JPH0573881A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH0573881A JPH0573881A JP3262556A JP26255691A JPH0573881A JP H0573881 A JPH0573881 A JP H0573881A JP 3262556 A JP3262556 A JP 3262556A JP 26255691 A JP26255691 A JP 26255691A JP H0573881 A JPH0573881 A JP H0573881A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 合金型磁気記録媒体の記録再生特性を向上も
しくは維持しながら，その耐食性強度を向上させる。 【構成】 めっきされた（１２）基板１１上に設けられ
た下地層１３，磁性層１４，１６，非磁性被覆層１７，
潤滑膜１８で構成される磁気記録媒体において，磁性層
が少なくとも２層以上で構成され，かつ最上層の磁性層
１６の表面の柱状結晶の平均粒径が下部磁性層１４の表
面の柱状結晶の平均粒径よりも小さいか，または最上層
の磁性層１６厚が下部磁性層１４の膜厚よりも薄くし
て，最上層磁性層の膜密度を高めることによって，外部
からの侵食物質の侵入を防止して，記録再生特性を低下
させることなく耐食性を向上させる。
しくは維持しながら，その耐食性強度を向上させる。 【構成】 めっきされた（１２）基板１１上に設けられ
た下地層１３，磁性層１４，１６，非磁性被覆層１７，
潤滑膜１８で構成される磁気記録媒体において，磁性層
が少なくとも２層以上で構成され，かつ最上層の磁性層
１６の表面の柱状結晶の平均粒径が下部磁性層１４の表
面の柱状結晶の平均粒径よりも小さいか，または最上層
の磁性層１６厚が下部磁性層１４の膜厚よりも薄くし
て，最上層磁性層の膜密度を高めることによって，外部
からの侵食物質の侵入を防止して，記録再生特性を低下
させることなく耐食性を向上させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，磁気ディスク装置用の
磁気ディスクなどの磁気記録媒体およびその製造方法に
係り，特に高記録密度記録に好適で耐食性などの信頼性
に優れた磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
磁気ディスクなどの磁気記録媒体およびその製造方法に
係り，特に高記録密度記録に好適で耐食性などの信頼性
に優れた磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来，高記録密度用の磁気記録媒体とし
て，特開昭５９−８８８０６号公報に記載されているよ
うに，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＴａ磁性膜を使用し
たものや，特開平１−２３７９２５号公報に記載されて
いるようにＣｏＮｉＣｒＴａ磁性膜を使用して高い保磁
力を得て高記録密度を実現しようとしたものが知られて
いる。また，１９９０年９月に発行されたアイイ−イ−
イ− トランザクションズ オン マグネティックス
（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｍａｇ
ｎｅｔｉｃｓ：Ｖｏｌ．Ｍａｇ−２６，Ｎｏ．５，２７
００ペ−ジ〜２７０５ページ）に示されているように、
複数の磁性膜層を積層し，これら複数の磁性膜層間に非
磁性膜を介在させることにより媒体ノイズを低減しよう
としたＣｏ係合金磁気記録媒体が知られている。また，
耐食信頼性の確保のため特開昭６２−１９５７１８号公
報に記載されているように，磁性膜にＣｏＮｉ基合金に
第３，第４の元素を添加する提案もなされている。さら
には，特開平１−１８４７２０号公報記載のように，非
磁性層を磁性層と非磁性被覆層の間に挿入することによ
り磁性層の腐食を防止した磁気記録媒体も提案されてい
る。
て，特開昭５９−８８８０６号公報に記載されているよ
うに，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＴａ磁性膜を使用し
たものや，特開平１−２３７９２５号公報に記載されて
いるようにＣｏＮｉＣｒＴａ磁性膜を使用して高い保磁
力を得て高記録密度を実現しようとしたものが知られて
いる。また，１９９０年９月に発行されたアイイ−イ−
イ− トランザクションズ オン マグネティックス
（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｍａｇ
ｎｅｔｉｃｓ：Ｖｏｌ．Ｍａｇ−２６，Ｎｏ．５，２７
００ペ−ジ〜２７０５ページ）に示されているように、
複数の磁性膜層を積層し，これら複数の磁性膜層間に非
磁性膜を介在させることにより媒体ノイズを低減しよう
としたＣｏ係合金磁気記録媒体が知られている。また，
耐食信頼性の確保のため特開昭６２−１９５７１８号公
報に記載されているように，磁性膜にＣｏＮｉ基合金に
第３，第４の元素を添加する提案もなされている。さら
には，特開平１−１８４７２０号公報記載のように，非
磁性層を磁性層と非磁性被覆層の間に挿入することによ
り磁性層の腐食を防止した磁気記録媒体も提案されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記ＣｏＣｒＰｔ，Ｃ
ｏＣｒＰｔＴａ磁性膜を使用して高い保磁力を得るため
には，１９８８年１１月に発行されたアイイ−イ−イ−
トランザクションズオン マグネティックス（ＩＥＥ
Ｅ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉ
ｃｓ：Ｖｏｌ．Ｍａｇ−２４，Ｎｏ．６，３０１２ペ−
ジ）に示されたように，コバルトリッチな層とクロムリ
ッチな層の膜中での層分離が必要であり，このため腐食
環境下に磁気記録媒体がさらされるとコバルトリッチな
層が優先的に腐食され，磁気記録媒体の信頼性を確保す
ることが難しい。また，ＣｏＮｉ基を用いて第３元素の
添加により耐食性を高めた場合，１９９０年９月に発行
されたアイイ−イ−イ− トランザクションズ オンマ
グネティックス（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ
ｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ：Ｖｏｌ．Ｍａｇ−２６，
Ｎｏ．５，２７１５ペ−ジ〜２５１７ページ）に示され
たように，ＣｏＣｒ基合金を用いた磁気記録媒体に比較
して耐食性磁性膜を得ることは容易であるが，媒体ノイ
ズが大きく，高い出力媒体ノイズ比（Ｓ／Ｎ）を得るこ
とが不可能であり，高密度記録を可能にすることが難し
い。
ｏＣｒＰｔＴａ磁性膜を使用して高い保磁力を得るため
には，１９８８年１１月に発行されたアイイ−イ−イ−
トランザクションズオン マグネティックス（ＩＥＥ
Ｅ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉ
ｃｓ：Ｖｏｌ．Ｍａｇ−２４，Ｎｏ．６，３０１２ペ−
ジ）に示されたように，コバルトリッチな層とクロムリ
ッチな層の膜中での層分離が必要であり，このため腐食
環境下に磁気記録媒体がさらされるとコバルトリッチな
層が優先的に腐食され，磁気記録媒体の信頼性を確保す
ることが難しい。また，ＣｏＮｉ基を用いて第３元素の
添加により耐食性を高めた場合，１９９０年９月に発行
されたアイイ−イ−イ− トランザクションズ オンマ
グネティックス（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ
ｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ：Ｖｏｌ．Ｍａｇ−２６，
Ｎｏ．５，２７１５ペ−ジ〜２５１７ページ）に示され
たように，ＣｏＣｒ基合金を用いた磁気記録媒体に比較
して耐食性磁性膜を得ることは容易であるが，媒体ノイ
ズが大きく，高い出力媒体ノイズ比（Ｓ／Ｎ）を得るこ
とが不可能であり，高密度記録を可能にすることが難し
い。
【０００４】さらには，１９９０年９月に発行されたア
イイ−イ−イ− トランザクションズ オン マグネテ
ィックス（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓｏｎ
Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ：Ｖｏｌ．Ｍａｇ−２６，Ｎｏ．
５，２７０６ペ−ジ）に示されたように，複数の磁性膜
間に非磁性膜を介在させる方法では媒体ノイズの低下は
図れるが耐食性強度の高い媒体を得ることが難しい。ま
た，非磁性膜を磁性膜と非磁性被覆層の間に挿入し磁性
膜の腐食を防止する方法では，磁気記録用ヘッドと磁気
記録用媒体のスペ−シングが広くなるためにＣｏＣｒ基
合金を用いても，出力，オ−バ−ライト等の記録再生特
性が顕著に低下する。そのため非磁性被覆層及び潤滑膜
を薄膜化するか，挿入膜を薄膜化するか，もしくは磁気
記録用ヘッドの浮上量を下げなければならない。前記方
法では非磁性被覆層及び潤滑膜の効果が薄れ，耐摺動信
頼性を損なう恐れがある。また挿入膜を薄膜化する方法
では耐食信頼性の効果が薄れる。
イイ−イ−イ− トランザクションズ オン マグネテ
ィックス（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓｏｎ
Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ：Ｖｏｌ．Ｍａｇ−２６，Ｎｏ．
５，２７０６ペ−ジ）に示されたように，複数の磁性膜
間に非磁性膜を介在させる方法では媒体ノイズの低下は
図れるが耐食性強度の高い媒体を得ることが難しい。ま
た，非磁性膜を磁性膜と非磁性被覆層の間に挿入し磁性
膜の腐食を防止する方法では，磁気記録用ヘッドと磁気
記録用媒体のスペ−シングが広くなるためにＣｏＣｒ基
合金を用いても，出力，オ−バ−ライト等の記録再生特
性が顕著に低下する。そのため非磁性被覆層及び潤滑膜
を薄膜化するか，挿入膜を薄膜化するか，もしくは磁気
記録用ヘッドの浮上量を下げなければならない。前記方
法では非磁性被覆層及び潤滑膜の効果が薄れ，耐摺動信
頼性を損なう恐れがある。また挿入膜を薄膜化する方法
では耐食信頼性の効果が薄れる。
【０００５】さらに，磁気記録用ヘッドの浮上量を下げ
る方法でも，磁気記録用ヘッドと磁気記録媒体の接触確
率が高くなるため耐摺動信頼性を損なう恐れがある。ま
た，γ−Ｆｅ2Ｏ3薄膜媒体を使用すると耐食性には優れ
ているが，金属薄膜媒体に比べて高密度記録に必要な大
きな保磁力及び残留磁化を得ることができず，更には耐
摺動信頼性の観点からも適さない。
る方法でも，磁気記録用ヘッドと磁気記録媒体の接触確
率が高くなるため耐摺動信頼性を損なう恐れがある。ま
た，γ−Ｆｅ2Ｏ3薄膜媒体を使用すると耐食性には優れ
ているが，金属薄膜媒体に比べて高密度記録に必要な大
きな保磁力及び残留磁化を得ることができず，更には耐
摺動信頼性の観点からも適さない。
【０００６】従って，そこで本発明の目的は，金属磁性
薄膜の優れた磁気特性を維持しつつ，優れた耐食性を有
