JPH0574569A - 薄膜ｅｌの駆動装置およびその駆動方法 - Google Patents
薄膜ｅｌの駆動装置およびその駆動方法Info
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- JPH0574569A JPH0574569A JP25601891A JP25601891A JPH0574569A JP H0574569 A JPH0574569 A JP H0574569A JP 25601891 A JP25601891 A JP 25601891A JP 25601891 A JP25601891 A JP 25601891A JP H0574569 A JPH0574569 A JP H0574569A
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- tft
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- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜ＥＬ駆動回路を、データ信号の誤差分に
対する許容幅が大きな駆動方法を提供し、所望の階調レ
ベルを安定した均一な表示画面で得る。 【構成】 発光信号（Ｖda）に応じて保持用コンデンサ
（２）を充電する書き込み用ＴＦＴ（１）と、保持用コ
ンデンサからの電圧（Ｖg）に応じてスイッチング動作
してＥＬ素子（３）の発光を制御する駆動用ＴＦＴ
（４）とからなるＥＬ駆動回路を駆動する方法であっ
て、駆動用ＴＦＴ（４）のソースとＧＮＤ間に電流制御
抵抗（６）を挿入することによりＥＬ素子（３）の非発
光輝度から飽和輝度に対応したゲート電圧幅を拡大し
た。
対する許容幅が大きな駆動方法を提供し、所望の階調レ
ベルを安定した均一な表示画面で得る。 【構成】 発光信号（Ｖda）に応じて保持用コンデンサ
（２）を充電する書き込み用ＴＦＴ（１）と、保持用コ
ンデンサからの電圧（Ｖg）に応じてスイッチング動作
してＥＬ素子（３）の発光を制御する駆動用ＴＦＴ
（４）とからなるＥＬ駆動回路を駆動する方法であっ
て、駆動用ＴＦＴ（４）のソースとＧＮＤ間に電流制御
抵抗（６）を挿入することによりＥＬ素子（３）の非発
光輝度から飽和輝度に対応したゲート電圧幅を拡大し
た。
Description
【０００１】
【産業上の技術分野】本発明は、アクティブマトリック
スＥＬ表示装置、電子式印字装置の露光系に用いられる
ＥＬイメージバーなどにおける薄膜ＥＬの駆動方法に関
するものである。
スＥＬ表示装置、電子式印字装置の露光系に用いられる
ＥＬイメージバーなどにおける薄膜ＥＬの駆動方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】”A ６×６-in20lpi Electroluminescen
t Display Panel,”（T.P.Blody,et al,IEEE,Trans.Ele
ctron Devices, Vol.ED-22,No-9,Sept.1975,pp.739-74
9）や”DESIGN OF A PROTOTYPE ACTIVE MATRIX CdSe Ｔ
ＦＴ ADRESSEDＥＬ DISPLAY,”（J.Vanfleteren,et a
l.,Eurodisplay 1990,pp.216ー219）に示される従来の
薄膜ＥＬの１ビットの駆動回路は図１０の回路構成を持
つものであり、ソースにデータ信号（Ｖda）が供給され
る書き込み用ＴＦＴ（１）のドレーンに信号保持用コン
デンサ（２）が接続され、書き込み用ＴＦＴのドレーン
と信号保持用コンデンサの接続点がＥＬ駆動用ＴＦＴ
（４）のゲートに接続されている。ＥＬ駆動信号（５）
とＥＬ発光素子（３）とＥＬ駆動用ＴＦＴは直列に接続
