JPH0574884A - probe - Google Patents

probe

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Publication number
JPH0574884A
JPH0574884A JP23180691A JP23180691A JPH0574884A JP H0574884 A JPH0574884 A JP H0574884A JP 23180691 A JP23180691 A JP 23180691A JP 23180691 A JP23180691 A JP 23180691A JP H0574884 A JPH0574884 A JP H0574884A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
needle
needles
semiconductor integrated
integrated circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP23180691A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shohei Moriwaki
昇平 森脇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH0574884A publication Critical patent/JPH0574884A/en
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Abstract

PURPOSE:To supply probes with a needle at a narrow span and maintain the conventional probe needle fixing strength at the same time. CONSTITUTION:Probe needle layers are implanted on the peripheral area of a probe board 1 having an opening section in such a fashion that they may form a plurality of needle layers 5a, 5b. A semiconductor integrated circuit 7 is circuit-tested by placing the needle layers in contact with bonding pads laid out on the circuit 7 one by one.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路の回路テ
ストに使用されるプローブに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe used for circuit testing of semiconductor integrated circuits.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路はパッケージに組み立て
る前にウエハ状態で回路テストが行われる。図1はその
際使用されるプローブの部分断面図であり、テスト対象
の半導体集積回路と共に示している。図2はプローブの
部分平面図であり、前記プローブ針と前記半導体集積回
路の位置関係を示している。
2. Description of the Related Art A semiconductor integrated circuit is subjected to a circuit test in a wafer state before being assembled into a package. FIG. 1 is a partial cross-sectional view of a probe used in that case, which is shown together with a semiconductor integrated circuit to be tested. FIG. 2 is a partial plan view of the probe and shows the positional relationship between the probe needle and the semiconductor integrated circuit.

【0003】これらの図において1はプローブ基板であ
り、開口部を有している。前記プローブ基板1の下面に
複数のプローブ針2がその基端部を前記プローブ基板1
の開口部周辺に放射状に樹脂3により固定させ、その先
端を開口部中心に向かって斜め下方に向くように植設さ
れている。
In these drawings, 1 is a probe substrate having an opening. A plurality of probe needles 2 are provided on the lower surface of the probe substrate 1 at the base end portions thereof.
Is radially fixed to the periphery of the opening by the resin 3 and is planted so that its tip faces obliquely downward toward the center of the opening.

【0004】回路テストを行う場合、前記プローブ針2
の先端側に半導体集積回路7を配置し、該半導体集積回
路7上に配置されたボンディングパッド8に前記プロー
ブ針2を接触させることにより回路テストを行う。な
お、図1ではプローブ針は2本だけを示している。複数
植設されたプローブ針2は図2に示すようにプローブ針
1本に対してボンディングパッド1ヶ所が対応してい
る。
When performing a circuit test, the probe needle 2 is used.
A semiconductor integrated circuit 7 is arranged on the tip side of the semiconductor integrated circuit 7, and the probe 2 is brought into contact with the bonding pad 8 arranged on the semiconductor integrated circuit 7 to perform a circuit test. Note that FIG. 1 shows only two probe needles. As shown in FIG. 2, a plurality of probe needles 2 are provided so that one bonding pad corresponds to one probe needle.

【0005】このような従来のプローブではプローブ針
2の密度を高くしすぎると隣り合ったプローブ針2が接
触したりプローブ針2を固定している樹脂3の固定強度
が弱くなったりする問題を生じる。これを解決するため
にプローブ針を細くすることが考えられるが、必要とす
る針圧をかけることができない。
In such a conventional probe, if the density of the probe needles 2 is too high, the adjacent probe needles 2 may come into contact with each other or the resin 3 for fixing the probe needles 2 may have a weak fixing strength. Occurs. In order to solve this, it is conceivable to make the probe needle thin, but the necessary needle pressure cannot be applied.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】前述した理由によりプ
ローブ針の間隔はある程度以上に狭めることができず、
そのため半導体集積回路のボンディングパッドの間隔を
狭めることができないので、プローブ針間隔が半導体集
積回路のサイズを支配し、そのために半導体集積回路の
サイズが必要以上に大きくなるという問題があった。本
発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、従来の
プローブ針と同じ程度の針の固定強度を保ちながら従来
よりもプローブ針間隔を狭め、必要とする針圧をかける
ことができるプローブを提供し、これにより半導体集積
回路サイズを小さくすることを目的とする。
Due to the above-mentioned reasons, the distance between the probe needles cannot be reduced to a certain extent or more.
Therefore, the distance between the bonding pads of the semiconductor integrated circuit cannot be narrowed, and the probe needle distance governs the size of the semiconductor integrated circuit, which causes a problem that the size of the semiconductor integrated circuit becomes larger than necessary. The present invention has been made in view of such circumstances, and a probe capable of narrowing the probe needle interval as compared with the conventional probe needle while maintaining the same degree of needle fixing strength as the conventional probe needle, and applying a necessary needle pressure. An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit having a small size.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明に係るプローブは
複数層に植設されたプローブ針を有する。
A probe according to the present invention has probe needles implanted in a plurality of layers.