する金属薄膜磁気記録媒体を提供することにある。
薄膜の優れた磁気特性を維持しつつ，優れた耐食性を有
する金属薄膜磁気記録媒体を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め，本発明の磁気記録媒体は以下のように構成され，ま
た製造される。
め，本発明の磁気記録媒体は以下のように構成され，ま
た製造される。
【０００８】（１） 基板と，前記基板上に設けられた
下地層と，前記下地層上に設けられた磁性層とを有する
磁気記録媒体において，前記磁性層が少なくとも２層以
上の異なる磁気記録用合金層で構成され，かつ前記磁性
層のうち最上層磁性層表面の柱状結晶の平均粒径が下部
磁性層表面の柱状結晶の平均粒径よりも小さくされたこ
とを特徴とする。この場合，必要に応じて，前記磁性層
上に非磁性層被覆層が設けられ，この非磁性層被覆層内
もしくは非磁性層被覆層上に潤滑膜層が形成される。
下地層と，前記下地層上に設けられた磁性層とを有する
磁気記録媒体において，前記磁性層が少なくとも２層以
上の異なる磁気記録用合金層で構成され，かつ前記磁性
層のうち最上層磁性層表面の柱状結晶の平均粒径が下部
磁性層表面の柱状結晶の平均粒径よりも小さくされたこ
とを特徴とする。この場合，必要に応じて，前記磁性層
上に非磁性層被覆層が設けられ，この非磁性層被覆層内
もしくは非磁性層被覆層上に潤滑膜層が形成される。
【０００９】（２） また，上記の磁気記録媒体におい
て，前記磁性層が少なくとも２層以上の磁気記録用合金
層で構成され，かつ前記磁性層のうち最上層磁性層膜厚
が下部磁性層膜厚よりも薄いことを特徴とする。
て，前記磁性層が少なくとも２層以上の磁気記録用合金
層で構成され，かつ前記磁性層のうち最上層磁性層膜厚
が下部磁性層膜厚よりも薄いことを特徴とする。
【００１０】（３） さらに，記録再生特性の観点から
高保磁力，高残留磁化を得るために，前記磁性層の最上
層がＮｉを１原子％以上４０原子％以下含有し，Ｔｉ，
Ｖ，Ｃｒ， Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｉ
ｒ，ＰｔなどのＮｉ以外の遷移金属群から選ばれた少な
くとも１種類以上の添加元素の総和量を１原子％以上２
０原子％以下含有し，残部がＣｏであるＣｏＮｉ基合金
からなる磁気記録用合金で構成される。
高保磁力，高残留磁化を得るために，前記磁性層の最上
層がＮｉを１原子％以上４０原子％以下含有し，Ｔｉ，
Ｖ，Ｃｒ， Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｉ
ｒ，ＰｔなどのＮｉ以外の遷移金属群から選ばれた少な
くとも１種類以上の添加元素の総和量を１原子％以上２
０原子％以下含有し，残部がＣｏであるＣｏＮｉ基合金
からなる磁気記録用合金で構成される。
【００１１】（４） また，前記磁性層の最上層を除く
磁気記録層がＣｒを１原子％以上３０原子％以下含有
し，Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｉ
ｒ，ＰｔなどのＣｒを除く遷移金属群およびＧｅ，Ｓｉ
から選ばれた少なくとも１種類以上の添加元素の総和量
を１原子％以上２０原子％以下含有し，残部がＣｏであ
るＣｏＣｒ基合金からなる磁気記録用合金で構成され
る。
磁気記録層がＣｒを１原子％以上３０原子％以下含有
し，Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｉ
ｒ，ＰｔなどのＣｒを除く遷移金属群およびＧｅ，Ｓｉ
から選ばれた少なくとも１種類以上の添加元素の総和量
を１原子％以上２０原子％以下含有し，残部がＣｏであ
るＣｏＣｒ基合金からなる磁気記録用合金で構成され
る。
【００１２】（５） さらに，前記磁性層の最上層を除
く磁気記録層がＴｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｉｒ，Ｐｔなどの遷移金属群およびＰ，Ｓｉか
ら選ばれた少なくとも１種類以上の添加元素の総和量を
１原子％以上４５原子％以下含有するＣｏ基合金からな
る磁気記録用合金であるように構成することできる。 （６） また，前記複数の磁性層間に非磁性層等の中間
層を介在せしめ，前記磁性層の最上層を耐食性金属磁性
膜とする。
く磁気記録層がＴｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｉｒ，Ｐｔなどの遷移金属群およびＰ，Ｓｉか
ら選ばれた少なくとも１種類以上の添加元素の総和量を
１原子％以上４５原子％以下含有するＣｏ基合金からな
る磁気記録用合金であるように構成することできる。 （６） また，前記複数の磁性層間に非磁性層等の中間
層を介在せしめ，前記磁性層の最上層を耐食性金属磁性
膜とする。
【００１３】（７） さらに前記磁性層のうち，Ｃｏ基
合金中の酸素が１０原子％以下であるように構成する。
この場合，最上層磁性層中の酸素含有量が下部磁性層中
の酸素含有量よりも多くすることにより，最上層磁性層
の粒度を下部磁性層の粒度よりも小さくできる。
合金中の酸素が１０原子％以下であるように構成する。
この場合，最上層磁性層中の酸素含有量が下部磁性層中
の酸素含有量よりも多くすることにより，最上層磁性層
の粒度を下部磁性層の粒度よりも小さくできる。
【００１４】（８） さらに，前記磁性層の形成におい
て，最上層磁性層の形成ガス雰囲気を下部磁性層の形成
ガス雰囲気よりも低ガス圧として成膜することにより，
最上磁性層の粒度を下部磁性層の粒度よりも小さくで
き，目的の磁気記録媒体を製造することができる。
て，最上層磁性層の形成ガス雰囲気を下部磁性層の形成
ガス雰囲気よりも低ガス圧として成膜することにより，
最上磁性層の粒度を下部磁性層の粒度よりも小さくで
き，目的の磁気記録媒体を製造することができる。
【００１５】（９） また，前記磁性層の形成におい
て，最上層磁性層の形成時のタ−ゲット投入電力を下部
磁性層の形成時のタ−ゲット投入電力よりも高電力とし
て成膜することにより，電力の高い最上層磁性層の粒度
を電力の低い下部磁性層の粒度よりも小さくでき，目的
の磁気記録媒体を製造することができる。
て，最上層磁性層の形成時のタ−ゲット投入電力を下部
磁性層の形成時のタ−ゲット投入電力よりも高電力とし
て成膜することにより，電力の高い最上層磁性層の粒度
を電力の低い下部磁性層の粒度よりも小さくでき，目的
の磁気記録媒体を製造することができる。
【００１６】（１０） また，上記構成の磁気記録媒体
を用いることにより記録再生特性の良く，耐食信頼性の
高い磁気記録装置を提供することができる。
を用いることにより記録再生特性の良く，耐食信頼性の
高い磁気記録装置を提供することができる。
【００１７】
【作用】上記構成に基づく作用を説明する。
【００１８】（１） 本発明によれば，磁性層が少なく
とも２層以上の磁気記録用合金層で構成され，かつ前記
最上層磁性層表面の柱状結晶の平均粒径が下部磁性層表
面の柱状結晶の平均粒径よりも小さいように構成したの
で，粒径の小さい最上層磁性層の方が，粒径の大きい下
部磁性層に比べて，密度が高く，より緻密になり，それ
によつて，柱状結晶間の隙間を減らすことができ，外部
からのＣｌ，Ｓ系ガス等の侵食物質の侵入を防ぎ，その
結果耐食性に効果がある。更に柱状結晶粒の微細化によ
り媒体ノイズの低減に効果がある。
とも２層以上の磁気記録用合金層で構成され，かつ前記
最上層磁性層表面の柱状結晶の平均粒径が下部磁性層表
面の柱状結晶の平均粒径よりも小さいように構成したの
で，粒径の小さい最上層磁性層の方が，粒径の大きい下
部磁性層に比べて，密度が高く，より緻密になり，それ
によつて，柱状結晶間の隙間を減らすことができ，外部
からのＣｌ，Ｓ系ガス等の侵食物質の侵入を防ぎ，その
結果耐食性に効果がある。更に柱状結晶粒の微細化によ
り媒体ノイズの低減に効果がある。
【００１９】なお，下部磁性層まで含め全体の磁性層ま
で最上層磁性層のようなちいさな粒径で高密度の磁性層
を作ることは困難で，安定性も悪く製造コストもかさ
み，実現性に乏しいが，本発明によれば最上層磁性層の
み小粒径とすることを考慮するだけで，この最上層磁性
層自体を外部からの侵食を防ぐ保護膜として機能させ，
叙上のような高品質で安定性のある磁気記録媒体を低コ
ストで容易に製造することができる。
で最上層磁性層のようなちいさな粒径で高密度の磁性層
を作ることは困難で，安定性も悪く製造コストもかさ
み，実現性に乏しいが，本発明によれば最上層磁性層の
み小粒径とすることを考慮するだけで，この最上層磁性
層自体を外部からの侵食を防ぐ保護膜として機能させ，
叙上のような高品質で安定性のある磁気記録媒体を低コ
ストで容易に製造することができる。
【００２０】（２） また，前記磁性層が少なくとも２
層以上の磁気記録用合金層で構成され，かつ前記最上層
磁性層膜厚が下部磁性層膜厚よりも薄くされるので，下
層磁性膜の表面結晶粒径を反映せず，上部磁性膜の柱状
結晶粒の成長を抑えることができ，その結果，多数の緻
密な柱状結晶が形成でき耐食性及び媒体ノイズの低減に
効果がある。
層以上の磁気記録用合金層で構成され，かつ前記最上層
磁性層膜厚が下部磁性層膜厚よりも薄くされるので，下
層磁性膜の表面結晶粒径を反映せず，上部磁性膜の柱状
結晶粒の成長を抑えることができ，その結果，多数の緻
密な柱状結晶が形成でき耐食性及び媒体ノイズの低減に
効果がある。
【００２１】すなわち，この柱状結晶粒は，媒体製造時
に，膜厚をだんだん厚く成長させて行くと，上部に行く
程（厚くなる程）扇形（漏斗形）に太く粗く広がって行
くため、粒度が高くなって緻密性が失われてしまうが，
下部磁性層を形成した後，改めて最上層の磁性層を形成
する場合には，最上層磁性層は下部磁性層の結晶粒径の
影響を受けることなく，独自にその粒径を調節すること
ができるので，小粒径の緻密な柱状結晶が得られるもの
である。したがって，最上層の膜厚は薄い方が粒径の成
長を抑えることができるものである。
に，膜厚をだんだん厚く成長させて行くと，上部に行く
程（厚くなる程）扇形（漏斗形）に太く粗く広がって行
くため、粒度が高くなって緻密性が失われてしまうが，
下部磁性層を形成した後，改めて最上層の磁性層を形成
する場合には，最上層磁性層は下部磁性層の結晶粒径の
影響を受けることなく，独自にその粒径を調節すること
ができるので，小粒径の緻密な柱状結晶が得られるもの
である。したがって，最上層の膜厚は薄い方が粒径の成
長を抑えることができるものである。
【００２２】（３） さらに，特に磁性層の最表面層
を，Ｎｉを１原子％以上４０原子％以下含有し，Ｔｉ，
Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｉｒ，
ＰｔなどのＮｉ以外の遷移金属群から選ばれた少なくと
も１種類以上の添加元素の総和量を１原子％以上２０原
子％以下含有するＣｏＮｉ基合金からなる磁気記録用合
金を用いることによって，磁性膜を金属薄膜としても磁
性膜表面の耐食性を高めることができ，さらには磁性媒
体を高保磁力，高残留磁化とすることができ，高記録密
度用媒体とすることができる。
を，Ｎｉを１原子％以上４０原子％以下含有し，Ｔｉ，
Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｉｒ，