され閉回路を構成している。このようなＥＬ駆動回路に
おいて、書き込み用ＴＦＴ（１）を介して蓄積用コンデ
ンサ（２）に書き込み保持されたデータ信号電圧（Ｖd
a）に対応する電圧がＥＬ駆動用ＴＦＴ（４）のオン／
オフを制御し、駆動信号（５）とでＥＬ素子の（３）発
光が制御される。ここで、データ信号電圧（Ｖda）に対
するＥＬ発光素子（３）の輝度特性は、図４に示す様に
発光開始輝度（Ｌoff）から飽和輝度（Ｌon）まで急峻
に立ち上がるものであり、変調データ電圧（Ｖdhm）の
範囲で非発光時の輝度（Ｌoff）から飽和輝度（Ｌon）
までの間で階調表示を得るときに、この変調データ電圧
幅（Ｖdhm）は狭く、マトリックス回路のクロストー
ク、データ書き込み保持回路のバラツキ等によるデータ
信号電圧（Ｖda）の誤差分を受け、所望の階調レベルを
安定した均一な輝度の表示画面で得ることが困難である
欠点があった。
t Display Panel,”（T.P.Blody,et al,IEEE,Trans.Ele
ctron Devices, Vol.ED-22,No-9,Sept.1975,pp.739-74
9）や”DESIGN OF A PROTOTYPE ACTIVE MATRIX CdSe Ｔ
ＦＴ ADRESSEDＥＬ DISPLAY,”（J.Vanfleteren,et a
l.,Eurodisplay 1990,pp.216ー219）に示される従来の
薄膜ＥＬの１ビットの駆動回路は図１０の回路構成を持
つものであり、ソースにデータ信号（Ｖda）が供給され
る書き込み用ＴＦＴ（１）のドレーンに信号保持用コン
デンサ（２）が接続され、書き込み用ＴＦＴのドレーン
と信号保持用コンデンサの接続点がＥＬ駆動用ＴＦＴ
（４）のゲートに接続されている。ＥＬ駆動信号（５）
とＥＬ発光素子（３）とＥＬ駆動用ＴＦＴは直列に接続
され閉回路を構成している。このようなＥＬ駆動回路に
おいて、書き込み用ＴＦＴ（１）を介して蓄積用コンデ
ンサ（２）に書き込み保持されたデータ信号電圧（Ｖd
a）に対応する電圧がＥＬ駆動用ＴＦＴ（４）のオン／
オフを制御し、駆動信号（５）とでＥＬ素子の（３）発
光が制御される。ここで、データ信号電圧（Ｖda）に対
するＥＬ発光素子（３）の輝度特性は、図４に示す様に
発光開始輝度（Ｌoff）から飽和輝度（Ｌon）まで急峻
に立ち上がるものであり、変調データ電圧（Ｖdhm）の
範囲で非発光時の輝度（Ｌoff）から飽和輝度（Ｌon）
までの間で階調表示を得るときに、この変調データ電圧
幅（Ｖdhm）は狭く、マトリックス回路のクロストー
ク、データ書き込み保持回路のバラツキ等によるデータ
信号電圧（Ｖda）の誤差分を受け、所望の階調レベルを
安定した均一な輝度の表示画面で得ることが困難である
欠点があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、薄膜ＥＬの
駆動方法において、マトリックス回路のクロストーク、
データ信号書き込み保持回路のバラツキ等によるデータ
信号の誤差分に対する許容量が大きな、所望の階調レベ
ルを安定した均一な表示画面で得ることを目的とする。
駆動方法において、マトリックス回路のクロストーク、
データ信号書き込み保持回路のバラツキ等によるデータ
信号の誤差分に対する許容量が大きな、所望の階調レベ
ルを安定した均一な表示画面で得ることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】発光信号に応じて蓄積用
コンデンサを充電する第１のＴＦＴと、前記蓄積用コン
デンサからの電圧に応じてスイッチング動作しＥＬ素子
とＧＮＤとの接続を制御することで前記ＥＬ素子の発光
を制御する第２のＴＦＴとを有する薄膜ＥＬの駆動装置
において、第２のＴＦＴとＧＮＤとの間に前記蓄積コン
