JPH0573936U

JPH0573936U - 枚葉式ｃｖｄ装置

Info

Publication number: JPH0573936U
Application number: JP2246292U
Authority: JP
Inventors: 久志野村; 文秀池田; 英樹高橋; 行雄三津山
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc; Kokusai Denki Electric Inc
Current assignee: Kokusai Denki Electric Inc
Priority date: 1992-03-12
Filing date: 1992-03-12
Publication date: 1993-10-08

Abstract

(57)【要約】【目的】膜生成全体のウェーハ処理時間を短縮し、ス
ループットを向上する。【構成】ウェーハ移載室２内に、反応室１内へ搬入す
る前のウェーハ５を予備加熱する予備加熱部９を設け
る。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は半導体製造に使用する枚葉式ＣＶＤ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】

図４は従来装置の１例の構成を示す縦断面図である。図４において１は反応室、２はウェーハ移載室、１０は両室１，２間に設けられたゲートバルブ、１１はゲートバルブ１２の開でウェーハ５を搬入出するウェーハ搬入出口、３はウェーハ移載室２内に設置された移載機（ロボット）、１３は伸縮動作するロボットアーム、４はロボットアーム１３に連結したウェーハ搬送アーム、１４は排気口、１５はゲートバルブである。

【０００３】１６は反応室１内に設置されたヒータカバー、７は抵抗加熱型ヒータ、６はヒータカバー１６上に載置したサセプタ、５はサセプタ６上に載置したウェーハ、８はウェーハ５の上方の反応室１部分に取付けられたガス導入ノズル、１７はウェーハ上下・サセプタ回転機構、１８は排気口、１９はゲートバルブである。

【０００４】このような従来装置は、反応室１内にウェーハ移載室２から移載機３のロボットアーム１３を伸長してウェーハ搬送アーム４によりウェーハ５を搬入し、ウェーハ上下・サセプタ回転機構１７を上動してその上に該ウェーハ５を移載し、ウェーハ搬送アーム４をロボットアーム１３を縮小してウェーハ移載室２内に戻すと共にウェーハ上下・サセプタ回転機構１７を下動してウェーハ５をサセプタ６上に移載する。

【０００５】反応室１内を常時、排気して所定圧力の真空状態にし、ヒータ７により加熱されたサセプタ６によりウェーハ５を反応温度６００℃〜１０００℃まで加熱し、ガス導入ノズル８から反応ガスを供給し排気口１８より排気することによりウェーハ５上にＣＶＤ膜を生成するものである。なお、ウェーハ５上に均一に成膜するため、ウェーハ５を載置したサセプタ６をウェーハ上下・サセプタ回転機構１７により回転することが望ましい。

【０００６】

【考案が解決しようとする課題】

上記のような従来装置にあっては、サセプタ６上にウェーハ５を移載してからウェーハ５を加熱することになるため、反応温度まで加熱するのに多くの時間を要し、膜生成の全体のウェーハ処理時間が長くなり、スループットが少いという課題がある。

【０００７】そこで、本考案者は、上記の課題を解決するため反応室１内にウェーハ５を搬入する前に予備加熱すればよいことに気付き、予備加熱室を設け、該室内でウェーハを予熱加熱部により予備加熱した後、ウェーハ移載室２内の移載機３によるウェーハ搬送アーム４により予備加熱されたウェーハを予備加熱室から反応室１内に搬送するようにした。

【０００８】しかしこのような装置では予備加熱室が別に必要であり、かつ予備加熱されたウェーハを予備加熱室から反応室に搬送するのにウェーハを途中、ウェーハ移載室２を経て搬送することになるのでロボットアーム１３の作動が複雑になる。特に、図５に示すようにウェーハ移載室２の周りに複数の反応室１₁，１₂・・・を設け、各反応室１₁，１₂・・・でそれぞれ異なる膜生成を連続して行う枚葉式ＣＶＤ装置とした場合には、予備加熱室２０を設け、ウェーハ５を予備加熱して各反応室１₁，１₂・・・に供給するようにすると、反応室の数が予備加熱室２０を設けた分、１つ少なくなり、図５に示す例では３つの反応室が設けられるところ、予備加熱室２０を設けるため、１つ少ない２つの反応室１₁，１₂ しか設けることができなくなり、又各反応室１₁，１₂へ供給するロボットアーム１３の作動が複雑になり、スループットの向上にならない。

【０００９】

【課題を解決するための手段】

本考案装置は、このような経緯を経てなされたもので、膜生成の全体のウェーハ処理時間を短縮し、ロボットアーム１３の作動が複雑になることはなくスループットを向上させるため、図１に示すように反応室１内にウェーハ移載室２から移載機３のウェーハ搬送アーム４によりウェーハ５を搬入し、該ウェーハ５をサセプタ６上に移載してヒータ７により加熱しつつ、ガス導入ノズル８より反応ガスを供給し排気することによりウェーハ５上にＣＶＤ膜を生成する枚葉式ＣＶＤ装置において、ウェーハ移載室２内に、反応室１内へ搬入する前のウェーハ５を予備加熱する予備加熱部９を設けてなる。

