JPH0574866A - 半導体装置用リード及びその加工方法 - Google Patents
半導体装置用リード及びその加工方法Info
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- JPH0574866A JPH0574866A JP3124022A JP12402291A JPH0574866A JP H0574866 A JPH0574866 A JP H0574866A JP 3124022 A JP3124022 A JP 3124022A JP 12402291 A JP12402291 A JP 12402291A JP H0574866 A JPH0574866 A JP H0574866A
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- Japan
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- heat
- lead
- bent
- shrinkable resin
- semiconductor device
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
- H05K3/4046—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections using auxiliary conductive elements, e.g. metallic spheres, eyelets, pieces of wire
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 本願の半導体装置用リード１は、金属薄板４
の折曲すべき凹部６（８）の内面に熱収縮性樹脂７
（９）を塗布し、該熱収縮性樹脂７（９）を加熱し収縮
させることにより前記金属薄板４を折曲してなることを
特徴としている。 【効果】 金属薄板を高精度で所定の形状に折曲するこ
とができ、前記金属薄板の機械的強度を向上させること
ができ、熱収縮性樹脂の塗布膜の厚みを制御するだけで
金属薄板の曲げ加工を高精度で効率よく行うことができ
る。したがって、金属薄板の幅のバラツキによらず曲げ
加工を高精度で行うことができ、ファインピッチ化やイ
ンナリードの薄形化にも対応可能である。また、熱収縮
性樹脂の塗布位置を変更することにより、様々な曲げ加
工が可能となる等の効果も有する。
の折曲すべき凹部６（８）の内面に熱収縮性樹脂７
（９）を塗布し、該熱収縮性樹脂７（９）を加熱し収縮
させることにより前記金属薄板４を折曲してなることを
特徴としている。 【効果】 金属薄板を高精度で所定の形状に折曲するこ
とができ、前記金属薄板の機械的強度を向上させること
ができ、熱収縮性樹脂の塗布膜の厚みを制御するだけで
金属薄板の曲げ加工を高精度で効率よく行うことができ
る。したがって、金属薄板の幅のバラツキによらず曲げ
加工を高精度で行うことができ、ファインピッチ化やイ
ンナリードの薄形化にも対応可能である。また、熱収縮
性樹脂の塗布位置を変更することにより、様々な曲げ加
工が可能となる等の効果も有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ，ＶＬＳＩ等の
半導体素子（チップ）の電極に接続される半導体装置用
リード及びその加工方法に関するものである。
半導体素子（チップ）の電極に接続される半導体装置用
リード及びその加工方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩ，ＶＬＳＩ等の半導体素子
が組み込まれた超多ピン構造の半導体装置の実装技術に
おいては、ワイヤボンディング方式、ＴＡＢ（Ｔape-au
tomated-bonding）方式、ＦＣ（フリップチップ）方式
が知られているが、実際の製造ラインにおいては、実装
精度や取扱い易さの点からワイヤボンディング方式もし
くはＴＡＢ方式を採用することが多い。
が組み込まれた超多ピン構造の半導体装置の実装技術に
おいては、ワイヤボンディング方式、ＴＡＢ（Ｔape-au
tomated-bonding）方式、ＦＣ（フリップチップ）方式
が知られているが、実際の製造ラインにおいては、実装
精度や取扱い易さの点からワイヤボンディング方式もし
くはＴＡＢ方式を採用することが多い。
【０００３】ワイヤボンディング方式とは、チップ上の
ボンディングパッド（電極）に形成されたバンプ（突
起）と、リードフレーム（半導体装置用リード）のイン
ナリード（金属薄板）とを、ボンディングワイヤにより
接続する方式である。
