JPH0574503A - 電気的接続方法 - Google Patents
電気的接続方法Info
- Publication number
- JPH0574503A JPH0574503A JP22926991A JP22926991A JPH0574503A JP H0574503 A JPH0574503 A JP H0574503A JP 22926991 A JP22926991 A JP 22926991A JP 22926991 A JP22926991 A JP 22926991A JP H0574503 A JPH0574503 A JP H0574503A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid metal
- based liquid
- contacts
- electrical connection
- connection method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電気的接続方法に関し、コンタクトの接続手
段として用いるＧａ系の液体金属を腐食に耐えさせるこ
とを目的とする。 【構成】 対向するコンタクト1a、1bの少なくとも一方
の端部に塗着したＧａ系の液体金属２を介して該コンタ
クト1a、1b同士を衝合して導通させる電気的接続方法に
おいて、前記Ｇａ系の液体金属２に 0.5〜 1.0重量％の
Ｂｉを含有させるか、または、前記Ｇａ系の液体金属２
の表面に、ポリフェニルエーテルなどの液状の高分子材
料を塗着し、次いで、前記コンタクト1a、1b同士を衝合
して導通させるように構成する。
段として用いるＧａ系の液体金属を腐食に耐えさせるこ
とを目的とする。 【構成】 対向するコンタクト1a、1bの少なくとも一方
の端部に塗着したＧａ系の液体金属２を介して該コンタ
クト1a、1b同士を衝合して導通させる電気的接続方法に
おいて、前記Ｇａ系の液体金属２に 0.5〜 1.0重量％の
Ｂｉを含有させるか、または、前記Ｇａ系の液体金属２
の表面に、ポリフェニルエーテルなどの液状の高分子材
料を塗着し、次いで、前記コンタクト1a、1b同士を衝合
して導通させるように構成する。
Description
【産業上の利用分野】本発明は電気的接続方法に係わ
り、Ｇａ系の液体金属をコンタクトの接続手段として腐
食に耐えるようになした電気的接続方法に関する。近
年、電子機器の小型、高密度実装に伴って、端子の数が
増大する一方で、端子ピッチが狭くなってきている。そ
のため、例えば、大規模な半導体装置やプリント板など
から多数の端子を、如何にして嵌脱可能に接続するかが
重要な課題となっている。端子を着脱可能に接続するに
は、従来からコネクタが用いられている。コネクタに
は、目的と用途に応じていろいろな形態が実用になって
いるが、コネクタの基本的な構成は、プラグとも呼ばれ
る雄コネクタの雄コンタクトを、レセプタクルとも呼ば
れる雌コネクタの雌コンタクトで挟持して弾接し、導通
を取る形態になっている。ところで、通常のコネクタに
おいては、接続する端子の数が 100芯程度までならば手
操作によって嵌合したり離脱したりすることができる。
因みに１芯当たりの挿拔力を 100ｇｆとして、 100芯な
らば10ｋｇｆの挿拔力となる。ところが、大規模な半導
体装置が多数搭載されるプリント板などにおいては、取
り出す端子が数百〜数千端子にもなり、そこで用いられ
るコネクタは、とても手作業によって嵌脱することがで
きない。そこで、ＬＩＦ（低挿入力) とかＺＩＦ（零挿
入力）とか呼ばれる仕掛け、例えば雄コンタクトを挿脱
する際に雌コンタクトを開かせるといった機構をコネク
タに組み込んで、コネクタ同士の挿脱を容易に行えるよ
うにしている。しかし、こうした機構はかなり大掛かり
となり、機器の小型化に馴染まない。それに対して、雌
コンタクトに常温で液体の金属を用い、雄コンタクトを
その液体金属に挿入して導通を取ったり、少なくとも一
方のコンタクトに液体金属を被着し、両コンタクトを衝
合して導通を取ったりする手段が提案されている。しか
し、この手段を実現するためには、解決を要する課題が
ある。
り、Ｇａ系の液体金属をコンタクトの接続手段として腐
食に耐えるようになした電気的接続方法に関する。近
年、電子機器の小型、高密度実装に伴って、端子の数が
増大する一方で、端子ピッチが狭くなってきている。そ
のため、例えば、大規模な半導体装置やプリント板など
から多数の端子を、如何にして嵌脱可能に接続するかが
重要な課題となっている。端子を着脱可能に接続するに
は、従来からコネクタが用いられている。コネクタに
は、目的と用途に応じていろいろな形態が実用になって
いるが、コネクタの基本的な構成は、プラグとも呼ばれ
