JPH0574555A - セラミツクヒータ及びその製造方法 - Google Patents
セラミツクヒータ及びその製造方法Info
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- JPH0574555A JPH0574555A JP3234484A JP23448491A JPH0574555A JP H0574555 A JPH0574555 A JP H0574555A JP 3234484 A JP3234484 A JP 3234484A JP 23448491 A JP23448491 A JP 23448491A JP H0574555 A JPH0574555 A JP H0574555A
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- ceramic heater
- powder
- heater
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ヒータ表面からヒータ外部への漏電を防止す
ることができ、安全性の高いセラミックヒータ及びその
製造方法を提供する。 【構成】 炭化シリコン粒子が金属シリコンの窒化によ
って形成される窒化シリコンのバインダーで結合されて
なる導電性セラミック焼結体層の少なくとも一面上が、
金属シリコンの窒化によって形成される窒化シリコンを
主成分とする絶縁膜で被覆されてなるセラミックヒー
タ。
ることができ、安全性の高いセラミックヒータ及びその
製造方法を提供する。 【構成】 炭化シリコン粒子が金属シリコンの窒化によ
って形成される窒化シリコンのバインダーで結合されて
なる導電性セラミック焼結体層の少なくとも一面上が、
金属シリコンの窒化によって形成される窒化シリコンを
主成分とする絶縁膜で被覆されてなるセラミックヒー
タ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、セラミックヒータ及
びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】暖房機や調理器等の電化製品に使用され
るヒーターは、通常ニクロム線又は帯などの金属系発熱
体が主流であり、一部ＰＴＣセラミック発熱体が使用さ
れている。これら発熱体は、いずれも輻射用あるいは温
風発生用として使用されている。
るヒーターは、通常ニクロム線又は帯などの金属系発熱
体が主流であり、一部ＰＴＣセラミック発熱体が使用さ
れている。これら発熱体は、いずれも輻射用あるいは温
風発生用として使用されている。
【０００３】セラミック発熱体としては、従来よりＳｉ
Ｃ系セラミックスを主体とする導電性セラミックヒータ
の提案が各種なされている（例えば、ＵＳＰ866444、特
公昭57−41796 、特公昭61−38144 、特開昭58−20908
4、特開昭60−27653 、特開昭60−51661 、特開昭61−1
46760）。
Ｃ系セラミックスを主体とする導電性セラミックヒータ
の提案が各種なされている（例えば、ＵＳＰ866444、特
公昭57−41796 、特公昭61−38144 、特開昭58−20908
4、特開昭60−27653 、特開昭60−51661 、特開昭61−1
46760）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】金属系発熱体において
は、固有抵抗が小さすぎる（ニクロム線で100 〜200 μ
Ω・cm）ため、ヒータとして必要な電力に対して発熱面
積を大きくかつ均一にすることができなかった。またヒ
ータ自体が導電性をもち又比較的広面積の板状発熱体と
して電化製品等に使用されるセラミックヒータの場合、
ヒータ表面からヒータ外部へ漏電しやすいという問題点
があった。
は、固有抵抗が小さすぎる（ニクロム線で100 〜200 μ
Ω・cm）ため、ヒータとして必要な電力に対して発熱面
積を大きくかつ均一にすることができなかった。またヒ
ータ自体が導電性をもち又比較的広面積の板状発熱体と
して電化製品等に使用されるセラミックヒータの場合、
ヒータ表面からヒータ外部へ漏電しやすいという問題点
があった。
【０００５】この発明は、このような問題点を解決しよ
うとするもので、ヒータ表面からヒータ外部への漏電を
防止することができ、安全性の高いセラミックヒータを
