JPH0573976A - 光磁気デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 再生時に、記録層の情報信号を一旦再生層に
転写し、その後、再生層から磁気光学効果を用いて再生
することができ、記録時に、光強度変調でオーバーライ
トを行うことができる光磁気ディスクを提供する。 【構成】 透明基板９上に、保護膜である誘電体膜１０
を形成し、その上に、記録膜４として、再生層である第
１磁性膜１と、記録層である第２磁性膜２と、補助層で
ある第３磁性膜と、を磁気的に結合し順次積層して形成
し、その上に、保護膜である誘電体膜１１をスパッタリ
ングで形成して、光磁気ディスクを構成している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、記録層と再生層を少な
くとも有し、再生時に、記録層に記録されている情報信
号を一旦再生層に転写し、その後、再生層から磁気光学
効果を用いて再生し得る光磁気ディスクに関し、特に、
記録時に、光強度変調にて、古い情報信号を消去すると
同時に新たな情報信号を記録すること（即ち、オーバー
ライト）ができる光磁気ディスクに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】再生時に、記録層の情報信号を一旦再生
層に転写し、その後、再生層から磁気光学効果を用いて
再生し得る光磁気ディスクは、従来、数多く提案されて
いる。そのなかで、図１１，図１２で示す光磁気ディス
クでは、読み取りスポットより小さい磁区の情報信号を
再生することが可能であり、記録容量を増やせるという
特徴がある。以下、これについて説明する。

【０００３】図１１は従来の光磁気ディスクにおける情
報信号の再生方法を説明するための説明図である。図１
１に示す光磁気ディスクは、記録膜が、保磁力の小さい
再生層と保磁力の大きい記録層とを磁気的に結合した多
層構造を成している。ここで、記録膜は、図面右から左
へ移動しており、図１１は、その移動によって記録膜の
各層の磁化方向の状態が、どのように変化するかを示し
ている。

【０００４】では、従来の光磁気ディスクにおける情報
信号の再生方法について説明する。図１１に示す様に、
再生時には、まず、再生位置前に配置された初期磁界Ｈ
ｉを印加することにより、再生層に転写されていた情報
信号のみが消去される（即ち、再生層の磁化のみが一定
方向〔図面下向き〕に揃えられる）。次に、情報信号の
消去された再生層に、対物レンズ１４によりレーザ光１
３を照射して、再生層の温度を上げると、再生層と記録
層との交換結合力により、記録層に記録されている情報
信号（上向きの磁化）が再生層に転写される。その時、
同時に、この転写された情報信号が磁気光学効果により
再生される。

【０００５】図１２に、図１１のＺ方向からみた、再生
層上の読み取りスポットの大きさと情報信号の磁区の大
きさとの関係を示す。図１２において、５０は情報信号
の磁区、５１は初期磁界Ｈｉの磁場領域、１００はレー
ザ光１３による読み取りスポットを示している。なお、
初期磁界Ｈｉの磁場領域５１の大きさは、実質的にはも
っと広範囲であり、読み取りスポット１００と重らなけ
ればよい大きさである。