ＰｔなどのＮｉ以外の遷移金属群から選ばれた少なくと
も１種類以上の添加元素の総和量を１原子％以上２０原
子％以下含有するＣｏＮｉ基合金からなる磁気記録用合
金を用いることによって，磁性膜を金属薄膜としても磁
性膜表面の耐食性を高めることができ，さらには磁性媒
体を高保磁力，高残留磁化とすることができ，高記録密
度用媒体とすることができる。
【００２３】（４） さらに，磁性層の最上層を除く磁
気記録層がＣｒを１原子％以上３０原子％以下含有し，
Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｉｒ，
ＰｔなどのＣｒを除く遷移金属群から選ばれた少なくと
も１種類以上の添加元素の総和量を１原子％以上２０原
子％以下含有するＣｏＣｒ基合金からなる磁気記録用合
金を用いることで，耐食性を維持しつつ媒体ノイズを低
減することができ，高密度記録に適し，かつ耐食信頼性
の高い磁気記録媒体を提供することができる。
気記録層がＣｒを１原子％以上３０原子％以下含有し，
Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｉｒ，
ＰｔなどのＣｒを除く遷移金属群から選ばれた少なくと
も１種類以上の添加元素の総和量を１原子％以上２０原
子％以下含有するＣｏＣｒ基合金からなる磁気記録用合
金を用いることで，耐食性を維持しつつ媒体ノイズを低
減することができ，高密度記録に適し，かつ耐食信頼性
の高い磁気記録媒体を提供することができる。
【００２４】（５） また，前記磁性層の最上層を除く
磁気記録層がＴｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｉｒ，Ｐｔなどの遷移金属群およびＰ，Ｓｉか
ら選ばれた少なくとも１種類以上の添加元素の総和量を
１原子％以上４５原子％以下含有するＣｏ基合金からな
る磁気記録用合金であることでも磁性膜最上層が耐食磁
性膜であることより，主たる下層磁性膜の媒体ノイズを
低減することができ，高密度記録に適した磁気記録媒体
を提供することができる。
磁気記録層がＴｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｉｒ，Ｐｔなどの遷移金属群およびＰ，Ｓｉか
ら選ばれた少なくとも１種類以上の添加元素の総和量を
１原子％以上４５原子％以下含有するＣｏ基合金からな
る磁気記録用合金であることでも磁性膜最上層が耐食磁
性膜であることより，主たる下層磁性膜の媒体ノイズを
低減することができ，高密度記録に適した磁気記録媒体
を提供することができる。
【００２５】（６） さらに，多層の磁性層間に非磁性
層等の中間層を介在させ，その磁性層最上層に耐食性磁
性膜を形成することで下層の複数磁性層の効果により，
更なる媒体ノイズの低下を図り，その特性を維持しつつ
耐食性信頼性を確保することができる。
層等の中間層を介在させ，その磁性層最上層に耐食性磁
性膜を形成することで下層の複数磁性層の効果により，
更なる媒体ノイズの低下を図り，その特性を維持しつつ
耐食性信頼性を確保することができる。
【００２６】（７） さらに前記磁性層のうち，Ｃｏ基
合金中の酸素が１０原子％以下に制御することにより，
保磁力を高めることができより高密度記録に適し，かつ
耐食信頼性を兼ね備えた磁気記録媒体を製造することが
できる。
合金中の酸素が１０原子％以下に制御することにより，
保磁力を高めることができより高密度記録に適し，かつ
耐食信頼性を兼ね備えた磁気記録媒体を製造することが
できる。
【００２７】（８） また，前記磁性膜の最上層の成膜
時のガス圧を下部磁性層形成時の成膜ガス圧より低ガス
圧にすることにより，最上層磁性膜の密度があがり，緻
密な柱状結晶を形成することができ，耐食性の高い高密
度記録に適した磁気記録媒体を製造することができる。
時のガス圧を下部磁性層形成時の成膜ガス圧より低ガス
圧にすることにより，最上層磁性膜の密度があがり，緻
密な柱状結晶を形成することができ，耐食性の高い高密
度記録に適した磁気記録媒体を製造することができる。
【００２８】（９） また，前記磁性層の形成におい
て，最上層磁性膜の形成時タ−ゲット投入電力を下部磁
性膜形成時タ−ゲット投入電力雰囲気よりも高電力とし
て成膜することにより，最上層磁性膜スパッタ粒子のエ
ネルギが高められるために，下部磁性膜の柱状結晶粒径
を反映しない緻密な最上層磁性膜を形成することがで
き，耐食性の高い高密度記録に適した磁気記録媒体を製
造することができる。
て，最上層磁性膜の形成時タ−ゲット投入電力を下部磁
性膜形成時タ−ゲット投入電力雰囲気よりも高電力とし
て成膜することにより，最上層磁性膜スパッタ粒子のエ
ネルギが高められるために，下部磁性膜の柱状結晶粒径
を反映しない緻密な最上層磁性膜を形成することがで
き，耐食性の高い高密度記録に適した磁気記録媒体を製
造することができる。
【００２９】さらに前記磁気記録媒体を使用することに
より高耐食信頼性を持つ高密度記録磁気記録再生装置を
提供することができる。
より高耐食信頼性を持つ高密度記録磁気記録再生装置を
提供することができる。
【００３０】
【実施例】以下に，本発明の実施例を図面により詳細に
説明する。
説明する。
【００３１】図１は，本発明の一実施例の磁気ディスク
の断面図である。同図で，１１はＡｌ合金などから成る
基板，１２はＮｉ−Ｐ，Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐなどから成る非
磁性めっき層，１３はＣｒなどから成る下地層，１４は
Ｃｏ基合金から成る下部磁性層，１６はＣｏ基合金から
成る耐食性磁性層（上部磁性層），１７はＣなどから成
る非磁性被覆層，１８はパ−フルオロアルキルポリエ−
テルなどから成る潤滑膜層である。このうち下地層１
３，下部磁性層１４，上部磁性層１６，及び非磁性被覆
層１７は，いずれもスパッタリングにより形成され，潤
滑層１８は塗布法等により形成される。以下にこの磁気
記録媒体の詳細な構成を製法と共に説明するる。
の断面図である。同図で，１１はＡｌ合金などから成る
基板，１２はＮｉ−Ｐ，Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐなどから成る非
磁性めっき層，１３はＣｒなどから成る下地層，１４は
Ｃｏ基合金から成る下部磁性層，１６はＣｏ基合金から
成る耐食性磁性層（上部磁性層），１７はＣなどから成
る非磁性被覆層，１８はパ−フルオロアルキルポリエ−
テルなどから成る潤滑膜層である。このうち下地層１
３，下部磁性層１４，上部磁性層１６，及び非磁性被覆
層１７は，いずれもスパッタリングにより形成され，潤
滑層１８は塗布法等により形成される。以下にこの磁気
記録媒体の詳細な構成を製法と共に説明するる。
【００３２】外径９０ｍｍφ，内径２５ｍｍφ，厚さ
１．３ｍｍのＡｌ合金基板１１の上に２０μｍの非磁性
１１ｗｔ％Ｐ−Ｎｉめっき層を形成した基板上に表面研
磨を施し，さらに表面に基板円周方向に中心線平均粗さ
Ｒａで８ｎｍの微細傷を付け，膜厚１３μｍとした非磁
性めっき層１２の上に，基板温度２００℃，Ａｒ圧１０
ｍＴｏｒｒ，ＤＣ投入電力４Ｗ／ｃｍ2 でＣｒ下地層１
３を１５０ｎｍ形成し，下層の磁性膜にＣｏＮｉ12Ｃｒ
6 合金を用いて磁性層１４をＡｒ圧１０ｍＴｏｒｒ，Ｄ
Ｃ投入電力４Ｗ／ｃｍ2 で３０ｎｍ形成した。引き続き
ＣｏＮｉ12Ｃｒ6合金をＡｒ圧１０ｍＴｏｒｒ，ＤＣ投
入電力９Ｗ／ｃｍ2 で上部磁性膜１６を３０ｎｍ形成し
た。
１．３ｍｍのＡｌ合金基板１１の上に２０μｍの非磁性
１１ｗｔ％Ｐ−Ｎｉめっき層を形成した基板上に表面研
磨を施し，さらに表面に基板円周方向に中心線平均粗さ
Ｒａで８ｎｍの微細傷を付け，膜厚１３μｍとした非磁
性めっき層１２の上に，基板温度２００℃，Ａｒ圧１０
ｍＴｏｒｒ，ＤＣ投入電力４Ｗ／ｃｍ2 でＣｒ下地層１
３を１５０ｎｍ形成し，下層の磁性膜にＣｏＮｉ12Ｃｒ
6 合金を用いて磁性層１４をＡｒ圧１０ｍＴｏｒｒ，Ｄ
Ｃ投入電力４Ｗ／ｃｍ2 で３０ｎｍ形成した。引き続き
ＣｏＮｉ12Ｃｒ6合金をＡｒ圧１０ｍＴｏｒｒ，ＤＣ投
入電力９Ｗ／ｃｍ2 で上部磁性膜１６を３０ｎｍ形成し
た。
【００３３】図２に，上記作成円板を７ｍｍ×７ｍｍに
切断した試料をＶＳＭ（Ｖｉｂ＿ｒａｔｉｏｎ Ｓａｍ
ｐｌｅ Ｍａｇｎｅｔｏｍｅｔｅｒ）で飽和磁界５ｋＯ
ｅ，測定時間２０分／ル−プで静磁気特性を測定した結
果を示す。また比較のために，（比較例として）上部お
よび下部磁性膜をＡｒ圧１０ｍＴｏｒｒ，ＤＣ投入電力
４Ｗ／ｃｍ2 で６０ｎｍ（上部，下部がそれぞれ３０ｎ
ｍ）形成した円板を同様に測定した結果を示す。なお，
図２で，左側が比較例，右側が本実施例によるものであ
る。この結果，上部磁性層１６の形成時のＤＣ投入電力
を増加することにより，保磁力および磁束密度が上昇し
静磁気特性が改善されることがわかった。また前記円板
を高分解能走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて５０万
倍，１００万倍で断面を観察したところ，本実施例で
は，磁性膜のほぼ中間部より柱状結晶形態が異なり，比
較例に比べて上部磁性膜がより緻密な結晶粒が観察され
た。また，この観察の妥当性を確認するために下部，上
部磁性膜を上記の同一条件（投入電力が上部，下部共４
Ｗ）で形成した円板と，下部，上部磁性膜を上記の異な
る条件（投入電力が下部で４Ｗ，上部で９Ｗ）で形成し
た円板の両者をそれぞれ高分解能ＳＥＭを用いて５０万
倍，１００万倍で円板表面（上部磁性膜の表面）を観察
したところ，それらの平均結晶粒径がそれぞれ約６０ｎ
ｍ（同一条件のもの），約４０ｎｍ（異なる条件のも
の）であった。さらに下部磁性膜のみ形成した表面（電
力４Ｗで一層だけ厚み３０ｎｍ形成したもの）と，下
部，上部磁性膜を異なる条件（下部が４Ｗで３０ｎｍ，
上部が９Ｗで３０ｎｍ）で形成した後の表面を観察した
ところ，平均結晶粒径が異なりそれらの平均結晶粒径が
それぞれ約４５ｎｍ，約４０ｎｍであった。
切断した試料をＶＳＭ（Ｖｉｂ＿ｒａｔｉｏｎ Ｓａｍ
ｐｌｅ Ｍａｇｎｅｔｏｍｅｔｅｒ）で飽和磁界５ｋＯ
ｅ，測定時間２０分／ル−プで静磁気特性を測定した結
果を示す。また比較のために，（比較例として）上部お
よび下部磁性膜をＡｒ圧１０ｍＴｏｒｒ，ＤＣ投入電力
４Ｗ／ｃｍ2 で６０ｎｍ（上部，下部がそれぞれ３０ｎ
ｍ）形成した円板を同様に測定した結果を示す。なお，
図２で，左側が比較例，右側が本実施例によるものであ
る。この結果，上部磁性層１６の形成時のＤＣ投入電力
を増加することにより，保磁力および磁束密度が上昇し
静磁気特性が改善されることがわかった。また前記円板
を高分解能走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて５０万
倍，１００万倍で断面を観察したところ，本実施例で
は，磁性膜のほぼ中間部より柱状結晶形態が異なり，比
較例に比べて上部磁性膜がより緻密な結晶粒が観察され
た。また，この観察の妥当性を確認するために下部，上
部磁性膜を上記の同一条件（投入電力が上部，下部共４
Ｗ）で形成した円板と，下部，上部磁性膜を上記の異な
る条件（投入電力が下部で４Ｗ，上部で９Ｗ）で形成し
