JPH0574214B2 - - Google Patents
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- JPH0574214B2 JPH0574214B2 JP2307153A JP30715390A JPH0574214B2 JP H0574214 B2 JPH0574214 B2 JP H0574214B2 JP 2307153 A JP2307153 A JP 2307153A JP 30715390 A JP30715390 A JP 30715390A JP H0574214 B2 JPH0574214 B2 JP H0574214B2
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- JP
- Japan
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- chamber
- gas
- atmosphere
- exposure
- exposure apparatus
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、シンクロトロン放射光を用いて露光
を行なう露光装置の雰囲気制御に関する。
を行なう露光装置の雰囲気制御に関する。
近年、半導体は微細化の一途を辿つており、又
それと同時に生産に対する高効率化が求められて
いる。これらの傾向に即した露光装置に対する要
求は、まず位置決め分解能が高いこと、次いでそ
の位置決めを高速に行なえること、更に露光時間
を短くすることである。
それと同時に生産に対する高効率化が求められて
いる。これらの傾向に即した露光装置に対する要
求は、まず位置決め分解能が高いこと、次いでそ
の位置決めを高速に行なえること、更に露光時間
を短くすることである。
これらの要求に対し、シンクロトロン放射光を
用いた露光技術は、プラズマX線源等ポイントソ
ースのX線源による露光と比較して光源の輝度が
高いために、露光時間の短縮が期待される。
用いた露光技術は、プラズマX線源等ポイントソ
ースのX線源による露光と比較して光源の輝度が
高いために、露光時間の短縮が期待される。
従つてシンクロトロン放射光を露光光源とする
露光装置では、後者の要求は充分満たされ得ると
して、前2者の要求を満たすことのできる装置構
成の開発・検討が行なわれている。
露光装置では、後者の要求は充分満たされ得ると
して、前2者の要求を満たすことのできる装置構
成の開発・検討が行なわれている。
その結果、特開平1−243797号では、これらの
要求を満たすことのできる装置構成の1つとし
て、第3図に示される様なウエハステージの位置
決め構成の提案が行なれている。同号に示された
位置決め構成は、X軸ガイド21、X軸移動体兼
Y軸ガイド22、Y軸移動体、即ち粗動ステージ
23とを有しており、エアー供給源25からのエ
アー供給によつてこれらの間に静圧型の気体軸受
けが形成され、これらの構成によつて大まかな位
置決めが行なれることになる。これらの構成の他
に微動ステージ24を有しており、大まかな位置
決めの後に高精度な位置決めが行なわれる。
要求を満たすことのできる装置構成の1つとし
て、第3図に示される様なウエハステージの位置
決め構成の提案が行なれている。同号に示された
位置決め構成は、X軸ガイド21、X軸移動体兼
Y軸ガイド22、Y軸移動体、即ち粗動ステージ
23とを有しており、エアー供給源25からのエ
アー供給によつてこれらの間に静圧型の気体軸受
けが形成され、これらの構成によつて大まかな位
置決めが行なれることになる。これらの構成の他
に微動ステージ24を有しており、大まかな位置
決めの後に高精度な位置決めが行なわれる。
第4図aは前図におけるX軸ガイド21とX軸
移動体兼Y軸ガイド22の部分の係合関係を示す
側断面図、又同図bは同じくX軸移動体兼Y軸ガ
イド22と粗動ステージ23の部分の係合関係を
示す平断面図である。これらの各構成には前記エ
アー供給源25からX軸用、共通用及びY軸用
に、静圧型気体軸受けの作動流体の管路26,2
7,28が延びており、そのうちX軸用の管路2