【０００６】上記の再生方法によれば、レーザ光１３の
照射範囲（即ち、読み取りスポット１００の範囲）内で
あっても、記録層から再生層に情報信号が転写されない
限り、再生層からは情報信号が再生されないので、図１
２に示すように、読み取りスポット１００の大きさに対
して、情報信号の磁区５０の大きさを小さくすることが
可能であり、実質的に記録容量を増やすことが可能とな
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した従来
の光磁気ディスクにおいては、記録時にオーバーライト
を行おうとした場合、記録磁界を変調する磁界強度変調
で行うことはできるが、レーザ光を変調する光強度変調
で行うことができないという問題があった。本発明の目
的は、上記した従来技術の問題点を解決し、記録時に光
強度変調でオーバーライトを行うことのできる光磁気デ
ィスクを提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明では、基板上に、再生層である第１磁性
膜と、記録層である第２磁性膜と、補助層である第３磁
性膜と、を磁気的に結合させつつ順次積層して、記録膜
を形成して成り、前記基板側よりレーザ光が照射される
と共に、その照射位置よりも先行する位置に初期磁界が
与えられ、再生時に、前記レーザ光が再生パワーにて照
射されることにより、前記第２磁性膜に記録されている
情報信号を一旦前記第１磁性膜に転写し、その後、該第
１磁性膜から磁気光学効果を用いて再生し得る光磁気デ
ィスクにおいて、前記レーザ光が再生パワーにて照射さ
れた際の前記記録膜の膜温度をＴｓとし、前記第１，第
２，第３磁性膜のキュリー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ
２，Ｔｃ３としたとき、 Ｔｃ２＞Ｔｓ、かつＴｃ２＜Ｔｃ１，Ｔｃ３ なる関係を満足し、前記初期磁界の大きさをＨｉとし、
前記第１，第２、第３の磁性膜の保磁力をＨｃ１，Ｈｃ
２，Ｈｃ３とし、第１磁性膜が第２磁性膜から受ける交
換結合力をＨｅｘ１とし、第２磁性膜が第１磁性膜から
受ける交換結合力と第３磁性膜から受ける交換結合力と
の和をＨｅｘ２とし、第３磁性膜が第２磁性膜から受け
る交換結合力をＨｅｘ３したとき、前記記録膜の膜温度
が室温Ｔｒとほぼ等しい場合に、 Ｈｃ１＋Ｈｅｘ１，Ｈｃ３＋Ｈｅｘ３＜Ｈｉ＜Ｈｃ２−
Ｈｅｘ２ なる関係を満足し、前記記録膜の膜温度がＴｓである場
合に、 Ｈｃ１＜Ｈｅｘ１、かつＨｃ２＞Ｈｅｘ２ なる関係を満足するようにした。

【０００９】

【作用】記録膜は、再生層である第１磁性膜と、記録層
である第２磁性膜と、補助層である第３磁性膜とを磁気
的に結合させた３層膜であり、情報信号の記録は、外部
から記録磁界Ｈｗを与えつつ、レーザ光を高パワー，低
パワーで強度変調して行う。情報信号は、第２磁性膜の
磁化方向の違い（上向き磁化、下向き磁化）として記録
される。

【００１０】記録時における高パワー照射時には、第
１，第２，第３磁性膜の膜温度が、第１，第２，第３磁
性膜のキュリー温度Ｔｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３以上に上昇
するために、第１，第２，第３磁性膜の磁化方向は記録
磁界Ｈｗで決定される方向となる。

【００１１】一方、記録時における低パワー照射時に
は、第２磁性膜の膜温度が、キュリー温度Ｔｃ２付近に
上昇する。第２磁性膜の磁化方向は交換結合力Ｈｅｘ２
により第１，第３磁性膜の磁化方向で決定する方向とな
る。この方向は記録磁界Ｈｗと逆方向であり、Ｈｅｘ２
−Ｈｃ２＞Ｈｗを満足している。なお、第１，第３磁性
膜の磁化方向は、レーザ光照射以前（膜温度が室温Ｔ
ｒ）において、初期磁界発生手段より生じる初期磁界Ｈ
ｉと同じ方向となっている。このとき Ｈｃ１＋Ｈｅｘ１，Ｈｃ３＋Ｈｅｘ３＜Ｈｉ＜Ｈｃ２−
Ｈｅｘ２ を満足している。

【００１２】情報信号の再生は、レーザ光のパワーとし
て、前述の低パワーよりさらに低いパワー（再生パワ
ー）で行う。上記したように、再生層である第１磁性膜
は、レーザ光照射以前において、初期磁界発生手段より
生じる初期磁界Ｈｉと同じ方向に揃えられる。そして、
再生パワーで照射された記録膜は、温度が上昇して Ｈｃ１＜Ｈｅｘ１ を満足することにより、第１磁性膜に交換結合力によっ
て第２磁性膜の磁化が転写される。そして、第１磁性膜
の磁化が磁気光学効果により再生される。

【００１３】従って、本発明によれば、再生時に、記録
層の情報信号を一旦再生層に転写し、その後、再生層か
ら磁気光学効果を用いて再生することができ、記録時
に、光強度変調でオーバーライトを行うことができる。