た円板の両者をそれぞれ高分解能ＳＥＭを用いて５０万
倍，１００万倍で円板表面（上部磁性膜の表面）を観察
したところ，それらの平均結晶粒径がそれぞれ約６０ｎ
ｍ（同一条件のもの），約４０ｎｍ（異なる条件のも
の）であった。さらに下部磁性膜のみ形成した表面（電
力４Ｗで一層だけ厚み３０ｎｍ形成したもの）と，下
部，上部磁性膜を異なる条件（下部が４Ｗで３０ｎｍ，
上部が９Ｗで３０ｎｍ）で形成した後の表面を観察した
ところ，平均結晶粒径が異なりそれらの平均結晶粒径が
それぞれ約４５ｎｍ，約４０ｎｍであった。
【００３４】これらのことから，次のことがわかる。柱
状結晶の粒径は，成長するにつれて（上方に厚みを増す
につれて）扇状（漏斗状に）太くなって行くこと。投入
電力が大きい程粒径が小さく緻密で高密となること。下
部，上部同一条件の場合は，上部扇状が下部扇状に連な
る形で形成されるため，上部は下部よりも粗大化し，粒
径が大きくなる。これに対し，異なる条件の場合は，上
部の扇状は下部の扇状とは独立してその上面に形成され
るため，改めて下部よりも緻密で高密で粒度の小さい上
部扇状が形成されること。
状結晶の粒径は，成長するにつれて（上方に厚みを増す
につれて）扇状（漏斗状に）太くなって行くこと。投入
電力が大きい程粒径が小さく緻密で高密となること。下
部，上部同一条件の場合は，上部扇状が下部扇状に連な
る形で形成されるため，上部は下部よりも粗大化し，粒
径が大きくなる。これに対し，異なる条件の場合は，上
部の扇状は下部の扇状とは独立してその上面に形成され
るため，改めて下部よりも緻密で高密で粒度の小さい上
部扇状が形成されること。
【００３５】図３に１規定の塩水噴霧試験を６０℃で行
い，実施例円板と比較例円板の飽和磁束密度の規格値の
時間変化を示す。実施例円板において，飽和磁束密度の
時間変化が少なく耐食性の良い円板であることがわかっ
た。この効果は，磁性膜合金に依存せず別にＣｏＮｉ，
ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔ合金で同一の試験を行った
場合にも同様の効果が得られた。すなわち，この効果は
上部磁性層の表面平均結晶粒径が下部磁性層の平均結晶
粒径よりも小さいことで現れることが見出された。
い，実施例円板と比較例円板の飽和磁束密度の規格値の
時間変化を示す。実施例円板において，飽和磁束密度の
時間変化が少なく耐食性の良い円板であることがわかっ
た。この効果は，磁性膜合金に依存せず別にＣｏＮｉ，
ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔ合金で同一の試験を行った
場合にも同様の効果が得られた。すなわち，この効果は
上部磁性層の表面平均結晶粒径が下部磁性層の平均結晶
粒径よりも小さいことで現れることが見出された。
【００３６】次に，外径９０ｍｍφ，内径２５ｍｍφ，
厚さ１．３ｍｍのＡｌ合金基板１１の上に２０μｍの非
磁性１１ｗｔ％Ｐ−Ｎｉめっき層を形成した基板上に，
表面研磨を施しさらに表面に基板円周方向に中心線平均
粗さＲａで９ｎｍの微細傷を付け，膜厚１５μｍとした
非磁性めっき層１２の上に，基板温度１８０℃，Ａｒ圧
１０ｍＴｏｒｒ，ＤＣ投入電力７Ｗ／ｃｍ2 でＣｒ下地
層１３を１５０ｎｍ形成し，このＣｒ下地層と同一条件
で，ＣｏＮｉ12Ｃｒ6 下部磁性層１４を形成し，さらに
その上にＺｒを８ａｔ％添加したＣｏ75Ｎｉ25合金タ−
ゲットを用いて飽和磁束が１００００ガウスに一定にな
るように（厳密にいうと，飽性磁束密度と磁性層の全体
の厚みとの積を４００ガウス・μｍの一定値になるよう
に）上部磁性層１６を１，５，１０，２０ｎｍ形成し
た。この場合，この下部磁性層厚はこのガウス・μｍの
条件を満たすようにきめる。その後，３ｍＴｏｒｒ，８
Ｗ／ｃｍ2 で３０ｎｍのＣからなる非磁性被覆層１７を
形成した。これらの磁気ディスクの耐食強度を５規定Ｎ
ａＣｌ塩水噴霧試験を行ったところ，飽和磁束密度は１
ｎｍの上部磁性膜層の存在より効果が現れ，特に５ｎｍ
以上でその効果が顕著となり，最上層磁性膜厚が２０ｎ
ｍ以上で変化しなかった。
厚さ１．３ｍｍのＡｌ合金基板１１の上に２０μｍの非
磁性１１ｗｔ％Ｐ−Ｎｉめっき層を形成した基板上に，
表面研磨を施しさらに表面に基板円周方向に中心線平均
粗さＲａで９ｎｍの微細傷を付け，膜厚１５μｍとした
非磁性めっき層１２の上に，基板温度１８０℃，Ａｒ圧
１０ｍＴｏｒｒ，ＤＣ投入電力７Ｗ／ｃｍ2 でＣｒ下地
層１３を１５０ｎｍ形成し，このＣｒ下地層と同一条件
で，ＣｏＮｉ12Ｃｒ6 下部磁性層１４を形成し，さらに
その上にＺｒを８ａｔ％添加したＣｏ75Ｎｉ25合金タ−
ゲットを用いて飽和磁束が１００００ガウスに一定にな
るように（厳密にいうと，飽性磁束密度と磁性層の全体
の厚みとの積を４００ガウス・μｍの一定値になるよう
に）上部磁性層１６を１，５，１０，２０ｎｍ形成し
た。この場合，この下部磁性層厚はこのガウス・μｍの
条件を満たすようにきめる。その後，３ｍＴｏｒｒ，８
Ｗ／ｃｍ2 で３０ｎｍのＣからなる非磁性被覆層１７を
形成した。これらの磁気ディスクの耐食強度を５規定Ｎ
ａＣｌ塩水噴霧試験を行ったところ，飽和磁束密度は１
ｎｍの上部磁性膜層の存在より効果が現れ，特に５ｎｍ
以上でその効果が顕著となり，最上層磁性膜厚が２０ｎ
ｍ以上で変化しなかった。
【００３７】さらに，下部磁性膜の組成を変更して上記
実施例と同様の検討を行った。外径９０ｍｍφ，内径２
５ｍｍφ，厚さ１．３ｍｍのＡｌ合金基板１１の上に２
０μｍの非磁性１１ｗｔ％Ｐ−Ｎｉめっき層を形成した
基板上に，表面研磨を施しさらに表面に基板円周方向に
中心線平均粗さＲａで９ｎｍの微細傷を付け，膜厚１５
μｍとした非磁性めっき層１２の上に，基板温度１８０
℃，Ａｒ圧１０ｍＴｏｒｒ，ＤＣ投入電力７Ｗ／ｃｍ2
でＣｒ下地層１３を１５０ｎｍ形成し，このＣｒ下地層
１３と同一条件でＣｏＣｒ12Ｔａ4 下部磁性層１４を形
成し，さらにその上にＺｒを８ａｔ％添加したＣｏ75Ｎ
ｉ25合金タ−ゲットを用いて全磁性層の飽和磁束密度が
１００００ガウスに一定になるように（上記と同じく４
００ガウス・μｍの一定値になるように）上部磁性層１
６をＡｒ圧３ｍＴｏｒｒ，ＤＣ投入電力７Ｗ／ｃｍ2 で
１，５，１０，２０ｎｍ形成した。その後，３ｍＴｏｒ
ｒ，８Ｗ／ｃｍ2 で３０ｎｍのＣからなる非磁性被覆層
１７を形成し，最後にパ−フルオロアルキルポリエ−テ
ルからなる液体潤滑層１８を５ｎｍ形成して磁気ディス
クとした。図４に磁気ディスクの保磁力Ｈｃを示すが，
いずれの保磁力に関しても１０００Ｏｅ以上あり，角形
比Ｓは０．８以上あった。ＣｏＣｒ12Ｔａ4下部磁性層
１４と（Ｃｏ75Ｎｉ25）92Ｚｒ8 上部磁性膜１６の膜厚
により保磁力が変化し，特にＣｏＣｒ12Ｔａ4 下部磁性
層１４が薄膜であるほど保磁力は増加した。
実施例と同様の検討を行った。外径９０ｍｍφ，内径２
５ｍｍφ，厚さ１．３ｍｍのＡｌ合金基板１１の上に２
０μｍの非磁性１１ｗｔ％Ｐ−Ｎｉめっき層を形成した
基板上に，表面研磨を施しさらに表面に基板円周方向に
中心線平均粗さＲａで９ｎｍの微細傷を付け，膜厚１５
μｍとした非磁性めっき層１２の上に，基板温度１８０
℃，Ａｒ圧１０ｍＴｏｒｒ，ＤＣ投入電力７Ｗ／ｃｍ2
でＣｒ下地層１３を１５０ｎｍ形成し，このＣｒ下地層
１３と同一条件でＣｏＣｒ12Ｔａ4 下部磁性層１４を形
成し，さらにその上にＺｒを８ａｔ％添加したＣｏ75Ｎ
ｉ25合金タ−ゲットを用いて全磁性層の飽和磁束密度が
１００００ガウスに一定になるように（上記と同じく４
００ガウス・μｍの一定値になるように）上部磁性層１
６をＡｒ圧３ｍＴｏｒｒ，ＤＣ投入電力７Ｗ／ｃｍ2 で
１，５，１０，２０ｎｍ形成した。その後，３ｍＴｏｒ
ｒ，８Ｗ／ｃｍ2 で３０ｎｍのＣからなる非磁性被覆層
１７を形成し，最後にパ−フルオロアルキルポリエ−テ
ルからなる液体潤滑層１８を５ｎｍ形成して磁気ディス
クとした。図４に磁気ディスクの保磁力Ｈｃを示すが，
いずれの保磁力に関しても１０００Ｏｅ以上あり，角形
比Ｓは０．８以上あった。ＣｏＣｒ12Ｔａ4下部磁性層
１４と（Ｃｏ75Ｎｉ25）92Ｚｒ8 上部磁性膜１６の膜厚
により保磁力が変化し，特にＣｏＣｒ12Ｔａ4 下部磁性
層１４が薄膜であるほど保磁力は増加した。
【００３８】これらのディスクの記録再生特性を，ギャ
ップ長０．３μｍ，ポ−ル長５．５μｍ，トラック幅８
μｍの薄膜ヘッドを用いて，ディスク周速１２．４ｍ／
ｓ，ヘッド浮上量０．１５μｍで測定した。図５に記録
周波数を変化させたときのディスクノイズを示す。ま
た，比較のために（Ｃｏ75Ｎｉ25）92Ｚｒ8 単層磁性膜
の成膜条件を，ＣｏＣｒ12Ｔａ4 単層磁性膜の成膜条件
と同じにして成膜したディスクについても示す。各周波
数において（Ｃｏ75Ｎｉ25）92Ｚｒ8 単層膜が最大のデ
ィスクノイズを示し，ＣｏＣｒ12Ｔａ4 層が厚くなるに
従いディスクノイズは減少した。また，（Ｃｏ75Ｎ
ｉ25）92Ｚｒ8 膜が１０ｎｍ以下ではＣｏＣｒ12Ｔａ4
単層膜とほぼ同様なディスクノイズとなった。
ップ長０．３μｍ，ポ−ル長５．５μｍ，トラック幅８
μｍの薄膜ヘッドを用いて，ディスク周速１２．４ｍ／
ｓ，ヘッド浮上量０．１５μｍで測定した。図５に記録
周波数を変化させたときのディスクノイズを示す。ま
た，比較のために（Ｃｏ75Ｎｉ25）92Ｚｒ8 単層磁性膜
の成膜条件を，ＣｏＣｒ12Ｔａ4 単層磁性膜の成膜条件
と同じにして成膜したディスクについても示す。各周波
数において（Ｃｏ75Ｎｉ25）92Ｚｒ8 単層膜が最大のデ
ィスクノイズを示し，ＣｏＣｒ12Ｔａ4 層が厚くなるに
従いディスクノイズは減少した。また，（Ｃｏ75Ｎ
ｉ25）92Ｚｒ8 膜が１０ｎｍ以下ではＣｏＣｒ12Ｔａ4
単層膜とほぼ同様なディスクノイズとなった。
【００３９】さらに，全磁性膜厚が６０ｎｍになるよう
にＣｏＣｒ12Ｐｔ10下部磁性層１４上に上部磁性層１６
をＺｒを６ａｔ％添加したＣｏ65Ｎｉ35合金タ−ゲット
を用いて１，５，１０，２０，３０，４０ｎｍ形成した
場合にも同様の結果になり，３０ｎｍ以下，すなわち５
０％以下の膜厚で良い特性を示し，特に上部磁性膜厚が
１０ｎｍ以下においてはＣｏＣｒ12Ｐｔ10磁性膜とほぼ
同様の特性を示した。これらの磁気ディスクの耐食強度
を５規定ＮａＣｌ塩水噴霧試験を行ったところ，飽和磁
束密度は１ｎｍの上部磁性膜層の存在より効果が表れ特
に５ｎｍ以上でその効果が顕著に現れ，最上層磁性膜厚
が２０ｎｍ以上で変化しなかった。
にＣｏＣｒ12Ｐｔ10下部磁性層１４上に上部磁性層１６
をＺｒを６ａｔ％添加したＣｏ65Ｎｉ35合金タ−ゲット
を用いて１，５，１０，２０，３０，４０ｎｍ形成した
場合にも同様の結果になり，３０ｎｍ以下，すなわち５
０％以下の膜厚で良い特性を示し，特に上部磁性膜厚が
１０ｎｍ以下においてはＣｏＣｒ12Ｐｔ10磁性膜とほぼ
同様の特性を示した。これらの磁気ディスクの耐食強度
を５規定ＮａＣｌ塩水噴霧試験を行ったところ，飽和磁
束密度は１ｎｍの上部磁性膜層の存在より効果が表れ特
に５ｎｍ以上でその効果が顕著に現れ，最上層磁性膜厚
が２０ｎｍ以上で変化しなかった。
【００４０】次に，外径１３０ｍｍφ，内径４０ｍｍ
φ，厚さ１．９ｍｍのＡｌ合金基板１１の上に２０μｍ
の非磁性１２ｗｔ％Ｐ−Ｎｉめっき層１２を形成した。