ボンディングパッド（電極）に形成されたバンプ（突
起）と、リードフレーム（半導体装置用リード）のイン
ナリード（金属薄板）とを、ボンディングワイヤにより
接続する方式である。
【０００４】また、ＴＡＢ方式とは、フィルムキャリヤ
テープ（半導体装置用リード）のデバイスホールにチッ
プを挿入し、当該チップ上に設けられたボンディングパ
ッドと前記デバイスホールに突き出したインナリードの
先端部とを接続する方式で、これまでにも様々な方法が
提案され用いられてきている。
テープ（半導体装置用リード）のデバイスホールにチッ
プを挿入し、当該チップ上に設けられたボンディングパ
ッドと前記デバイスホールに突き出したインナリードの
先端部とを接続する方式で、これまでにも様々な方法が
提案され用いられてきている。
【０００５】例えば、バンプボンディング法としては、
（ａ）チップ上のボンディングパッドにバンプを形成
し、熱圧着や超音波により前記バンプとインナリードの
先端部とを接続する方法、（ｂ）転写法によりインナリ
ードの先端部にバンプを形成し、熱圧着により前記バン
プとチップ上のボンディングパッドとを接続する方法等
が一般に用いられている。
（ａ）チップ上のボンディングパッドにバンプを形成
し、熱圧着や超音波により前記バンプとインナリードの
先端部とを接続する方法、（ｂ）転写法によりインナリ
ードの先端部にバンプを形成し、熱圧着により前記バン
プとチップ上のボンディングパッドとを接続する方法等
が一般に用いられている。
【０００６】また、バンプレスボンディング法として
は、（ｃ）エッチングによりインナリードの先端部に凸
部を形成し、当該凸部とチップ上のボンディングパッド
とを接続する方法、（ｄ）インナリードを略Ｓ字状に折
り曲げ、この先端部とチップ上のボンディングパッドと
を熱圧着により接続する方法等が一般に用いられてい
る。
は、（ｃ）エッチングによりインナリードの先端部に凸
部を形成し、当該凸部とチップ上のボンディングパッド
とを接続する方法、（ｄ）インナリードを略Ｓ字状に折
り曲げ、この先端部とチップ上のボンディングパッドと
を熱圧着により接続する方法等が一般に用いられてい
る。
【０００７】上記のインナリードの曲げ加工は、リード
フレームやフィルムキャリヤテープのインナリードの先
端部を予め成形機等で機械加工しておくか、またはリー
ドフレームやフィルムキャリヤテープから１チップ毎に
切断する際に、同時にインナリードの先端部を成形機等
で機械加工するのが一般的である。
フレームやフィルムキャリヤテープのインナリードの先
端部を予め成形機等で機械加工しておくか、またはリー
ドフレームやフィルムキャリヤテープから１チップ毎に
切断する際に、同時にインナリードの先端部を成形機等
で機械加工するのが一般的である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
リードフレームやフィルムキャリヤテープのインナリー
ドが柔らかくまた厚みが数１０μｍ程度と薄いために容
易に折れたり変形したり傷が付いたりし易いという欠点
があった。また上記のインナリードの曲げ加工ではイン
ナリード側のバラツキを吸収することができず、寸法精
度が低下するという欠点もあった。
リードフレームやフィルムキャリヤテープのインナリー
ドが柔らかくまた厚みが数１０μｍ程度と薄いために容
易に折れたり変形したり傷が付いたりし易いという欠点
があった。また上記のインナリードの曲げ加工ではイン
ナリード側のバラツキを吸収することができず、寸法精
度が低下するという欠点もあった。
【０００９】したがって、実装する際に、インナリード
の位置合わせの精度が悪く、また前記インナリードの折
れや変形による接続不良が起こり易く、製品（半導体装
置）の歩留まりの低下や高コストの主要因となってい
た。また、インナリードの取扱いが難しいために作業効
率が低下する等の問題もあった。
の位置合わせの精度が悪く、また前記インナリードの折
れや変形による接続不良が起こり易く、製品（半導体装
置）の歩留まりの低下や高コストの主要因となってい
た。また、インナリードの取扱いが難しいために作業効
率が低下する等の問題もあった。
【００１０】また、インナリードの曲げ加工において
は、該インナリードの先端部を高精度で折り曲げ加工す
る必要があるが、機械加工では要求される精度で所定の
形状に加工することが難しく、製造ラインに適時対応し
て行くことが益々困難になってきているという問題もあ
った。
は、該インナリードの先端部を高精度で折り曲げ加工す
る必要があるが、機械加工では要求される精度で所定の
形状に加工することが難しく、製造ラインに適時対応し
て行くことが益々困難になってきているという問題もあ
った。