【００１４】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。図１は本発明の第１の実施例としての光磁
気ディスクの膜構成を示す構成図である。本実施例にお
いては、図１に示すように、透明基板９上に、保護膜で
ある誘電体膜１０を形成し、その上に、記録膜４とし
て、再生層である第１磁性膜１と、記録層である第２磁
性膜２と、補助層である第３磁性膜と、を磁気的に結合
させつつ順次積層して形成し、その上に、保護膜である
誘電体膜１１をスパッタリングで形成して、光磁気ディ
スク１２を作成している。

【００１５】図２は図１の光磁気ディスク１２に対し情
報信号を記録・再生するための記録再生装置の概略を示
す模式図である。図２において、光磁気ディスク１２を
はさんで、下側に、光磁気ディスク１２の記録膜４上に
レーザ光１３を集光する対物レンズ１４を少なくとも有
する光ヘッド７を、上側に、レーザ光の集光位置（Ｘ
１）に記録磁界Ｈｗを与える記録磁界発生手段６を、そ
れぞれ、設けてある。そして、レーザ光の集光位置（Ｘ
１）から一定距離Ｌだけ離れた位置（Ｘ２）に記録磁界
Ｈｗとは逆方向の磁界である初期磁界Ｈｉを与える記録
磁界発生手段５を設けてある。

【００１６】図３は図１の光磁気ディスク１２における
記録膜４を構成する磁性膜１〜３の膜温度Ｔと保磁力Ｈ
との関係、及び記録磁界Ｈｗと初期磁界Ｈｉの大きさを
示す特性図である。

【００１７】図３において、１は第１磁性膜１の特性、
２は第２磁性膜２の特性、３は第３磁性膜３の特性であ
る。また、Ｔｒは室温、Ｔｓはレーザ光１３が再生パワ
ーにて照射された際の記録膜４の温度である。また、Ｔ
ｅはレーザ光１３が記録パワーにおける低パワーにて照
射された際の記録膜４の温度で、ほぼ第２磁性膜２のキ
ュリー温度Ｔｃ２となる。また、Ｔｗはレーザ光１３が
記録パワーにおける高パワーにて照射された際の記録膜
４の温度で、ほぼ第１磁性膜１及び第３磁性膜３のキュ
リー温度Ｔｃ１，Ｔｃ３となる。

【００１８】なお、初期磁界Ｈｉの大きさは、第１〜第
３磁性膜１〜３の保磁力をＨｃ１，Ｈｃ２，Ｈｃ３と
し、第１磁性膜１が第２磁性膜２から受ける交換結合力
をＨｅｘ１とし、第２磁性膜２が第１磁性膜１から受け
る交換結合力と第３の磁性膜３から受ける交換結合力と
の和をＨｅｘ２とし、第３磁性膜３が第２磁性膜２から
受ける交換結合力をＨｅｘ３とすると、室温Ｔｒでの記
録膜４の温度において、 Ｈｃ１＋Ｈｅｘ１，Ｈｃ３＋Ｈｅｘ３＜Ｈｉ＜Ｈｃ２−
Ｈｅｘ２……（数１） を満足するように設定されている。

【００１９】この結果、室温Ｔｒでの記録膜４の温度で
は、レーザ光の集光位置（Ｘ１）から一定距離Ｌだけ離
れた位置（Ｘ２）に設けられた記録磁界発生手段５で与
えられる初期磁界Ｈｉにより、第１磁性膜１及び第３磁
性膜３の磁化方向は、初期磁界Ｈｉの方向に揃えられ
る。

【００２０】また、記録磁界Ｈｗの大きさは、第１，第
３の磁性膜１，３の保磁力をＨｃ１，Ｈｃ３とすると、
レーザ光１３が記録パワーにおける低パワーにて照射さ
れた際の記録膜４の温度Ｔｅ（即ち、第２磁性膜２のキ
ュリー温度Ｔｃ２）において、 Ｈｃ１，Ｈｃ３＞Ｈｗ を満足するように設定されている。

【００２１】以上ような構成を成し、特性を持つ光磁気
ディスク１２における再生方法及び書き換え方法につい
て、図４を用いて詳細に説明する。図４は図１の光磁気
ディスク１２における情報信号の再生方法及び書き換え
方法を説明するための説明図である。