【００１０】

【作用】

このような構成とすることにより反応室１内でウェーハ５上にＣＶＤ膜を生成している間、ウェーハ移載室２内では次に供給するウェーハ５を予備加熱部９により予備加熱できることになる。

【００１１】従って反応室１内でウェーハ５を反応温度まで加熱する迄の時間を大幅に短縮することができ、膜生成の全体のウェーハ処理時間を大幅に短縮できることになり、ロボットアーム１３の作動が複雑になることはなく、スループットを向上できることになる。

【００１２】

【実施例】

図１は本考案装置の第１実施例の構成を示す縦断面図である。図１において上記図４の従来例と同様の部品には同一符号を付し、その説明を省略する。この第１実施例は、反応室１内にウェーハ移載室２からウェーハ搬送アーム４によりウェーハ５を搬入し、該ウェーハ５をサセプタ６上に移載してヒータ７により加熱しつつ、ガス導入ノズル８より反応ガスを供給し排気することによりウェーハ５上にＣＶＤ膜を生成する枚葉式ＣＶＤ装置において、ウェーハ移載室２内のウェーハ搬送アーム４の上方のウェーハ移載室２部分に、反応室１内へ搬入する前のウェーハ５を予備加熱する予備加熱部９を取付けてなる。

【００１３】予備加熱部９は反射鏡２１を有するハロゲンランプ，その他の加熱ランプ２２をウェーハ搬送アーム４の上方のウェーハ移載室２部分に取付け、反射鏡２１の開口に石英窓２３を設けてなる。又、ウェーハ搬送アーム４の下方にウェーハ載置台２４Ａを有するウェーハ上下動機構２４を設置する。

【００１４】第１実施例は上記のような構成であるから反応室１内でウェーハ５上にＣＶＤ膜を生成している間、ウェーハ移載室２内では次に供給するウェーハ５をウェーハ搬送アーム４上に保持した状態で予備加熱部９の加熱ランプ２２により予備加熱する。

【００１５】予備加熱終了時にウェーハ上下動機構２４を上動してウェーハ搬送アーム４上のウェーハ５をウェーハ載置台２４Ａ上に移載し、ウェーハ搬送アーム４をロボットアーム１３の動作で他の位置に移動させた後、予備加熱されたウェーハ５を載せたウェーハ載置台２４Ａをウェーハ上下動機構２４により下動させる。一方、反応室１内のウェーハ上下・サセプタ回転機構１７を上動してその上に成膜済ウェーハ５を移載し、ウェーハ移載室２から移載機３のロボットアーム１３を伸長してウェーハ搬送アーム４を反応室１内に導入する。

【００１６】導入後、ウェーハ上下・サセプタ回転機構１７を下動して成膜済ウェーハ５をウェーハ搬送アーム４上に移載し、ウェーハ搬送アーム４上の成膜済ウェーハ５をウェーハ移載室２を経てウェーハ搬入出口１１より搬出する。

【００１７】そして予備加熱済ウェーハ５を載せたウェーハ載置台２４Ａをウェーハ上下動機構２４により上動し、ウェーハ搬送アーム４を元の位置に戻しウェーハ載置台２４Ａを下動させて予備加熱済ウェーハ５をウェーハ搬送アーム４上に移載し、以下上記と同様に予備加熱済ウェーハ５を反応室１内のサセプタ６上に移載することになる。

【００１８】図２は第２実施例の構成を示す縦断面図である。この第２実施例はウェーハ移載室２内のウェーハ搬送アーム４の下方位置に、反応室１内へ搬入する前のウェーハ５を予備加熱する予備加熱部９を設置してなる。

【００１９】予備加熱部９はウェーハ搬送アーム４の下方位置にヒータカバー２５を設置し、このヒータカバー２５上にヒータ２６により加熱されるサセプタ２７を設け、このサセプタ２７上のウェーハ５を上下動するウェーハ上下動機構２４をヒータカバー２５及びサセプタ２７の中心部に配設してなる。

【００２０】第２実施例は上記のような構成であるから、反応室１内でウェーハ５上にＣＶＤ膜を生成している間、ウェーハ移載室２内では次に供給するウェーハ５をサセプタ２７上に載せた状態で予備加熱部９の抵抗加熱型ヒータ２６により予備加熱する。

【００２１】一方、反応室１内のウェーハ上下・サセプタ回転機構１７を上動してその上に成膜済ウェーハ５を移載し、ウェーハ移載室２から移載機３のロボットアーム１３を伸長してウェーハ搬送アーム４を反応室１内に導入する。