【００１１】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであり、以上の欠点や問題を有効に解決することがで
きる半導体装置用リード及びその加工方法を提供するこ
とにある。
のであり、以上の欠点や問題を有効に解決することがで
きる半導体装置用リード及びその加工方法を提供するこ
とにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は次の様な半導体装置用リード及びその加
工方法を採用した。
に、この発明は次の様な半導体装置用リード及びその加
工方法を採用した。
【００１３】すなわち、請求項１記載の半導体装置用リ
ードとしては、金属薄板の折曲すべき凹部の内面に熱収
縮性樹脂を塗布し、該熱収縮性樹脂を加熱し収縮させる
ことにより前記金属薄板を折曲してなることを特徴とし
ている。
ードとしては、金属薄板の折曲すべき凹部の内面に熱収
縮性樹脂を塗布し、該熱収縮性樹脂を加熱し収縮させる
ことにより前記金属薄板を折曲してなることを特徴とし
ている。
【００１４】また、請求項２記載の半導体装置用リード
の加工方法としては、金属薄板の折曲すべき凹部の内面
に熱収縮性樹脂を塗布し、その後該熱収縮性樹脂を加熱
し収縮させて前記金属薄板を折曲することを特徴として
いる。
の加工方法としては、金属薄板の折曲すべき凹部の内面
に熱収縮性樹脂を塗布し、その後該熱収縮性樹脂を加熱
し収縮させて前記金属薄板を折曲することを特徴として
いる。
【００１５】前記熱収縮性樹脂は、加熱することにより
体積が収縮するもので、機械的強度が高く、熱分解や熱
劣化が起こり難く、樹脂モールディングの際の温度に耐
えられるものが好ましい。
体積が収縮するもので、機械的強度が高く、熱分解や熱
劣化が起こり難く、樹脂モールディングの際の温度に耐
えられるものが好ましい。
【００１６】
【作用】本発明の請求項１記載の半導体装置用リードで
は、金属薄板の加工精度が向上し、該金属薄板の折曲部
分の機械的強度が向上する。
は、金属薄板の加工精度が向上し、該金属薄板の折曲部
分の機械的強度が向上する。
【００１７】また、請求項２記載の半導体装置用リード
の加工方法では、前記金属薄板を高精度で所定の形状に
折曲する。
の加工方法では、前記金属薄板を高精度で所定の形状に
折曲する。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００１９】まず、本発明の一実施例であるフィルムキ
ャリヤテープ（半導体装置用リード）のインナリード
（金属薄板）について図１を基に説明する。
ャリヤテープ（半導体装置用リード）のインナリード
（金属薄板）について図１を基に説明する。
【００２０】フィルムキャリヤテープ１は、ポリイミド
樹脂、ガラス入りエポキシ樹脂、ＢＴレジン、ポリエス
テル等の材質からなる厚み７５〜１２５μｍのフィルム
２で、表面に回路が形成され、長手方向に沿う両端部に
スプロケット孔３，…が等間隔に形成され、中央部にチ
ップ挿入用のデバイスホール４が形成されたものであ
る。そしてフィルム２上にはデバイスホール４に突出す
る様にインナリード５，…が形成されている。
樹脂、ガラス入りエポキシ樹脂、ＢＴレジン、ポリエス
テル等の材質からなる厚み７５〜１２５μｍのフィルム
２で、表面に回路が形成され、長手方向に沿う両端部に
スプロケット孔３，…が等間隔に形成され、中央部にチ
ップ挿入用のデバイスホール４が形成されたものであ
る。そしてフィルム２上にはデバイスホール４に突出す
る様にインナリード５，…が形成されている。
【００２１】インナリード５，…は、例えば、フィルム
２上に銅箔を貼着し該銅箔をエッチングして細線とした
もので、フィルム２上に水平に配置されており、これら
のインナリード５，…の一端部５ａはデバイスホール４
の周囲の回路上に固定され、他端部５ｂは前記周囲から
デバイスホール４に向かって突出されている。
２上に銅箔を貼着し該銅箔をエッチングして細線とした
もので、フィルム２上に水平に配置されており、これら
のインナリード５，…の一端部５ａはデバイスホール４
の周囲の回路上に固定され、他端部５ｂは前記周囲から
デバイスホール４に向かって突出されている。
【００２２】インナリード５は、図２に示す様に他端部
５ｂが垂直下方に略Ｓ字状に折曲され、この他端部５ｂ
の上面側の凹部６には加熱収縮された熱収縮性樹脂７が
貼着され、下面側の凹部８にも加熱収縮された熱収縮性
樹脂９が貼着されている。
５ｂが垂直下方に略Ｓ字状に折曲され、この他端部５ｂ
の上面側の凹部６には加熱収縮された熱収縮性樹脂７が
貼着され、下面側の凹部８にも加熱収縮された熱収縮性
樹脂９が貼着されている。