る雄コネクタの雄コンタクトを、レセプタクルとも呼ば
れる雌コネクタの雌コンタクトで挟持して弾接し、導通
を取る形態になっている。ところで、通常のコネクタに
おいては、接続する端子の数が 100芯程度までならば手
操作によって嵌合したり離脱したりすることができる。
因みに１芯当たりの挿拔力を 100ｇｆとして、 100芯な
らば10ｋｇｆの挿拔力となる。ところが、大規模な半導
体装置が多数搭載されるプリント板などにおいては、取
り出す端子が数百〜数千端子にもなり、そこで用いられ
るコネクタは、とても手作業によって嵌脱することがで
きない。そこで、ＬＩＦ（低挿入力) とかＺＩＦ（零挿
入力）とか呼ばれる仕掛け、例えば雄コンタクトを挿脱
する際に雌コンタクトを開かせるといった機構をコネク
タに組み込んで、コネクタ同士の挿脱を容易に行えるよ
うにしている。しかし、こうした機構はかなり大掛かり
となり、機器の小型化に馴染まない。それに対して、雌
コンタクトに常温で液体の金属を用い、雄コンタクトを
その液体金属に挿入して導通を取ったり、少なくとも一
方のコンタクトに液体金属を被着し、両コンタクトを衝
合して導通を取ったりする手段が提案されている。しか
し、この手段を実現するためには、解決を要する課題が
ある。
【従来の技術】常温で液体の金属で最も馴染みのあるも
のはＨｇであり、特開昭59−185902号などでＨｇを接触
部に介在させたコネクタの提案がある。Ｈｇは古くから
コネクタとまではいかなくても、いろいろな実験装置の
数の少ない端子取り出しなどには用いられていた。しか
し、Ｈｇは毒性が強いにもかかわらず完全に封じ込めて
用いることが困難なので、端子数の多いコネクタでは実
用になり難い。それに対して、融点が非常に低く常温で
液体のＧａ−Ｉｎ、Ｇａ−ＳｎといったＧａの共晶合金
を用いる接続手段が有望である。Ｇａ−Ｉｎについて
は、例えば特開昭58−130540号で開示されている。こう
したＧａ系の合金を用いた場合には、組成によって融点
を可変できるので具合がよく、例えば装置が稼働中には
温度が上がって溶けた状態になり、装置が休止中には固
化しているので装置を移動させる際に具合がよいといっ
た使い方などもできるとされている。
のはＨｇであり、特開昭59−185902号などでＨｇを接触
部に介在させたコネクタの提案がある。Ｈｇは古くから
コネクタとまではいかなくても、いろいろな実験装置の
数の少ない端子取り出しなどには用いられていた。しか
し、Ｈｇは毒性が強いにもかかわらず完全に封じ込めて
用いることが困難なので、端子数の多いコネクタでは実
用になり難い。それに対して、融点が非常に低く常温で
液体のＧａ−Ｉｎ、Ｇａ−ＳｎといったＧａの共晶合金
を用いる接続手段が有望である。Ｇａ−Ｉｎについて
は、例えば特開昭58−130540号で開示されている。こう
したＧａ系の合金を用いた場合には、組成によって融点
を可変できるので具合がよく、例えば装置が稼働中には
温度が上がって溶けた状態になり、装置が休止中には固
化しているので装置を移動させる際に具合がよいといっ
た使い方などもできるとされている。
【発明が解決しようとする課題】このように、Ｇａ系の
常温で液体の合金は、挿入力を必要としない状態で嵌脱
できるコネクタとして有用である。ところが、腐食性が
大きいために開放された系で用いることが困難な問題が
あった。そこで、本発明はＧａ系の液体金属にＢｉを含
有させるか、液状の高分子材料を塗着するかして、耐蝕
性をもたせてなる電気的接続方法を提供することを目的
としている。
常温で液体の合金は、挿入力を必要としない状態で嵌脱
できるコネクタとして有用である。ところが、腐食性が
大きいために開放された系で用いることが困難な問題が
あった。そこで、本発明はＧａ系の液体金属にＢｉを含
有させるか、液状の高分子材料を塗着するかして、耐蝕
性をもたせてなる電気的接続方法を提供することを目的
としている。
【課題を解決するための手段】上で述べた課題は、対向
する一対のコンタクトの少なくとも一方の端部に塗着し
たＧａ系の液体金属を介して該コンタクト同士を衝合し
て導通させる電気的接続方法において、前記Ｇａ系の液
体金属に 0.5〜 1.0重量％のＢｉを含有させ、または、
対向する一対のコンタクトの少なくとも一方の端部に塗
着した前記Ｇａ系の液体金属の表面に液状の高分子材料
を塗着し、次いで、前記コンタクト同士を衝合して導通
させるように構成された電気的接続方法によって解決さ
れる。
する一対のコンタクトの少なくとも一方の端部に塗着し
たＧａ系の液体金属を介して該コンタクト同士を衝合し
て導通させる電気的接続方法において、前記Ｇａ系の液
体金属に 0.5〜 1.0重量％のＢｉを含有させ、または、
対向する一対のコンタクトの少なくとも一方の端部に塗
着した前記Ｇａ系の液体金属の表面に液状の高分子材料
