り、第22図、第23図、第24図、第25図及
び第26図は夫々磁気ヘッドの製造方法を示す斜視図、
第27図及び第28図は夫々は積層薄膜のピッチを示す
図である。 (16〉・・・非磁性基板、(17)・・・接合材層、
(17a)・・・接合材、(18)・・・分断溝、(1
9)・・・凸部、(20)・・・強磁性金属薄膜、 (
21)・・・絶縁薄膜、(22)・・・積層薄膜、(2
3)(29)・・・積層基板、(25)(30)・・・
積層ブロック、(匹)・・・積層ヘッドピース。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)非磁性基板間に強磁性金属薄膜と絶縁薄膜との積
    層薄膜よりなる一対の主コア半体が被着形成されている
    磁気ヘッドの製造方法において、非磁性基板の一方の面
    上に分断溝を格子状に形成して凸部を形成し、該凸部上
    に強磁性金属薄膜と絶縁薄膜との積層薄膜を形成すると
    共に前記非磁性基板の他方の面上に接合材層を形成して
    積層基板を形成する工程と、前記積層基板を複数枚積み
    重ねた後、前記接合材層を溶融して前記分断溝に接合材
    を充填し前記複数の積層基板を接合して積層ブロックを
    形成する工程と、前記積層基板を前記分断溝に沿って切
    断して積層ヘッドピースを形成する工程とを有すること
    を特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
  2. (2)前記非磁性基板の凸部上に形成された積層薄膜の
    上面の端部に非磁性スペーサを形成することを特徴とす
    る請求項(1)記載の磁気ヘッドの製造方法。
JP6879389A 1988-09-12 1989-03-20 磁気ヘッドの製造方法 Pending JPH02168406A (ja)

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