デンサからの電圧に応じて前記ＥＬ素子の駆動電流を抑
制する電流制御抵抗を挿入する。
コンデンサを充電する第１のＴＦＴと、前記蓄積用コン
デンサからの電圧に応じてスイッチング動作しＥＬ素子
とＧＮＤとの接続を制御することで前記ＥＬ素子の発光
を制御する第２のＴＦＴとを有する薄膜ＥＬの駆動装置
において、第２のＴＦＴとＧＮＤとの間に前記蓄積コン
デンサからの電圧に応じて前記ＥＬ素子の駆動電流を抑
制する電流制御抵抗を挿入する。
【０００５】
【作用】ＥＬ駆動用ＴＦＴとＧＮＤ間にドレイン電流を
抑制する抵抗を挿入することによりＥＬ駆動用ＴＦＴの
ソース電位がドレイン電流の変化に応じて変化し、実質
的にゲート−ソース電圧が変化するので、ゲート電圧が
高くなるに従って電流抑制抵抗に流れるドレイン電流す
なわちＥＬ素子の駆動電流が抑制される。このＥＬ素子
を所望の輝度で発光させるためには、必要な電圧を得る
ところまでゲート電圧を上げねばならず、結果としてＥ
Ｌ素子の非発光輝度から飽和輝度までに対応したゲート
電圧までに電圧幅を拡大することになる。
抑制する抵抗を挿入することによりＥＬ駆動用ＴＦＴの
ソース電位がドレイン電流の変化に応じて変化し、実質
的にゲート−ソース電圧が変化するので、ゲート電圧が
高くなるに従って電流抑制抵抗に流れるドレイン電流す
なわちＥＬ素子の駆動電流が抑制される。このＥＬ素子
を所望の輝度で発光させるためには、必要な電圧を得る
ところまでゲート電圧を上げねばならず、結果としてＥ
Ｌ素子の非発光輝度から飽和輝度までに対応したゲート
電圧までに電圧幅を拡大することになる。
【０００６】
【実施例】第１の実施例 本発明の駆動方法が図１に示される。図１０に示された
ＥＬ駆動回路のＥＬ駆動用ＴＦＴ（４）のソースとＧＮ
Ｄ間に電流抑制用抵抗（６）が挿入されている。ＥＬ素
子（３）の発光層の材料にＺnＳ：Ｍnを用いた場合、駆
動電圧（５）に対する輝度（Ｌ）特性は、図３に示すよ
うに、駆動用ＴＦＴ（４）のゲート電圧（Ｖg）を一定
にして、発光を開始する非発光輝度（Ｌoff）の発光し
きい電圧（Ｖtel）から所望の発光輝度（Ｌon）の電圧
（Ｖpk）までの間で駆動電圧を変化させることで、対応
した輝度が得られる。ここで、駆動電圧（５）が所望の
発光輝度の電圧（Ｖpk）に等しいときに、データ電圧
(Ｖda)をわずかに変化させるだけで輝度が大幅に変化す
る。この輝度特性を図４に示す。図５の駆動タイミング
において、データ電圧（Ｖda）は、書き込み用ＴＦＴ
（１）のゲートに走査電圧（Ｖsc）が印加されると、保
持用コンデンサ（２）に図５（ｄ）のように充電または
放電が行われた後走査電圧が除かれると、書き込み用Ｔ
ＦＴのゲート-ソース間容量と保持用コンデンサとのフ
ィードスルーによってΔＶgh電圧が低下したところで保
持され駆動用ＴＦＴ（４）のゲート電圧（Ｖg）として
作用する。このゲート電圧は、駆動用ＴＦＴのドレイン
電流特性を制御し、ＥＬ素子（３）に印加される駆動電
圧を変化させ、輝度変調を行う。したがって、変調輝度
範囲(ＬoffからＬonまで)に対応する駆動用ＴＦＴ
（４）の電流特性で、そのゲート電圧幅が決定され、こ
れにフィードスルー降下電圧を加えることにより所望の
輝度を得るためのデータ電圧（Ｖda）を求めることがで
きる。
ＥＬ駆動回路のＥＬ駆動用ＴＦＴ（４）のソースとＧＮ
Ｄ間に電流抑制用抵抗（６）が挿入されている。ＥＬ素
子（３）の発光層の材料にＺnＳ：Ｍnを用いた場合、駆
動電圧（５）に対する輝度（Ｌ）特性は、図３に示すよ
うに、駆動用ＴＦＴ（４）のゲート電圧（Ｖg）を一定
にして、発光を開始する非発光輝度（Ｌoff）の発光し
きい電圧（Ｖtel）から所望の発光輝度（Ｌon）の電圧
（Ｖpk）までの間で駆動電圧を変化させることで、対応
した輝度が得られる。ここで、駆動電圧（５）が所望の