を塗着し、次いで、前記コンタクト同士を衝合して導通
させるように構成された電気的接続方法によって解決さ
れる。
【作用】既に知られているＧａ系の液体金属を用いた電
気的接続方法においては、腐食が起こるために開放した
系で用いることが困難であったが、本発明になる方法に
よれば、Ｇａ系の液体金属を腐食に耐えさせることがで
きる。すなわち、Ｇａ系の液体金属の耐食性を向上させ
るために、Ｇａ系の液体金属に少量のＢｉを含有させた
り、コンタクトに塗着したＧａ系の液体金属の表面に液
状の高分子材料を塗着したりするようにしている。こう
すると、Ｂｉの添加によってＧａ系の液体金属自体の耐
食性を増大させたり、液状の高分子材料でＧａ系の液体
金属を被覆することによって雰囲気を遮断して腐食を防
止したりすることができ、Ｇａ系の液体金属をコンタク
ト材料として安定に用いることができる。
気的接続方法においては、腐食が起こるために開放した
系で用いることが困難であったが、本発明になる方法に
よれば、Ｇａ系の液体金属を腐食に耐えさせることがで
きる。すなわち、Ｇａ系の液体金属の耐食性を向上させ
るために、Ｇａ系の液体金属に少量のＢｉを含有させた
り、コンタクトに塗着したＧａ系の液体金属の表面に液
状の高分子材料を塗着したりするようにしている。こう
すると、Ｂｉの添加によってＧａ系の液体金属自体の耐
食性を増大させたり、液状の高分子材料でＧａ系の液体
金属を被覆することによって雰囲気を遮断して腐食を防
止したりすることができ、Ｇａ系の液体金属をコンタク
ト材料として安定に用いることができる。
【実施例】図１は本発明の第一の実施例の斜視図、図２
は本発明の第二の実施例を斜視図、図３は本発明の第三
の実施例の断面図である。図において、1a、1bはコンタ
クト、２はＧａ系の液体金属、2aはＧａ、2bはＩｎ、2c
はＳｎ、３は液状の高分子材料、４は絶縁体である。コ
ンタクト1a、1bには、例えば 0.5ｍｍφのＦｅ−Ｎｉ−
Ｃｏ系合金のコバールの線材を用い、予め、例えば厚さ
が３μｍのＲｈめっきとかＡｕめっきなどを施してい
る。そして、絶縁体４にはＰＢＴ（ポリブチレンテレフ
タレート）を用い、１ｍｍ間隔で 360本埋め込んで評価
用の試料としている。 実施例：１ 図１において、Ｇａ−ＩｎまたはＧａ−ＳｎからなるＧ
ａ系の液体金属２には、 0.5〜 1.0重量％のＢｉを含有
させる。Ｇａ系の液体金属２にＢｉを添加するには、例
えば、Ｇａ系の液体金属２を 200°Ｃに加熱しながら、
少量のＢｉを溶解させる。そして、常温に冷却すると過
剰のＢｉが析出し、含有量が 0.5〜 1.0重量％となる。
コンタクト1a、1bのそれぞれの先端を、こうして得たＢ
ｉ含有のＧａ系の液体金属２に浸漬して雫状に塗着す
る。Ｇａ系の液体金属２の付着重量は、約５ｍｇ程度で
ある。コンタクト1a、1bを衝合するように接近させる
と、コンタクト1a、1bに塗着したＧａ系の液体金属２が
融合して一体となる。その際、通常のコネクタの挿入力
に相当する荷重を、安定な導通を得るためにコンタクト
１本当たり約５ｇｆとすると、通常のコネクタの接触抵
抗に相当するコンタクト1a、1b間の電気抵抗は、約10ｍ
Ωであった。従って、それぞれ 360本のコンタクト1a、
1bを衝合させても、２ｋｇｆ程度の荷重でよい。因みに
通常のコネクタの場合ならば50ｋｇｆ程度の挿入力が必
要なので、数十分の１の荷重で導通を取ることができ
る。また、通常のコネクタの抜去力に対応するコンタク
ト1a、1bを引き離す荷重は不要である。Ｂｉを含有させ
たＧａ系の液体金属２の耐腐食性の効果は、コンタクト
1a、1bを衝合させた状態で、60°Ｃ、85％ＲＨの高温加
湿の雰囲気の中に放置し、コンタクト1a、1b間の電気抵
抗の変化を調べたところ、1000ｈ経過後も約10ｍΩの電
気抵抗に変化が見られなかった。因みに、耐蝕性の考慮
してないＧａ系の液体金属は、 100ｈ経過すると約10ｍ
Ωの電気抵抗が１Ω程度まで大きくなる。 実施例：２ 図２において、コンタクト1aの端部には、重量ＸのＧａ
2aを塗着し、コンタクト1bの端部には、重量ＹのＩｎ2b
またはＳｎ2cを塗着する。そして、Ｇａ2aと、Ｉｎ2bま
たはＳｎ2cの少なくとも一つに、Ｚ／（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ）＝
0.005〜0.01となるように重量ＺのＢｉを含有させる。
コンタクト1a、1bを接近させて、Ｇａ2aと、Ｉｎ2bまた
はＳｎ2cを接触させると共晶反応が起こり、コンタクト
1a、1b間にＧａ系の液体金属２が生成されて導通が取れ
る。こうして、生成されたＧａ系の液体金属２の中に
は、Ｂｉが 0.5〜 1.0％含有されるので、実施例１と同
様の高温加湿の雰囲気の中に放置して評価した結果、よ