【0008】[0008]

【作用】本発明のプローブでは複数層にプローブ針が植
設されているので、そのプローブ針の1本1本が半導体
集積回路上のボンディングパッドの1つ1つに接触する
ように基板上の周方向の位置を違えてプローブ針を植設
した場合は、基板上の針の植設面積が従来と等しければ
従来と同じ針の固定強度を保ちながら倍以上の数のプロ
ーブ針を有することができる。さらに従来と同じプロー
ブ針の太さ及び長さとして必要とする針圧をかけること
ができる。
In the probe of the present invention, since the probe needles are implanted in a plurality of layers, each of the probe needles on the substrate is brought into contact with each of the bonding pads on the semiconductor integrated circuit. When probe needles are implanted at different positions in the circumferential direction, if the needle implantation area on the substrate is equal to the conventional one, it is possible to have more than double the number of probe needles while maintaining the same needle fixing strength as the conventional one. it can. Further, it is possible to apply the necessary needle pressure as the thickness and length of the probe needle, which is the same as the conventional one.

【0009】[0009]

【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
いて具体的に説明する。図3は本発明の実施例1をテス
ト対象の半導体集積回路と共に示している。この図にお
いて1は開口部を有するプローブ基板であり、該プロー
ブ基板1の下面に1層目の複数のプローブ針5aが、その
基端部を前記プローブ基板1の開口部周辺に樹脂3によ
り放射状に固定させて植設されており、その下面には開
口部を有する第2のプローブ基板4が固定されており、
さらにその下面には2層目のプローブ針5bが、1層目の
プローブ針5aと周方向の位置を違えて、その基端部を前
記第2のプローブ基板4の内周辺部に樹脂6により放射
状に固定させて植設されている。(図3にはプローブ針
5a,5b の2本ずつだけが示されている。)
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail below with reference to the drawings showing the embodiments thereof. FIG. 3 shows a first embodiment of the present invention together with a semiconductor integrated circuit to be tested. In the figure, reference numeral 1 denotes a probe substrate having an opening. A plurality of probe needles 5a of the first layer are provided on the lower surface of the probe substrate 1, and the base end portions thereof are radially formed by resin 3 around the opening of the probe substrate 1. The second probe substrate 4 having an opening is fixed to the lower surface of the second probe substrate 4.
Further, on the lower surface thereof, the second layer probe needle 5b is located at a position different from that of the first layer probe needle 5a in the circumferential direction, and its base end portion is made of resin 6 on the inner peripheral portion of the second probe substrate 4. It is planted by being fixed radially. (The probe needle is shown in Fig. 3.
Only two of 5a and 5b are shown. )

【0010】第2のプローブ基板4は1層目と2層目の
プローブ針5a,5bを分離し、さらにそれらの針の固定強
度を高めるためのものである。また、1層目と2層目の
プローブ針5a,5b の先端は共に開口部中心に向かって斜
め下方を向いており、回路テスト時には半導体集積回路
7上に配置されたボンディングパッド8にプローブ針5a
と5bとが交互に接触するように位置を違えている。
The second probe substrate 4 is for separating the probe needles 5a and 5b of the first layer and the second layer from each other and further increasing the fixing strength of those needles. Further, the tips of the probe needles 5a and 5b of the first and second layers are both directed obliquely downward toward the center of the opening, and the probe needle is attached to the bonding pad 8 arranged on the semiconductor integrated circuit 7 during the circuit test. 5a
And 5b are in different positions so that they come into contact with each other.

【0011】図4は本発明の実施例2をテスト対象の半
導体集積回路と共に示している。図5はその部分平面図
である。これらの図において、1は開口部を有するプロ
ーブ基板であり、該プローブ基板1の下面に複数の1層
目のプローブ針5aが、その基端部を前記プローブ基板1
の開口部周辺に樹脂3により放射状に固定させて植設さ
れており、前記プローブ基板1の上面に複数の2層目の
プローブ針5bが、1層目のプローブ針5aと周方向の位置
を違えてその基端部を前記プローブ基板1の内周辺部に
樹脂6により放射状に固定させて植設されている。(図
4にはプローブ針5a,5b の2本ずつだけが示されてお
り、図5には樹脂3は省略されている。)
FIG. 4 shows a second embodiment of the present invention together with a semiconductor integrated circuit to be tested. FIG. 5 is a partial plan view thereof. In these figures, reference numeral 1 denotes a probe substrate having an opening, and a plurality of first-layer probe needles 5a are provided on the lower surface of the probe substrate 1 and the base end portion thereof is the probe substrate 1
Are radially fixed to the periphery of the opening by the resin 3, and a plurality of second-layer probe needles 5b are arranged on the upper surface of the probe substrate 1 in the circumferential direction with the first-layer probe needles 5a. In contrast, the base end portion is radially fixed to the inner peripheral portion of the probe substrate 1 by the resin 6 and is implanted. (Only two probe needles 5a and 5b are shown in FIG. 4, and the resin 3 is omitted in FIG. 5.)