【００２２】ここで、記録膜は、図面右から左へ移動し
ており、図４は、その移動によって記録膜の各層の磁化
方向の状態が、どのように変化するかを示している。即
ち、位置ｘａでの磁化方向の状態が、一定時刻後にどう
変化したかを示している。なお、簡単のため、以下、上
向き磁化を”１”、下向き磁化を”−１”と記する。

【００２３】では、まず、情報信号の再生方法につい
て、図４（ａ）を用いて説明する。図４（ａ）に示す様
に、再生時（即ち、再生モード）では、まず、位置Ｘａ
において、第１〜第３磁性膜１〜３の磁化が”１”の状
態であるとすると、位置Ｘｂ（レーザ光の集光位置から
一定距離Ｌだけ離れた位置）において、数式１を満足す
る初期磁界Ｈｉにより、第１磁性膜１及び第３磁性膜３
の磁化が初期磁界Ｈｉの方向、即ち、”−１”に揃えら
れる。そして、位置Ｘｂでの磁化の状態は位置Ｘｃまで
保持されるが、位置Ｘｄにおいては、対物レンズ１４に
よって照射されたレーザ光１３により、再生パワーで記
録膜４が温度Ｔｒから上昇して、 Ｈｃ１＜Ｈｗ＋Ｈｅｘ１ Ｈｃ２＋Ｈｗ＞Ｈｅｘ２ を満足する温度Ｔｓになるため、第１磁性膜１の磁化”
−１”は、交換結合力により第２磁性膜２の磁化”１”
が転写され、”１”となる。その時、同時に、この転写
された磁化”１”が磁気光学効果により再生される。こ
うして、第２磁性膜２の磁化状態を再生することができ
る。

【００２４】以上の再生方法によれば、光学系（光の波
長、対物レンズの開口数）で決まる読み取りスポット１
００より小さい（約半分程度）の磁区の情報信号が再生
可能となり、記憶容量を増量することが可能となる。

【００２５】次に、情報信号の書き換え方法について、
図４（ｂ），（ｃ）を用いて説明する。記録時（即ち、
書き換えモード）には、レーザ光１３の記録パワーを高
パワーと低パワーとの間で変調して、オーバーライトを
行っている。

【００２６】まず、レーザ光１３の記録パワーが高パワ
ーである場合について説明する。図４（ｂ）に示す様
に、位置Ｘａにおいて、第１〜第３磁性膜１〜３の磁化
が”−１”の状態であるとすると、位置Ｘｂにおいて
も、その状態は保持される。位置Ｘｃにおいては、対物
レンズ１４によって照射されたレーザ光１３により、記
録パワーにおける高パワーで、記録膜４が温度Ｔｒから
温度Ｔｗ（第１磁性膜１及び第３磁性膜３のキュリー温
度Ｔｃ１，Ｔｃ３）以上まで上昇し、第１〜第３磁性膜
１〜３がすべて無磁化状態（以下、無磁化状態を”０”
と記する。）となる。そして、冷却過程で生じる磁化が
記録磁界Ｈｗの方向、即ち、”１”に揃えられる。この
際、レーザ光１３の記録パルス幅を短くすることによ
り、情報信号の磁区の大きさを制御することが可能とな
る。

【００２７】次に、レーザ光１３の記録パワーが低パワ
ーである場合について説明する。図４（ｃ）に示す様
に、まず、位置Ｘａにおいて、第１〜第３磁性膜１〜３
の磁化が”１”の状態であるとすると、位置Ｘｂ（レー
ザ光の集光位置から一定距離Ｌだけ離れた位置）におい
て、数式１を満足する初期磁界Ｈｉにより、第１磁性膜
１及び第３磁性膜３の磁化が初期磁界Ｈｉの方向、即
ち、”−１”に揃えられる。位置Ｘｃにおいては、対物
レンズ１４によって照射されたレーザ光１３により、記
録パワーにおける低パワーで、記録膜４が温度Ｔｒから
温度Ｔｅ（第２磁性膜２のキュリー温度Ｔｃ２）以上ま
で上昇し、第２の磁性膜２が無磁化状態”０”となる。
そして、冷却過程で生じる磁化が、第１，第３の磁性膜
１，３との交換結合力Ｈｅｘ２が記録磁界Ｈｗより大き
いことにより、記録磁界Ｈｗの方向とは逆の方向、即
ち、”−１”に揃えられる。