【００２３】熱収縮性樹脂７，９としては、ポリイミ
ド、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミダゾール等が好
適に用いられる。
ド、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミダゾール等が好
適に用いられる。
【００２４】前記の熱収縮性樹脂７，９は、常温では液
状であるが加熱することにより体積が収縮するもので、
機械的強度が高く、熱分解や熱劣化が起こり難く、樹脂
モールディングの際の温度に耐えられるものであればよ
く、加熱硬化型のものであればなおよい。
状であるが加熱することにより体積が収縮するもので、
機械的強度が高く、熱分解や熱劣化が起こり難く、樹脂
モールディングの際の温度に耐えられるものであればよ
く、加熱硬化型のものであればなおよい。
【００２５】また、これらの熱収縮性樹脂７，９の厚み
は薄すぎると十分な引っ張り強度が得られないためにイ
ンナリード５が折曲されず、また厚すぎるとインナリー
ド５の凹部６，８に厚みのある樹脂層が形成されるため
に該樹脂層がインナリード５の折曲を妨害し十分な曲げ
加工が施せない。したがって、用いられる熱収縮性樹脂
の厚みは該熱収縮性樹脂の特性により限定される。例え
ば、ポリイミドの場合では、最適な厚みの範囲は３〜７
０μｍである。
は薄すぎると十分な引っ張り強度が得られないためにイ
ンナリード５が折曲されず、また厚すぎるとインナリー
ド５の凹部６，８に厚みのある樹脂層が形成されるため
に該樹脂層がインナリード５の折曲を妨害し十分な曲げ
加工が施せない。したがって、用いられる熱収縮性樹脂
の厚みは該熱収縮性樹脂の特性により限定される。例え
ば、ポリイミドの場合では、最適な厚みの範囲は３〜７
０μｍである。
【００２６】次に、インナリードの加工方法について図
３に基づき説明する。まず、常温において、フィルムキ
ャリヤテープ１のインナリード１１，…の先端部１１ａ
の上面側の凹部となるべき部分１２及び下面側の凹部と
なるべき部分１３それぞれに液状の熱収縮性樹脂１４，
１５を塗布し（同図（ａ））、熱収縮性樹脂１４，１５
に含まれる溶媒を揮発させる。
３に基づき説明する。まず、常温において、フィルムキ
ャリヤテープ１のインナリード１１，…の先端部１１ａ
の上面側の凹部となるべき部分１２及び下面側の凹部と
なるべき部分１３それぞれに液状の熱収縮性樹脂１４，
１５を塗布し（同図（ａ））、熱収縮性樹脂１４，１５
に含まれる溶媒を揮発させる。
【００２７】次に、このフィルムキャリヤテープ１を所
定の温度に設定された恒温槽内に所定時間放置し、熱収
縮性樹脂１４，１５を加熱し重合させる。この時の温度
及び時間は、例えばポリイミドの場合では８０℃、１５
０℃、２００℃、３５０℃各３０分である。
定の温度に設定された恒温槽内に所定時間放置し、熱収
縮性樹脂１４，１５を加熱し重合させる。この時の温度
及び時間は、例えばポリイミドの場合では８０℃、１５
０℃、２００℃、３５０℃各３０分である。
【００２８】重合が進むにつれて熱収縮性樹脂１４，１
５の体積が収縮し、先端部１１ａの凹部となるべき部分
１２及び凹部となるべき部分１３それぞれが内側に折曲
する（同図（ｂ））。
５の体積が収縮し、先端部１１ａの凹部となるべき部分
１２及び凹部となるべき部分１３それぞれが内側に折曲
する（同図（ｂ））。
【００２９】重合が完結した状態では、熱収縮性樹脂１
４，１５が硬化し、先端部１１ａは所定の略Ｓ字状の形
状に折曲され（同図（ｃ））、インナリード５となる。
４，１５が硬化し、先端部１１ａは所定の略Ｓ字状の形
状に折曲され（同図（ｃ））、インナリード５となる。
【００３０】このインナリード５は、図４及び図５に示
す様に、他端部５ｂがデバイスホール４に挿入されたチ
ップ２１のボンディングパッド２２のバンプ２３上に載
置され、熱圧着または超音波によりバンプ２３に接続さ
れる。
す様に、他端部５ｂがデバイスホール４に挿入されたチ
ップ２１のボンディングパッド２２のバンプ２３上に載
置され、熱圧着または超音波によりバンプ２３に接続さ
れる。
【００３１】以上説明した様に、上記実施例のフィルム
キャリヤテープ１によれば、インナリード５の他端部５
ｂの上面側の凹部６に熱収縮性樹脂７を貼着し、下面側
の凹部８にも熱収縮性樹脂９を貼着してなることとした
ので、インナリード５の加工精度を向上させることがで
き、該インナリード５の折曲される部分の機械的強度を
向上させることができる。
キャリヤテープ１によれば、インナリード５の他端部５
ｂの上面側の凹部６に熱収縮性樹脂７を貼着し、下面側
の凹部８にも熱収縮性樹脂９を貼着してなることとした
ので、インナリード５の加工精度を向上させることがで
