JPH0574690A - 電子ビーム描画方法 - Google Patents
電子ビーム描画方法Info
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- JPH0574690A JPH0574690A JP3231637A JP23163791A JPH0574690A JP H0574690 A JPH0574690 A JP H0574690A JP 3231637 A JP3231637 A JP 3231637A JP 23163791 A JP23163791 A JP 23163791A JP H0574690 A JPH0574690 A JP H0574690A
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- Japan
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- pattern
- field
- electron beam
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、重ね描画及びドーズ量制御を行
うことなく、又、描画用のパターンのデータ量の増加を
必要最小限に抑制してスループットに悪影響を与えるこ
となく、プリント基板等の広い領域の描画が可能な電子
ビーム描画方法を得る。 【構成】 描画位置指定領域となるフィールドfaの中心
Ｃを最大偏向領域２の中心と一致させると共に、フィー
ルドのＸＹ方向の大きさＦを、それぞれ最大偏向領域の
大きさＡよりも描画用のパターン11及び12の最大幅Ｐだ
け小さく設定し、最大偏向領域の範囲内で複数のフィー
ルドにまたがるパターンを分割せずに描画し、描画用の
パターンの最大幅の１／２の長さを電子ビームの偏向量
で補う。
うことなく、又、描画用のパターンのデータ量の増加を
必要最小限に抑制してスループットに悪影響を与えるこ
となく、プリント基板等の広い領域の描画が可能な電子
ビーム描画方法を得る。 【構成】 描画位置指定領域となるフィールドfaの中心
Ｃを最大偏向領域２の中心と一致させると共に、フィー
ルドのＸＹ方向の大きさＦを、それぞれ最大偏向領域の
大きさＡよりも描画用のパターン11及び12の最大幅Ｐだ
け小さく設定し、最大偏向領域の範囲内で複数のフィー
ルドにまたがるパターンを分割せずに描画し、描画用の
パターンの最大幅の１／２の長さを電子ビームの偏向量
で補う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、電子ビームを用いて
パターンを直接描画するための電子ビーム描画方法に関
し、特にプリント基板等の広い領域のパターンを少ない
データ量で描画できる電子ビーム描画方法に関するもの
である。
パターンを直接描画するための電子ビーム描画方法に関
し、特にプリント基板等の広い領域のパターンを少ない
データ量で描画できる電子ビーム描画方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体集積回路等の狭い範囲
の領域にパターンを描画する場合、ホトマスクやウェハ
の表面に電子ビームで直接パターンを描画する装置が用
いられている。この種の装置においては、電子ビームの
偏向により描画可能な最大偏向領域と、電子ビームが照
射されるＸＹテーブルの１回の移動距離に相当するフィ
ールドとを組み合わせ、所定範囲のパターンデータを描
画する電子ビーム描画方法が適用される。
の領域にパターンを描画する場合、ホトマスクやウェハ
の表面に電子ビームで直接パターンを描画する装置が用
いられている。この種の装置においては、電子ビームの
偏向により描画可能な最大偏向領域と、電子ビームが照
射されるＸＹテーブルの１回の移動距離に相当するフィ
ールドとを組み合わせ、所定範囲のパターンデータを描
画する電子ビーム描画方法が適用される。
【０００３】図５は例えば特開平2-299220号公報に記載
された従来の電子ビーム描画方法が適用されるパターン
データを示す説明図であり、図において、１は描画対象
となる所定範囲のパターンデータである。f1〜f6はパタ
ーンデータ１内の各描画位置指定領域となるフィールド
であり、ＸＹテーブルの１回の移動距離に相当する。
された従来の電子ビーム描画方法が適用されるパターン
データを示す説明図であり、図において、１は描画対象
となる所定範囲のパターンデータである。f1〜f6はパタ
ーンデータ１内の各描画位置指定領域となるフィールド
であり、ＸＹテーブルの１回の移動距離に相当する。
【０００４】３は各フィールドf1〜f6のつなぎ部分とな
る境界線、４は２つのフィールドf2及びf3に属して境界
線３にまたがるパターン、５はフィールドf2のみに属す
るパターン、６はフィールドf3のみに属するパターンで
ある。尚、ここでは図示しないが、電子ビームの偏向に
より描画可能な最大偏向領域は各フィールドより広範囲
であり、パターン４は、各フィールドf2及びf3を基準に
したときにそれぞれ最大偏向領域内に配置されているも
のとする。
る境界線、４は２つのフィールドf2及びf3に属して境界
線３にまたがるパターン、５はフィールドf2のみに属す
るパターン、６はフィールドf3のみに属するパターンで
ある。尚、ここでは図示しないが、電子ビームの偏向に
より描画可能な最大偏向領域は各フィールドより広範囲
であり、パターン４は、各フィールドf2及びf3を基準に
したときにそれぞれ最大偏向領域内に配置されているも
のとする。
【０００５】次に、図５を参照しながら、従来の電子ビ
ーム描画方法について説明する。各パターン４〜６を描
画する場合、まず、ＸＹテーブルをフィールドf2の描画
位置に設定し、電子ビームの偏向によりパターン４及び
５を描画する。次に、ＸＹテーブルを１フィールド分だ
け移動させてフィールドf3の描画位置に設定し、同様に
電子ビームの偏向によりパターン４及び６を描画する。
ーム描画方法について説明する。各パターン４〜６を描
画する場合、まず、ＸＹテーブルをフィールドf2の描画
位置に設定し、電子ビームの偏向によりパターン４及び
５を描画する。次に、ＸＹテーブルを１フィールド分だ
け移動させてフィールドf3の描画位置に設定し、同様に
電子ビームの偏向によりパターン４及び６を描画する。
【０００６】このとき、境界線３にまたがるパターン４
については、電子ビームの偏向領域中心から離れている
ため、各フィールドf2及びf3から重ね描画することによ
り、電子ビームの偏向誤差を吸収して高精度の描画が行
われる。又、パターン４は、電子ビームの偏向を用いて
切らずに重ね描画されるので、それぞれ、１／２のドー
ズ量(電子ビームの照射エネルギ量)で描画される。
については、電子ビームの偏向領域中心から離れている
ため、各フィールドf2及びf3から重ね描画することによ
り、電子ビームの偏向誤差を吸収して高精度の描画が行
われる。又、パターン４は、電子ビームの偏向を用いて
切らずに重ね描画されるので、それぞれ、１／２のドー
ズ量(電子ビームの照射エネルギ量)で描画される。
【０００７】このように、半導体集積回路等の狭い領域
のパターンデータ１の描画に際しては、フィールドにま
たがるパターン４が電子ビームの最大偏向領域内に位置
するため、ドーズ量を１／２に制御して重ね描画するこ
とにより、有効に高精度の描画が行われる。
のパターンデータ１の描画に際しては、フィールドにま
たがるパターン４が電子ビームの最大偏向領域内に位置
するため、ドーズ量を１／２に制御して重ね描画するこ
とにより、有効に高精度の描画が行われる。
【０００８】しかし、プリント基板等の広い領域のパタ
ーンデータを描画する場合には、最大偏向領域を越える
パターンが存在してしまうため、描画することはできな
い。又、ＸＹテーブルを移動させても、１つのフィール
ドが小さいため、多くの時間を費やしてしまう。
ーンデータを描画する場合には、最大偏向領域を越える
パターンが存在してしまうため、描画することはできな
い。又、ＸＹテーブルを移動させても、１つのフィール
ドが小さいため、多くの時間を費やしてしまう。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来の電子ビーム描画
方法は以上のように、広い描画領域を全く考慮せずに、
半導体集積回路等の狭い領域を対象としているので、複
数のフィールドに属するパターンに対してはドーズ量を
制御しながら重ね描画しており、データ量が増大してス
ループットに悪影響を与えるうえ、広い領域のパターン
データの描画ができないという問題点があった。
方法は以上のように、広い描画領域を全く考慮せずに、
半導体集積回路等の狭い領域を対象としているので、複
数のフィールドに属するパターンに対してはドーズ量を
制御しながら重ね描画しており、データ量が増大してス
ループットに悪影響を与えるうえ、広い領域のパターン
データの描画ができないという問題点があった。
【００１０】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、重ね描画及びドーズ量制御を行
うことなく、又、描画用のパターンのデータ量の増加を
必要最小限に抑制してスループットに悪影響を与えるこ
となく、プリント基板等の広い領域の描画が可能な電子
ビーム描画方法を得ることを目的とする。
ためになされたもので、重ね描画及びドーズ量制御を行
うことなく、又、描画用のパターンのデータ量の増加を
必要最小限に抑制してスループットに悪影響を与えるこ
となく、プリント基板等の広い領域の描画が可能な電子
ビーム描画方法を得ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明に係る電子ビー
ム描画方法は、描画位置指定領域となるフィールドの中
心を最大偏向領域の中心と一致させると共に、フィール
ドのＸＹ方向の大きさを、それぞれ最大偏向領域よりも
描画用のパターンの最大幅だけ小さく設定し、最大偏向
領域の範囲内で複数のフィールドにまたがるパターンを
分割せずに描画するようにしたものである。
ム描画方法は、描画位置指定領域となるフィールドの中
心を最大偏向領域の中心と一致させると共に、フィール
ドのＸＹ方向の大きさを、それぞれ最大偏向領域よりも
描画用のパターンの最大幅だけ小さく設定し、最大偏向
領域の範囲内で複数のフィールドにまたがるパターンを
分割せずに描画するようにしたものである。
【００１２】又、この発明に係る電子ビーム描画方法
は、最大偏向領域を越えて複数のフィールドにまたがる
パターンを、フィールドの境界線を基準として分割し、
分割された各部分パターンをフィールド毎に個別に描画
するようにしたものである。
は、最大偏向領域を越えて複数のフィールドにまたがる
パターンを、フィールドの境界線を基準として分割し、
分割された各部分パターンをフィールド毎に個別に描画
するようにしたものである。
【００１３】
【作用】この発明においては、最大偏向領域を越えずに
境界線にまたがる例えばランド状のパターンに対して
は、パターンを分割せずに、パターンの中心座標が含ま
れるフィールドで描画する。このとき、描画用のパター
ンの最大幅の１／２の長さを電子ビームの偏向量で補
い、重ね描画及びドーズ量制御を不要とし、又、データ
量の増加を抑制してスループットに悪影響を与えない。
境界線にまたがる例えばランド状のパターンに対して
は、パターンを分割せずに、パターンの中心座標が含ま
れるフィールドで描画する。このとき、描画用のパター
ンの最大幅の１／２の長さを電子ビームの偏向量で補
い、重ね描画及びドーズ量制御を不要とし、又、データ
量の増加を抑制してスループットに悪影響を与えない。
【００１４】又、この発明においては、最大偏向領域を
越えて境界線にまたがる例えば直線状のパターンに対し
ては、パターンを境界線で分割して描画する。このと
き、パターンの線幅及び寸法等を意識せずにパターンを
描画すると共に、分割部分において描画用のパターンの
最大幅の１／２の長さを電子ビームの偏向量で補い、重
ね描画及びドーズ量制御を不要とし、又、データ量の増
加を抑制してスループットに悪影響を与えない。
越えて境界線にまたがる例えば直線状のパターンに対し
ては、パターンを境界線で分割して描画する。このと
き、パターンの線幅及び寸法等を意識せずにパターンを
描画すると共に、分割部分において描画用のパターンの
最大幅の１／２の長さを電子ビームの偏向量で補い、重
ね描画及びドーズ量制御を不要とし、又、データ量の増
加を抑制してスループットに悪影響を与えない。
【００１５】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１はこの発明の一実施例が適用される最大偏向
領域、フィールド及びパターンを示す説明図であり、３
は前述と同様のものである。２は電子ビームの偏向によ
り描画可能な範囲を示す最大偏向領域であり、図示しな
い電子ビーム照射装置の仕様等により決定される。
する。図１はこの発明の一実施例が適用される最大偏向
領域、フィールド及びパターンを示す説明図であり、３
は前述と同様のものである。２は電子ビームの偏向によ
り描画可能な範囲を示す最大偏向領域であり、図示しな
い電子ビーム照射装置の仕様等により決定される。
【００１６】fa〜fcはf1〜f6に対応するフィールドであ
り、この場合、１つのフィールドの大きさは、前述のフ
ィールドf1〜f6に比べて非常に大きくなっている。Ｃは
フィールドfaの中心であり、最大偏向領域２の中心と一
致している。各フィールドfa〜fcのＸＹ方向の大きさＦ
は、それぞれ最大偏向領域２の大きさＡよりも描画用の
パターンの最大幅Ｐだけ小さく設定されており、Ｆ＝Ａ
−Ｐで表わされる。
り、この場合、１つのフィールドの大きさは、前述のフ
ィールドf1〜f6に比べて非常に大きくなっている。Ｃは
フィールドfaの中心であり、最大偏向領域２の中心と一
致している。各フィールドfa〜fcのＸＹ方向の大きさＦ
は、それぞれ最大偏向領域２の大きさＡよりも描画用の
パターンの最大幅Ｐだけ小さく設定されており、Ｆ＝Ａ
−Ｐで表わされる。
【００１７】11は丸形(又は角形)で内部が塗りつぶされ
たランド状のパターンであり、中心11ａがフィールドfa
に属しており、これと隣接するフィールドfbにまたがっ
ている。12は通常の配線に用いられる直線状のパターン
であり、始点12a及び終点12bが共にフィールドfaに属し
ている。この場合、各パターン11及び12は、境界線３に
またがっており、隣接するフィールドfb及びfcに属する
部分を有しているが、中心Ｃの最大偏向領域２の範囲内
に位置している。
たランド状のパターンであり、中心11ａがフィールドfa
に属しており、これと隣接するフィールドfbにまたがっ
ている。12は通常の配線に用いられる直線状のパターン
であり、始点12a及び終点12bが共にフィールドfaに属し
ている。この場合、各パターン11及び12は、境界線３に
またがっており、隣接するフィールドfb及びfcに属する
部分を有しているが、中心Ｃの最大偏向領域２の範囲内
に位置している。
【００１８】図２はフィールドfaに隣接するフィールド
fb及びfcに属するパターンを示す説明図であり、13はフ
ィールドfbに属する直線状のパターン、13a及び13bはパ
ターン13の始点及び終点、14はフィールドfcに属するラ
ンド状のパターン、14ａはパターン14の中心である。
fb及びfcに属するパターンを示す説明図であり、13はフ
ィールドfbに属する直線状のパターン、13a及び13bはパ
ターン13の始点及び終点、14はフィールドfcに属するラ
ンド状のパターン、14ａはパターン14の中心である。
【００１９】次に、図１及び図２を参照しながら、この
発明の一実施例について具体的に説明する。前述のよう
に、パターン11及び12は、フィールドfaに隣接したフィ
ールドfb及びfcに一部が侵入しているが、最大偏向領域
２の範囲内に位置している。このように最大偏向領域２
内で複数のフィールドにまたがるパターン11及び12は、
境界線３で分割せずに電子ビームの偏向により描画する
ことができる。
発明の一実施例について具体的に説明する。前述のよう
に、パターン11及び12は、フィールドfaに隣接したフィ
ールドfb及びfcに一部が侵入しているが、最大偏向領域
２の範囲内に位置している。このように最大偏向領域２
内で複数のフィールドにまたがるパターン11及び12は、
境界線３で分割せずに電子ビームの偏向により描画する
ことができる。
【００２０】この場合、描画対象が大領域であり、例え
ばプリント基板上の配線パターンであるから、前述のＬ
ＳＩパターン等の描画精度は要求されないので、重ね描
画及びドーズ量制御は不要である。
ばプリント基板上の配線パターンであるから、前述のＬ
ＳＩパターン等の描画精度は要求されないので、重ね描
画及びドーズ量制御は不要である。
【００２１】従って、図２に示したパターン11〜14を描
画する場合、まず、ＸＹテーブルをフィールドfaに位置
決めさせ、中心11ａ、始点12ａ及び終点12ｂがフィール
ドfaに属するパターン11及び12を描画する。
画する場合、まず、ＸＹテーブルをフィールドfaに位置
決めさせ、中心11ａ、始点12ａ及び終点12ｂがフィール
ドfaに属するパターン11及び12を描画する。
【００２２】続いて、ＸＹテーブルをフィールドfbに位
置決めし、始点13ａ及び終点13ｂがフィールドfbに属す
るパターン13を描画する。更に、ＸＹテーブルをフィー
ルドfcに位置決めし、中心14ａがフィールドfcに属する
パターン14を描画する。
置決めし、始点13ａ及び終点13ｂがフィールドfbに属す
るパターン13を描画する。更に、ＸＹテーブルをフィー
ルドfcに位置決めし、中心14ａがフィールドfcに属する
パターン14を描画する。
【００２３】このように、最大偏向領域の大きさＡより
もパターンの最大幅Ｐだけ小さいフィールド範囲Ｆを設
定することにより、通常のパターン11〜14を、境界線３
で分割することなく、各フィールドfa〜fcに対して電子
ビームを各１回偏向照射するのみで描画することができ
る。
もパターンの最大幅Ｐだけ小さいフィールド範囲Ｆを設
定することにより、通常のパターン11〜14を、境界線３
で分割することなく、各フィールドfa〜fcに対して電子
ビームを各１回偏向照射するのみで描画することができ
る。
【００２４】例えば、最大偏向領域２を越えずに境界線
３にまたがるランド状のパターン11に対しては、パター
ン11を分割せずに、中心11ａの座標が含まれるフィール
ドfaで描画する。このとき、Ｐ／２の長さは電子ビーム
の偏向量で補われる。
３にまたがるランド状のパターン11に対しては、パター
ン11を分割せずに、中心11ａの座標が含まれるフィール
ドfaで描画する。このとき、Ｐ／２の長さは電子ビーム
の偏向量で補われる。
【００２５】尚、描画対象としてレジストマスクパター
ン等を形成する場合、電子ビームにより描画されたパタ
ーンは、後の処理で除去されず、その後のエッチング処
理により、描画部分に配線パターンが残ることになる。
ン等を形成する場合、電子ビームにより描画されたパタ
ーンは、後の処理で除去されず、その後のエッチング処
理により、描画部分に配線パターンが残ることになる。
【００２６】次に、最大偏向領域２を越えて複数のフィ
ールドにまたがるパターンを描画する場合について説明
する。図３において、10はプリント基板全体に対応する
広い領域のパターンデータ、20は４つのフィールドfa、
fb、fd及びfeにまたがる直線状のパターン、20ａ及び20
ｂはパターン20の始点及び終点、21〜24は境界線３で分
割されたパターン20の部分パターンである。
ールドにまたがるパターンを描画する場合について説明
する。図３において、10はプリント基板全体に対応する
広い領域のパターンデータ、20は４つのフィールドfa、
fb、fd及びfeにまたがる直線状のパターン、20ａ及び20
ｂはパターン20の始点及び終点、21〜24は境界線３で分
割されたパターン20の部分パターンである。
【００２７】図４はフィールドfaに属する部分パターン
21の境界線３との交差部を拡大して示す説明図であり、
21Ｂは隣接するフィールドfbに侵入した部分である。
21の境界線３との交差部を拡大して示す説明図であり、
21Ｂは隣接するフィールドfbに侵入した部分である。
【００２８】この場合、パターン20に関するデータは、
境界線３を基準に分割されるが、前述のようにフィール
ド範囲Ｆが最大偏向領域ＡよりＰ／２だけ内側に設定さ
れているので、図４のように境界線３が部分パターン21
の中心線とほぼ交差するように分割すれば、侵入部分21
Ｂが最大偏向領域２を越えることはない。従って、侵入
部分21Ｂは、Ｐ／２の範囲内となり、電子ビームの偏向
量で補われる。
境界線３を基準に分割されるが、前述のようにフィール
ド範囲Ｆが最大偏向領域ＡよりＰ／２だけ内側に設定さ
れているので、図４のように境界線３が部分パターン21
の中心線とほぼ交差するように分割すれば、侵入部分21
Ｂが最大偏向領域２を越えることはない。従って、侵入
部分21Ｂは、Ｐ／２の範囲内となり、電子ビームの偏向
量で補われる。
【００２９】この結果、分割された各部分パターン21〜
24は、フィールドfa、fb、fd及びfe毎に個別に描画され
る。このとき、境界線３に合わせてパターン20を高精度
に分割する必要はなく、ほぼ中心線の位置となるように
簡単な条件で分割すればよいので、簡単なアルゴリズム
で容易に分割でき、データ量が特に増大することはな
い。
24は、フィールドfa、fb、fd及びfe毎に個別に描画され
る。このとき、境界線３に合わせてパターン20を高精度
に分割する必要はなく、ほぼ中心線の位置となるように
簡単な条件で分割すればよいので、簡単なアルゴリズム
で容易に分割でき、データ量が特に増大することはな
い。
【００３０】このように、電子ビームの偏向のみで描画
不可能なパターン20に対しては、各フィールドの境界線
３で分割することにより、プリント基板等の広い領域に
おいても、重ね描画を行うことなく、又、パターンの線
幅及び寸法等を意識せずに描画することができる。従っ
て、ドーズ量制御が不要となるうえ、データ量の増加が
抑制され、広い領域の描画に際してもスループットに悪
影響を与えることがない。
不可能なパターン20に対しては、各フィールドの境界線
３で分割することにより、プリント基板等の広い領域に
おいても、重ね描画を行うことなく、又、パターンの線
幅及び寸法等を意識せずに描画することができる。従っ
て、ドーズ量制御が不要となるうえ、データ量の増加が
抑制され、広い領域の描画に際してもスループットに悪
影響を与えることがない。
【００３１】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、描画位
置指定領域となるフィールドの中心を最大偏向領域の中
心と一致させると共に、フィールドのＸＹ方向の大きさ
を、それぞれ最大偏向領域よりも描画用のパターンの最
大幅だけ小さく設定し、最大偏向領域の範囲内で複数の
フィールドにまたがるパターンを分割せずに描画し、描
画用のパターンの最大幅の１／２の長さを電子ビームの
偏向量で補うようにしたので、重ね描画及びドーズ量制
御を行うことなく、又、描画用のパターンのデータ量の
増加を必要最小限に抑制してスループットに悪影響を与
えることなく、プリント基板等の広い領域の描画が可能
な電子ビーム描画方法が得られる効果がある。
置指定領域となるフィールドの中心を最大偏向領域の中
心と一致させると共に、フィールドのＸＹ方向の大きさ
を、それぞれ最大偏向領域よりも描画用のパターンの最
大幅だけ小さく設定し、最大偏向領域の範囲内で複数の
フィールドにまたがるパターンを分割せずに描画し、描
画用のパターンの最大幅の１／２の長さを電子ビームの
偏向量で補うようにしたので、重ね描画及びドーズ量制
御を行うことなく、又、描画用のパターンのデータ量の
増加を必要最小限に抑制してスループットに悪影響を与
えることなく、プリント基板等の広い領域の描画が可能
な電子ビーム描画方法が得られる効果がある。
【００３２】又、この発明によれば、最大偏向領域を越
えて複数のフィールドにまたがるパターンを、フィール
ドの境界線を基準として分割し、分割された各部分パタ
ーンをフィールド毎に個別に描画するようにし、パター
ンの線幅及び寸法等を意識せずにパターンを描画すると
共に、分割部分において描画用のパターンの最大幅の１
／２の長さを電子ビームの偏向量で補うようにしたの
で、重ね描画及びドーズ量制御を行うことなく、又、デ
ータ量の増加を抑制してスループットに悪影響を与える
ことなく、ドーズ量を制御せずに、又、描画用のパター
ンのデータ量の増加を必要最小限に抑制して、プリント
基板等の広い領域の描画が可能な電子ビーム描画方法が
得られる効果がある。
えて複数のフィールドにまたがるパターンを、フィール
ドの境界線を基準として分割し、分割された各部分パタ
ーンをフィールド毎に個別に描画するようにし、パター
ンの線幅及び寸法等を意識せずにパターンを描画すると
共に、分割部分において描画用のパターンの最大幅の１
／２の長さを電子ビームの偏向量で補うようにしたの
で、重ね描画及びドーズ量制御を行うことなく、又、デ
ータ量の増加を抑制してスループットに悪影響を与える
ことなく、ドーズ量を制御せずに、又、描画用のパター
ンのデータ量の増加を必要最小限に抑制して、プリント
基板等の広い領域の描画が可能な電子ビーム描画方法が
得られる効果がある。
【図１】この発明の一実施例が適用される最大偏向領
域、フィールド及びパターンを示す説明図である。
域、フィールド及びパターンを示す説明図である。
【図２】この発明の一実施例が適用されるパターンを示
す説明図である。
す説明図である。
【図３】この発明の他の実施例が適用されるフィールド
及びパターンを示す説明図である。
及びパターンを示す説明図である。
【図４】図３内の部分パターンの一部を拡大して示す説
明図である。
明図である。
【図５】従来の電子ビーム描画方法が適用されるフィー
ルド及びパターンを示す説明図である。
ルド及びパターンを示す説明図である。
２ 最大偏向領域 ３ 境界線 10 パターンデータ 11〜14、20 パターン 21〜24 部分パターン Ａ 最大偏向領域の大きさ Ｃ フィールド及び最大偏向領域の中心 fa〜fe フィールド Ｆ フィールドの大きさ Ｐ パターンの最大幅
Claims (2)
- 【請求項１】 電子ビームの偏向により描画可能な最大
偏向領域と、前記電子ビームが照射されるＸＹテーブル
の１回の移動距離に相当するフィールドとを組み合わ
せ、所定のパターンデータを描画する電子ビーム描画方
法において、 描画位置指定領域となる前記フィールドの中心を前記最
大偏向領域の中心と一致させると共に、前記フィールド
のＸＹ方向の大きさを、それぞれ前記最大偏向領域より
も描画用のパターンの最大幅だけ小さく設定し、 前記最大偏向領域の範囲内で複数のフィールドにまたが
るパターンを分割せずに描画することを特徴とする電子
ビーム描画方法。 - 【請求項２】最大偏向領域を越えて複数のフィールドに
またがるパターンを、前記フィールドの境界線を基準と
して分割し、分割された各部分パターンをフィールド毎
に個別に描画することを特徴とする請求項１の電子ビー
ム描画方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3231637A JPH0574690A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 電子ビーム描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3231637A JPH0574690A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 電子ビーム描画方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574690A true JPH0574690A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16926628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3231637A Pending JPH0574690A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 電子ビーム描画方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0574690A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007242823A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子線描画データの作成方法 |
| JP2012209399A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び描画データの抽出方法 |
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1991
- 1991-09-11 JP JP3231637A patent/JPH0574690A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007242823A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子線描画データの作成方法 |
| JP2012209399A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び描画データの抽出方法 |
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