6とY軸用の管路28の途中にはバルブ26a,
28aが取付けられている。
移動体兼Y軸ガイド22の部分の係合関係を示す
側断面図、又同図bは同じくX軸移動体兼Y軸ガ
イド22と粗動ステージ23の部分の係合関係を
示す平断面図である。これらの各構成には前記エ
アー供給源25からX軸用、共通用及びY軸用
に、静圧型気体軸受けの作動流体の管路26,2
7,28が延びており、そのうちX軸用の管路2
6とY軸用の管路28の途中にはバルブ26a,
28aが取付けられている。
マスクに対するウエハステージの位置決めはこ
れらの構成によつて次の様になされる。
れらの構成によつて次の様になされる。
1 まず、各管路26,27,28にエアー供給
源25からエアーを流し、X軸ガイド21周面
に対するX軸移動体兼Y軸ガイド22の非接触
面積及び粗動ステージ23周面に対するX軸移
動体兼Y軸ガイド22の非接触面積を共に大き
くすることで、X軸ガイド21に沿つてX軸方
向にX軸移動体兼Y軸ガイド22を、又該X軸
移動体兼Y軸ガイド22に沿つてY軸方向に粗
動ステージ23を自由に移動できるようにす
る。そして、X軸移動体兼Y軸ガイド22と粗
動ステージ23を動かして、ある許容範囲内に
大まかな位置決めを行なう。
源25からエアーを流し、X軸ガイド21周面
に対するX軸移動体兼Y軸ガイド22の非接触
面積及び粗動ステージ23周面に対するX軸移
動体兼Y軸ガイド22の非接触面積を共に大き
くすることで、X軸ガイド21に沿つてX軸方
向にX軸移動体兼Y軸ガイド22を、又該X軸
移動体兼Y軸ガイド22に沿つてY軸方向に粗
動ステージ23を自由に移動できるようにす
る。そして、X軸移動体兼Y軸ガイド22と粗
動ステージ23を動かして、ある許容範囲内に
大まかな位置決めを行なう。
2 次にこれらに対しその両側から供給していた
エアーのうち、片側からの供給を停止し、上記
可動部分を一方向からX軸ガイド21、Y軸ガ
イド22に押し付ける。
エアーのうち、片側からの供給を停止し、上記
可動部分を一方向からX軸ガイド21、Y軸ガ
イド22に押し付ける。
3 更に、高分解能の位置決めを行なうことがで
きる微動ステージ24を動かす。
きる微動ステージ24を動かす。
以上の様なシーケンスを取るうち、2)及び
3)の動作の時に、バルブ26a,28aによつ
てX軸用管路26とY軸用管路28へのエアーの
供給を止め、ガイド21,22に沿つて動く移動
体22,23を一方向からこれらのガイド21,
22へ押し付けるようにしており、これによりシ
ンクロトロン放射光を用いて露光を行なうとき
に、必要な位置決め精度を得ている。
3)の動作の時に、バルブ26a,28aによつ
てX軸用管路26とY軸用管路28へのエアーの
供給を止め、ガイド21,22に沿つて動く移動
体22,23を一方向からこれらのガイド21,
22へ押し付けるようにしており、これによりシ
ンクロトロン放射光を用いて露光を行なうとき
に、必要な位置決め精度を得ている。
シンクロトロン放射光は0.5nmから1.5nm程度
のX線において輝度が高く、この様な波長域のX
線を専ら使用する64Mや256MのDRAMのパター
ン露光では、非常に有効な露光光源となるが、こ
の波長域では空気がX線を吸収してしまうため、
折角の高輝度なX線が減衰されてしまうという問
題を生じていた。
のX線において輝度が高く、この様な波長域のX
線を専ら使用する64Mや256MのDRAMのパター
ン露光では、非常に有効な露光光源となるが、こ
の波長域では空気がX線を吸収してしまうため、
折角の高輝度なX線が減衰されてしまうという問
題を生じていた。
この様な問題の一解決手段としては、放射光取
出し側にある露光用位置め機構全体をX線の減衰
作用の小さいHe雰囲気を満たしたチヤンバ内に
入れて露光を行なうことが考えられる。しかし、
前記露光用位置決め機構は閉じたチヤンバ内に在
り、且つ位置決め機構用に用いられる静圧型気体
軸受けには圧力気体が供給されているので、その
ままではチヤンバ内の圧力が上がつてしまうこと
や、この位置決め構成では可動部が動作している
時とガイド平面に押し付けられている時とで作動
流体の供給量が異なるため、チヤンバ内の圧力が