【００２２】導入後、ウェーハ上下・サセプタ回転機構１７を下動して成膜済ウェーハ５をウェーハ搬送アーム４上に移載し、ウェーハ搬送アーム４上の成膜済ウェーハ５をウェーハ移載室２を経てウェーハ搬入出口１１より搬出する。

【００２３】しかる後、ウェーハ上下動機構２４により予備加熱済ウェーハ５を載せたウェーハ載置台２４Ａを上動し、ウェーハ搬送アーム４を図２に示す位置に戻し、ウェーハ載置台２４Ａをウェーハ上下動機構２４により下動させて予備加熱済ウェーハ５をウェーハ搬送アーム４上に移載し、以下上記と同様に予備加熱済ウェーハ５を反応室１内のサセプタ６上に移載することになる。

【００２４】上記第１，第２実施例においても、反応室１内でウェーハ５上にＣＶＤ膜を生成している間、ウェーハ移載室２内では次に供給するウェーハ５を予備加熱できるため、反応室１内でウェーハ５を反応温度まで加熱する迄の時間を大幅に短縮することができ、膜生成の全体のウェーハ処理時間を短縮できることになり、ロボットアーム１３の作動が複雑になることはなく、スループットを向上できることになる。

【００２５】図３は第３実施例の構成を示す横断平面図である。この第３実施例は、ウェーハ移載室２の周りに複数の反応室１₁〜１₃を設け、各反応室１₁〜１₃でそれぞれ異なる膜生成を連続的に行う枚葉式ＣＶＤ装置において、ウェーハ移載室２内に、反応室１内へ搬入する前のウェーハ５を予備加熱する予備加熱部９を設置してなる。予備加熱部９は図１の第１実施例又は図２の第２実施例に示すいずれの構成であってもよい。

【００２６】第３実施例は上記のような構成であるから、第１，第２実施例と同様の作用をなす。又、反応室の数が予備加熱室を設けない分、１室多くなり、又ウェーハ移載室２から各反応室１₁〜１₃へ予備加熱済ウェーハ５を供給するので、図５の予備加熱室２０から各反応室１₁〜１₃へ予備加熱済ウェーハ５を供給する場合のロボットアーム１３の作動より容易になり、スループットの向上につながる。

【００２７】本考案においては、反応室１内へ搬入する前のウェーハ５の予備加熱時間と反応室１内のサセプタ６上でのウェーハ５の加熱時間を管理することによって各バッチ間のウェーハ温度を均一にすることができる。

【００２８】

【考案の効果】

上述のように本考案によれば、反応室１内でウェーハ５上にＣＶＤ膜を生成中、ウェーハ移載室２内で次に供給するウェーハ５を予備加熱することにより膜生成全体のウェーハ処理時間を大幅に短縮することができ、スループットを向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案装置の第１実施例の構成を示す縦断面図
である。

【図２】第２実施例の構成を示す縦断面図である。

【図３】第３実施例の構成を示す横断平面図である。

【図４】従来装置の１例の構成を示す縦断面図である。

【図５】本考案に至るまでの過程を説明するための枚葉
式ＣＶＤ装置の１例を示す横断平面図である。

【符号の説明】

１反応室１₁〜１₃ 反応室２ウェーハ移載室３移載機（ロボット）４ウェーハ搬送アーム５ウェーハ６サセプタ７（抵抗加熱型）ヒータ８ガス導入ノズル９予備加熱部１０ゲートバルブ１３ロボットアーム２２加熱ランプ２４ウェーハ上下動機構２４Ａウェーハ載置台２５ヒータカバー２６（抵抗加熱型）ヒータ２７サセプタ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者三津山行雄愛媛県伊予郡松前町大字北黒田831−１ベルメゾン松前305号

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

【請求項１】反応室（１）内にウェーハ移載室（２）
から移載機（３）のウェーハ搬送アーム（４）によりウ
ェーハ（５）を搬入し、該ウェーハ（５）をサセプタ
（６）上に移載してヒータ（７）により加熱しつつ、ガ
ス導入ノズル（８）より反応ガスを供給し排気すること
によりウェーハ（５）上にＣＶＤ膜を生成する枚葉式Ｃ
ＶＤ装置において、ウェーハ移載室（２）内に、反応室
（１）内へ搬入する前のウェーハ（５）を予備加熱する
予備加熱部（９）を設けてなる枚葉式ＣＶＤ装置。
【請求項２】ウェーハ移載室（２）の周りに複数の反
応室（１₁，１₂・・・）を設け、この各反応室
（１₁，１₂・・・）でそれぞれ異なる膜生成を連続し
て行う枚葉式ＣＶＤ装置において、ウェーハ移載室
（２）内に、各反応室（１₁，１₂・・・）内へ搬入す
る前のウェーハ（５）を予備加熱する予備加熱部（９）
を設けてなる枚葉式ＣＶＤ装置。