い耐蝕性を示すことが確認できた。 実施例：３ 図３において、対向するコンタクト1a、1bの少なくとも
一方の端部、こゝではコンタクト1aの端部にＧａ系の液
体金属２を塗着したあと、液状の高分子材料３の中に浸
漬して、図３（Ａ）に示したようにＧａ系の液体金属２
の表面に液状の高分子材料３を塗着する。この液状の高
分子材料３は、例えば、ポリフェニルエーテルとかポリ
パーフルオロアルキルエーテルといった液状の有機高分
子材料で、Ｇａ系の液体金属２の表面を覆ういわゆる防
錆油の役目をしている。Ｇａ系の液体金属２を液状の高
分子材料３で被覆したコンタクト1a、と、裸のコンタク
ト1bを接近させて衝合すると、図３（Ｂ）に示したよう
に液状の高分子材料３の被膜が押し退けられてＧａ系の
液体金属２が接触してコンタクト1a、1b同士が電気的に
接続されて導通が取れるようになる。そして、液状の高
分子材料３がＧａ系の液体金属２を被覆した状態にな
る。なお、こゝで用いた高分子材料３は、 100°Ｃ、10
00ｈの加熱に対して、重量の減少率が高々10％程度であ
り、常温での蒸発は無視できる材料である。 実施例：４ ところで、Ｇａ系の液体金属２は融点以下では液体であ
り、粘度が高々数ｃＰ（センチpoise)である。それに対
して、液状の高分子材料３の粘度は、室温で数十〜数百
ｃＰであり、Ｇａ系の液体金属２の方が液状の高分子材
料３よりも粘度が低い。そのため、コンタクト1a、1bの
端部に塗着したＧａ系の液体金属２を液状の高分子材料
３に浸漬して被覆することが厄介な場合がある。その場
合には、Ｇａ系の液体金属２をコンタクト1a、1bに塗着
する前に大気中で攪拌する。そうすると、Ｇａ系の液体
金属２の中に、Ｇａの酸化物が生成して次第に粘度が上
がってくる。こゝでは、Ｇａ系の液体金属２を室温で１
ｈ程度攪拌したところ約 500ｃＰまで粘度が上昇した。
この粘度は、例えばポリパーフルオロアルキルエーテル
の粘度の 550ｃＰにほゞ等しい。つまり、Ｇａ系の液体
金属２を適宜攪拌することによって、液状の高分子材料
３の粘度とほゞ等しい粘度にすることができる。このよ
うに、Ｇａ系の液体金属２と液状の高分子材料３の粘度
をほゞ等しくした状態でＧａ系の液体金属２をコンタク
ト1a、1bに塗着し、液状の高分子材料３の中に浸漬して
引き上げれば、液状の高分子材料３が膜状に塗着され
る。こうして液状の高分子材料３によってＧａ系の液体
金属２を被覆すれば、雰囲気を遮蔽することができるの
で、Ｇａ系の液体金属２の耐蝕性を向上させることがで
きる。Ｇａ系の液体金属は、コンタクト1a、1bの一方の
みでも、両方に塗着しても同様の効果が得られる。ま
た、Ｂｉを含有させたＧａ系の液体金属の場合には、液
状の高分子材料で被覆しなくても十分な耐蝕性が得られ
るが、液状の高分子材料を塗着すればさらに相乗的に防
錆効果が得られる。こゝでは、評価用の試料として 0.5
ｍｍφのコバールの線材をコンタクトとして用いたが、
衝合する先端部が電気的な接続に寄与する。従って、半
導体素子が形成されたチップの導出端子として設けられ
る例えばＡｕバンプを一方のコンタクトとしてパッケー
ジに接続する場合などにも適用できる。
は本発明の第二の実施例を斜視図、図３は本発明の第三
の実施例の断面図である。図において、1a、1bはコンタ
クト、２はＧａ系の液体金属、2aはＧａ、2bはＩｎ、2c
はＳｎ、３は液状の高分子材料、４は絶縁体である。コ
ンタクト1a、1bには、例えば 0.5ｍｍφのＦｅ−Ｎｉ−
Ｃｏ系合金のコバールの線材を用い、予め、例えば厚さ
が３μｍのＲｈめっきとかＡｕめっきなどを施してい
る。そして、絶縁体４にはＰＢＴ（ポリブチレンテレフ
タレート）を用い、１ｍｍ間隔で 360本埋め込んで評価
用の試料としている。 実施例：１ 図１において、Ｇａ−ＩｎまたはＧａ−ＳｎからなるＧ
ａ系の液体金属２には、 0.5〜 1.0重量％のＢｉを含有
させる。Ｇａ系の液体金属２にＢｉを添加するには、例
えば、Ｇａ系の液体金属２を 200°Ｃに加熱しながら、
少量のＢｉを溶解させる。そして、常温に冷却すると過
剰のＢｉが析出し、含有量が 0.5〜 1.0重量％となる。
コンタクト1a、1bのそれぞれの先端を、こうして得たＢ
ｉ含有のＧａ系の液体金属２に浸漬して雫状に塗着す
る。Ｇａ系の液体金属２の付着重量は、約５ｍｇ程度で
ある。コンタクト1a、1bを衝合するように接近させる
と、コンタクト1a、1bに塗着したＧａ系の液体金属２が
融合して一体となる。その際、通常のコネクタの挿入力
に相当する荷重を、安定な導通を得るためにコンタクト
１本当たり約５ｇｆとすると、通常のコネクタの接触抵
抗に相当するコンタクト1a、1b間の電気抵抗は、約10ｍ
Ωであった。従って、それぞれ 360本のコンタクト1a、