一定にならないことがあり、これらの圧力変動に
よつてレーザ干渉計周りの雰囲気が揺らぎステー
ジ位置決め精度が劣化したり、放射光減衰量に変
動が生じ、定時間露光では必要な露光量が得られ
ないこともある。更に前記静圧型気体軸受けに用
いられる作動流体にエアーが使用された場合、或
いはエアーで汚されたHeガスが供給された場合、
エアーがそのままチヤンバ内に放出されることに
なつて、このチヤンバ内の雰囲気によつてたちま
ち必要な露光量が得られなくなり、このシステム
は使い物にならなくなる。
出し側にある露光用位置め機構全体をX線の減衰
作用の小さいHe雰囲気を満たしたチヤンバ内に
入れて露光を行なうことが考えられる。しかし、
前記露光用位置決め機構は閉じたチヤンバ内に在
り、且つ位置決め機構用に用いられる静圧型気体
軸受けには圧力気体が供給されているので、その
ままではチヤンバ内の圧力が上がつてしまうこと
や、この位置決め構成では可動部が動作している
時とガイド平面に押し付けられている時とで作動
流体の供給量が異なるため、チヤンバ内の圧力が
一定にならないことがあり、これらの圧力変動に
よつてレーザ干渉計周りの雰囲気が揺らぎステー
ジ位置決め精度が劣化したり、放射光減衰量に変
動が生じ、定時間露光では必要な露光量が得られ
ないこともある。更に前記静圧型気体軸受けに用
いられる作動流体にエアーが使用された場合、或
いはエアーで汚されたHeガスが供給された場合、
エアーがそのままチヤンバ内に放出されることに
なつて、このチヤンバ内の雰囲気によつてたちま
ち必要な露光量が得られなくなり、このシステム
は使い物にならなくなる。
本発明は以上の様な問題を解決するためなされ
たもので、チヤンバ内の圧力変動が低く抑えら
れ、且つ放射光減衰もほとんどない露光装置を提
供せんとするものである。
たもので、チヤンバ内の圧力変動が低く抑えら
れ、且つ放射光減衰もほとんどない露光装置を提
供せんとするものである。
そのため、本発明は、シンクロトロン放射光を
露光光源とする露光装置において、ビームライン
端部に付設された放射光透過窓よりビーム取出し
側を包囲し、内部に露光用位置決め機構が設置さ
れたチヤンバと、該チヤンバ内に所定の高純度ガ
ス雰囲気を満たし、且つその内部雰囲気の圧力調
整を行なう雰囲気制御装置とを有すると共に、前
記チヤンバ内の位置決め機構用に用いられる静圧
型気体軸受けの作動流体として前記チヤンバ内雰
囲気と同種の高純度ガスを使用するこを基本的特
徴としている。
露光光源とする露光装置において、ビームライン
端部に付設された放射光透過窓よりビーム取出し
側を包囲し、内部に露光用位置決め機構が設置さ
れたチヤンバと、該チヤンバ内に所定の高純度ガ
ス雰囲気を満たし、且つその内部雰囲気の圧力調
整を行なう雰囲気制御装置とを有すると共に、前
記チヤンバ内の位置決め機構用に用いられる静圧
型気体軸受けの作動流体として前記チヤンバ内雰
囲気と同種の高純度ガスを使用するこを基本的特
徴としている。
又上記作動流体として雰囲気制御装置による圧
力調整でチヤンバ外部に排出された雰囲気ガスを
再循環使用することもできる。
力調整でチヤンバ外部に排出された雰囲気ガスを
再循環使用することもできる。
更に前記雰囲気制御装置によつてチヤンバ内に
雰囲気ガスを供給するに際し、高純度の該雰囲気
ガスをチヤンバ内の放射光光路に向けて供給する
ようにしても良い。
雰囲気ガスを供給するに際し、高純度の該雰囲気
ガスをチヤンバ内の放射光光路に向けて供給する
ようにしても良い。
上記雰囲気制御装置により、チヤンバ内に所定
の高純度ガス(例えばHeガスの様なX線減衰作
用の少ないガス)が満たされ、且つ前記静圧型気
体軸受けの作動流体としてチヤンバ内雰囲気と同
種の高純度ガスを使用しているため、エアー等の
混入がなく、X線減衰率を低くすることができる
と共に、静圧型気体軸受けの作動によるチヤンバ
内雰囲気圧変動も、雰囲気制御装置による圧力調
整で極めて低く抑えることが可能である。
の高純度ガス(例えばHeガスの様なX線減衰作
用の少ないガス)が満たされ、且つ前記静圧型気
体軸受けの作動流体としてチヤンバ内雰囲気と同
種の高純度ガスを使用しているため、エアー等の
混入がなく、X線減衰率を低くすることができる