【００２８】こうして、レーザ光１３の強度変調（即
ち、光強度変調）にて、第２磁性膜２に情報信号の消去
と同時に記録を行うこと（即ち、オーバーライト）が可
能となる。

【００２９】以上詳細に説明したように、本実施例によ
れば、再生時には、情報信号を記録層である第２磁性膜
２から一旦再生層である第１磁性膜１に転写し、その
後、第１磁性膜１から磁気光学効果を用いて再生するこ
とができ、記録時には、光強度変調で情報信号のオーバ
ーライトを行うことができる。

【００３０】また、本実施例においては、第１磁性膜１
のキュリー温度Ｔｃ１が第３磁性膜３のキュリー温度Ｔ
ｃ３より低いが、Ｔｃ３以上であってもよい。この場合
には、レーザ光１３の記録パワーが高パワーである場
合、第２磁性膜２及び第３磁性膜３の膜温度がキュリー
温度Ｔｃ２，Ｔｃ３以上に上昇するため、第２磁性膜２
及び第３磁性膜３の磁化は、記録磁界Ｈｗで、その磁化
方向が決定される。また、第１磁性膜１の磁化は、その
後の冷却過程において第２磁性膜２の磁化が転写され、
その磁化方向は第２，第３磁性膜２，３と同じ方向に揃
えられる。

【００３１】次に、本発明の第２の実施例としての光磁
気ディスクについて説明する。本実施例では、情報信号
の再生のみを行う再生専用装置で用いられる場合を念頭
に置いており、そのため、その膜構成は、前述の第１の
実施例、即ち、図１に示したのと同様であるが、外部か
ら与えられる記録磁界は無く、さらに、外部から与えら
れる初期磁界の大きさが前述の第１の実施例とは異なっ
ている。

【００３２】図５は本実施例の光磁気ディスクにおける
記録膜４を構成する磁性膜１〜３の膜温度Ｔと保磁力Ｈ
との関係、及び記録磁界Ｈｗと初期磁界Ｈｉ’の大きさ
を示す特性図である。

【００３３】本実施例において、初期磁界Ｈｉ’の大き
さは、室温Ｔｒでの記録膜４の温度において、第１〜第
３磁性膜１〜３の保磁力をＨｃ１，Ｈｃ２，Ｈｃ３と
し、第１磁性膜１が第２磁性膜２から受ける交換結合力
をＨｅｘ１とし、第２磁性膜２が第１磁性膜１から受け
る交換結合力と第３の磁性膜３から受ける交換結合力と
の和をＨｅｘ２とし、第３磁性膜３が第２磁性膜２から
受ける交換結合力をＨｅｘ３とすると、 Ｈｃ１＋Ｈｅｘ１＜Ｈｉ’＜Ｈｃ２＋Ｈｅｘ２，Ｈｃ３
＋Ｈｅｘ３…（数２） を満足するように設定されている。

【００３４】この結果、室温Ｔｒでの記録膜４の温度で
は、レーザ光の集光位置（Ｘ１）から一定距離Ｌだけ離
れた位置（Ｘ２）に設けられた記録磁界発生手段５で与
えられる初期磁界Ｈｉ’により、第１磁性膜１の磁化方
向のみが初期磁界Ｈｉの方向に揃えられる。また、記録
磁界Ｈｗは原理的に必要と無くなる。

【００３５】以上ような構成を成し、特性を持つ本実施
例の光磁気ディスクにおける再生方法について、図６を
用いて詳細に説明する。図６は本実施例の光磁気ディス
クにおける情報信号の再生方法を説明するための説明図
である。