1bを衝合させても、２ｋｇｆ程度の荷重でよい。因みに
通常のコネクタの場合ならば50ｋｇｆ程度の挿入力が必
要なので、数十分の１の荷重で導通を取ることができ
る。また、通常のコネクタの抜去力に対応するコンタク
ト1a、1bを引き離す荷重は不要である。Ｂｉを含有させ
たＧａ系の液体金属２の耐腐食性の効果は、コンタクト
1a、1bを衝合させた状態で、60°Ｃ、85％ＲＨの高温加
湿の雰囲気の中に放置し、コンタクト1a、1b間の電気抵
抗の変化を調べたところ、1000ｈ経過後も約10ｍΩの電
気抵抗に変化が見られなかった。因みに、耐蝕性の考慮
してないＧａ系の液体金属は、 100ｈ経過すると約10ｍ
Ωの電気抵抗が１Ω程度まで大きくなる。 実施例：２ 図２において、コンタクト1aの端部には、重量ＸのＧａ
2aを塗着し、コンタクト1bの端部には、重量ＹのＩｎ2b
またはＳｎ2cを塗着する。そして、Ｇａ2aと、Ｉｎ2bま
たはＳｎ2cの少なくとも一つに、Ｚ／（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ）＝
0.005〜0.01となるように重量ＺのＢｉを含有させる。
コンタクト1a、1bを接近させて、Ｇａ2aと、Ｉｎ2bまた
はＳｎ2cを接触させると共晶反応が起こり、コンタクト
1a、1b間にＧａ系の液体金属２が生成されて導通が取れ
る。こうして、生成されたＧａ系の液体金属２の中に
は、Ｂｉが 0.5〜 1.0％含有されるので、実施例１と同
様の高温加湿の雰囲気の中に放置して評価した結果、よ
い耐蝕性を示すことが確認できた。 実施例：３ 図３において、対向するコンタクト1a、1bの少なくとも
一方の端部、こゝではコンタクト1aの端部にＧａ系の液
体金属２を塗着したあと、液状の高分子材料３の中に浸
漬して、図３（Ａ）に示したようにＧａ系の液体金属２
の表面に液状の高分子材料３を塗着する。この液状の高
分子材料３は、例えば、ポリフェニルエーテルとかポリ
パーフルオロアルキルエーテルといった液状の有機高分
子材料で、Ｇａ系の液体金属２の表面を覆ういわゆる防
錆油の役目をしている。Ｇａ系の液体金属２を液状の高
分子材料３で被覆したコンタクト1a、と、裸のコンタク
ト1bを接近させて衝合すると、図３（Ｂ）に示したよう
に液状の高分子材料３の被膜が押し退けられてＧａ系の
液体金属２が接触してコンタクト1a、1b同士が電気的に
接続されて導通が取れるようになる。そして、液状の高
分子材料３がＧａ系の液体金属２を被覆した状態にな
る。なお、こゝで用いた高分子材料３は、 100°Ｃ、10
00ｈの加熱に対して、重量の減少率が高々10％程度であ
り、常温での蒸発は無視できる材料である。 実施例：４ ところで、Ｇａ系の液体金属２は融点以下では液体であ
り、粘度が高々数ｃＰ（センチpoise)である。それに対
して、液状の高分子材料３の粘度は、室温で数十〜数百
ｃＰであり、Ｇａ系の液体金属２の方が液状の高分子材
料３よりも粘度が低い。そのため、コンタクト1a、1bの
端部に塗着したＧａ系の液体金属２を液状の高分子材料
３に浸漬して被覆することが厄介な場合がある。その場
合には、Ｇａ系の液体金属２をコンタクト1a、1bに塗着
する前に大気中で攪拌する。そうすると、Ｇａ系の液体
金属２の中に、Ｇａの酸化物が生成して次第に粘度が上
がってくる。こゝでは、Ｇａ系の液体金属２を室温で１
ｈ程度攪拌したところ約 500ｃＰまで粘度が上昇した。
この粘度は、例えばポリパーフルオロアルキルエーテル
の粘度の 550ｃＰにほゞ等しい。つまり、Ｇａ系の液体
金属２を適宜攪拌することによって、液状の高分子材料
３の粘度とほゞ等しい粘度にすることができる。このよ
うに、Ｇａ系の液体金属２と液状の高分子材料３の粘度
をほゞ等しくした状態でＧａ系の液体金属２をコンタク
ト1a、1bに塗着し、液状の高分子材料３の中に浸漬して
引き上げれば、液状の高分子材料３が膜状に塗着され
る。こうして液状の高分子材料３によってＧａ系の液体
金属２を被覆すれば、雰囲気を遮蔽することができるの
で、Ｇａ系の液体金属２の耐蝕性を向上させることがで
きる。Ｇａ系の液体金属は、コンタクト1a、1bの一方の
みでも、両方に塗着しても同様の効果が得られる。ま
た、Ｂｉを含有させたＧａ系の液体金属の場合には、液
状の高分子材料で被覆しなくても十分な耐蝕性が得られ
るが、液状の高分子材料を塗着すればさらに相乗的に防
錆効果が得られる。こゝでは、評価用の試料として 0.5
ｍｍφのコバールの線材をコンタクトとして用いたが、
衝合する先端部が電気的な接続に寄与する。従って、半
導体素子が形成されたチップの導出端子として設けられ
る例えばＡｕバンプを一方のコンタクトとしてパッケー
ジに接続する場合などにも適用できる。
【発明の効果】Ｇａ系の液体金属をコネクタのコンタク