と共に、静圧型気体軸受けの作動によるチヤンバ
内雰囲気圧変動も、雰囲気制御装置による圧力調
整で極めて低く抑えることが可能である。
又、上述の様に静圧型気体軸受けの作動流体と
して雰囲気制御装置による圧力調整でチヤンバ外
部に排出された雰囲気ガスを再循環使用すれば、
チヤンバ内雰囲気として使用されるガスにHeガ
ス等のような高価なガスを使用する場合でもその
ランニングコストを低くすることができる。
して雰囲気制御装置による圧力調整でチヤンバ外
部に排出された雰囲気ガスを再循環使用すれば、
チヤンバ内雰囲気として使用されるガスにHeガ
ス等のような高価なガスを使用する場合でもその
ランニングコストを低くすることができる。
更に、雰囲気制御装置による雰囲気ガス供給先
を放射光光路途中とした場合、それによつて放射
光の減衰がより低く抑えられることになり、効果
的である。
を放射光光路途中とした場合、それによつて放射
光の減衰がより低く抑えられることになり、効果
的である。
以下本発明の具体的実施例を添付図面に基づき
説明する。
説明する。
第1図は本発明の露光装置の一実施例を示す斜
視図であり、図面上、ビームライン、放射光透過
窓、アライメント光学系、マスクステージ等の構
成は省略されていて、露光用位置決め機構として
ウエハステージ2のみが示されていいる。
視図であり、図面上、ビームライン、放射光透過
窓、アライメント光学系、マスクステージ等の構
成は省略されていて、露光用位置決め機構として
ウエハステージ2のみが示されていいる。
本実施例では、図示されていない前述の放射光
透過窓以降ビーム取出し側を包囲するチヤンバ1
があり、その中にウエハステージ2が設置される
と共に、該チヤンバ1内の雰囲気ガス供給及び内
部の圧力調整を行なう雰囲気制御装置3がチヤン
バ1外部に設置されている。
透過窓以降ビーム取出し側を包囲するチヤンバ1
があり、その中にウエハステージ2が設置される
と共に、該チヤンバ1内の雰囲気ガス供給及び内
部の圧力調整を行なう雰囲気制御装置3がチヤン
バ1外部に設置されている。
前記チヤンバ1内のウエハステージ2は第2図
に示されたウエハステージの位置決めの構成と同
一の構成を有している。即ち、この構成はX軸ガ
イド21、X軸移動体兼Y軸ガイド22、Y軸移
動体たる粗動ステージ23、微動ステージ24、
X軸用、共通用及びY軸用の各管路26,27,
28、各管路26,27,28に作動流体を供給
する流体供給源25a及びその供給量を調整する
バルブ26a,27a,28aから構成されてい
る。
に示されたウエハステージの位置決めの構成と同
一の構成を有している。即ち、この構成はX軸ガ
イド21、X軸移動体兼Y軸ガイド22、Y軸移
動体たる粗動ステージ23、微動ステージ24、
X軸用、共通用及びY軸用の各管路26,27,
28、各管路26,27,28に作動流体を供給
する流体供給源25a及びその供給量を調整する
バルブ26a,27a,28aから構成されてい
る。
一方、雰囲気制御装置3はチヤンバ1内の微動
ステージ24手前の光源側(放射光光路途中)に
高純度Heガスを供給するHeガス供給系31(図
示しないガス供給源を含む)と、チヤンバ1内部
に設定された圧力センサ32と、この圧力センサ
32の検出信号に応じて自動的に開閉し、内圧調
整を行なう圧力調整バルブ33とを有している。
ステージ24手前の光源側(放射光光路途中)に
高純度Heガスを供給するHeガス供給系31(図
示しないガス供給源を含む)と、チヤンバ1内部
に設定された圧力センサ32と、この圧力センサ
32の検出信号に応じて自動的に開閉し、内圧調
整を行なう圧力調整バルブ33とを有している。
本実施例では上記雰囲気制御装置3の構成とし
て更に、前記圧力調整バルブ33による内圧調整
でそこから排出されてくる雰囲気ガスを前記ウエ
ハステージ2の静圧型気体軸受け用の作動流体と
して再循環使用する構成が備えられている。即
ち、この再循環使用構成は、前記圧力調整バルブ
33の排気側に配管34を介してその入側が連通
し、且つその出側が前記流体供給源25aに接続
する再循環装置35により構成されており、圧力
調整バルブ33から排出されてくるHeガスをこ