発光輝度の電圧（Ｖpk）に等しいときに、データ電圧
(Ｖda)をわずかに変化させるだけで輝度が大幅に変化す
る。この輝度特性を図４に示す。図５の駆動タイミング
において、データ電圧（Ｖda）は、書き込み用ＴＦＴ
（１）のゲートに走査電圧（Ｖsc）が印加されると、保
持用コンデンサ（２）に図５（ｄ）のように充電または
放電が行われた後走査電圧が除かれると、書き込み用Ｔ
ＦＴのゲート-ソース間容量と保持用コンデンサとのフ
ィードスルーによってΔＶgh電圧が低下したところで保
持され駆動用ＴＦＴ（４）のゲート電圧（Ｖg）として
作用する。このゲート電圧は、駆動用ＴＦＴのドレイン
電流特性を制御し、ＥＬ素子（３）に印加される駆動電
圧を変化させ、輝度変調を行う。したがって、変調輝度
範囲(ＬoffからＬonまで)に対応する駆動用ＴＦＴ
（４）の電流特性で、そのゲート電圧幅が決定され、こ
れにフィードスルー降下電圧を加えることにより所望の
輝度を得るためのデータ電圧（Ｖda）を求めることがで
きる。
【０００７】そこで、図２に示すＥＬ駆動用ＴＦＴ
（４）及び電流制御用抵抗（６）とで構成される部分に
おいて、駆動用ＴＦＴ（４）のゲート電圧（Ｖg）に対
する駆動用ＴＦＴ（４）の電流特性ならびにその回路で
駆動したときの輝度特性で以下に説明する。飽和領域に
おけるＴＦＴのドレイン電流（Ｉd）-ゲート電圧（Ｖ
g）特性は以下のようにして求められる。図２に示すＥ
Ｌ駆動部において、まず、電流抑制用抵抗（６）のない
ときのＩd-Ｖg特性は、チャネル幅Ｗ、チャネル長Ｌ、
移動度μ、ゲート絶縁膜容量Ｃi、スレショルド電圧Ｖt
h、について一般に(1)式で表わされる。 Ｉd＝(1/2)(Ｗ／Ｌ)μＣi(Ｖg-Ｖth)2 (1) ここで、電流抑制用抵抗（６）をソースに挿入すると
(1)式は、(2)、(3)式で表わされる。 Ｉd＝(1/2)(Ｗ／Ｌ)μＣi(Ｖg-Ｖth-Ｖs)2 (2) Ｖs＝Ｉd×Ｒs (3) ここでＲsは電流抑制用抵抗値でありＶsはソース電圧
(2)、(3)式をＩdについて解くと、(4)式が得られる。
（４）及び電流制御用抵抗（６）とで構成される部分に
おいて、駆動用ＴＦＴ（４）のゲート電圧（Ｖg）に対
する駆動用ＴＦＴ（４）の電流特性ならびにその回路で
駆動したときの輝度特性で以下に説明する。飽和領域に
おけるＴＦＴのドレイン電流（Ｉd）-ゲート電圧（Ｖ
g）特性は以下のようにして求められる。図２に示すＥ
Ｌ駆動部において、まず、電流抑制用抵抗（６）のない
ときのＩd-Ｖg特性は、チャネル幅Ｗ、チャネル長Ｌ、
移動度μ、ゲート絶縁膜容量Ｃi、スレショルド電圧Ｖt
h、について一般に(1)式で表わされる。 Ｉd＝(1/2)(Ｗ／Ｌ)μＣi(Ｖg-Ｖth)2 (1) ここで、電流抑制用抵抗（６）をソースに挿入すると
(1)式は、(2)、(3)式で表わされる。 Ｉd＝(1/2)(Ｗ／Ｌ)μＣi(Ｖg-Ｖth-Ｖs)2 (2) Ｖs＝Ｉd×Ｒs (3) ここでＲsは電流抑制用抵抗値でありＶsはソース電圧
(2)、(3)式をＩdについて解くと、(4)式が得られる。
【０００８】
【数１】
【０００９】ここで、Ｋ＝(1/2)(Ｗ／Ｌ)μＣiであり、
Ｖg-Ｖth≦０であれば、Ｉd＝０となるから、(4)式で表
わされる特性は、図６に示すように、ゲート電圧が高く
なるに従って電流が抑制されることになる。そのため、
電流抑制用抵抗のないときの特性(1)から電流抑制用抵
抗を挿入した特性(2)になり、飽和輝度および非発光輝
度のときのＥＬ駆動電流（Ｉd）に対応するゲート電圧
（Ｖg）がそれぞれ、Ｖgh1からＶgh1'、Ｖgh2からＶg
h2'に変わる。ここで、(Ｖgh1'-Ｖgh1)＞（Ｖgh2'-Ｖgh
2）となっているから、拡張した変調ゲート電圧幅は、
(Ｖgh1'-Ｖgh1)-(Ｖgh2'-Ｖgh2)になり、ゲート電圧
（Ｖｇ）に対する輝度（Ｌ）は図７に示すように電流抑