【００３６】ここで、記録膜は、図面右から左へ移動し
ており、図６は、その移動によって記録膜の各層の磁化
方向の状態が、どのように変化するかを示している。即
ち、位置ｘａでの磁化方向の状態が、一定時刻後にどう
変化したかを示している。なお、”１”，”−１”の意
味については図４の場合と同様である。

【００３７】図６に示す様に、再生時（即ち、再生モー
ド）では、まず、位置Ｘａにおいて、第１〜第３磁性膜
１〜３の磁化が”１”の状態であるとすると、位置Ｘｂ
（レーザ光の集光位置から一定距離Ｌだけ離れた位置）
において、数式２を満足する初期磁界Ｈｉ’により、第
１磁性膜１の磁化のみが初期磁界Ｈｉの方向、即ち、”
−１”に揃えられる。そして、位置Ｘｂでの磁化の状態
は位置Ｘｃまで保持されるが、位置Ｘｄにおいては、対
物レンズ１４によって照射されたレーザ光１３により、
再生パワーで記録膜４が温度Ｔｒから上昇して、 Ｈｃ１＜Ｈｅｘ１ Ｈｃ２＜Ｈｅｘ２ を満足する温度Ｔｓになるため、第１磁性膜１の磁化”
−１”は、交換結合力により第２磁性膜２の磁化”１”
が転写され、”１”となる。その時、同時に、この転写
された磁化”１”が磁気光学効果により再生される。こ
うして、第２磁性膜２の磁化状態を再生することができ
る。

【００３８】以上説明したように、情報信号の再生のみ
を行う再生専用装置で用いられることを念頭に置く場合
は、本実施例のように、外部から与えられる初期磁界の
大きさを小さく設定することにより、第２磁性膜２の保
磁力Ｈｃ２が初期磁界Ｈｉ’より充分大きくなるため、
室温Ｔｒがある程度上昇しても、記録された情報信号を
安定に保持できる等の利点がある。

【００３９】次に、本発明の第３の実施例としての光磁
気ディスクについて説明する。図７及び図９はそれぞれ
本実施例の光磁気ディスクを収納するディスクカートリ
ッジの断面を示す断面図である。即ち、図７は、光ヘッ
ド７を用いて、本実施例の光磁気ディスク２０のＢ面で
ある光磁気ディスク２０ａを再生（または記録）する場
合のディスクカートリッジ２３の断面を示し、一方、図
９は、光ヘッド７を用いて、本実施例の光磁気ディスク
２０のＡ面である光磁気ディスク２０ａを再生（または
記録）する場合のディスクカートリッジ２３の断面を示
している。また、図８は、図７をＺ方向からみた正面図
であり、図１０は、図９をＺ方向からみた正面図であ
る。

【００４０】本実施例の光磁気ディスク２０は、両面再
生型であり、前述の第１の実施例で説明した光磁気ディ
スク１２を２枚（光磁気ディスク２０ａ、２０ｂ）貼り
あわせた構造を成しており、ディスクカートリッジ２３
に収納されている。また、ディスクカートリッジ２３
は、両面に開口部２１ａ，２１ｂを有し、ディスクカー
トリッジ２３の内壁には、磁性体２２ａ１と２２ａ２で
構成された第１初期磁界発生手段２２ａ１と、磁性体２
２ｂ１と２２ｂ２で構成された第２初期磁界発生手段２
２ｂが、第１、第２初期磁界発生手段２２ｂから発生す
る初期磁界Ｈｉ１とＨｉ２の大きさが等しく、かつ方向
が逆方向となるように、設けられている。

【００４１】ディスク回転方向が一定（Ｊ方向）とする
と、図７と図８に示すＢ面である光磁気ディスク２０ｂ
を再生（または記録）する場合、第２の初期磁化発生手
段２２ｂから発生するＨｉ２（図面中上向き）が初期磁
界として作用する。

【００４２】一方、図９と図１０に示すＡ面である光磁
気ディスク２０ａを再生（または記録）する場合、ディ
スク回転方向が同じため、第１の初期磁化発生手段２２
ａから発生するＨｉ１（図面中上向き）が初期磁界とし
て作用する。これにより、光磁気ディスク２０ａ，２０
ｂに対して、同じ方向の初期磁界を得ることができる。