き、該インナリード５の折曲される部分の機械的強度を
向上させることができる。
【００３２】したがって、実装の際のインナリード５の
位置合わせの精度を向上させることができ、前記インナ
リード５の折れや変形による接続不良も大幅に減少させ
ることができ、製品（半導体装置）の歩留まりを向上さ
せ低コストを実現することができる。
位置合わせの精度を向上させることができ、前記インナ
リード５の折れや変形による接続不良も大幅に減少させ
ることができ、製品（半導体装置）の歩留まりを向上さ
せ低コストを実現することができる。
【００３３】また、上記実施例のインナリード５の加工
方法によれば、インナリード１１，…の先端部１１ａの
上面側の凹部となるべき部分１２及び下面側の凹部とな
るべき部分１３それぞれに熱収縮性樹脂１４，１５を塗
布し、その後熱収縮性樹脂１４，１５を加熱し収縮させ
てインナリード１１，…を折曲したので、インナリード
１１，…を高精度で所定の形状に折曲することができ
る。
方法によれば、インナリード１１，…の先端部１１ａの
上面側の凹部となるべき部分１２及び下面側の凹部とな
るべき部分１３それぞれに熱収縮性樹脂１４，１５を塗
布し、その後熱収縮性樹脂１４，１５を加熱し収縮させ
てインナリード１１，…を折曲したので、インナリード
１１，…を高精度で所定の形状に折曲することができ
る。
【００３４】また、熱収縮性樹脂７，９は収縮率が一定
であるので、塗布膜の厚みを制御するだけでインナリー
ド１１の曲げ加工を高精度で効率よく行うことができ
る。したがって、インナリード１１の幅のバラツキによ
らず曲げ加工を高精度で行うことができ、ファインピッ
チ化やインナリードの薄形化にも対応可能である。
であるので、塗布膜の厚みを制御するだけでインナリー
ド１１の曲げ加工を高精度で効率よく行うことができ
る。したがって、インナリード１１の幅のバラツキによ
らず曲げ加工を高精度で行うことができ、ファインピッ
チ化やインナリードの薄形化にも対応可能である。
【００３５】また、熱収縮性樹脂７，９の塗布位置を変
更することにより、様々な曲げ加工が可能となる等の効
果も有する。
更することにより、様々な曲げ加工が可能となる等の効
果も有する。
【００３６】以上により、容易に折れたり変形したりす
ることがなく、かつ寸法精度の高いフィルムキャリヤテ
ープ１及びその加工方法を提供することができる。
ることがなく、かつ寸法精度の高いフィルムキャリヤテ
ープ１及びその加工方法を提供することができる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
記載の半導体装置用リードによれば、金属薄板の折曲す
べき凹部の内面に熱収縮性樹脂を塗布し、該熱収縮性樹
脂を加熱し収縮させることにより前記金属薄板を折曲し
てなることとしたので、前記金属薄板の加工精度を向上
させることができ、該金属薄板の折曲部分の機械的強度
を向上させることができる。
記載の半導体装置用リードによれば、金属薄板の折曲す
べき凹部の内面に熱収縮性樹脂を塗布し、該熱収縮性樹
脂を加熱し収縮させることにより前記金属薄板を折曲し
てなることとしたので、前記金属薄板の加工精度を向上
させることができ、該金属薄板の折曲部分の機械的強度
を向上させることができる。
【００３８】したがって、実装の際の金属薄板の位置合
わせの精度を向上させることができ、前記金属薄板の折
れや変形による接続不良も大幅に減少させることがで
き、製品（半導体装置）の歩留まりを向上させ低コスト
を実現することができる。
わせの精度を向上させることができ、前記金属薄板の折
れや変形による接続不良も大幅に減少させることがで
き、製品（半導体装置）の歩留まりを向上させ低コスト
を実現することができる。
【００３９】また、請求項２記載の半導体装置用リード
の加工方法によれば、金属薄板の折曲すべき凹部の内面
に熱収縮性樹脂を塗布し、その後該熱収縮性樹脂を加熱
し収縮させて前記金属薄板を折曲することとしたので、
前記金属薄板を高精度で所定の形状に折曲することがで
きる。
の加工方法によれば、金属薄板の折曲すべき凹部の内面
に熱収縮性樹脂を塗布し、その後該熱収縮性樹脂を加熱
し収縮させて前記金属薄板を折曲することとしたので、
前記金属薄板を高精度で所定の形状に折曲することがで
きる。
【００４０】また、熱収縮性樹脂の塗布膜の厚みを制御
するだけで金属薄板の曲げ加工を高精度で効率よく行う
ことができる。したがって、金属薄板の幅のバラツキに
よらず曲げ加工を高精度で行うことができ、ファインピ
ッチ化やインナリードの薄形化にも対応可能である。
するだけで金属薄板の曲げ加工を高精度で効率よく行う
ことができる。したがって、金属薄板の幅のバラツキに