制用抵抗（６）のないときの特性曲線（１）から電流抑
制用抵抗を挿入したときの特性曲線（２）に移り、変調
ゲート電圧幅（Ｖghm）を広げることができる。
Ｖg-Ｖth≦０であれば、Ｉd＝０となるから、(4)式で表
わされる特性は、図６に示すように、ゲート電圧が高く
なるに従って電流が抑制されることになる。そのため、
電流抑制用抵抗のないときの特性(1)から電流抑制用抵
抗を挿入した特性(2)になり、飽和輝度および非発光輝
度のときのＥＬ駆動電流（Ｉd）に対応するゲート電圧
（Ｖg）がそれぞれ、Ｖgh1からＶgh1'、Ｖgh2からＶg
h2'に変わる。ここで、(Ｖgh1'-Ｖgh1)＞（Ｖgh2'-Ｖgh
2）となっているから、拡張した変調ゲート電圧幅は、
(Ｖgh1'-Ｖgh1)-(Ｖgh2'-Ｖgh2)になり、ゲート電圧
（Ｖｇ）に対する輝度（Ｌ）は図７に示すように電流抑
制用抵抗（６）のないときの特性曲線（１）から電流抑
制用抵抗を挿入したときの特性曲線（２）に移り、変調
ゲート電圧幅（Ｖghm）を広げることができる。
【００１０】第２の実施例 図１０の従来回路の駆動用ＴＦＴ（４）ソースとＧＮＤ
間にそのまま電流抑制用抵抗（６）を挿入すると、図８
に示すように、従来の特性曲線(1)が特性曲線(2)の様に
寝たものとなり駆動用ＴＦＴのドレイン電流（Ｉd）が
減少する方向に作用するため、所望の輝度を得るために
は電流抑制用抵抗を挿入しない場合に比べてデータ電圧
（Ｖda）をさらに上げる必要があるが、これは、データ
ドライバの駆動電圧が高くなり、安価な低電圧ドライバ
の範囲を超える恐れもあるし、消費電力の増大も引き起
こす不都合がある。そこで、図８において、電流制限用
抵抗(６)を挿入することによって同一のゲート電圧（Ｖ
g）を印加してもドレイン電流（Ｉd）は従来の特性曲線
(1)から特性曲線(2)の様に低下してしまうところを、発
光飽和ゲート電圧（Ｖgh1）のところでの従来のドレイ
ン電流（Ｉd）が得られるような特性曲線（３）を得れ
ばデータ電圧を上げることなしに変調ゲート電圧幅（Ｖ
ghm'）を広げることができる。(3)のような特性曲線を
得るためには、駆動用ＴＦＴ（４）のチャネル幅Ｗとチ
ャネル長Ｌの比すなわちＷ／Ｌを大きくすることによ
り、発光飽和ゲート電圧（Ｖgh1）を変えることなく非
発光最大ゲート電圧をＶgh2からＶgh2'にまで低下させ
ることができ、変調ゲート電圧幅Ｖghmを(Ｖgh1-Ｖgh2)
から(Ｖgh1-Ｖgh2')に拡大することができる。この方法
によって、従来と同じ最大データ電圧の範囲で、階調表
示の駆動が可能になる。尚、駆動用TFT（４）のドレイ
ン電流(Ｉd)を増大させる方法として、(1)式によれば、
移動度(μ)またはゲート絶縁膜容量(Ｃi)を大きくする
方法でも可能であるが、これらは、製造プロセス条件の
変更や、薄膜ＥＬの全体構造のデザイン変更を必要と
し、また、制御方法が困難で可変範囲が狭いため、Ｗ／
Ｌのサイズ変更に比べて容易ではない。
間にそのまま電流抑制用抵抗（６）を挿入すると、図８
に示すように、従来の特性曲線(1)が特性曲線(2)の様に
寝たものとなり駆動用ＴＦＴのドレイン電流（Ｉd）が
減少する方向に作用するため、所望の輝度を得るために
は電流抑制用抵抗を挿入しない場合に比べてデータ電圧
（Ｖda）をさらに上げる必要があるが、これは、データ
ドライバの駆動電圧が高くなり、安価な低電圧ドライバ
の範囲を超える恐れもあるし、消費電力の増大も引き起
こす不都合がある。そこで、図８において、電流制限用
抵抗(６)を挿入することによって同一のゲート電圧（Ｖ
g）を印加してもドレイン電流（Ｉd）は従来の特性曲線
(1)から特性曲線(2)の様に低下してしまうところを、発
光飽和ゲート電圧（Ｖgh1）のところでの従来のドレイ
ン電流（Ｉd）が得られるような特性曲線（３）を得れ
ばデータ電圧を上げることなしに変調ゲート電圧幅（Ｖ
ghm'）を広げることができる。(3)のような特性曲線を
得るためには、駆動用ＴＦＴ（４）のチャネル幅Ｗとチ
ャネル長Ｌの比すなわちＷ／Ｌを大きくすることによ
り、発光飽和ゲート電圧（Ｖgh1）を変えることなく非
発光最大ゲート電圧をＶgh2からＶgh2'にまで低下させ
ることができ、変調ゲート電圧幅Ｖghmを(Ｖgh1-Ｖgh2)
から(Ｖgh1-Ｖgh2')に拡大することができる。この方法
によって、従来と同じ最大データ電圧の範囲で、階調表
示の駆動が可能になる。尚、駆動用TFT（４）のドレイ
ン電流(Ｉd)を増大させる方法として、(1)式によれば、
移動度(μ)またはゲート絶縁膜容量(Ｃi)を大きくする
方法でも可能であるが、これらは、製造プロセス条件の
変更や、薄膜ＥＬの全体構造のデザイン変更を必要と
し、また、制御方法が困難で可変範囲が狭いため、Ｗ／
Ｌのサイズ変更に比べて容易ではない。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、簡単な構成を付加する
だけで、階調表示データ電圧幅を拡大できるため、マト
リックス回路のクロストーク、データ書き込み保持回路
のバラツキ等に起因する誤差分に対する許容幅が拡大で
き、所望の階調レベルを安定した均一な輝度の表示画面
で得ることができる。さらに本発明の第２の実施例によ
れば、発光飽和ゲート電圧（Ｖgh1）を上げることなく
変調ゲート電圧幅（Ｖghm）を広げることができるの
で、従来のデータドライバの最大駆動電圧範囲を超える
ことなく、階調表示の駆動が可能となる。
だけで、階調表示データ電圧幅を拡大できるため、マト
リックス回路のクロストーク、データ書き込み保持回路
のバラツキ等に起因する誤差分に対する許容幅が拡大で
き、所望の階調レベルを安定した均一な輝度の表示画面
で得ることができる。さらに本発明の第２の実施例によ
れば、発光飽和ゲート電圧（Ｖgh1）を上げることなく
変調ゲート電圧幅（Ｖghm）を広げることができるの
で、従来のデータドライバの最大駆動電圧範囲を超える
ことなく、階調表示の駆動が可能となる。
【図１】 本発明による１画素の駆動回路図。
【図２】 ＥＬ駆動用ＴＦＴに電流抑制抵抗を挿入した
ときの特性を説明するための回路構成図。
ときの特性を説明するための回路構成図。
【図３】 ゲート電圧を一定にしたときのＥＬ素子の駆
動電圧に対する輝度特性を示す図。
動電圧に対する輝度特性を示す図。
【図４】 駆動電圧を一定にしたときのＥＬ駆動用ＴＦ
Ｔのゲート電圧に対する輝度特性を示す図。
Ｔのゲート電圧に対する輝度特性を示す図。
【図５】 駆動回路の駆動タイミングとゲート電圧の特
性を示す図。
性を示す図。
【図６】 電流抑制抵抗を挿入したときのゲート電圧に
対するドレイン電流特性の変化を示す図。
対するドレイン電流特性の変化を示す図。
【図７】 図６の特性におけるデータ電圧に対する輝度
特性の変化を説明する図。
特性の変化を説明する図。
【図８】 電流抑制抵抗を挿入し、ＥＬ駆動用ＴＦＴ
（４）のＷ／Ｌを大きくしたときのゲート電圧に対する
電流特性の変化を示す図。
（４）のＷ／Ｌを大きくしたときのゲート電圧に対する
電流特性の変化を示す図。
【図９】 図８の特性におけるデータ電圧に対する輝度
特性の変化を説明する図。
特性の変化を説明する図。
【図１０】 従来の１画素の駆動回路構成図。
１.書き込み用ＴＦＴ、２.保持用コンデンサ、３.ＥＬ
発光素子、４.ＥＬ駆動用ＴＦＴ、６.電流抑制用抵抗、
５.ＥＬ駆動信号、Ｖda.データ信号、Ｖsc.走査信号、
Ｖg.ゲート電圧、Ｖd.ドレイン電圧、Ｖs.ソース電圧、
ｌd.ドレイン電流、Ｖtel.発光しきい電圧、Ｖpk.発光
時電圧、Ｖmod.変調電圧、Ｌoff.非発光時輝度、Ｌon.
発光時輝度、Ｖdh1.発光飽和データ電圧、Ｖdh2.非発光
最大データ電圧、Ｖdhm.変調データ電圧、Ｖgh1.Ｑdの
発光飽和ゲート電圧、Ｖgh2.Ｑdの非発光最大ゲート電
圧、Ｖghm.Ｑdの変調ゲート電圧、Ｖgh.書き込みデータ
電圧の最大電圧、Ｖg.ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電圧、
ΔＶgh.フィードスルー降下電圧
発光素子、４.ＥＬ駆動用ＴＦＴ、６.電流抑制用抵抗、
５.ＥＬ駆動信号、Ｖda.データ信号、Ｖsc.走査信号、
Ｖg.ゲート電圧、Ｖd.ドレイン電圧、Ｖs.ソース電圧、
ｌd.ドレイン電流、Ｖtel.発光しきい電圧、Ｖpk.発光
時電圧、Ｖmod.変調電圧、Ｌoff.非発光時輝度、Ｌon.
発光時輝度、Ｖdh1.発光飽和データ電圧、Ｖdh2.非発光
最大データ電圧、Ｖdhm.変調データ電圧、Ｖgh1.Ｑdの
発光飽和ゲート電圧、Ｖgh2.Ｑdの非発光最大ゲート電
圧、Ｖghm.Ｑdの変調ゲート電圧、Ｖgh.書き込みデータ
電圧の最大電圧、Ｖg.ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電圧、
ΔＶgh.フィードスルー降下電圧
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０９Ｇ 3/12 9176−5Ｇ 3/30 Ｚ 9176−5Ｇ
Claims (2)
- 【請求項１】 発光信号に応じて蓄積用コンデンサを充
電する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）からなる第１のスイ
ッチング素子と、前記蓄積用コンデンサからの電圧に応
じてスイッチング動作しエレクロトルミネッセンス素子
（ＥＬ素子）と接地（ＧＮＤ）との接続を制御すること
で前記ＥＬ素子の発光を制御するＴＦＴからなる第２の
スイッチング素子とを有する薄膜ＥＬの駆動装置におい
て、 前記第２のＴＦＴと前記ＧＮＤとの間に前記蓄積コンデ
ンサからの電圧に応じて前記ＥＬ素子の駆動電流を抑制
する電流制御抵抗を挿入することを特徴とする薄膜ＥＬ
の駆動装置。 - 【請求項２】 発光信号に応じて蓄積用コンデンサを充
電する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）からなる第１のスイ
ッチング素子と、前記蓄積用コンデンサからの電圧に応
じてスイッチング動作しエレクロトルミネッセンス素子
（ＥＬ素子）と接地（ＧＮＤ）との接続を制御すること
で前記ＥＬ素子の発光を制御するＴＦＴからなる第２の
スイッチング素子とを有する薄膜ＥＬの駆動方法におい
て、 前記第２のＴＦＴと前記ＧＮＤとの間に電流制御抵抗を
挿入することによりゲート電圧が高くなるにしたがって
前記第２のＴＦＴのドレイン電流を抑制し、 前記第２のＴＦＴのドレイン電流を抑制することで前記
第２のＴＦＴの前記ＥＬ素子の輝度が飽和するまでのゲ
ート電圧と非発光時のゲート電圧との差を拡大し、 この拡大した差の間の電圧を選択することで選択した電
圧に応じた輝度を得ることを特徴とする薄膜ＥＬの駆動
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25601891A JPH0574569A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 薄膜ｅｌの駆動装置およびその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25601891A JPH0574569A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 薄膜ｅｌの駆動装置およびその駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574569A true JPH0574569A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17286771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25601891A Pending JPH0574569A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 薄膜ｅｌの駆動装置およびその駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0574569A (ja) |
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- 1991-09-09 JP JP25601891A patent/JPH0574569A/ja active Pending
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