提供することを目的とする。
うとするもので、ヒータ表面からヒータ外部への漏電を
防止することができ、安全性の高いセラミックヒータを
提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明によれば、炭化
シリコン粒子が金属シリコンの窒化によって形成される
窒化シリコンのバインダーで結合されてなる導電性セラ
ミック焼結体層の少なくとも一面上が、金属シリコンの
窒化によって形成される窒化シリコンを主成分とする絶
縁層で被覆されてなるセラミックヒータが提供される。
シリコン粒子が金属シリコンの窒化によって形成される
窒化シリコンのバインダーで結合されてなる導電性セラ
ミック焼結体層の少なくとも一面上が、金属シリコンの
窒化によって形成される窒化シリコンを主成分とする絶
縁層で被覆されてなるセラミックヒータが提供される。
【０００７】この発明においては、導電性セラミック焼
結体層の少なくとも一面上が絶縁層で被覆される。導電
性セラミック焼結体層は、100 重量部の炭化シリコン粒
子の導電体と20〜120 重量部の窒化シリコンバインダー
とからなる。炭化シリコン粒子は、純度99重量％以上に
高純度化処理されたものがよく、通常１〜10μｍの平均
粒径がよい。窒化シリコンは、焼結によって炭化シリコ
ン粒子を結合するためのものであって、金属シリコンの
窒化によって形成されるのがよく、金属シリコン粒子の
所定量を炭化シリコン粒子に混合し所定形状に成形した
後に窒素雰囲気中で所定温度に加熱して金属シリコン粒
子を窒化して形成することができる。
結体層の少なくとも一面上が絶縁層で被覆される。導電
性セラミック焼結体層は、100 重量部の炭化シリコン粒
子の導電体と20〜120 重量部の窒化シリコンバインダー
とからなる。炭化シリコン粒子は、純度99重量％以上に
高純度化処理されたものがよく、通常１〜10μｍの平均
粒径がよい。窒化シリコンは、焼結によって炭化シリコ
ン粒子を結合するためのものであって、金属シリコンの
窒化によって形成されるのがよく、金属シリコン粒子の
所定量を炭化シリコン粒子に混合し所定形状に成形した
後に窒素雰囲気中で所定温度に加熱して金属シリコン粒
子を窒化して形成することができる。
【０００８】絶縁層は、金属シリコンの窒化によって形
成される窒化シリコンを主成分とし、この窒化シリコン
100 重量部に対し、80重量部以下好ましくは10〜60重量
部の高融点で絶縁性の酸化物及び／又は窒化物の粉末を
混合するかせずして構成される。酸化物及び窒化物の粉
末の融点は、1500℃以上が好ましい。酸化物の粉末は、
例えば、ジルコン、アルミナ等があり、この中でもジル
コンが好ましい。この粒径は、通常１〜10μｍである。
窒化物の粉末は、例えば窒化シリコン、窒化アルミニュ
ウム等がある。この粒径は、通常１〜10μｍである。
成される窒化シリコンを主成分とし、この窒化シリコン
100 重量部に対し、80重量部以下好ましくは10〜60重量
部の高融点で絶縁性の酸化物及び／又は窒化物の粉末を
混合するかせずして構成される。酸化物及び窒化物の粉
末の融点は、1500℃以上が好ましい。酸化物の粉末は、
例えば、ジルコン、アルミナ等があり、この中でもジル
コンが好ましい。この粒径は、通常１〜10μｍである。
窒化物の粉末は、例えば窒化シリコン、窒化アルミニュ
ウム等がある。この粒径は、通常１〜10μｍである。
【０００９】この発明においては、絶縁層の上に更にガ
ラス層を積層することができる。表面にガラス層を形成
することにより、水等が接触する環境でセラミックヒー
タが使用される場合、ガラス層が水分のヒーター内部へ
の侵入を防ぎ、さらに安全性の高いヒータとなる。又ガ
ラス層は空気との遮断にもなり、ヒータの高温での耐酸
化性を著しく向上させることができる。
ラス層を積層することができる。表面にガラス層を形成
することにより、水等が接触する環境でセラミックヒー
タが使用される場合、ガラス層が水分のヒーター内部へ
の侵入を防ぎ、さらに安全性の高いヒータとなる。又ガ
ラス層は空気との遮断にもなり、ヒータの高温での耐酸
化性を著しく向上させることができる。
【００１０】この発明のセラミックヒータは、例えば次
のようにして製造することができる。すなわち、炭化シ
リコン粉末、金属シリコン粉末、成形助剤及び水の所定
量を混合し成形して導電性セラミック焼結体用グリーン