の再循環装置35で圧縮して流体供給源25a側
へ送り、そこから更にウエハステージ2の静圧型
気体軸受けへその作動流体として送給する。
て更に、前記圧力調整バルブ33による内圧調整
でそこから排出されてくる雰囲気ガスを前記ウエ
ハステージ2の静圧型気体軸受け用の作動流体と
して再循環使用する構成が備えられている。即
ち、この再循環使用構成は、前記圧力調整バルブ
33の排気側に配管34を介してその入側が連通
し、且つその出側が前記流体供給源25aに接続
する再循環装置35により構成されており、圧力
調整バルブ33から排出されてくるHeガスをこ
の再循環装置35で圧縮して流体供給源25a側
へ送り、そこから更にウエハステージ2の静圧型
気体軸受けへその作動流体として送給する。
次に、以上の様な構成を有する本実施例の露光
装置の作動につき説明する。
装置の作動につき説明する。
チヤンバ1内へは雰囲気制御装置3のHeガス
供給系31より高純度のHeガスを供給し、He雰
囲気で満たされるようにしておく。
供給系31より高純度のHeガスを供給し、He雰
囲気で満たされるようにしておく。
そしてマスク(図示なし)に対して前記ウエハ
ステージ2の位置決めを行なう時は、 a まず今迄位置決めされていた微動ステージ2
4の位置決めを解除する。
ステージ2の位置決めを行なう時は、 a まず今迄位置決めされていた微動ステージ2
4の位置決めを解除する。
b 次にウエハステージ2の静圧型気体軸受けに
対して供給を停止していたHeガスを流体供給
源25aから流し込み、X軸移動体兼Y軸ガイ
ド22や粗動ステージ23を各X軸ガイド21
やX軸移動体兼Y軸ガイド22との接触面から
浮上させ、粗動ステージ23がX軸、Y軸方向
に可動な状態とする。
対して供給を停止していたHeガスを流体供給
源25aから流し込み、X軸移動体兼Y軸ガイ
ド22や粗動ステージ23を各X軸ガイド21
やX軸移動体兼Y軸ガイド22との接触面から
浮上させ、粗動ステージ23がX軸、Y軸方向
に可動な状態とする。
c 粗動ステージ23を動かしてある許容範囲内
に位置決めする。
に位置決めする。
d 更に位置決めしたウエハステージ2の静圧型
気体軸受けに対して供給していたHeガスの片
側の供給を停止し、上記可動部分を一方向から
X軸ガイド21及びX軸移動体兼Y軸ガイド2
2に押し付け、固定する。
気体軸受けに対して供給していたHeガスの片
側の供給を停止し、上記可動部分を一方向から
X軸ガイド21及びX軸移動体兼Y軸ガイド2
2に押し付け、固定する。
e 最後に可動範囲は狭いが高分解能の微動ステ
ージ24を目標値通りに動かす。
ージ24を目標値通りに動かす。
といつたシーケンスとなる。
ここでb)及びd)の作動において静圧型気体
軸受けの作動流体として送給されるHeガスの供
給量が変化するが、その時のチヤンバ1の内圧変
化を圧力センサ32によつて検出し、その検出値
に基づいて圧力調整バルブ33を自動的に開閉せ
しめることによつて、常にチヤンバ1内の圧力が
一定となるようにすることができる。又圧力調整
バルブ33から出たHeガスを再循環装置35に
よつて回収し、圧縮して流体供給源25aへ送
り、再びウエハステージ2の静圧型気体軸受けへ
供給することにより、高価なHeガスの消費を少
なくすることができる。更に静圧型気体軸受けへ
の作動流体供給系とは別に高純度のHeガスを供
給できるHeガス供給系31を備えているので、
チヤンバ1のHe雰囲気の純度も下げないように
することが可能となる(この場合、系全体として
みれば、圧力のバランスを採るために、供給した
Heガスと同じ量のガスを圧力調整バルブ33を
介して系の外部に捨てる必要がある)。
軸受けの作動流体として送給されるHeガスの供
給量が変化するが、その時のチヤンバ1の内圧変
化を圧力センサ32によつて検出し、その検出値
に基づいて圧力調整バルブ33を自動的に開閉せ
しめることによつて、常にチヤンバ1内の圧力が
一定となるようにすることができる。又圧力調整
バルブ33から出たHeガスを再循環装置35に
よつて回収し、圧縮して流体供給源25aへ送
り、再びウエハステージ2の静圧型気体軸受けへ
供給することにより、高価なHeガスの消費を少
なくすることができる。更に静圧型気体軸受けへ