【００４３】本実施例では、初期磁化発生手段２２ａ，
２２ｂを光磁気ディスク２０に対して対局して配置した
が、これに限るものではなく、要するに初期磁界Ｈｉ１
とＨｉ２の大きさが等しく、かつ方向が逆方向となるよ
うに、第１，第２の初期磁化発生手段２２ａ，２２ｂを
一定間隔離して具備されていればよい。また、ディスク
カートリッジそのものをこのように作成してもよい。記
録磁界Ｈｗをこの方法でディスクカートリッジに具備し
てもよい。

【００４４】

【発明の効果】本発明によれば、再生時に、記録層に記
録されている情報信号を一旦再生層に転写し、その後、
再生層から磁気光学効果を用いて再生し得る光磁気ディ
スクにおいて、記録時に光強度変調でオーバーライトを
行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例としての光磁気ディスク
の膜構成を示す構成図である。

【図２】図１の光磁気ディスクに対し情報信号を記録・
再生するための記録再生装置の概略を示す模式図であ
る。

【図３】図１の光磁気ディスクにおける記録膜を構成す
る磁性膜の膜温度と保磁力との関係、及び記録磁界と初
期磁界の大きさを示す特性図である。

【図４】図１の光磁気ディスクにおける情報信号の再生
方法及び書き換え方法を説明するための説明図である。

【図５】本発明の第２の実施例としての光磁気ディスク
における記録膜を構成する磁性膜の膜温度と保磁力との
関係、及び記録磁界と初期磁界の大きさを示す特性図で
ある。

【図６】本発明の第２の実施例としての光磁気ディスク
における情報信号の再生方法を説明するための説明図で
ある。

【図７】本発明の第３の実施例としての光磁気ディスク
を収納するディスクカートリッジの断面を示す断面図で
ある。

【図８】図７をＺ方向からみた正面図である。

【図９】本発明の第３の実施例としての光磁気ディスク
を収納するディスクカートリッジの断面を示す断面図で
ある。

【図１０】図９をＺ方向からみた正面図である。

【図１１】従来の光磁気ディスクにおける情報信号の再
生方法を説明するための説明図である。

【図１２】図１１のＺ方向からみた再生層上の読り取り
スポットの大きさと情報信号の磁区の大きさとの関係を
示す説明図である。

【符号の説明】

１…第１磁性膜、２…第２磁性膜、３…第３磁性膜、４
…記録膜、５…初期磁界発生手段、６…記録磁界発生手
段、７…光ヘッド、８…ディスクカートリッジ。

フロントページの続き (72)発明者 宮本 真 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所映像メデイア研究所内 (72)発明者 福井 幸夫 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所映像メデイア研究所内 (72)発明者 井上 雅之 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所映像メデイア研究所内