を形成し、この上の少なくとも一面に金属シリコン粉末
に酸化物及び／又は窒化物の粉末の所定量を混合するか
せずして作製した絶縁層用グリーンを密着させ、この後
に窒素雰囲気中で焼成してセラミックヒータを作製す
る。
のようにして製造することができる。すなわち、炭化シ
リコン粉末、金属シリコン粉末、成形助剤及び水の所定
量を混合し成形して導電性セラミック焼結体用グリーン
を形成し、この上の少なくとも一面に金属シリコン粉末
に酸化物及び／又は窒化物の粉末の所定量を混合するか
せずして作製した絶縁層用グリーンを密着させ、この後
に窒素雰囲気中で焼成してセラミックヒータを作製す
る。
【００１１】導電性セラミック焼結用グリーンは、導電
性セラミック焼結体を形成するためのものであって、通
常100 重量部の炭化シリコン粉末、10〜70重量部の金属
シリコン粉末、10〜40重量部の成形助剤及び20〜40重量
部の水を混合し、所定形状に成形して用いることができ
る。粉末の粒径は、通常炭化シリコンが１〜10μｍ、金
属シリコンが１〜８μｍである。所定形状は、例えば中
空管形、板形等がある。
性セラミック焼結体を形成するためのものであって、通
常100 重量部の炭化シリコン粉末、10〜70重量部の金属
シリコン粉末、10〜40重量部の成形助剤及び20〜40重量
部の水を混合し、所定形状に成形して用いることができ
る。粉末の粒径は、通常炭化シリコンが１〜10μｍ、金
属シリコンが１〜８μｍである。所定形状は、例えば中
空管形、板形等がある。
【００１２】絶縁層用グリーンは、導電性セラミック焼
結体の少なくとも一面を絶縁する絶縁層を形成するため
のものであって、通常100 重量部の金属シリコン、80重
量部以下の高融点で絶縁性の酸化物及び／又は窒化物、
10〜40重量部の成形助剤を混合して導電性セラミック焼
結体用グリーンの少なくとも一面上に密着させることが
できる。
結体の少なくとも一面を絶縁する絶縁層を形成するため
のものであって、通常100 重量部の金属シリコン、80重
量部以下の高融点で絶縁性の酸化物及び／又は窒化物、
10〜40重量部の成形助剤を混合して導電性セラミック焼
結体用グリーンの少なくとも一面上に密着させることが
できる。
【００１３】上記密着は、例えば圧着法又はコーティン
グ法等がある。圧着法は、導電性セラミック焼結体用グ
リーンと絶縁層用グリーンとを高湿度下に配置し吸湿さ
せた後、これらのグリーンを重ねて加圧して行われる。
コーティング法は、導電性セラミック焼結体用グリーン
の表面に、金属シリコン粉末に酸化物及び／又は窒化物
の粉末の所定量を混合するかせずして作製するコーティ
ング液をコーティングして行われる。
グ法等がある。圧着法は、導電性セラミック焼結体用グ
リーンと絶縁層用グリーンとを高湿度下に配置し吸湿さ
せた後、これらのグリーンを重ねて加圧して行われる。
コーティング法は、導電性セラミック焼結体用グリーン
の表面に、金属シリコン粉末に酸化物及び／又は窒化物
の粉末の所定量を混合するかせずして作製するコーティ
ング液をコーティングして行われる。
【００１４】この発明のセラミックヒータは、少なくと
も一面上に絶縁層のグリーンが密着された導電性セラミ
ック焼結体用グリーンを窒素雰囲気中で焼成して作製さ
れる。焼成は、通常1300〜1450℃で行うのがよい。この
発明においては、絶縁層の上に更にガラス層を積層して
セラミックヒータの漏電に対する信頼性と実用性を高め
ることができる。
も一面上に絶縁層のグリーンが密着された導電性セラミ
ック焼結体用グリーンを窒素雰囲気中で焼成して作製さ
れる。焼成は、通常1300〜1450℃で行うのがよい。この
発明においては、絶縁層の上に更にガラス層を積層して
セラミックヒータの漏電に対する信頼性と実用性を高め
ることができる。
【００１５】
【作用】金属シリコンの窒化によって形成される窒化シ
リコンを主成分とする絶縁層が、導電性セラミック焼結
体層の表面に密着して漏電を防ぐ。
リコンを主成分とする絶縁層が、導電性セラミック焼結
体層の表面に密着して漏電を防ぐ。
【００１６】
【実施例】以下、この発明を実施例により更に具体的に
説明するがこの発明は、この実施例に限定されるもので
はない。導電性セラミックグリーンの作製 炭化シリコン粉末（純度95％以上、平均粒径６μｍ）70
重量部、金属シリコン粉末（純度97％以上、平均粒径5.