よらず曲げ加工を高精度で行うことができ、ファインピ
ッチ化やインナリードの薄形化にも対応可能である。
【００４１】また、熱収縮性樹脂の塗布位置を変更する
ことにより、様々な曲げ加工が可能となる等の効果も有
する。
ことにより、様々な曲げ加工が可能となる等の効果も有
する。
【００４２】以上により、容易に折れたり変形したりす
ることがなく、かつ寸法精度の高い半導体装置用リード
及びその加工方法を提供することができる。
ることがなく、かつ寸法精度の高い半導体装置用リード
及びその加工方法を提供することができる。
【図１】本発明のフィルムキャリヤテープ（半導体装置
用リード）を示す部分斜視図である。
用リード）を示す部分斜視図である。
【図２】本発明のフィルムキャリヤテープのインナリー
ドを示す部分側面図である。
ドを示す部分側面図である。
【図３】本発明のインナリードの加工方法を示す過程図
である。
である。
【図４】本発明のフィルムキャリヤテープの実装状態を
示す部分斜視図である。
示す部分斜視図である。
【図５】本発明のインナリードとチップの接合状態を示
す部分側面図である。
す部分側面図である。
１ フィルムキャリヤテープ（半導体装置用リード） ２ フィルム ３ スプロケット孔 ４ デバイスホール ５ インナリード（金属薄板） ６，８ 凹部 ７，９ 熱収縮性樹脂 １１ インナリード（金属薄板） １２，１３ 凹部となるべき部分 １４，１５ 熱収縮性樹脂
Claims (2)
- 【請求項１】 金属薄板の折曲すべき凹部の内面に熱収
縮性樹脂を塗布し、該熱収縮性樹脂を加熱し収縮させる
ことにより前記金属薄板を折曲してなることを特徴とす
る半導体装置用リード。 - 【請求項２】 金属薄板の折曲すべき凹部の内面に熱収
縮性樹脂を塗布し、その後該熱収縮性樹脂を加熱し収縮
させて前記金属薄板を折曲することを特徴とする半導体
装置用リードの加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3124022A JP2887940B2 (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | 半導体装置用リード及びその加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3124022A JP2887940B2 (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | 半導体装置用リード及びその加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574866A true JPH0574866A (ja) | 1993-03-26 |
| JP2887940B2 JP2887940B2 (ja) | 1999-05-10 |
Family
ID=14875098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3124022A Expired - Lifetime JP2887940B2 (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | 半導体装置用リード及びその加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2887940B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003100449A1 (fr) * | 2002-05-28 | 2003-12-04 | Vitec Co., Ltd. | Capteur magnetique et capteur de direction |
-
1991
- 1991-05-28 JP JP3124022A patent/JP2887940B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003100449A1 (fr) * | 2002-05-28 | 2003-12-04 | Vitec Co., Ltd. | Capteur magnetique et capteur de direction |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2887940B2 (ja) | 1999-05-10 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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