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、再生層である第１磁性膜と、
   記録層である第２磁性膜と、補助層である第３磁性膜
   と、を磁気的に結合させつつ順次積層して、記録膜を形
   成して成り、前記基板側よりレーザ光が照射されると共
   に、その照射位置よりも先行する位置に初期磁界が与え
   られ、再生時に、前記レーザ光が再生パワーにて照射さ
   れることにより、前記第２磁性膜に記録されている情報
   信号を一旦前記第１磁性膜に転写し、その後、該第１磁
   性膜から磁気光学効果を用いて再生し得る光磁気ディス
   クにおいて、 前記レーザ光が再生パワーにて照射された際の前記記録
   膜の膜温度をＴｓとし、前記第１，第２，第３磁性膜の
   キュリー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３とした
   とき、 Ｔｃ２＞Ｔｓ、かつＴｃ２＜Ｔｃ１，Ｔｃ３ なる関係を満足し、 前記初期磁界の大きさをＨｉとし、前記第１，第２、第
   ３の磁性膜の保磁力をＨｃ１，Ｈｃ２，Ｈｃ３とし、第
   １磁性膜が第２磁性膜から受ける交換結合力をＨｅｘ１
   とし、第２磁性膜が第１磁性膜から受ける交換結合力と
   第３磁性膜から受ける交換結合力との和をＨｅｘ２と
   し、第３磁性膜が第２磁性膜から受ける交換結合力をＨ
   ｅｘ３したとき、前記記録膜の膜温度が室温Ｔｒとほぼ
   等しい場合に、 Ｈｃ１＋Ｈｅｘ１，Ｈｃ３＋Ｈｅｘ３＜Ｈｉ＜Ｈｃ２−
   Ｈｅｘ２ なる関係を満足し、 前記記録膜の膜温度がＴｓである場合に、 Ｈｃ１＜Ｈｅｘ１、かつＨｃ２＞Ｈｅｘ２ なる関係を満足することを特徴とする光磁気ディスク。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の光磁気ディスクにおい
   て、前記初期磁界の大きさを、Ｈｉに代えて、前記記録
   膜の膜温度が室温Ｔｒとほぼ等しい場合に、 Ｈｃ１＋Ｈｅｘ１＜Ｈｉ’＜Ｈｃ２＋Ｈｅｘ２、Ｈｃ３
   ＋Ｈｅｘ３ なる関係を満足するＨｉ’としたことを特徴とする光磁
   気ディスク。
3. 【請求項３】 請求項１または２に記載の光磁気ディス
   クにおいて、記録時に、前記レーザ光が高パワーまたは
   低パワーの記録パワーにて照射され、かつ該レーザ光の
   照射位置に記録磁界が与えられると共に、 前記レーザ光が高パワーにて照射された際の前記記録膜
   の膜温度をＴｗとし、前記レーザ光が低パワーにて照射
   された際の前記記録膜の膜温度をＴｅとし、前記記録磁
   界の大きさをＨｗとしたとき、 前記記録膜の膜温度がＴｗである場合に、 Ｈｃ３＜Ｈｗ なる関係を満足し、 前記記録膜の膜温度がＴｅである場合に、 Ｈｃ３＞Ｈｗ なる関係を満足し、 前記レーザ光の記録パワーが高パワーと低パワーとの間
   で変調されることにより、オーバーライトを可能とした
   ことを特徴とする光磁気ディスク。
4. 【請求項４】 ディスクカートリッジ内に収納されると
   共に、一定磁界を発生する一定磁界発生手段を情報信号
   の再生あるいは書き換えを行う際に必要とする両面再生
   型の光磁気ディスクにおいて、前記一定磁界発生手段が
   前記ディスクカートリッジに設けられていることを特徴
   とする光磁気ディスク。
5. 【請求項５】 ディスクカートリッジ内に収納されると
   共に、一定磁界を発生する一定磁界発生手段を情報信号
   の再生あるいは書き換えを行う際に必要とする両面再生
   型の光磁気ディスクにおいて、前記一定磁界発生手段
   は、少なくとも第１の一定磁界発生手段と第２の一定磁
   界発生手段とから成り、前記ディスクカートリッジに設
   けられていると共に、前記第１の一定磁界発生手段から
   発生される第１の一定磁界と前記第２の一定磁界発生手
   段から発生される第２の一定磁界は、互いに、その大き
   さが等しく、その方向が逆向きであることを特徴とする
   光磁気ディスク。
6. 【請求項６】 請求項４または５に記載の光磁気ディス
   クにおいて、前記一定磁界発生手段から発生される一定
   磁界は、レーザ光の照射されない所定位置における記録
   膜の磁化方向を反転するために用いることを特徴とする
   光磁気ディスク。
7. 【請求項７】 請求項１，２または３に記載の光磁気デ
   ィスクにおいて、当該光磁気ディスクは、前記初期磁界
   として一定磁界を発生する一定磁界発生手段を有するデ
   ィスクカートリッジ内に収納されることを特徴とする光
   磁気ディスク。
8. 【請求項８】 請求項１，２または３に記載の光磁気デ
   ィスクにおいて、当該光磁気ディスクは、前記初期磁界
   として一定磁界を発生する第１及び第２の一定磁界発生
   手段を有するディスクカートリッジ内に収納されると共
   に、前記第１の一定磁界発生手段から発生される第１の
   一定磁界と前記第２の一定磁界発生手段から発生される
   第２の一定磁界は、互いに、その大きさが等しく、その
   方向が逆向きであることを特徴とする光磁気ディスク。