9 μｍ）30重量部、成形助剤としてメチルセルローズ系
有機バインダー、脂肪酸ソルビタンエステルポリエチレ
ングリコール及びダイナマイトグリセリンの合計12重量
部、それに水21重量部を加えてミキサーで約５分間混合
混水する。得られた混合物をコンティニアスニーダーで
充分混練した後に高圧真空押出成形機で厚み３mm幅300
mmのシートを成形圧力30kg／cm2 で押出成形し、乾燥す
る。パイプ形状の導電性セラミックグリーンも同様の方
法により作製できる。
説明するがこの発明は、この実施例に限定されるもので
はない。導電性セラミックグリーンの作製 炭化シリコン粉末（純度95％以上、平均粒径６μｍ）70
重量部、金属シリコン粉末（純度97％以上、平均粒径5.
9 μｍ）30重量部、成形助剤としてメチルセルローズ系
有機バインダー、脂肪酸ソルビタンエステルポリエチレ
ングリコール及びダイナマイトグリセリンの合計12重量
部、それに水21重量部を加えてミキサーで約５分間混合
混水する。得られた混合物をコンティニアスニーダーで
充分混練した後に高圧真空押出成形機で厚み３mm幅300
mmのシートを成形圧力30kg／cm2 で押出成形し、乾燥す
る。パイプ形状の導電性セラミックグリーンも同様の方
法により作製できる。
【００１７】電気絶縁層の作製Ｉ（貼り合せ） 金属シリコン粉末（純度97％以上、平均粒径5.9 μｍ）
100 重量部を成形助剤としてメチルセルロース系有機バ
インダー、脂肪酸ソルビタンエステルポリエチレングリ
コール及びダイナマイトグリセリンの合計12重量部、そ
れに水21重量部を加えてミキサーで約５分間混合混水す
る。得られた混合物をコンティニアスニーダーで充分混
練した後に高圧真空押出成形機で厚み1.0 mm幅300 mmの
シートを成形圧力50kg／cm2 で押出成形し乾燥する。次
に、同じ寸法に切断された前記導電性セラミックグリー
ンシートと電気絶縁層のグリーンシートを、高湿度雰囲
気に放置し、これら２種のグリーンシートに少し水分を
含ませた後、２種のグリーンシートを重合せ、平板プレ
スにて約0.5 kg／cm2 の圧力でラミネートし一体化す
る。その後、一体化されたグリーンシートを再度乾燥
し、次に窒素雰囲気中600 ℃で３時間脱脂を行う。この
時昇温スピードは２℃／min 以下で行うことが好まし
い。その後、同雰囲気中1400℃で６時間焼成する事によ
り、片面に電気絶縁性を有する窒化珪素質の層を有する
ＳｉＣ系セラミックヒーターが作成される。両面に絶縁
が必要なヒーターに関しては、電気絶縁層のグリーンシ
ートを同様の方法で両面に貼り合わせることにより作成
できる。さらに水等が接触する雰囲気で使用される時に
は、前記一体化されたヒーターの最表面に電気絶縁性を
有するＫ・ＮａＯ−ＣａＯ−ＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｓｉ
Ｏ2 系のガラスをコーティングし焼成する事により、ガ
スや溶液に対して不透過性の皮膜が形成される。
100 重量部を成形助剤としてメチルセルロース系有機バ
インダー、脂肪酸ソルビタンエステルポリエチレングリ
コール及びダイナマイトグリセリンの合計12重量部、そ
れに水21重量部を加えてミキサーで約５分間混合混水す
る。得られた混合物をコンティニアスニーダーで充分混
練した後に高圧真空押出成形機で厚み1.0 mm幅300 mmの
シートを成形圧力50kg／cm2 で押出成形し乾燥する。次
に、同じ寸法に切断された前記導電性セラミックグリー
ンシートと電気絶縁層のグリーンシートを、高湿度雰囲
気に放置し、これら２種のグリーンシートに少し水分を
含ませた後、２種のグリーンシートを重合せ、平板プレ
スにて約0.5 kg／cm2 の圧力でラミネートし一体化す
る。その後、一体化されたグリーンシートを再度乾燥
し、次に窒素雰囲気中600 ℃で３時間脱脂を行う。この
時昇温スピードは２℃／min 以下で行うことが好まし
い。その後、同雰囲気中1400℃で６時間焼成する事によ
り、片面に電気絶縁性を有する窒化珪素質の層を有する
ＳｉＣ系セラミックヒーターが作成される。両面に絶縁
が必要なヒーターに関しては、電気絶縁層のグリーンシ
ートを同様の方法で両面に貼り合わせることにより作成
できる。さらに水等が接触する雰囲気で使用される時に
は、前記一体化されたヒーターの最表面に電気絶縁性を
有するＫ・ＮａＯ−ＣａＯ−ＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｓｉ
Ｏ2 系のガラスをコーティングし焼成する事により、ガ
スや溶液に対して不透過性の皮膜が形成される。
【００１８】図１は、導電性セラミック１の片面に窒化
珪素質の絶縁層２が一体化されたヒーターの断面図であ
る。図２は、両面に絶縁層２ａ, ２ｂが一体化されたヒ