の作動流体供給系とは別に高純度のHeガスを供
給できるHeガス供給系31を備えているので、
チヤンバ1のHe雰囲気の純度も下げないように
することが可能となる(この場合、系全体として
みれば、圧力のバランスを採るために、供給した
Heガスと同じ量のガスを圧力調整バルブ33を
介して系の外部に捨てる必要がある)。
尚、以上の様な構成の他、第2図に示される様
に、流体供給源25aから静圧型気体軸受けへの
供給系を途中で分岐して、且つこの系をガス精製
装置36に連通させ、この装置によつて再循環使
用ガスを高純度のHeガスに精製せしめた後、そ
の精製ガスを前記Heガス供給系31に合流せし
めたり、或いは再度静圧型気体軸受け供給系に送
給するようにしても良い。前者のようにHeガス
供給系31に合流せしめた場合は、放射光光路途
中へ送給されることになり、チヤンバ内における
放射光の減衰を抑えることに寄与することにな
る。又当然Heガス雰囲気の純度を維持すること
にもなり、ガスのランニングコストも低く抑える
ことが可能となる。一方後者のように再度静圧型
気体軸受け供給系に送給する場合は、ガスランニ
ングコスト抑止効果がより高められることにな
る。
に、流体供給源25aから静圧型気体軸受けへの
供給系を途中で分岐して、且つこの系をガス精製
装置36に連通させ、この装置によつて再循環使
用ガスを高純度のHeガスに精製せしめた後、そ
の精製ガスを前記Heガス供給系31に合流せし
めたり、或いは再度静圧型気体軸受け供給系に送
給するようにしても良い。前者のようにHeガス
供給系31に合流せしめた場合は、放射光光路途
中へ送給されることになり、チヤンバ内における
放射光の減衰を抑えることに寄与することにな
る。又当然Heガス雰囲気の純度を維持すること
にもなり、ガスのランニングコストも低く抑える
ことが可能となる。一方後者のように再度静圧型
気体軸受け供給系に送給する場合は、ガスランニ
ングコスト抑止効果がより高められることにな
る。
以上詳述した本発明の露光装置によれば、チヤ
ンバ内雰囲気と該雰囲気に影響のあるチヤンバ内
露光用位置決め機構の静圧型気体軸受けに用いら
れる作動流体に同種の高純度ガスを使用すること
としているため、適切なガス(X線減衰作用の少
ないガス)を選んで夫々に供給することにより、
シンクロトロン放射光のX線減衰量を低く抑える
ことがでる。又上記静圧型気体軸受けの作動に伴
なうチヤンバ内の圧力変動に対しても、雰囲気制
御装置による圧力調整によつてその内圧は一定に
保たれることになる。そのため、チヤンバ内の雰
囲気ガス密度分布も安定し、且つ上記露光用位置
決め機構の微小変位計測も安定的に行なえる。
ンバ内雰囲気と該雰囲気に影響のあるチヤンバ内
露光用位置決め機構の静圧型気体軸受けに用いら
れる作動流体に同種の高純度ガスを使用すること
としているため、適切なガス(X線減衰作用の少
ないガス)を選んで夫々に供給することにより、
シンクロトロン放射光のX線減衰量を低く抑える
ことがでる。又上記静圧型気体軸受けの作動に伴
なうチヤンバ内の圧力変動に対しても、雰囲気制
御装置による圧力調整によつてその内圧は一定に
保たれることになる。そのため、チヤンバ内の雰
囲気ガス密度分布も安定し、且つ上記露光用位置
決め機構の微小変位計測も安定的に行なえる。
更に、チヤンバ内の圧力調整により外部に流出
した雰囲気ガスを上記静圧型気体軸受けの作動流
体として循環再使用すれば、チヤンバ内雰囲気と
してHeガスの様な高価なガスが使用される場合
でも、ランニングコストの上昇を抑えることが可
能となる。
した雰囲気ガスを上記静圧型気体軸受けの作動流
体として循環再使用すれば、チヤンバ内雰囲気と
してHeガスの様な高価なガスが使用される場合
でも、ランニングコストの上昇を抑えることが可
能となる。
加えて、雰囲気制御装置によりチヤンバ内に雰
囲気ガスを供給するに際し、高純度の雰囲気ガス
をチヤンバ内の放射光光路途中に供給するように
すれば、光路途中における放射光の減衰を低く抑
えることができるようになる。
囲気ガスを供給するに際し、高純度の雰囲気ガス
をチヤンバ内の放射光光路途中に供給するように
すれば、光路途中における放射光の減衰を低く抑