トの接続手段として用いる際、従来は腐食が問題となっ
て実用に供することが困難であったのに対して、本発明
になる接続方法によれば、Ｇａ系の液体金属を腐食に耐
えさせることができる。従って、今後、小型、高密度実
装に伴って端子の数がますます増大する一方の半導体装
置とかプリント板といった電子デバイスの実装に対し
て、本発明は寄与するところが大である。
トの接続手段として用いる際、従来は腐食が問題となっ
て実用に供することが困難であったのに対して、本発明
になる接続方法によれば、Ｇａ系の液体金属を腐食に耐
えさせることができる。従って、今後、小型、高密度実
装に伴って端子の数がますます増大する一方の半導体装
置とかプリント板といった電子デバイスの実装に対し
て、本発明は寄与するところが大である。
【図１】 本発明の第一の実施例の斜視図である。
【図２】 本発明の第二の実施例を斜視図である。
【図３】 本発明の第三の実施例の断面図である。
1a、1b コンタクト ２ Ｇａ系の液体金属 2a Ｇａ 2b Ｉｎ 2c
Ｓｎ ３ 液状の高分子材料 ４ 絶縁体
Ｓｎ ３ 液状の高分子材料 ４ 絶縁体
Claims (7)
- 【請求項１】 対向するコンタクト (1a、1b) の少なく
とも一方の端部に塗着したＧａ系の液体金属(2) を介し
て該コンタクト (1a、1b) 同士を衝合して導通させる電
気的接続方法において、 前記Ｇａ系の液体金属(2) に 0.5〜 1.0重量％のＢｉを
含有させたことを特徴とする電気的接続方法。 - 【請求項２】 前記Ｇａ系の液体金属(2) が、ＧａとＩ
ｎの合金からなる請求項１記載の電気的接続方法。 - 【請求項３】 前記Ｇａ系の液体金属(2) が、ＧａとＳ
ｎの合金からなる請求項１記載の電気的接続方法。 - 【請求項４】 前記コンタクト(1a)の端部に重量ＸのＧ
ａ(2a)と、前記コンタクト(1b)の端部に重量ＹのＩｎ(2
b)またはＳｎ(2c)を塗着し、かつ該Ｇａ(2a)と、Ｉｎ(2
b)またはＳｎ(2c)の少なくとも一つに、 Ｚ／（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ）＝ 0.005〜0.01となるように重量Ｚ
のＢｉを含有させた請求項１記載の電気的接続方法。 - 【請求項５】 対向するコンタクト (1a、1b) の少なく
とも一方の端部に塗着した前記Ｇａ系の液体金属(2) の
表面に液状の高分子材料(3) を塗着し、 次いで、前記コンタクト (1a、1b) 同士を衝合して導通
させることを特徴とする電気的接続方法。 - 【請求項６】 前記Ｇａ系の液体金属(2) を空気中で攪
拌し、前記液状の高分子材料(3) の粘度と同一にする請
求項５記載の電気的接続方法。 - 【請求項７】 前記液状の高分子材料(3) がポリフェニ
ルエーテル、またはポリパーフルオロアルキルエーテル
である請求項５記載の電気的接続方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22926991A JPH0574503A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 電気的接続方法 |
| DE69219042T DE69219042T2 (de) | 1991-09-10 | 1992-09-01 | Verfahren zur elektrischen Verbindung |
| EP92307907A EP0532215B1 (en) | 1991-09-10 | 1992-09-01 | Electrical connecting method |
| CA002077286A CA2077286C (en) | 1991-09-10 | 1992-09-01 | Electrical connecting method |
| US08/205,766 US5417362A (en) | 1991-09-10 | 1994-03-04 | Electrical connecting method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22926991A JPH0574503A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 電気的接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574503A true JPH0574503A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16889468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22926991A Pending JPH0574503A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 電気的接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0574503A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5610371A (en) * | 1994-03-15 | 1997-03-11 | Fujitsu Limited | Electrical connecting device and method for making same |
| GB2419465A (en) * | 2004-10-20 | 2006-04-26 | Dainippon Printing Co Ltd | Ga-base alloy for electrode formation |
| US7750553B2 (en) | 2004-07-30 | 2010-07-06 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Organic EL element provided with an electrode in a liquid state and method for producing the same |
| CN109728496A (zh) * | 2018-12-11 | 2019-05-07 | 昆明品启科技有限公司 | 一种解决电力系统中连接点发热问题的方法 |
| JP2019194994A (ja) * | 2019-07-08 | 2019-11-07 | イリソ電子工業株式会社 | コネクタ |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4827992A (ja) * | 1971-08-13 | 1973-04-13 | ||
| JPS4841911A (ja) * | 1971-10-02 | 1973-06-19 | ||
| JPS4933327U (ja) * | 1972-06-27 | 1974-03-23 | ||
| JPS507753A (ja) * | 1973-05-24 | 1975-01-27 | ||
| JPS52110494A (en) * | 1976-03-15 | 1977-09-16 | Fujitsu Ltd | Wiring system in electric circuit |
| JPS58218777A (ja) * | 1982-03-22 | 1983-12-20 | ジヨンソン・マセ−・パプリツク・リミテイド・カンパニ− | 電気的接続装置 |
| JPS61124071A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-11 | 富士通株式会社 | 電気的接続装置 |
-
1991
- 1991-09-10 JP JP22926991A patent/JPH0574503A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4827992A (ja) * | 1971-08-13 | 1973-04-13 | ||
| JPS4841911A (ja) * | 1971-10-02 | 1973-06-19 | ||
| JPS4933327U (ja) * | 1972-06-27 | 1974-03-23 | ||
| JPS507753A (ja) * | 1973-05-24 | 1975-01-27 | ||
| JPS52110494A (en) * | 1976-03-15 | 1977-09-16 | Fujitsu Ltd | Wiring system in electric circuit |
| JPS58218777A (ja) * | 1982-03-22 | 1983-12-20 | ジヨンソン・マセ−・パプリツク・リミテイド・カンパニ− | 電気的接続装置 |
| JPS61124071A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-11 | 富士通株式会社 | 電気的接続装置 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5746927A (en) * | 1993-10-14 | 1998-05-05 | Fujitsu Limited | Electrical connecting device and method for making same |
