JPH0945754A - 半導体製造装置のウェーハ台装置 - Google Patents
半導体製造装置のウェーハ台装置Info
- Publication number
- JPH0945754A JPH0945754A JP21097195A JP21097195A JPH0945754A JP H0945754 A JPH0945754 A JP H0945754A JP 21097195 A JP21097195 A JP 21097195A JP 21097195 A JP21097195 A JP 21097195A JP H0945754 A JPH0945754 A JP H0945754A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- mounting plate
- semiconductor manufacturing
- column
- manufacturing apparatus
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】製作費が安価で而もプロセスの条件出しの作業
が容易である半導体製造装置のウェーハ台装置を提供す
る。 【構成】枚葉式半導体製造装置の反応管内部でウェーハ
を支持するウェーハ台装置に於いて、ウェーハ台ベース
１７に支柱１８を立設し、該支柱でウェーハ載置プレー
ト１２を支持し、該ウェーハ載置プレートを介してウェ
ーハ１１を支持する様にし、支柱に対するウェーハ載置
プレートの支持位置を変更可能とし、プロセスの条件出
しの作業を容易とし、更に構造を簡潔とした。
が容易である半導体製造装置のウェーハ台装置を提供す
る。 【構成】枚葉式半導体製造装置の反応管内部でウェーハ
を支持するウェーハ台装置に於いて、ウェーハ台ベース
１７に支柱１８を立設し、該支柱でウェーハ載置プレー
ト１２を支持し、該ウェーハ載置プレートを介してウェ
ーハ１１を支持する様にし、支柱に対するウェーハ載置
プレートの支持位置を変更可能とし、プロセスの条件出
しの作業を容易とし、更に構造を簡潔とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置、特
に枚葉式半導体製造装置のウェーハ台装置に関するもの
である。
に枚葉式半導体製造装置のウェーハ台装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】図６に於いて、従来の枚葉式半導体製造
装置について略述する。
装置について略述する。
【０００３】反応管２５の周囲にはヒータ２６，２７が
配設され、前記反応管２５内部にはウェーハ１１を複数
段（図では３段）に支持するボート２８が設けられてい
る。前記ウェーハ１１はボート２８に形成された棚段２
９に載置され、前記反応管２５に反応ガスが導入された
状態で前記ヒータ２６，２７により加熱され、所要の処
理がなされる。
配設され、前記反応管２５内部にはウェーハ１１を複数
段（図では３段）に支持するボート２８が設けられてい
る。前記ウェーハ１１はボート２８に形成された棚段２
９に載置され、前記反応管２５に反応ガスが導入された
状態で前記ヒータ２６，２７により加熱され、所要の処
理がなされる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の枚葉式
半導体製造装置に於いてはウェーハ１１はボート２８で
支持され、該ボート２８は一体成形されたものであり、
製作が困難で加工費が高価であるという問題があると共
にウェーハ１１間の距離を変更できないので、プロセス
に合わせて最適なウェーハ１１間の距離を出す為にはウ
ェーハの支持間隔の異なる複数のボート２８を用意しな
ければならない、又条件出しにはボート２８の交換作業
が伴う等、条件出しに繁雑な作業が伴い又時間が掛かる
という問題があった。
半導体製造装置に於いてはウェーハ１１はボート２８で
支持され、該ボート２８は一体成形されたものであり、
製作が困難で加工費が高価であるという問題があると共
にウェーハ１１間の距離を変更できないので、プロセス
に合わせて最適なウェーハ１１間の距離を出す為にはウ
ェーハの支持間隔の異なる複数のボート２８を用意しな
ければならない、又条件出しにはボート２８の交換作業
が伴う等、条件出しに繁雑な作業が伴い又時間が掛かる
という問題があった。
【０００５】本発明は斯かる実情に鑑み、製作費が安価
で而もプロセスの条件出しの作業が容易であるウェーハ
台装置を提供しようとするものである。
で而もプロセスの条件出しの作業が容易であるウェーハ
台装置を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、枚葉式半導体
製造装置の反応管内部でウェーハを支持するウェーハ台
装置に於いて、ウェーハ台ベースに支柱を立設し、該支
柱でウェーハ載置プレートを支持し、該ウェーハ載置プ
レートを介してウェーハを支持する様にした半導体製造
装置のウェーハ台装置に係り、又ウェーハ台ベースに支
柱を立設し、該支柱にスペーサを嵌入し、ウェーハが受
載されるウェーハ載置プレートに前記支柱を貫通させ、
ウェーハ載置プレートを前記スペーサを介して支持した
半導体製造装置のウェーハ台装置に係り、又ウェーハ台
ベースに支柱を立設し、該支柱に段差を形成し、ウェー
ハが受載されるウェーハ載置プレートに前記支柱を貫通
させ、前記段差で支持した半導体製造装置のウェーハ台
装置に係るものである。
製造装置の反応管内部でウェーハを支持するウェーハ台
装置に於いて、ウェーハ台ベースに支柱を立設し、該支
柱でウェーハ載置プレートを支持し、該ウェーハ載置プ
レートを介してウェーハを支持する様にした半導体製造
装置のウェーハ台装置に係り、又ウェーハ台ベースに支
柱を立設し、該支柱にスペーサを嵌入し、ウェーハが受
載されるウェーハ載置プレートに前記支柱を貫通させ、
ウェーハ載置プレートを前記スペーサを介して支持した
半導体製造装置のウェーハ台装置に係り、又ウェーハ台
ベースに支柱を立設し、該支柱に段差を形成し、ウェー
ハが受載されるウェーハ載置プレートに前記支柱を貫通
させ、前記段差で支持した半導体製造装置のウェーハ台
装置に係るものである。
【０００７】従って、長さの異なるスペーサを交換する
ことで、ウェーハ間の上下方向の距離を容易に変更する
ことができ、又支柱の段差の位置を変更することでウェ
ーハ間の上下方向の距離を容易に変更することができ
る。又、構造が簡潔になり製作が容易となる。
ことで、ウェーハ間の上下方向の距離を容易に変更する
ことができ、又支柱の段差の位置を変更することでウェ
ーハ間の上下方向の距離を容易に変更することができ
る。又、構造が簡潔になり製作が容易となる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。
実施の形態を説明する。
【０００９】図１、図２に於いて、本発明に係るウェー
ハ台装置を具備する枚葉式半導体製造装置の概略を説明
する。
ハ台装置を具備する枚葉式半導体製造装置の概略を説明
する。
【００１０】石英製又は炭化硅素、アルミナ製の反応管
１は水平方向に偏平な空間を有する筒状であり、反応管
１の内部にウェーハ台装置２が設けられ、前記反応管１
の両端には気密にガス導入フランジ３，ガス導入フラン
ジ４が設けられ、一方のガス導入フランジ３には更にゲ
ート弁５を介して搬送室（図示せず）が連設されてい
る。前記ガス導入フランジ３、ガス導入フランジ４には
それぞれガス導入ライン７，８、排気ライン９，１０が
連通され、又前記反応管１の周囲にはヒータ６が設けら
れ、反応管１内部を均一に加熱する様になっている。
１は水平方向に偏平な空間を有する筒状であり、反応管
１の内部にウェーハ台装置２が設けられ、前記反応管１
の両端には気密にガス導入フランジ３，ガス導入フラン
ジ４が設けられ、一方のガス導入フランジ３には更にゲ
ート弁５を介して搬送室（図示せず）が連設されてい
る。前記ガス導入フランジ３、ガス導入フランジ４には
それぞれガス導入ライン７，８、排気ライン９，１０が
連通され、又前記反応管１の周囲にはヒータ６が設けら
れ、反応管１内部を均一に加熱する様になっている。
【００１１】ゲート弁５が開かれ図示しないウェーハ搬
送ロボットにより図中左方よりウェーハ１１が搬入さ
れ、前記ウェーハ台装置２に載置される。本図ではウェ
ーハ台装置２には２枚のウェーハ１１が載置される。
送ロボットにより図中左方よりウェーハ１１が搬入さ
れ、前記ウェーハ台装置２に載置される。本図ではウェ
ーハ台装置２には２枚のウェーハ１１が載置される。
【００１２】前記ウェーハ搬送ロボットが後退してゲー
ト弁５が閉じられ、反応管１内に前記ガス導入ライン
７，８より反応ガスが導入され、前記排気ライン９，１
０より排気される。尚、処理の均一性を確保する為、反
応ガスは対角線状に、例えばガス導入ライン７から排気
ライン１０に向かって流れ、或はガス導入ライン８から
排気ライン９に向かって流れ、更に所要時間毎に流れの
向きが変更される様になっている。ウェーハ１１の処理
が完了すると、前記ゲート弁５が開かれ、ウェーハ１１
はウェーハ搬送ロボットにより搬出される。
ト弁５が閉じられ、反応管１内に前記ガス導入ライン
７，８より反応ガスが導入され、前記排気ライン９，１
０より排気される。尚、処理の均一性を確保する為、反
応ガスは対角線状に、例えばガス導入ライン７から排気
ライン１０に向かって流れ、或はガス導入ライン８から
排気ライン９に向かって流れ、更に所要時間毎に流れの
向きが変更される様になっている。ウェーハ１１の処理
が完了すると、前記ゲート弁５が開かれ、ウェーハ１１
はウェーハ搬送ロボットにより搬出される。
【００１３】ウェーハ台装置２は保持すべきウェーハ１
１に対して各１枚のウェーハ載置プレート１２を有す
る。
１に対して各１枚のウェーハ載置プレート１２を有す
る。
【００１４】該ウェーハ載置プレート１２は石英、或は
炭化硅素、アルミナ等の材質から成る矩形のプレートの
中央にウェーハ１１の直径よりも大きい直径を有する抜
き孔１３を穿設し、該抜き孔１３の円周４等分した位置
のウェーハ載置プレート１２下面に爪１４を中心方向に
突設する。又、前記ウェーハ載置プレート１２の前記ゲ
ート弁５側には欠切部１５を設け、該欠切部１５の反対
側には２箇所に逃げ部１６を設ける。前記欠切部１５、
逃げ部１６は前記図示しないウェーハ搬送ロボットのウ
ェーハ載置アームが進入し、ウェーハ１１の授受を行う
場合に干渉しない様設けられる。
炭化硅素、アルミナ等の材質から成る矩形のプレートの
中央にウェーハ１１の直径よりも大きい直径を有する抜
き孔１３を穿設し、該抜き孔１３の円周４等分した位置
のウェーハ載置プレート１２下面に爪１４を中心方向に
突設する。又、前記ウェーハ載置プレート１２の前記ゲ
ート弁５側には欠切部１５を設け、該欠切部１５の反対
側には２箇所に逃げ部１６を設ける。前記欠切部１５、
逃げ部１６は前記図示しないウェーハ搬送ロボットのウ
ェーハ載置アームが進入し、ウェーハ１１の授受を行う
場合に干渉しない様設けられる。
【００１５】前記ウェーハ載置プレート１２は処理すべ
きウェーハ１１の数だけ上下方向に所要の間隔で支持さ
れる。
きウェーハ１１の数だけ上下方向に所要の間隔で支持さ
れる。
【００１６】本実施の形態に於いては、ウェーハ台装置
２は前記したウェーハ載置プレート１２を上下２段に具
備している。図３は該形態でのウェーハ台装置２の概念
図であり、以下該ウェーハ台装置２について説明する。
２は前記したウェーハ載置プレート１２を上下２段に具
備している。図３は該形態でのウェーハ台装置２の概念
図であり、以下該ウェーハ台装置２について説明する。
【００１７】ウェーハ台ベース１７の４隅に石英、或は
炭化硅素、アルミナ等の材質から成る支柱１８を立設
し、該支柱１８に石英、或は炭化硅素、アルミナ等の材
質から成るスペーサ１９を嵌入し、次に下段のウェーハ
載置プレート１２を前記支柱１８に貫通させた状態で前
記スペーサ１９上に載置し、更にスペーサ２０を嵌入
し、最後に上段のウェーハ載置プレート１２を支柱１８
に貫通させた状態で前記スペーサ２０上に載置する。前
記スペーサ１９、スペーサ２０はプロセスに必要なウェ
ーハ１１間の距離を設定する。
炭化硅素、アルミナ等の材質から成る支柱１８を立設
し、該支柱１８に石英、或は炭化硅素、アルミナ等の材
質から成るスペーサ１９を嵌入し、次に下段のウェーハ
載置プレート１２を前記支柱１８に貫通させた状態で前
記スペーサ１９上に載置し、更にスペーサ２０を嵌入
し、最後に上段のウェーハ載置プレート１２を支柱１８
に貫通させた状態で前記スペーサ２０上に載置する。前
記スペーサ１９、スペーサ２０はプロセスに必要なウェ
ーハ１１間の距離を設定する。
【００１８】ウェーハ１１間の距離を変更するには、前
記スペーサ１９、スペーサ２０の長さを変更することで
容易に対応することができる。
記スペーサ１９、スペーサ２０の長さを変更することで
容易に対応することができる。
【００１９】又、図４はウェーハ１１を３段に支持する
場合を示しており、図３で示したウェーハ台装置に対し
て更にスペーサ２１を嵌入し、ウェーハ載置プレート１
２を積上げたものである。
場合を示しており、図３で示したウェーハ台装置に対し
て更にスペーサ２１を嵌入し、ウェーハ載置プレート１
２を積上げたものである。
【００２０】更に、図５は他の実施の形態を示すもので
あり、ウェーハ載置プレート１２を支持する支柱２２を
段付き形状とし、又該支柱２２を交換可能としたもので
あり、又該支柱２２に嵌込むウェーハ載置プレート１２
も下段のウェーハ載置プレート１２ａ、から中段のウェ
ーハ載置プレート１２ｂ、上段のウェーハ載置プレート
１２ｃに行くに従い支柱２２との嵌合孔を小さくしたも
のである。該実施の形態でウェーハ間の距離を変更する
場合は、段差間の距離の異なる支柱に交換する。該実施
の形態に於いてウェーハ載置プレート１２ａのみを設け
て１段のウェーハ台装置としてもよいことは言う迄もな
い。
あり、ウェーハ載置プレート１２を支持する支柱２２を
段付き形状とし、又該支柱２２を交換可能としたもので
あり、又該支柱２２に嵌込むウェーハ載置プレート１２
も下段のウェーハ載置プレート１２ａ、から中段のウェ
ーハ載置プレート１２ｂ、上段のウェーハ載置プレート
１２ｃに行くに従い支柱２２との嵌合孔を小さくしたも
のである。該実施の形態でウェーハ間の距離を変更する
場合は、段差間の距離の異なる支柱に交換する。該実施
の形態に於いてウェーハ載置プレート１２ａのみを設け
て１段のウェーハ台装置としてもよいことは言う迄もな
い。
【００２１】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、ウェー
ハ台装置を構成する部材の溶接する箇所が大幅に少なく
なり、加工費、工数の低減を行え、又ウェーハを支持す
るウェーハ載置プレートの形状、材質をウェーハに生成
する膜種により変更することが容易であり、設備費の低
減が行え、更にウェーハ間の距離を反応ガスの流れ等が
最適になる様容易に変更が可能となる等の優れた効果を
発揮する。
ハ台装置を構成する部材の溶接する箇所が大幅に少なく
なり、加工費、工数の低減を行え、又ウェーハを支持す
るウェーハ載置プレートの形状、材質をウェーハに生成
する膜種により変更することが容易であり、設備費の低
減が行え、更にウェーハ間の距離を反応ガスの流れ等が
最適になる様容易に変更が可能となる等の優れた効果を
発揮する。
【図１】本発明の実施の形態を示す正断面図である。
【図２】同前実施の形態を示す平断面図である。
【図３】同前実施の形態の要部を示す概念図である。
【図４】本発明の他の実施の形態の要部を示す概念図で
ある。
ある。
【図５】本発明の更に他の形態の要部を示す概念図であ
る。
る。
【図６】従来例の要部を示す概念図である。
１ 反応管 ２ ウェーハ台装置 １２ ウェーハ載置プレート １７ ウェーハ台ベース １８ 支柱 １９ スペーサ ２０ スペーサ ２１ スペーサ ２２ 支柱
Claims (3)
- 【請求項１】 枚葉式半導体製造装置の反応管内部でウ
ェーハを支持するウェーハ台装置に於いて、ウェーハ台
ベースに支柱を立設し、該支柱でウェーハ載置プレート
を支持し、該ウェーハ載置プレートを介してウェーハを
支持する様にしたことを特徴とする半導体製造装置のウ
ェーハ台装置。 - 【請求項２】 枚葉式半導体製造装置の反応管内部でウ
ェーハを支持するウェーハ台装置に於いて、ウェーハ台
ベースに支柱を立設し、該支柱にスペーサを嵌入し、ウ
ェーハが受載されるウェーハ載置プレートに前記支柱を
貫通させ、ウェーハ載置プレートを前記スペーサを介し
て支持したことを特徴とする半導体製造装置のウェーハ
台装置。 - 【請求項３】 枚葉式半導体製造装置の反応管内部でウ
ェーハを支持するウェーハ台装置に於いて、ウェーハ台
ベースに支柱を立設し、該支柱に段差を形成し、ウェー
ハが受載されるウェーハ載置プレートに前記支柱を貫通
させ、前記段差で支持したことを特徴とする半導体製造
装置のウェーハ台装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21097195A JPH0945754A (ja) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | 半導体製造装置のウェーハ台装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21097195A JPH0945754A (ja) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | 半導体製造装置のウェーハ台装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945754A true JPH0945754A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16598167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21097195A Pending JPH0945754A (ja) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | 半導体製造装置のウェーハ台装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0945754A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001144271A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-05-25 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | 半導体メモリ素子のキャパシタ形成方法 |
| JP2003109951A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理方法 |
| JP2006222468A (ja) * | 2002-03-26 | 2006-08-24 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法、クリーニング方法 |
| JP2011258982A (ja) * | 2011-09-01 | 2011-12-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理方法、基板処理装置、半導体装置の製造方法および基板移載方法 |
| JP2014207435A (ja) * | 2013-03-21 | 2014-10-30 | 東京エレクトロン株式会社 | バッチ式縦型基板処理装置および基板保持具 |
-
1995
- 1995-07-27 JP JP21097195A patent/JPH0945754A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001144271A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-05-25 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | 半導体メモリ素子のキャパシタ形成方法 |
| JP2003109951A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理方法 |
| JP2006222468A (ja) * | 2002-03-26 | 2006-08-24 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法、クリーニング方法 |
| JP2011258982A (ja) * | 2011-09-01 | 2011-12-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理方法、基板処理装置、半導体装置の製造方法および基板移載方法 |
| JP2014207435A (ja) * | 2013-03-21 | 2014-10-30 | 東京エレクトロン株式会社 | バッチ式縦型基板処理装置および基板保持具 |
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