ーターの断面図、図３はさらに最表面にガラス質の絶縁
層３が形成されたヒーターの断面図である。電気絶縁層の作成II（コーティング） 金属シリコン粉末（純度98％、平均粒系5.9 μｍ）70重
量部、ポリメチルメタアクリレート樹脂10重量部、テレ
ピンオイル20重量部を混合し、３本ロールで充分に圧練
する。
珪素質の絶縁層２が一体化されたヒーターの断面図であ
る。図２は、両面に絶縁層２ａ, ２ｂが一体化されたヒ
ーターの断面図、図３はさらに最表面にガラス質の絶縁
層３が形成されたヒーターの断面図である。電気絶縁層の作成II（コーティング） 金属シリコン粉末（純度98％、平均粒系5.9 μｍ）70重
量部、ポリメチルメタアクリレート樹脂10重量部、テレ
ピンオイル20重量部を混合し、３本ロールで充分に圧練
する。
【００１９】これを、トルエン等の溶剤で適当な粘度に
した後、乾燥された導電性セラミックグリーンシートの
片面に100 〜300 μｍ塗布し、乾燥する。これを窒素雰
囲気中600 ℃で３時間脱脂し、その後同雰囲気で1400℃
６時間焼成することにより、窒化珪素質の絶縁層が表面
に一体化されたセラミックヒータが作成できる。このヒ
ーターの相対する表面にオーミックＡｇペーストを焼付
けし電極とした時に、その温度−比抵抗特性を図４に示
す。Ａは、導電性セラミックのみ、Ｂは上記電気絶縁層
が片面に一体化されたヒータの特性である。
した後、乾燥された導電性セラミックグリーンシートの
片面に100 〜300 μｍ塗布し、乾燥する。これを窒素雰
囲気中600 ℃で３時間脱脂し、その後同雰囲気で1400℃
６時間焼成することにより、窒化珪素質の絶縁層が表面
に一体化されたセラミックヒータが作成できる。このヒ
ーターの相対する表面にオーミックＡｇペーストを焼付
けし電極とした時に、その温度−比抵抗特性を図４に示
す。Ａは、導電性セラミックのみ、Ｂは上記電気絶縁層
が片面に一体化されたヒータの特性である。
【００２０】もちろん、必要に応じて、絶縁コート皮膜
は、片面のみでなく両面にする事もできる。輻射型暖房機への応用 図５に本発明の面状セラミックヒータの説明図を示す。
上記と同様にして得られた面ヒーター４は常温抵抗17Ω
をもち外寸280 mm×280 mm×３mmで、一方の面の相対す
る端部に巾10mmの金属溶射電極５が形成されており、こ
れを介してリード板５が接続されている。この時面ヒー
ター４の外表面は、電極５を除いた全面に絶縁皮膜が10
0 〜300 μ形成されている。リード板６を介して電極５
に100 Ｖの電圧を印加した時、ヒーター温度は平均約30
0 ℃電力1000Ｗとなり輻射型暖房機として適したヒータ
ーとなる。図６にパイプ状セラミックヒータの説明図を
示す。パイプヒータ７は常温抵抗70Ωをもち外径11mm、
内径７mm全長300 mmの外寸法をもち、両端部に巾15mmの
金属溶射電極５が形成されており、これを介してリード
板６が接続されている。この時、パイプヒータ７の外表
面は、電極５を除いた全面に絶縁皮膜が100 〜300 μ形
成されている。リード板６を介して電極４に100Ｖの電
圧を印加した時、ヒーター表面温度約500 ℃電力300Ｗ
となり輻射型暖房機として適したヒーターとなる。両ヒ
ーター４及びパイプヒーター７は、暖房用以外にも調理
用等のヒーターとしても適している。
は、片面のみでなく両面にする事もできる。輻射型暖房機への応用 図５に本発明の面状セラミックヒータの説明図を示す。
上記と同様にして得られた面ヒーター４は常温抵抗17Ω
をもち外寸280 mm×280 mm×３mmで、一方の面の相対す
る端部に巾10mmの金属溶射電極５が形成されており、こ
れを介してリード板５が接続されている。この時面ヒー
ター４の外表面は、電極５を除いた全面に絶縁皮膜が10
0 〜300 μ形成されている。リード板６を介して電極５
に100 Ｖの電圧を印加した時、ヒーター温度は平均約30
0 ℃電力1000Ｗとなり輻射型暖房機として適したヒータ
ーとなる。図６にパイプ状セラミックヒータの説明図を
示す。パイプヒータ７は常温抵抗70Ωをもち外径11mm、
内径７mm全長300 mmの外寸法をもち、両端部に巾15mmの
金属溶射電極５が形成されており、これを介してリード
板６が接続されている。この時、パイプヒータ７の外表
面は、電極５を除いた全面に絶縁皮膜が100 〜300 μ形
成されている。リード板６を介して電極４に100Ｖの電
圧を印加した時、ヒーター表面温度約500 ℃電力300Ｗ
となり輻射型暖房機として適したヒーターとなる。両ヒ
ーター４及びパイプヒーター７は、暖房用以外にも調理
用等のヒーターとしても適している。
【００２１】図７は、面ヒーターを利用した時のスタン
ド型輻射暖房機である。面ヒータ４は、絶縁碍子８を介
してケーシング９に設置されている。後方面には断熱材
10が面ヒーター４とケーシング９の間に設置され後方へ
の熱を断熱している。又ケーシング９はスタンド12にセ
ットされており上下に首振りができる構造となってい
る。
ド型輻射暖房機である。面ヒータ４は、絶縁碍子８を介
してケーシング９に設置されている。後方面には断熱材
10が面ヒーター４とケーシング９の間に設置され後方へ
の熱を断熱している。又ケーシング９はスタンド12にセ
ットされており上下に首振りができる構造となってい
る。
【００２２】図８は、パイプヒーターを利用した時のス
タンド型輻射暖房機である。パイプヒーター７は、絶縁
碍子８を介してケーシング９に設置されている。後方面
には反射板11がパイプヒーター７とケーシング９の間に
設置され後方への熱を反射している。又ケーシング９
は、スタンド12にセットされており上下に首振りできる
構造となっている。この時必要とされる暖房能力を大き
くしたい場合は、このパイプヒーター６を並列に複数使
用することができる。図５及び図６において、使用者が
誤ってヒーターに手を触れた場合でも外表面全体に電気
絶縁層が一体化されているため全く漏電の危険はない。
タンド型輻射暖房機である。パイプヒーター７は、絶縁
碍子８を介してケーシング９に設置されている。後方面
には反射板11がパイプヒーター７とケーシング９の間に
設置され後方への熱を反射している。又ケーシング９
は、スタンド12にセットされており上下に首振りできる
構造となっている。この時必要とされる暖房能力を大き
くしたい場合は、このパイプヒーター６を並列に複数使
用することができる。図５及び図６において、使用者が
誤ってヒーターに手を触れた場合でも外表面全体に電気
絶縁層が一体化されているため全く漏電の危険はない。
【００２３】
【発明の効果】この発明によれば、炭化シリコンを主成
分とする導電性セラミックの焼結体層表面に密着性の良
好な絶縁層を形成することができ漏電の危険のないセラ
ミックヒータ及びその製造方法を提供することができ
る。
分とする導電性セラミックの焼結体層表面に密着性の良
好な絶縁層を形成することができ漏電の危険のないセラ
ミックヒータ及びその製造方法を提供することができ
る。
【図１】この発明の実施例で作製したセラミックヒータ
ーの説明図である。
ーの説明図である。
【図２】この発明の実施例で作製したセラミックヒータ
ーの説明図である。
ーの説明図である。
【図３】この発明の実施例で作製したセラミックヒータ
ーの説明図である。
ーの説明図である。
【図４】同じく、温度に対する比抵抗の関係を示す図で
ある。
ある。
【図５】同じく、実施例で作製したセラミックヒーター
の説明図である。
の説明図である。
【図６】同じく、実施例で作製したセラミックヒーター
の説明図である。
の説明図である。
【図７】同じく輻射型暖房機への応用の説明図である。
【図８】同じく輻射型暖房機への応用の説明図である。
１ 導電性セラミック基材 ２ 窒化シリコン質電気絶縁層 ３ ガラス質電気絶縁層 ４ 面ヒーター ５ 電極 ６ リード板 ７ パイプヒータ ８ 絶縁碍子 ９ ケーシング １０ 断熱材 １１ 反射板 １２ スタンド
Claims (10)
- 【請求項１】 炭化シリコン粒子が金属シリコンの窒化
によって形成される窒化シリコンのバインダーで結合さ
れてなる導電性セラミック焼結体層の少なくとも一面上
が、金属シリコンの窒化によって形成される窒化シリコ
ンを主成分とする絶縁層で被覆されてなるセラミックヒ
ータ。 - 【請求項２】 炭化シリコン粒子が、平均粒径１〜10μ
ｍである請求項１のセラミックヒータ。 - 【請求項３】 導電性セラミック焼結体層が、100重量
部の炭化シリコン粒子と20〜120重量部の窒化シリコン
のバインダーとからなる請求項１のセラミックヒータ。 - 【請求項４】 絶縁層が、金属シリコンの窒化によって
形成される窒化シリコン又はこの窒化シリコン100 重量
部と高融点で絶縁性の酸化物及び／又は窒化物の粉末80
重量部以下とからなる請求項１のセラミックヒータ。 - 【請求項５】 酸化物の粉末が、ジルコンである請求項
４のセラミックヒータ。 - 【請求項６】 窒化物の粉末が、窒化シリコンである請
求項４のセラミックヒータ。 - 【請求項７】 請求項１のセラミックヒータにおいて、
絶縁層の上に更にガラス層が積層されてなるセラミック
ヒータ。 - 【請求項８】 炭化シリコン粉末、金属シリコン粉末、
成形助剤及び水の所定量を混合し成形して導電性セラミ
ック焼結体用グリーンを形成し、この上の少なくとも一
面に金属シリコン粉末に酸化物及び／又は窒化物の粉末
の所定量を混合するかせずして作製した絶縁層用グリー
ンを密着させ、この後に窒素雰囲気中で焼成してセラミ
ックヒータを作製することを特徴とするセラミックヒー
タの製造方法。 - 【請求項９】 密着が、導電性セラミック焼結体用グリ
ーンと絶縁層用グリーンとを高湿度下に配置し吸湿させ
た後にこれらのグリーンを重ねて加圧して行われること
を特徴とする請求項８の方法。 - 【請求項１０】 密着が、導電性セラミック焼結体用グ
リーンの表面に、金属シリコン粉末に酸化物及び／又は
窒化物の粉末の所定量を混合するかせずして作製したコ
ーティング液をコーティングして行われることを特徴と
する請求項８の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3234484A JP2773997B2 (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | セラミックヒータ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3234484A JP2773997B2 (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | セラミックヒータ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574555A true JPH0574555A (ja) | 1993-03-26 |
| JP2773997B2 JP2773997B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=16971749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3234484A Expired - Lifetime JP2773997B2 (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | セラミックヒータ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2773997B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031343A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-31 | Dainippon Printing Co Ltd | 面発熱体 |
| CN109526070A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-03-26 | 苏州艾默特材料技术有限公司 | 一种具有金属陶瓷复合涂层的加热元件 |
| KR20230153214A (ko) * | 2022-04-28 | 2023-11-06 | 주식회사 이엠텍 | 세라믹 무화기 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5084936A (ja) * | 1973-11-23 | 1975-07-09 | ||
| JPS50108043U (ja) * | 1974-02-09 | 1975-09-04 | ||
| JPS6477890A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-23 | Toshiba Corp | Ceramics heating unit and its manufacture |
| JPH03138885A (ja) * | 1989-10-25 | 1991-06-13 | Babcock Hitachi Kk | 炭化珪素―硼化物系発熱体及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-09-13 JP JP3234484A patent/JP2773997B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| CN109526070A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-03-26 | 苏州艾默特材料技术有限公司 | 一种具有金属陶瓷复合涂层的加热元件 |
| CN109526070B (zh) * | 2018-11-30 | 2021-08-03 | 苏州艾默特材料技术有限公司 | 一种具有金属陶瓷复合涂层的加热元件 |
| KR20230153214A (ko) * | 2022-04-28 | 2023-11-06 | 주식회사 이엠텍 | 세라믹 무화기 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2773997B2 (ja) | 1998-07-09 |
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