えることができるようになる。
第1図は本発明の一実施例に係る露光装置の斜
視図、第2図は更に他の実施例に係る露光装置の
構成中前実施例の構成中にない構成を示す説明
図、第3図はウエハステージの位置決め構成の従
来例を示す斜視図、第4図aはその従来例構成の
うちX軸ガイドとX軸移動体兼Y軸ガイドの部分
の係合関係を示す側断面図、同図bは同じくその
従来例構成のうちX軸移動体兼Y軸ガイドと粗動
ステージの部分の係合関係を示す平断面図であ
る。 図中1はチヤンバ、2はウエハステージ、3は
雰囲気ガス制御装置、21はX軸ガイド、22は
X軸移動体兼Y軸ガイド、23は粗動ステージ、
24は微動ステージ、25aは流体供給源、31
はHeガス供給系、32は圧力センサ、33は圧
力調整バルブ、35は再循環装置を各示す。
視図、第2図は更に他の実施例に係る露光装置の
構成中前実施例の構成中にない構成を示す説明
図、第3図はウエハステージの位置決め構成の従
来例を示す斜視図、第4図aはその従来例構成の
うちX軸ガイドとX軸移動体兼Y軸ガイドの部分
の係合関係を示す側断面図、同図bは同じくその
従来例構成のうちX軸移動体兼Y軸ガイドと粗動
ステージの部分の係合関係を示す平断面図であ
る。 図中1はチヤンバ、2はウエハステージ、3は
雰囲気ガス制御装置、21はX軸ガイド、22は
X軸移動体兼Y軸ガイド、23は粗動ステージ、
24は微動ステージ、25aは流体供給源、31
はHeガス供給系、32は圧力センサ、33は圧
力調整バルブ、35は再循環装置を各示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 シンクロトロン放射光を露光光源とする露光
装置において、ビームライン端部に付設された放
射光透過窓よりビーム取出し側を包囲し、内部に
露光用位置決め機構が設置されたチヤンバと、該
チヤンバ内の所定の高純度ガス雰囲気を満たし、
且つその内部雰囲気の圧力調整を行なう雰囲気制
御装置とを有すると共に、前記チヤンバ内の位置
決め機構用に用いられる静圧型気体軸受けの作動
流体として前記チヤンバ内雰囲気と同種の高純度
ガスを使用することを特徴とする露光装置。 2 請求項1記載の露光装置において、前記静圧
型気体軸受けの作動流体として用いられるチヤン
バ内雰囲気と同種の高純度ガスとして、前記雰囲
気制御装置による圧力調整でチヤンバ外部に排出
された雰囲気ガスを再循環使用することを特徴と
する請求項1記載の露光装置。 3 請求項1又は2記載の露光装置において、前
記雰囲気制御装置によつてチヤンバ内に雰囲気ガ
スを供給するに際し、高純度の該雰囲気ガスをチ
ヤンバ内の放射光光路に向けて供給することを特
徴とする請求項1又は2記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2307153A JPH04180215A (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2307153A JPH04180215A (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04180215A JPH04180215A (ja) | 1992-06-26 |
| JPH0574214B2 true JPH0574214B2 (ja) | 1993-10-18 |
Family
ID=17965671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2307153A Granted JPH04180215A (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04180215A (ja) |
-
1990
- 1990-11-15 JP JP2307153A patent/JPH04180215A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04180215A (ja) | 1992-06-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |