JPH0574853A - 半導体装置の接続構造 - Google Patents
半導体装置の接続構造Info
- Publication number
- JPH0574853A JPH0574853A JP3236325A JP23632591A JPH0574853A JP H0574853 A JPH0574853 A JP H0574853A JP 3236325 A JP3236325 A JP 3236325A JP 23632591 A JP23632591 A JP 23632591A JP H0574853 A JPH0574853 A JP H0574853A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- semiconductor device
- lead frame
- bonding
- bump
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ＴＡＢ式半導体装置のアウターリードに設ける
バンプの形状を、特異的な形状として、熱圧着時に発生
する歪を減少させ、従来以上の接合強度を得る。 【構成】アウターリード３上のバンプ２をバンプの形成
部の断面積より先端の面積が小さくなる例えば台形や錐
形としリードフレーム４との初期の接触面積を小さくす
る。 【効果】ボンディングツールによる熱圧着の際の荷重を
従来より低く抑え、この際に発生する歪を従来に比べ減
衰させるとともに、従来以上の接合強度が得られる。
バンプの形状を、特異的な形状として、熱圧着時に発生
する歪を減少させ、従来以上の接合強度を得る。 【構成】アウターリード３上のバンプ２をバンプの形成
部の断面積より先端の面積が小さくなる例えば台形や錐
形としリードフレーム４との初期の接触面積を小さくす
る。 【効果】ボンディングツールによる熱圧着の際の荷重を
従来より低く抑え、この際に発生する歪を従来に比べ減
衰させるとともに、従来以上の接合強度が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に係わり、さ
らに詳しくは、半導体素子とリードフレームとの接続方
法を改良した半導体装置に関するものである。
らに詳しくは、半導体素子とリードフレームとの接続方
法を改良した半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近の電子機器は、小型化、軽量化、高
機能化が著しく、これに伴って、半導体装置も、小形、
表面実装型、高密度実装の要求が強くなってきている。
このため、狭ピッチ、多リードの半導体装置を、キャリ
アフィルム上に形成した回路パターンに接続した半導体
素子をリードフレームに実装することにより実現してい
る。
機能化が著しく、これに伴って、半導体装置も、小形、
表面実装型、高密度実装の要求が強くなってきている。
このため、狭ピッチ、多リードの半導体装置を、キャリ
アフィルム上に形成した回路パターンに接続した半導体
素子をリードフレームに実装することにより実現してい
る。
【０００３】図２は、従来の半導体装置の例であり、キ
ャリアフィルムに設けられた回路パターンのインナーリ
ードに半導体素子を接続した半導体装置（以下ＴＡＢ式
半導体装置と呼ぶ）で、図２（ａ）は平面図、図２
（ｂ）はそのＡＡ断面図である。上記装置はポリイミド
等の絶縁耐熱性を有するフィルムからなり、所定の間隔
で多数のデバイスホール１０が設けられた例えば３００
メートル位のキャリアフィルム７に、各デバイスホール
毎に銅箔等からなる多数の回路パターン１６を形成して
その一端をデバイスホールに突出させ、インナーリード
８とする。そして、デバイスホールに半導体素子を配置
し、その各電極にボンディングツールによりインナーリ
ードを接続して回路パターンを一点鎖線の位置で１１で
切断した物である。なお、回路パターンの下面には例え
ば金メッキが施してある。また、アウターリード３ａに
はハーフエッチング等によりバンプが形成されており、
リードフレームのリードとの熱圧着による接合の際に、
その接合強度の増加の助けとなる。
ャリアフィルムに設けられた回路パターンのインナーリ
ードに半導体素子を接続した半導体装置（以下ＴＡＢ式
半導体装置と呼ぶ）で、図２（ａ）は平面図、図２
（ｂ）はそのＡＡ断面図である。上記装置はポリイミド
等の絶縁耐熱性を有するフィルムからなり、所定の間隔
で多数のデバイスホール１０が設けられた例えば３００
メートル位のキャリアフィルム７に、各デバイスホール
毎に銅箔等からなる多数の回路パターン１６を形成して
その一端をデバイスホールに突出させ、インナーリード
８とする。そして、デバイスホールに半導体素子を配置
し、その各電極にボンディングツールによりインナーリ
ードを接続して回路パターンを一点鎖線の位置で１１で
切断した物である。なお、回路パターンの下面には例え
ば金メッキが施してある。また、アウターリード３ａに
はハーフエッチング等によりバンプが形成されており、
リードフレームのリードとの熱圧着による接合の際に、
その接合強度の増加の助けとなる。
【０００４】上記のようなＴＡＢ式半導体装置をリード
フレームに実装するには、リードフレームのデバイスホ
ールに上記装置を配置し、その各アウターリードをリー
ドフレームのリードに整合させる。なお、前記リードフ
レームのリード状には例えば銀メッキが施してある。そ
してヒーターを内蔵したボンディングツールによりアウ
ターリードを熱加圧すれば、それぞれのメッキが溶融
し、両者は強固に熱圧着される。
フレームに実装するには、リードフレームのデバイスホ
ールに上記装置を配置し、その各アウターリードをリー
ドフレームのリードに整合させる。なお、前記リードフ
レームのリード状には例えば銀メッキが施してある。そ
してヒーターを内蔵したボンディングツールによりアウ
ターリードを熱加圧すれば、それぞれのメッキが溶融
し、両者は強固に熱圧着される。
【０００５】ＴＡＢ式半導体装置を搭載したリードフレ
ームを、図３のようにリードフレームから内側を例えば
エポキシ樹脂１４で封止して、リードフレームより切り
放し成形すれば、半導体装置の製造は終了する。
ームを、図３のようにリードフレームから内側を例えば
エポキシ樹脂１４で封止して、リードフレームより切り
放し成形すれば、半導体装置の製造は終了する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前述のようにＴＡＢ式
半導体装置の実装を行った場合、ボンディングツールの
熱加圧によって発生する伸縮等により生ずる歪は、前記
装置のインナーリード、アウターリード双方に悪影響を
与え、場合によっては接合時にアウターリード上のバン
プが形成部より折れたり、半導体素子からインナーリー
ドが外れてしまうという問題点を有する。
半導体装置の実装を行った場合、ボンディングツールの
熱加圧によって発生する伸縮等により生ずる歪は、前記
装置のインナーリード、アウターリード双方に悪影響を
与え、場合によっては接合時にアウターリード上のバン
プが形成部より折れたり、半導体素子からインナーリー
ドが外れてしまうという問題点を有する。
【０００７】そこで本発明は、上記の課題を解決すべく
なされたもので、ＴＡＢ式半導体装置のアウターリード
に設けられたバンプを特異的な形状とすることにより、
十分な接合強度を得るために接合時に必要とされる熱加
圧を低荷重におさえ、接合時に発生する歪を低減させ、
かつ、従来以上の接合強度を得ることを目的としたもの
である。
なされたもので、ＴＡＢ式半導体装置のアウターリード
に設けられたバンプを特異的な形状とすることにより、
十分な接合強度を得るために接合時に必要とされる熱加
圧を低荷重におさえ、接合時に発生する歪を低減させ、
かつ、従来以上の接合強度を得ることを目的としたもの
である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる半導体装
置は、半導体素子の電極に、絶縁性フィルムに形成した
回路パターンのインナーリードをそれぞれ接続して、外
形切断した、回路パターンのアウターリードにバンプを
有するＴＡＢ式半導体装置と、多数のリードを有するリ
ードフレームとからなり、前記装置のアウターリードを
バンプを介してリードフレームのリードにそれぞれ接続
して樹脂等により封止したものである。
置は、半導体素子の電極に、絶縁性フィルムに形成した
回路パターンのインナーリードをそれぞれ接続して、外
形切断した、回路パターンのアウターリードにバンプを
有するＴＡＢ式半導体装置と、多数のリードを有するリ
ードフレームとからなり、前記装置のアウターリードを
バンプを介してリードフレームのリードにそれぞれ接続
して樹脂等により封止したものである。
【０００９】
【作用】リードフレームのデバイスホールに、アウター
リードにバンプを有するＴＡＢ式半導体装置である半導
体素子を搭載し、各アウターリードをそれぞれのリード
と整合させ、ボンディングツールで熱加圧して両者を接
合する。ついで、前記素子及びリードフレームのインナ
ーリードを樹脂等により封止し、リードフレームから切
断し外形を成形する。
リードにバンプを有するＴＡＢ式半導体装置である半導
体素子を搭載し、各アウターリードをそれぞれのリード
と整合させ、ボンディングツールで熱加圧して両者を接
合する。ついで、前記素子及びリードフレームのインナ
ーリードを樹脂等により封止し、リードフレームから切
断し外形を成形する。
【００１０】ここで使用されるＴＡＢ式半導体装置のア
ウターリードに設けられるバンプの形状を、アウターリ
ードにおける形成部の断面積より先端部の面積が小さく
なる例えば錐形や台形とし、接合の際にリードフレーム
のリードとの初期における接触面積を小さくすることに
より、従来より低荷重で両者をより強固に接合できる。
また、単純にバンプの先端面積を小さくした柱状のバン
プに比べ、アウターリードに対するバンプの形成部の強
度を減衰させることがない。
ウターリードに設けられるバンプの形状を、アウターリ
ードにおける形成部の断面積より先端部の面積が小さく
なる例えば錐形や台形とし、接合の際にリードフレーム
のリードとの初期における接触面積を小さくすることに
より、従来より低荷重で両者をより強固に接合できる。
また、単純にバンプの先端面積を小さくした柱状のバン
プに比べ、アウターリードに対するバンプの形成部の強
度を減衰させることがない。
【００１１】
【実施例】図１は、本発明の実施例の要部を示すもので
図１（ａ）は側面図、図１（ｂ）は平面図、図１（ｃ）
は作用説明図である。ＴＡＢ式半導体装置のアウターリ
ードに形成するバンプの形状を、バンプの形成部の断面
積より先端部の面積が小さくなる台形とすることによ
り、アウターリード３とリードフレームのリード４ａと
の初期における接触面積を小さくすることができるの
で、両者を熱圧着する場合に従来必要とされたボンディ
ングツールによって与えられる荷重より小さくしても単
位面積当りに発生する加重は大きくなるために、接合を
する際に荷重によって発生する歪を減少させることがで
きる。
図１（ａ）は側面図、図１（ｂ）は平面図、図１（ｃ）
は作用説明図である。ＴＡＢ式半導体装置のアウターリ
ードに形成するバンプの形状を、バンプの形成部の断面
積より先端部の面積が小さくなる台形とすることによ
り、アウターリード３とリードフレームのリード４ａと
の初期における接触面積を小さくすることができるの
で、両者を熱圧着する場合に従来必要とされたボンディ
ングツールによって与えられる荷重より小さくしても単
位面積当りに発生する加重は大きくなるために、接合を
する際に荷重によって発生する歪を減少させることがで
きる。
【００１２】なお、バンプ２及びリードフレームのリー
ド４ａの両者の表面を錫または錫と鉛の合金で予めメッ
キしておけば、図１（ｃ）に示すように、熱圧着による
接合の際にフィレットが形成され、しかも従来に比べこ
のフィレットは容易に形成されるため、従来以上の接合
強度が得られる。
ド４ａの両者の表面を錫または錫と鉛の合金で予めメッ
キしておけば、図１（ｃ）に示すように、熱圧着による
接合の際にフィレットが形成され、しかも従来に比べこ
のフィレットは容易に形成されるため、従来以上の接合
強度が得られる。
【００１３】図４から図７までは本発明の他の実施例の
要部を示すもので、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図で
ある。これらはバンプの形状が錐形となっているため、
台形に比べさらにリードフレームのリードとの初期にお
ける接触面積が小さくなるので、熱圧着時に必要とされ
る荷重をさらに小さくしても、充分な単位面積当りの荷
重が得られるので、接合強度を減衰させることなくさら
に歪の発生を抑えることができる。
要部を示すもので、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図で
ある。これらはバンプの形状が錐形となっているため、
台形に比べさらにリードフレームのリードとの初期にお
ける接触面積が小さくなるので、熱圧着時に必要とされ
る荷重をさらに小さくしても、充分な単位面積当りの荷
重が得られるので、接合強度を減衰させることなくさら
に歪の発生を抑えることができる。
【００１４】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、ＴＡ
Ｂ式半導体装置のアウターリードに設けられるバンプの
形状を、アウターリードにおける形成部の断面積より先
端部の面積が小さくなる例えば錐形や台形とすることに
より、バンプのアウターリードに対するバンプの形成部
の強度を減衰させることなく、従来に比べ低荷重の熱圧
着で、前記装置のアウターリードとリードフレームのリ
ードとの接合強度を従来以上得られるという効果を有す
る。
Ｂ式半導体装置のアウターリードに設けられるバンプの
形状を、アウターリードにおける形成部の断面積より先
端部の面積が小さくなる例えば錐形や台形とすることに
より、バンプのアウターリードに対するバンプの形成部
の強度を減衰させることなく、従来に比べ低荷重の熱圧
着で、前記装置のアウターリードとリードフレームのリ
ードとの接合強度を従来以上得られるという効果を有す
る。
【図１】 本発明の実施例の要部を示す図。
【図２】 従来のＴＡＢ式半導体装置の一例を示す図。
【図３】 従来のＴＡＢ式半導体装置を半導体素子とし
て使用した半導体装置の一例を示す図。
て使用した半導体装置の一例を示す図。
【図４】 本発明の他の実施例の要部を示す図。
【図５】 本発明の他の実施例の要部を示す図。
【図６】 本発明の他の実施例の要部を示す図。
【図７】 本発明の他の実施例の要部を示す図。
１ 回路パターン ２ バンプ ３、３ａ アウターリード ４、４ａ リードフレーム ５ フィレット ６ ボンディングツール ７ キャリアフィルム ８ インナーリード ９ 半導体素子 １０ デバイスホール １１ 切断位置 １２ テストパット １３ スプロケット穴 １４ エポキシ樹脂 １５ ＴＡＢ式半導体装置 １６ 回路パターン
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子の電極に絶縁性フィルムに形
成した回路パターンのインナーリードをそれぞれ接続し
たＴＡＢ式半導体装置と、多数のリードを有するリード
フレームからなり、前記装置のアウターリードと前記リ
ードフレームのリードとの接合部において、特異的な形
状を有するバンプを介して両者を接続することを特徴と
する半導体装置の接続構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3236325A JPH0574853A (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-17 | 半導体装置の接続構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3236325A JPH0574853A (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-17 | 半導体装置の接続構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574853A true JPH0574853A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16999135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3236325A Pending JPH0574853A (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-17 | 半導体装置の接続構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0574853A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010165957A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-07-29 | Nichicon Corp | チップ状固体電解コンデンサ |
| JP2012099762A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-05-24 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板 |
-
1991
- 1991-09-17 JP JP3236325A patent/JPH0574853A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010165957A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-07-29 | Nichicon Corp | チップ状固体電解コンデンサ |
| JP2012099762A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-05-24 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板 |
| US8658903B2 (en) | 2010-11-05 | 2014-02-25 | Nitto Denko Corporation | Wired circuit board |
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