この基板上に基板温度２００℃，Ａｒ圧５ｍＴｏｒｒ，
ＤＣ投入電力１Ｗ／ｃｍ2 でＣｒ薄膜１３を３００ｎｍ
形成した後，Ｃｒ薄膜１３と同一条件で，Ｃｏ80Ｃｒ12
Ｔａ4 下部磁性層１４を５０ｎｍ形成し，さらにＴｉ，
Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｒｕ，Ｒｈ，
Ｐｄ，Ｐｔを０．０５ａｔ％，０．１ａｔ％，１ａｔ
％，１０ａｔ％，１５ａｔ％，２０ａｔ％，３０ａｔ
％，４０ａｔ％，５０ａｔ％添加したＣｏ70Ｎｉ30合金
タ−ゲットを用いて，上部耐食性磁性層１６を１０ｎｍ
形成した。図６に６０℃，１規定のＮａＣｌの塩水噴霧
試験により，第３添加元素のＣｏＮｉに対する相対濃度
を１０ａｔ％とした上部耐食性磁性膜をもつ磁気ディス
クの飽和磁束密度の時間変化を示す。Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，
Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｐｔを添加した
上部耐食性磁性膜を形成することでＣｏ80Ｃｒ12Ｔａ4
単層膜よりも耐食性は向上するが，特にＺｒ，Ｎｂを添
加することで飽和磁束密度の劣化が無く，優れた耐食性
を示すことが判った。この効果は添加量が０．１ａｔ％
以上であれば実質的に同様であった。また，８０℃，８
０％ＲＨ（相対湿度）の環境で放置した恒温恒湿試験に
ついても同様な結果が得られた。本効果はＺｒ，Ｎｂが
主たる添加元素であれば良く，その他にＴｉ，Ｐｔ，Ｒ
ｕ，Ｔａ，Ｒｈ，Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｐｄが含有されてい
ても優れた耐食性を示した。すなわち下部磁性膜にＣｏ
80Ｃｒ12Ｔａ4 を４０ｎｍ形成し，その上に（Ｃｏ75Ｎ
ｉ25）90Ｚｒ10，（Ｃｏ60Ｎｉ40）94Ｚｒ6 にＴｉを
１，２，５ａｔ％，Ｐｔを０．２，０．５，１．０ａｔ
％，Ｒｕを０．５，１．０ａｔ％，Ｔａを１，２，５ａ
ｔ％，Ｒｈを０．２，０．５，１．０ａｔ％，Ｖを２，
４，６ａｔ％，Ｎｂを２，４，６ａｔ％，Ｃｒを１，
２，５ａｔ％，Ｐｄを０．２，０．５，１．０ａｔ％添
加した磁性膜を１０ｎｍ形成してその耐食性について６
０℃，９０％ＲＨ，クラス１００００（１立方フィート
当りの，０．５μｍ以上のごみの数が１００００）の環
境に放置した。いずれの磁性膜もこれらの第４元素を添
加することで２週間後の磁化の減少量は５％以下で特に
優れていた。これは，これらの第４元素を添加すること
で，表面酸化被膜の構造がより強固になり，均一な腐
食，酸化に対する耐食性が向上するためである。以上の
効果は，上記元素の添加量を０．０１ａｔ％以上とすれ
ば認められた。ただし添加量が１５ａｔ％を超えると飽
和磁化が低下してしまうので望ましくない。
φ，厚さ１．９ｍｍのＡｌ合金基板１１の上に２０μｍ
の非磁性１２ｗｔ％Ｐ−Ｎｉめっき層１２を形成した。
この基板上に基板温度２００℃，Ａｒ圧５ｍＴｏｒｒ，
ＤＣ投入電力１Ｗ／ｃｍ2 でＣｒ薄膜１３を３００ｎｍ
形成した後，Ｃｒ薄膜１３と同一条件で，Ｃｏ80Ｃｒ12
Ｔａ4 下部磁性層１４を５０ｎｍ形成し，さらにＴｉ，
Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｒｕ，Ｒｈ，
Ｐｄ，Ｐｔを０．０５ａｔ％，０．１ａｔ％，１ａｔ
％，１０ａｔ％，１５ａｔ％，２０ａｔ％，３０ａｔ
％，４０ａｔ％，５０ａｔ％添加したＣｏ70Ｎｉ30合金
タ−ゲットを用いて，上部耐食性磁性層１６を１０ｎｍ
形成した。図６に６０℃，１規定のＮａＣｌの塩水噴霧
試験により，第３添加元素のＣｏＮｉに対する相対濃度
を１０ａｔ％とした上部耐食性磁性膜をもつ磁気ディス
クの飽和磁束密度の時間変化を示す。Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，
Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｐｔを添加した
上部耐食性磁性膜を形成することでＣｏ80Ｃｒ12Ｔａ4
単層膜よりも耐食性は向上するが，特にＺｒ，Ｎｂを添
加することで飽和磁束密度の劣化が無く，優れた耐食性
を示すことが判った。この効果は添加量が０．１ａｔ％
以上であれば実質的に同様であった。また，８０℃，８
０％ＲＨ（相対湿度）の環境で放置した恒温恒湿試験に
ついても同様な結果が得られた。本効果はＺｒ，Ｎｂが
主たる添加元素であれば良く，その他にＴｉ，Ｐｔ，Ｒ
ｕ，Ｔａ，Ｒｈ，Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｐｄが含有されてい
ても優れた耐食性を示した。すなわち下部磁性膜にＣｏ
80Ｃｒ12Ｔａ4 を４０ｎｍ形成し，その上に（Ｃｏ75Ｎ
ｉ25）90Ｚｒ10，（Ｃｏ60Ｎｉ40）94Ｚｒ6 にＴｉを
１，２，５ａｔ％，Ｐｔを０．２，０．５，１．０ａｔ
％，Ｒｕを０．５，１．０ａｔ％，Ｔａを１，２，５ａ
ｔ％，Ｒｈを０．２，０．５，１．０ａｔ％，Ｖを２，
４，６ａｔ％，Ｎｂを２，４，６ａｔ％，Ｃｒを１，
２，５ａｔ％，Ｐｄを０．２，０．５，１．０ａｔ％添
加した磁性膜を１０ｎｍ形成してその耐食性について６
０℃，９０％ＲＨ，クラス１００００（１立方フィート
当りの，０．５μｍ以上のごみの数が１００００）の環
境に放置した。いずれの磁性膜もこれらの第４元素を添
加することで２週間後の磁化の減少量は５％以下で特に
優れていた。これは，これらの第４元素を添加すること
で，表面酸化被膜の構造がより強固になり，均一な腐
食，酸化に対する耐食性が向上するためである。以上の
効果は，上記元素の添加量を０．０１ａｔ％以上とすれ
ば認められた。ただし添加量が１５ａｔ％を超えると飽
和磁化が低下してしまうので望ましくない。
【００４１】次に外径１３０ｍｍφ，厚さ１．８ｍｍの
Ａｌ合金基板１１に２０μｍの非磁性１１．５ｗｔ％Ｐ
−Ｎｉめっき層を形成した基板に，表面研磨を施しさら
に表面に基板円周方向に中心線平均粗さＲａで９ｎｍの
微細傷を付け，膜厚１５μｍとした非磁性めっき層１２
の上に，基板温度２５０℃，Ａｒ圧４ｍＴｏｒｒ，ＤＣ
投入電力３Ｗ／ｃｍ2 でＣｒを１００ｎｍ形成し，次い
で同一条件でＣｏＣｒ14Ｐｔ10下部磁性層１４を４０ｎ
ｍ形成し，さらにその上に１０ｎｍの（Ｃｏ10 0-xＮ
ｉx）94Ｚｒ6 磁性層（ｘ＝１０，２０，３０，４０，
５０）１６を形成した。そのガス腐食強度について０．
１ｐｐｍＳＯ2，０．１ｐｐｍＨ2Ｓ，０．１ｐｐｍＣｌ
2 中にそれぞれ放置した結果，Ｃｏ76Ｃｒ14Ｐｔ10単層
膜より光学顕微鏡観察において表面形状変化が少なく，
また表面抵抗値の変化の少ない極めてガスに対する耐食
性の良い特性を示した。さらにこのディスクの上に２５
ｎｍのＳｉＯ2 からなる非磁性被覆層を形成し，最後に
パ−フルオロアルキルポリエ−テルからなる液体潤滑層
１８を５ｎｍ形成して磁気ディスクとし，その記録再生
特性をギャップ長０．４μｍの薄膜磁気ヘッドで評価し
たところ，図7に示すようにＣｏに対するＮｉ含有率が
３０ａｔ％以上５０ａｔ％以下のときに特にＳ／Ｎ比が
良く，極めて良好な記録再生特性を示した。ここで，Ｓ
／Ｎは次の式で表される。
Ａｌ合金基板１１に２０μｍの非磁性１１．５ｗｔ％Ｐ
−Ｎｉめっき層を形成した基板に，表面研磨を施しさら
に表面に基板円周方向に中心線平均粗さＲａで９ｎｍの
微細傷を付け，膜厚１５μｍとした非磁性めっき層１２
の上に，基板温度２５０℃，Ａｒ圧４ｍＴｏｒｒ，ＤＣ
投入電力３Ｗ／ｃｍ2 でＣｒを１００ｎｍ形成し，次い
で同一条件でＣｏＣｒ14Ｐｔ10下部磁性層１４を４０ｎ
ｍ形成し，さらにその上に１０ｎｍの（Ｃｏ10 0-xＮ
ｉx）94Ｚｒ6 磁性層（ｘ＝１０，２０，３０，４０，
５０）１６を形成した。そのガス腐食強度について０．
１ｐｐｍＳＯ2，０．１ｐｐｍＨ2Ｓ，０．１ｐｐｍＣｌ
2 中にそれぞれ放置した結果，Ｃｏ76Ｃｒ14Ｐｔ10単層
膜より光学顕微鏡観察において表面形状変化が少なく，
また表面抵抗値の変化の少ない極めてガスに対する耐食
性の良い特性を示した。さらにこのディスクの上に２５
ｎｍのＳｉＯ2 からなる非磁性被覆層を形成し，最後に
パ−フルオロアルキルポリエ−テルからなる液体潤滑層
１８を５ｎｍ形成して磁気ディスクとし，その記録再生
特性をギャップ長０．４μｍの薄膜磁気ヘッドで評価し
たところ，図7に示すようにＣｏに対するＮｉ含有率が
３０ａｔ％以上５０ａｔ％以下のときに特にＳ／Ｎ比が
良く，極めて良好な記録再生特性を示した。ここで，Ｓ
／Ｎは次の式で表される。
【００４２】 S/N(dB)＝２０log{(高周波出力)／(２√２(ディスクノイズ))}…(１) ここで垂直磁化型の磁気記録媒体について触れておく。
この媒体は上述の面内記録型磁気記録媒体に比べて磁性
層の全厚を厚くする。膜厚１０ｎｍのＣ膜を５ｍＴｏｒ
ｒ，４Ｗ／ｃｍ2 ，基板温度１００℃でＮｉ−Ｗ−Ｐを
２５μｍ形成したＡｌ合金基板の上に成膜した後，この
上に直接Ｃｏ78Ｃｒ14Ｐｔ8 下部磁性層を１５０ｎｍ形
成し，さらに（Ｃｏ65Ｎｉ35）93Ｚｒ7 上部磁性層を５
０ｎｍ形成することで，耐食性，垂直磁気記録特性に優
れた媒体を形成できた。この場合，下部磁性層を基板に
直接形成する代りに，基板に下地層を形成してから下部
磁性層を設けてもよく，この下地層として，２０ｎｍの
Ｓｉ，５０ｎｍのＧｅを用いても同様であった。また，
この下地層の効果は２０ｎｍ以上の膜厚に対して認めら
れた。
この媒体は上述の面内記録型磁気記録媒体に比べて磁性
層の全厚を厚くする。膜厚１０ｎｍのＣ膜を５ｍＴｏｒ
ｒ，４Ｗ／ｃｍ2 ，基板温度１００℃でＮｉ−Ｗ−Ｐを
２５μｍ形成したＡｌ合金基板の上に成膜した後，この
上に直接Ｃｏ78Ｃｒ14Ｐｔ8 下部磁性層を１５０ｎｍ形
成し，さらに（Ｃｏ65Ｎｉ35）93Ｚｒ7 上部磁性層を５
０ｎｍ形成することで，耐食性，垂直磁気記録特性に優
れた媒体を形成できた。この場合，下部磁性層を基板に
直接形成する代りに，基板に下地層を形成してから下部
磁性層を設けてもよく，この下地層として，２０ｎｍの
Ｓｉ，５０ｎｍのＧｅを用いても同様であった。また，
この下地層の効果は２０ｎｍ以上の膜厚に対して認めら
れた。
【００４３】次に，再び面内記録型磁気記録媒体の実施
例について説明する。外径１３０ｍｍφ，厚さ１．８ｍ
ｍのＡｌ合金基板１１に２０μｍの非磁性１１．５ｗｔ
％Ｐ−Ｎｉめっき層を形成した基板に表面研磨を施し，
さらに表面に基板円周方向に中心線平均粗さＲａで９ｎ
ｍの微細傷を付け，膜厚１５μｍとした非磁性めっき層
１２の上に，基板温度２５０℃，Ａｒ圧４ｍＴｏｒｒ，
ＤＣ投入電力３Ｗ／ｃｍ2 でＣｒ層１３を１００ｎｍ形
成し，次いでこのＣｒ層１３と同一条件で（Ｃｏ100-x
Ｃｒx）94Ｐｔ10下部磁性層（ｘ＝１０，２０，３０，
４０，５０）１４を４０ｎｍ形成し，さらにその上に１
０ｎｍの（Ｃｏ70Ｎｉ30）94Ｚｒ6 磁性層１６を形成し
た。また比較のために，（Ｃｏ70Ｎｉ30）94Ｚｒ6 合金
を上部および下部磁性層に用いて基板温度２５０℃，Ａ
ｒ圧４ｍＴｏｒｒ，ＤＣ投入電力３Ｗ／ｃｍ2 で磁性膜
を形成した。さらにこれらのディスクの上に２５ｎｍの