| US5610371A (en) * | 1994-03-15 | 1997-03-11 | Fujitsu Limited | Electrical connecting device and method for making same |
| US7750553B2 (en) | 2004-07-30 | 2010-07-06 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Organic EL element provided with an electrode in a liquid state and method for producing the same |
| GB2419465A (en) * | 2004-10-20 | 2006-04-26 | Dainippon Printing Co Ltd | Ga-base alloy for electrode formation |
| GB2419465B (en) * | 2004-10-20 | 2009-09-16 | Dainippon Printing Co Ltd | Ga-base alloy and organic function element using the same |
| US7625523B2 (en) | 2004-10-20 | 2009-12-01 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Ga-base alloy and organic function element using the same |
| CN109728496A (zh) * | 2018-12-11 | 2019-05-07 | 昆明品启科技有限公司 | 一种解决电力系统中连接点发热问题的方法 |
| JP2019194994A (ja) * | 2019-07-08 | 2019-11-07 | イリソ電子工業株式会社 | コネクタ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5417362A (en) | Electrical connecting method | |
| EP0337400A2 (en) | Apparatus for connecting sets of electric wires to lead wires | |
| JP4956997B2 (ja) | フラットケーブル | |
| JP2787761B2 (ja) | 電気装置 | |
| US3622944A (en) | Electrical connector | |
| JPH01503104A (ja) | 集積回路パッケージング装置 | |
| JPH0574503A (ja) | 電気的接続方法 | |
| US20050124233A1 (en) | Contact terminal with doped coating | |
| JPS5998591A (ja) | 両面回路接続方法 | |
| US3649743A (en) | Wrapped wire connection | |
| DE102010042526A1 (de) | Kontaktelement | |
| JPS5857785A (ja) | 電子部品実装方法 | |
| JP2008210584A (ja) | フレキシブルフラットケーブル端子部 | |
| JP2003188546A (ja) | プリント配線板収納用ケース | |
| JP2002185120A (ja) | 部品実装基板およびその製造方法 | |
| CN101308713B (zh) | 扁平电缆 | |
| JP2823196B2 (ja) | 防錆処理被膜層を有する接触部品及びその製造方法 | |
| JP3621365B2 (ja) | 電気コネクタ | |
| US20030045139A1 (en) | Receptacles for connecting electrical components between pins | |
| JPS61148774A (ja) | 電気的接続装置 | |
| KR19990045505A (ko) | 가요성 기판에 장착된 단자 블레이드 | |
| JPH07307172A (ja) | 電気的接続導体、電気的接続装置及び電気回路装置 | |
| JPH03190063A (ja) | 半導体チップキャリア用端子ピン | |
| JPS60116193A (ja) | コネクタ | |
| JP2001043745A (ja) | フラットケーブル |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970218 |