ＳｉＯ2 からなる非磁性被覆層１７を形成し，最後にパ
−フルオロアルキルポリエ−テルからなる液体潤滑層１
８を５ｎｍ形成して磁気ディスクとし，その記録再生特
性をギャップ長０．４μｍの薄膜磁気ヘッドで評価した
ところ，図８に示すようにＣｏに対するＣｒ含有率が１
０ａｔ％以上３０ａｔ％以下のとき，特に１５ａｔ％以
上２５ａｔ％以下のときにＳ／Ｎ比が良く，極めて良好
な記録再生特性を示した。またこの効果はＰｔを添加元
素とした時ばかりでなく，Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍ
ｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｉｒを添加元素とした時にも確認
した。
例について説明する。外径１３０ｍｍφ，厚さ１．８ｍ
ｍのＡｌ合金基板１１に２０μｍの非磁性１１．５ｗｔ
％Ｐ−Ｎｉめっき層を形成した基板に表面研磨を施し，
さらに表面に基板円周方向に中心線平均粗さＲａで９ｎ
ｍの微細傷を付け，膜厚１５μｍとした非磁性めっき層
１２の上に，基板温度２５０℃，Ａｒ圧４ｍＴｏｒｒ，
ＤＣ投入電力３Ｗ／ｃｍ2 でＣｒ層１３を１００ｎｍ形
成し，次いでこのＣｒ層１３と同一条件で（Ｃｏ100-x
Ｃｒx）94Ｐｔ10下部磁性層（ｘ＝１０，２０，３０，
４０，５０）１４を４０ｎｍ形成し，さらにその上に１
０ｎｍの（Ｃｏ70Ｎｉ30）94Ｚｒ6 磁性層１６を形成し
た。また比較のために，（Ｃｏ70Ｎｉ30）94Ｚｒ6 合金
を上部および下部磁性層に用いて基板温度２５０℃，Ａ
ｒ圧４ｍＴｏｒｒ，ＤＣ投入電力３Ｗ／ｃｍ2 で磁性膜
を形成した。さらにこれらのディスクの上に２５ｎｍの
ＳｉＯ2 からなる非磁性被覆層１７を形成し，最後にパ
−フルオロアルキルポリエ−テルからなる液体潤滑層１
８を５ｎｍ形成して磁気ディスクとし，その記録再生特
性をギャップ長０．４μｍの薄膜磁気ヘッドで評価した
ところ，図８に示すようにＣｏに対するＣｒ含有率が１
０ａｔ％以上３０ａｔ％以下のとき，特に１５ａｔ％以
上２５ａｔ％以下のときにＳ／Ｎ比が良く，極めて良好
な記録再生特性を示した。またこの効果はＰｔを添加元
素とした時ばかりでなく，Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍ
ｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｉｒを添加元素とした時にも確認
した。
【００４４】さらには，これまで下部磁性層としてＣｏ
Ｃｒ系の成膜法について述べて来たが，このＣｏＣｒ系
の成膜条件と同じ成膜条件で，Ｃｒを含有しないＣｏを
基調とするＴｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，
Ｗ，Ｉｒ，Ｐｔなどの遷移金属群およびＰ，Ｓｉから選
ばれた少なくとも１種類以上の添加元素を含む磁性膜に
ついても，その効果を確認した。特にその添加の総和量
が４５原子％以下，好ましくは５原子％〜４０原子％，
さらに好ましくは１０原子％〜３５原子％であった。
Ｃｒ系の成膜法について述べて来たが，このＣｏＣｒ系
の成膜条件と同じ成膜条件で，Ｃｒを含有しないＣｏを
基調とするＴｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，
Ｗ，Ｉｒ，Ｐｔなどの遷移金属群およびＰ，Ｓｉから選
ばれた少なくとも１種類以上の添加元素を含む磁性膜に
ついても，その効果を確認した。特にその添加の総和量
が４５原子％以下，好ましくは５原子％〜４０原子％，
さらに好ましくは１０原子％〜３５原子％であった。
【００４５】図９にはさらに別の実施例を示す。９１は
Ａｌ合金，９２はＮｉ−Ｐめっき層，９３はＣｒ下地
膜，９４はＣｏＣｒ系磁性膜，９５はＣｒ挿入膜，９６
はＣｏＮｉ系耐食性磁性膜，９７は非磁性被覆膜，９８
は潤滑膜である。外径１３０ｍｍφ，厚さ１．８ｍｍの
Ａｌ合金基板９１に２０μｍの非磁性１１．５ｗｔ％Ｐ
−Ｎｉめっき層を形成した基板に，表面研磨を施しさら
に表面に基板円周方向に中心線平均粗さＲａで１０ｎｍ
の微細傷を付け，膜厚１３μｍとした非磁性めっき層９
２の上に，基板温度２２０℃，Ａｒ圧５ｍＴｏｒｒ，Ｄ
Ｃ投入電力１Ｗ／ｃｍ2 で下地Ｃｒ膜９３を２００ｎｍ
形成し，次いでこの下地Ｃｒ膜９３と同一条件でＣｏＣ
ｒ14Ｎｉ10下部磁性層９４を１０ｎｍ，Ｃｒ膜９５を５
ｎｍ形成，さらにＣｏＣｒ14Ｎｉ10膜９４を１０ｎｍ，
Ｃｒ膜９５を５ｎｍ形成し，さらにその上に１０ｎｍの
（Ｃｏ70Ｎｉ30）94Ｚｒ6 磁性層９６を形成した。さら
にこのディスクの上に２０ｎｍのＳｉＯ2 からなる非磁
性被覆層９７を形成し，最後にパ−フルオロアルキルポ
リエ−テルからなる液体潤滑層９８を５ｎｍ形成して磁
気ディスクとし，その記録再生特性をギャップ長０．４
μｍの薄膜磁気ヘッドで評価したところ，図１０に示す
ようにＣｏＣｒ14Ｎｉ10単層磁性膜（比較例であり，こ
の単層磁性膜の厚さは，図９の実施例の磁性層の全厚に
等しくされている）に比べＳ／Ｎ比が極めて良好な記録
再生特性を示し，耐食性に関しては，５規定ＮａＣｌ水
溶液噴霧試験および０．１ｐｐｍＣｌ2 ガス腐食試験に
おいて，前記実施例と同様の良好な耐食強度を示した。
特にＣｏＣｒ14Ｎｉ10単層磁性膜が薄膜の場合，その耐
食性は著しく劣化するため，磁性膜最上層に（Ｃｏ70Ｎ
ｉ30）94Ｚｒ6 を形成することで耐食強度を著しく改善
することができた。また，Ｃｒの挿入膜は１０ｎｍ以下
であることが磁気記録の点から望ましい。また，挿入膜
は非磁性金属に限らず，酸化物，窒化物なども効果があ
った。
Ａｌ合金，９２はＮｉ−Ｐめっき層，９３はＣｒ下地
膜，９４はＣｏＣｒ系磁性膜，９５はＣｒ挿入膜，９６
はＣｏＮｉ系耐食性磁性膜，９７は非磁性被覆膜，９８
は潤滑膜である。外径１３０ｍｍφ，厚さ１．８ｍｍの
Ａｌ合金基板９１に２０μｍの非磁性１１．５ｗｔ％Ｐ
−Ｎｉめっき層を形成した基板に，表面研磨を施しさら
に表面に基板円周方向に中心線平均粗さＲａで１０ｎｍ
の微細傷を付け，膜厚１３μｍとした非磁性めっき層９
２の上に，基板温度２２０℃，Ａｒ圧５ｍＴｏｒｒ，Ｄ
Ｃ投入電力１Ｗ／ｃｍ2 で下地Ｃｒ膜９３を２００ｎｍ
形成し，次いでこの下地Ｃｒ膜９３と同一条件でＣｏＣ
ｒ14Ｎｉ10下部磁性層９４を１０ｎｍ，Ｃｒ膜９５を５
ｎｍ形成，さらにＣｏＣｒ14Ｎｉ10膜９４を１０ｎｍ，
Ｃｒ膜９５を５ｎｍ形成し，さらにその上に１０ｎｍの
（Ｃｏ70Ｎｉ30）94Ｚｒ6 磁性層９６を形成した。さら
にこのディスクの上に２０ｎｍのＳｉＯ2 からなる非磁
性被覆層９７を形成し，最後にパ−フルオロアルキルポ
リエ−テルからなる液体潤滑層９８を５ｎｍ形成して磁
気ディスクとし，その記録再生特性をギャップ長０．４
μｍの薄膜磁気ヘッドで評価したところ，図１０に示す
ようにＣｏＣｒ14Ｎｉ10単層磁性膜（比較例であり，こ
の単層磁性膜の厚さは，図９の実施例の磁性層の全厚に
等しくされている）に比べＳ／Ｎ比が極めて良好な記録
再生特性を示し，耐食性に関しては，５規定ＮａＣｌ水
溶液噴霧試験および０．１ｐｐｍＣｌ2 ガス腐食試験に
おいて，前記実施例と同様の良好な耐食強度を示した。
特にＣｏＣｒ14Ｎｉ10単層磁性膜が薄膜の場合，その耐
食性は著しく劣化するため，磁性膜最上層に（Ｃｏ70Ｎ
ｉ30）94Ｚｒ6 を形成することで耐食強度を著しく改善
することができた。また，Ｃｒの挿入膜は１０ｎｍ以下
であることが磁気記録の点から望ましい。また，挿入膜
は非磁性金属に限らず，酸化物，窒化物なども効果があ
った。
【００４６】以上の実施例のほか，Ｏ2 を含有するＡｒ
ガス中で磁性膜を形成し，磁性膜中の酸素含有量を０．
１〜１０ａｔ％とした磁気ディスクも形成した。外径１
３０ｍｍφ，厚さ１．８ｍｍのＡｌ合金基板１１に２０
μｍの非磁性１１．５ｗｔ％Ｐ−Ｎｉめっき層を形成し
た基板に表面研磨を施し，さらに表面に基板円周方向に
中心線平均粗さＲａで９ｎｍの微細傷を付け，膜厚１５
μｍとした非磁性めっき層１２の上に，基板温度２００
℃，Ａｒ圧５ｍＴｏｒｒ，ＤＣ投入電力５Ｗ／ｃｍ2 で
Ｃｒを２５０ｎｍ形成し，次いでＣｏＣｒ10Ｍｏ5 下部
磁性層１４を３０ｎｍ形成し，さらにその上に（Ｃｏ
100-xＮｉx）94Ｚｒ6（ｘ＝３０，４０）および（Ｃｏ
60Ｎｉ40）93Ｎｂ7 ，（Ｃｏ60Ｎｉ40）92Ｎｂ5Ｍｏ3に
酸素を０．１，０．５，１．０，３．０，５．０，１
０．０ａｔ％含む１０ｎｍの上部磁性層１６をＡｒ圧２
ｍＴｏｒｒ，ＤＣ投入電力２Ｗ／ｃｍ2 で形成した。さ
らにこのディスクの上に２５ｎｍのダイアモンドライク
カ−ボンからなる非磁性被覆層１７を形成し，最後にパ
−フルオロアルキルポリエ−テルからなる液体潤滑層１
８を５ｎｍ形成して磁気ディスクとし，その記録再生特
性をギャップ長０．４μｍの薄膜磁気ヘッドで評価した
ところ，図１１に示すように出力は酸素量の増加ととも
に低下するが，ディスクノイズも減少しその結果，Ｓ／
Ｎ比は酸素量とともに増加した。なお，酸素量を５ａｔ
％以上含有させると出力の低下が著しくなりＳ／Ｎは低
下してしまうので好ましくなかった。これは，多量の酸
素が上部磁性層に含有されると，上部磁性膜は磁性膜の
飽和磁束が減少し，また磁性膜の機能を消失するためで
ある。その結果，特に好ましい酸素量は０．１ａｔ％〜
３ａｔ％であった。またこれらの磁気ディスクを８０
℃，８０％ＲＨ，クラス１００００の環境に放置したと
ころ，ＣｏＣｒ10Ｍｏ5 単層の磁性膜で形成した磁気デ
ィスクに比べ良好な耐食性を示した。
ガス中で磁性膜を形成し，磁性膜中の酸素含有量を０．
１〜１０ａｔ％とした磁気ディスクも形成した。外径１
３０ｍｍφ，厚さ１．８ｍｍのＡｌ合金基板１１に２０
μｍの非磁性１１．５ｗｔ％Ｐ−Ｎｉめっき層を形成し
た基板に表面研磨を施し，さらに表面に基板円周方向に
中心線平均粗さＲａで９ｎｍの微細傷を付け，膜厚１５
μｍとした非磁性めっき層１２の上に，基板温度２００
℃，Ａｒ圧５ｍＴｏｒｒ，ＤＣ投入電力５Ｗ／ｃｍ2 で
Ｃｒを２５０ｎｍ形成し，次いでＣｏＣｒ10Ｍｏ5 下部
磁性層１４を３０ｎｍ形成し，さらにその上に（Ｃｏ
100-xＮｉx）94Ｚｒ6（ｘ＝３０，４０）および（Ｃｏ
60Ｎｉ40）93Ｎｂ7 ，（Ｃｏ60Ｎｉ40）92Ｎｂ5Ｍｏ3に
酸素を０．１，０．５，１．０，３．０，５．０，１
０．０ａｔ％含む１０ｎｍの上部磁性層１６をＡｒ圧２
ｍＴｏｒｒ，ＤＣ投入電力２Ｗ／ｃｍ2 で形成した。さ
らにこのディスクの上に２５ｎｍのダイアモンドライク
カ−ボンからなる非磁性被覆層１７を形成し，最後にパ
−フルオロアルキルポリエ−テルからなる液体潤滑層１
８を５ｎｍ形成して磁気ディスクとし，その記録再生特
性をギャップ長０．４μｍの薄膜磁気ヘッドで評価した
ところ，図１１に示すように出力は酸素量の増加ととも
に低下するが，ディスクノイズも減少しその結果，Ｓ／
Ｎ比は酸素量とともに増加した。なお，酸素量を５ａｔ
％以上含有させると出力の低下が著しくなりＳ／Ｎは低
下してしまうので好ましくなかった。これは，多量の酸
素が上部磁性層に含有されると，上部磁性膜は磁性膜の
飽和磁束が減少し，また磁性膜の機能を消失するためで
ある。その結果，特に好ましい酸素量は０．１ａｔ％〜
３ａｔ％であった。またこれらの磁気ディスクを８０
℃，８０％ＲＨ，クラス１００００の環境に放置したと
ころ，ＣｏＣｒ10Ｍｏ5 単層の磁性膜で形成した磁気デ
ィスクに比べ良好な耐食性を示した。
【００４７】図１２にはさらに別の実施例を示す。１２
１は微小突起を施した硝子基板，もしくはポリイミド，
ＰＥＴなどの有機性基板，１２２はＣｒ下地層，１２３
はＣｏＣｒ系磁性膜，１２４はＣｒなどの非磁性膜，１
２６はＣｏＮｉＺｒ，ＣｏＮｉＮｂなどの耐食性磁性
層，１２７は既に説明したのと同様の非磁性被覆層，１
２８は潤滑層である。組成，膜厚，成膜方法は前述の通
りである。このように，基板を変更しても磁性膜の検討
により耐食性の向上を図りながら記録再生特性が改善さ
れた磁気ディスクを提供できる。
１は微小突起を施した硝子基板，もしくはポリイミド，
ＰＥＴなどの有機性基板，１２２はＣｒ下地層，１２３
はＣｏＣｒ系磁性膜，１２４はＣｒなどの非磁性膜，１
２６はＣｏＮｉＺｒ，ＣｏＮｉＮｂなどの耐食性磁性
層，１２７は既に説明したのと同様の非磁性被覆層，１
２８は潤滑層である。組成，膜厚，成膜方法は前述の通
りである。このように，基板を変更しても磁性膜の検討
により耐食性の向上を図りながら記録再生特性が改善さ
れた磁気ディスクを提供できる。
【００４８】また，以上の実施例については下地層をＣ
ｒとした場合について説明したが，Ｃｒ合金，Ｗ，Ｍｏ
などの磁性膜の配向を制御する非磁性金属膜についても
同様な耐食強度の高い高記録密度媒体となる。
ｒとした場合について説明したが，Ｃｒ合金，Ｗ，Ｍｏ
などの磁性膜の配向を制御する非磁性金属膜についても
同様な耐食強度の高い高記録密度媒体となる。
【００４９】また，本実施例では磁気ディスクを例に説
明したが，本効果はこれらの媒体に限るこのではなくフ
ロッピディスク，磁気テ−プなどにも適用できる。ま
た，成膜方法についても，スパッタリング法に限らず，
蒸着法，イオンビビ−ムスパッタ法などでもよい。
明したが，本効果はこれらの媒体に限るこのではなくフ
ロッピディスク，磁気テ−プなどにも適用できる。ま
た，成膜方法についても，スパッタリング法に限らず，
蒸着法，イオンビビ−ムスパッタ法などでもよい。
【００５０】以上の実施例において，磁性層の厚さにつ
いて色々検討したが，面内磁化記録型の場合，上部磁性
層の厚みは５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲が実用的である。
５ｎｍ以下では，厚み，特性の揃ったものを得るのは困
難である。また，垂直磁化記録型では，２００ｎｍ〜３
００ｎｍ程度が実用的である。下部磁性層の厚みは，上
部磁性層よりも厚ければよい。
いて色々検討したが，面内磁化記録型の場合，上部磁性
層の厚みは５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲が実用的である。
５ｎｍ以下では，厚み，特性の揃ったものを得るのは困
難である。また，垂直磁化記録型では，２００ｎｍ〜３
００ｎｍ程度が実用的である。下部磁性層の厚みは，上
部磁性層よりも厚ければよい。
【００５１】上記記載のような柱状結晶の粒径を制御す
るために，成膜中のＡｒガス圧を多様に変化させ成膜を
行ったところ，下部磁性膜形成ガス圧よりも低ガス圧で
最上層磁性膜厚を形成すると，容易に制御することが可
能になり，柱状結晶の粒径が下部磁性膜の結晶粒径より
も大きくならないようにできることが分かった。
るために，成膜中のＡｒガス圧を多様に変化させ成膜を
行ったところ，下部磁性膜形成ガス圧よりも低ガス圧で
最上層磁性膜厚を形成すると，容易に制御することが可
能になり，柱状結晶の粒径が下部磁性膜の結晶粒径より
も大きくならないようにできることが分かった。
【００５２】さらに，上記記載のような柱状結晶の粒径
を制御するために，成膜中のスパッタリング時の投入電
力を多様に変化させ成膜を行ったところ，最上層磁性膜
厚形成時投入電力が下部磁性膜投入電力よりも高電圧で
あるとき，容易に制御することが可能になり，柱状結晶
の粒径が下部磁性膜の結晶粒径よりも大きくならないよ
うにできることが分かった。
を制御するために，成膜中のスパッタリング時の投入電
力を多様に変化させ成膜を行ったところ，最上層磁性膜
厚形成時投入電力が下部磁性膜投入電力よりも高電圧で
あるとき，容易に制御することが可能になり，柱状結晶
の粒径が下部磁性膜の結晶粒径よりも大きくならないよ
うにできることが分かった。
【００５３】また，磁性層の粒径について，上部磁性層
の半径は細かい程よいが，実用的な範囲としては１０ｎ
ｍ〜８０ｎｍ，好ましい範囲としては１０ｎｍ〜５０ｎ
ｍ程度がよく，１０ｎｍ以下は実現性に乏しい。下部磁
性層の厚みは，上部磁性層に比べて厚ければよい。
の半径は細かい程よいが，実用的な範囲としては１０ｎ
ｍ〜８０ｎｍ，好ましい範囲としては１０ｎｍ〜５０ｎ
ｍ程度がよく，１０ｎｍ以下は実現性に乏しい。下部磁
性層の厚みは，上部磁性層に比べて厚ければよい。
【００５４】次に，上記実施例群の磁気ディスクと比較
磁気ディスクを磁気記録再生装置に搭載して，腐食ガス
環境でエラ−の増加量を調査したところ，比較磁気ディ
スクについてはエラ−増加が観察されたが，本明細書記
述の磁気ディスクを搭載した装置にエラ−増加が観察さ
れなかった。
磁気ディスクを磁気記録再生装置に搭載して，腐食ガス
環境でエラ−の増加量を調査したところ，比較磁気ディ
スクについてはエラ−増加が観察されたが，本明細書記
述の磁気ディスクを搭載した装置にエラ−増加が観察さ
れなかった。
【００５５】
【発明の効果】以上詳しく説明したように，本発明によ
れば，磁気記録媒体の合金磁性層を少なくとも２層以上
で構成し，最上層の磁性層の表面の柱状結晶の平均粒径
を下部磁性層の表面の柱状結晶の平均粒径よりも小さく
したことによって，最上層の磁性層自体が外部からの侵
食物質の侵入を防ぐ保護膜として機能するので，これら
の磁性層全体で金属磁気記録膜の優れた磁気記録再生特
性を向上しまた維持しながら，従来の薄膜金属媒体に比
べて格段に優れた耐食性を有する磁気記録媒体をが得ら
れる。また，最上層の磁性層は，柱状結晶が微細化され
るので媒体ノイズが低減する効果がある。
れば，磁気記録媒体の合金磁性層を少なくとも２層以上
で構成し，最上層の磁性層の表面の柱状結晶の平均粒径
を下部磁性層の表面の柱状結晶の平均粒径よりも小さく
したことによって，最上層の磁性層自体が外部からの侵
食物質の侵入を防ぐ保護膜として機能するので，これら
の磁性層全体で金属磁気記録膜の優れた磁気記録再生特
性を向上しまた維持しながら，従来の薄膜金属媒体に比
べて格段に優れた耐食性を有する磁気記録媒体をが得ら
れる。また，最上層の磁性層は，柱状結晶が微細化され
るので媒体ノイズが低減する効果がある。
【００５６】また，全磁性層に亘って柱状結晶を微細化
する必要はなく，最上層の柱状結晶だけを微細化した構
造であるから，叙上の優れた特性のものが低い製造コス
トで容易に得られる効果がある。
する必要はなく，最上層の柱状結晶だけを微細化した構
造であるから，叙上の優れた特性のものが低い製造コス
トで容易に得られる効果がある。
【図１】本発明の一実施例の磁気ディスクの断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の一実施例の磁気ディスクに関する静磁
気特性結果を示す図である。
気特性結果を示す図である。
【図３】本発明の一実施例の磁気ディスクの塩水噴霧試
験結果を示す図である。
験結果を示す図である。
【図４】本発明の他の実施例の静磁気特性結果を示す図
である。
である。
【図５】図４の実施例の媒体ノイズの記録周波数特性を
示す図である。
示す図である。
【図６】図４の実施例の塩水噴霧試験結果を示す図であ
る。
る。
【図７】本発明の一実施例の磁気ディスクのＳ／Ｎ比と
最上層磁性膜のＮｉ含有量との関係を示す図である。
最上層磁性膜のＮｉ含有量との関係を示す図である。
【図８】本発明の一実施例の磁気ディスクのＳ／Ｎ比と
最上層磁性膜のＣｒ含有量との関係を示す図である。
最上層磁性膜のＣｒ含有量との関係を示す図である。
【図９】本発明の他の実施例の磁気ディスクの断面図で
ある。
ある。
【図１０】本発明の他の実施例の磁気ディスクのＳ／Ｎ
比を示す図である。
比を示す図である。
【図１１】本発明の一実施例の磁気ディスクのＳ／Ｎ比
と磁性膜中の含有酸素量の関係を示す図である。
と磁性膜中の含有酸素量の関係を示す図である。
【図１２】本発明の更に他の実施例の磁気ディスクの断
面図である。
面図である。
１１，９１，１２１ 基板 １２，９２，１２２ 非磁性めっき層 １３，９３ 非磁性下地層 １４，９４，１２３ 下部磁性層 ９５，１２４ 磁性膜間挿入非磁性層 １６，９６，１２６ 最上部磁性層 １７，９７，１２７ 非磁性被覆層 １８，９８，１２８ 潤滑層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 白倉 高明 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所小田原工場内
Claims (9)
- 【請求項１】 基板と，前記基板上に設けられた下地層
と，前記下地層上に設けられた磁性層とを有する磁気記
録媒体において，前記磁性層が少なくとも２層以上の磁
気記録用合金層で構成され，かつ前記磁性層のうち最上
層磁性層表面の柱状結晶の平均粒径が下部磁性層表面の
柱状結晶の平均粒径よりも小さくされたことを特徴とす
る磁気記録媒体。 - 【請求項２】 基板と，前記基板上に設けられた下地層
と，前記下地層上に設けられた磁性層とを磁気記録媒体
において，前記磁性層が少なくとも２層以上の磁気記録
用合金層で構成され，かつ前記磁性層のうち最上層磁性
層の膜厚が下部磁性層の膜厚よりも薄くされたことを特
徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記磁性層の最上層がＮｉを１原子％以
上４０原子％以下含有し，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎ
ｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｉｒ，ＰｔなどのＮｉ以外
の遷移金属群から選ばれた少なくとも１種類以上の添加
元素の総和量が１原子％以上２０原子％以下であるＣｏ
Ｎｉ基合金からなる磁気記録用合金であることを特徴と
する請求項１または２に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記磁性層の最上層を除く磁気記録層が
Ｃｒを１原子％３０原子％以下含有し，Ｔｉ，Ｖ，Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｉｒ，ＰｔなどのＣ
ｒ以外の遷移金属群およびＧｅ，Ｓｉから選ばれた少な
くとも１種類以上の添加元素の総和量が１原子％以上２
０原子％以下であるＣｏＣｒ基合金からなる磁気記録用
合金であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれ
か１に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 前記磁性層の最上層を除く磁気記録層が
Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｉｒ，
Ｐｔなどの遷移金属群およびＰ，Ｓｉから選ばれた少な
くとも１種類以上の添加元素の総和量が１原子％以上４
５原子％以下であり，残部がＣｏ元素のみで構成される
Ｃｏ基合金からなる磁気記録用合金であることを特徴と
する請求項１ないし３のいずれか１に記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項６】 前記２層以上の異なる磁気記録用合金層
を用いた磁性層間に中間層が挿入されていることを特徴
とする請求項１ないし５のいずれか１に記載の磁気記録
媒体。 - 【請求項７】 前記磁性層中の酸素含有量が１０原子％
以下であり，かつ前記最上部磁性層中の酸素含有量が下
部磁性層中の酸素含有量よりも多いことをを特徴とする
請求項１ないし６のいずれか１に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項８】 前記磁性層の形成において，最上層磁性
層の形成ガス雰囲気を下部磁性層の形成ガス雰囲気より
も低ガス圧として成膜することを特徴とする請求項１な
いし７のいずれか１に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項９】 前記磁性層の形成において，最上層磁性
層の形成時のタ−ゲット投入電力を下部磁性層の形成時
のタ−ゲット投入電力よりも高電力として成膜すること
を特徴とする請求項１ないし８のいずれか１に記載の磁
気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3262556A JPH0573881A (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-17 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| FR9211043A FR2688920B1 (fr) | 1991-09-17 | 1992-09-16 | Support d'enregistrement magnetique et son procede de fabrication. |
| US07/945,527 US5744256A (en) | 1991-09-17 | 1992-09-16 | Magnetic recording medium and method of producing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3262556A JPH0573881A (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-17 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0573881A true JPH0573881A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17377451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3262556A Pending JPH0573881A (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-17 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5744256A (ja) |
| JP (1) | JPH0573881A (ja) |
| FR (1) | FR2688920B1 (ja) |
Cited By (7)
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| US6500567B1 (en) | 1997-12-04 | 2002-12-31 | Komag, Inc. | Ultra-thin nucleation layer for magnetic thin film media and the method for manufacturing the same |
| US6712646B2 (en) | 2000-10-20 | 2004-03-30 | Japan Aviation Electronics Industry, Limited | High-speed transmission connector with a ground structure having an improved shielding function |
| US6971916B2 (en) | 2004-03-29 | 2005-12-06 | Japan Aviation Electronics Industry Limited | Electrical connector for use in transmitting a signal |
| JP2010097681A (ja) * | 2008-09-16 | 2010-04-30 | Hoya Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| JP2010140568A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録装置 |
| JP2010165455A (ja) * | 2010-04-30 | 2010-07-29 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US9064518B2 (en) | 2008-09-16 | 2015-06-23 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium |
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| US5772857A (en) * | 1995-11-21 | 1998-06-30 | Seagate Technology, Inc. | Method of manufacturing CoCrTa/CoCrTaPt bi-layer magnetic thin films |
| US6589676B1 (en) | 2000-07-25 | 2003-07-08 | Seagate Technology Llc | Corrosion resistant magnetic thin film media |
| JP2002208127A (ja) * | 2000-11-09 | 2002-07-26 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| US7314675B1 (en) | 2003-01-30 | 2008-01-01 | Seagate Technology Llc | Magnetic media with high Ms magnetic layer |
| KR100624418B1 (ko) * | 2004-02-25 | 2006-09-18 | 삼성전자주식회사 | 수직자기기록매체 및 그 제조방법 |
| US8404369B2 (en) * | 2010-08-03 | 2013-03-26 | WD Media, LLC | Electroless coated disks for high temperature applications and methods of making the same |
| US9985294B2 (en) | 2015-05-29 | 2018-05-29 | Pacesetter, Inc. | High energy density and high rate Li battery |
Family Cites Families (7)
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|---|---|---|---|---|
| JPS59119531A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-10 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS59119532A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-10 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS59119534A (ja) * | 1982-12-26 | 1984-07-10 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS60157715A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-19 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| DE3850824T2 (de) * | 1987-08-06 | 1995-01-19 | Sumitomo Metal Mining Co | Magnetplatte für waagerechte Aufnahme. |
| US5023148A (en) * | 1987-12-30 | 1991-06-11 | Seagate Technology, Inc. | Tine film cobalt-containing recording medium |
| JP2555683B2 (ja) * | 1988-04-04 | 1996-11-20 | 日本ビクター株式会社 | 磁気記録媒体 |
-
1991
- 1991-09-17 JP JP3262556A patent/JPH0573881A/ja active Pending
-
1992
- 1992-09-16 US US07/945,527 patent/US5744256A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-09-16 FR FR9211043A patent/FR2688920B1/fr not_active Expired - Fee Related
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| JP2010165455A (ja) * | 2010-04-30 | 2010-07-29 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2688920A1 (fr) | 1993-09-24 |
| FR2688920B1 (fr) | 1994-10-28 |
| US5744256A (en) | 1998-04-28 |
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