【0012】また1層目のプローブ針5aの先端は開口部
中心に向かって斜め下方を向いており、2層目のプロー
ブ針5bの先端は開口部を通り、開口部中心に向かって斜
め下方を向いている。また回路テスト時には半導体集積
回路7上に配置されたボンディングパッド8にプローブ
針5aと5bとが交互に接触するように位置を違えている。
Further, the tip of the probe needle 5a of the first layer is directed obliquely downward toward the center of the opening, and the tip of the probe needle 5b of the second layer passes through the opening and obliquely downward toward the center of the opening. Facing. Further, at the time of the circuit test, the positions are different so that the probe needles 5a and 5b alternately contact the bonding pad 8 arranged on the semiconductor integrated circuit 7.

【0013】前述した実施例1,実施例2では1層目の
プローブ針5aと2層目のプローブ針5bの間にプローブ基
板1又は4をはさんで針の固定強度を強くしたことによ
りプローブ基板1の針の植設面積が従来と同じである場
合、針の固定強度を同じに保ち、倍以上の数の針を植設
することができるのでプローブ針間隔を狭めることが可
能となる。
In the first and second embodiments described above, the probe substrate 1 or 4 is sandwiched between the probe needle 5a of the first layer and the probe needle 5b of the second layer to increase the fixing strength of the probe. In the case where the needle implantation area of the substrate 1 is the same as the conventional one, the fixing strength of the needles can be kept the same, and more than twice the number of needles can be implanted, so that the probe needle interval can be narrowed.

【0014】図6は本発明の実施例3の部分平面図でテ
スト対象の半導体集積回路と共に示している。実施例3
の図6におけるプローブ針9a,9b は実施例2で述べたプ
ローブの図4における1層目のプローブ針5aと2層目の
プローブ針5bを細く、そして短くしたものである。
FIG. 6 is a partial plan view of the third embodiment of the present invention, showing the semiconductor integrated circuit to be tested. Example 3
The probe needles 9a and 9b in FIG. 6 are obtained by thinning and shortening the probe needle 5a of the first layer and the probe needle 5b of the second layer in FIG. 4 of the probe described in the second embodiment.

【0015】プローブ針9a,9b を実施例2のプローブ針
5a,5bよりも細くしたことにより実施例2よりも当然に
プローブ針間隔を狭めることができる。プローブ針を細
くした場合、針のしなりの為に針圧が弱くなるが、プロ
ーブ針間隔が狭くなるので基板上の針の植設面積を狭め
ることができ、プローブ基板の開口部面が小さくなるた
めボンディングパッド8とプローブ基板1の開口部周辺
との距離が短くなり、プローブ針の長さを短くすること
ができる。このことにより必要な針圧を得ることができ
る。
The probe needles 9a and 9b are the probe needles of the second embodiment.
By making it thinner than 5a and 5b, the probe needle interval can be naturally narrowed as compared with the second embodiment. When the probe needle is made thinner, the needle pressure becomes weaker due to the bending of the needle, but the probe needle spacing becomes narrower, so the needle implantation area on the substrate can be narrowed and the opening surface of the probe substrate becomes smaller. Therefore, the distance between the bonding pad 8 and the periphery of the opening of the probe substrate 1 is shortened, and the length of the probe needle can be shortened. As a result, the necessary needle pressure can be obtained.

【0016】また、実施例2及び実施例3においては、
層の違いによるプローブ針の長さ、つまり1層目のプロ
ーブ針と2層目のプローブ針5aと5b (図5) 及び9aと9b
(図6) の針の長さが多少異なる為に、それぞれの層に
植えられた針の針圧にわずかな差が生じるが、長い針を
短い針に比べて太くし、又は短い針を長い針に比べて細
くすることにより各層の針にかけ得る針圧を等しくする
ことができる。
Further, in the second and third embodiments,
The length of the probe needles due to the difference in layers, that is, the probe needles of the first layer and the probe needles of the second layer 5a and 5b (Fig. 5) and 9a and 9b.
There is a slight difference in the needle pressure of the needles implanted in each layer due to the slightly different length of the needles (Fig. 6), but make the long needles thicker than the short ones or make the short needles longer. By making the needle thinner than the needle, the needle pressure that can be applied to the needle of each layer can be made equal.

【0017】[0017]

【発明の効果】以上のように複数層にプローブ針を植設
することにより従来と同じプローブ基板上の針の植設面
積で針の固定強度を同じに保ち、倍以上のプローブ針を
植設することができる。このことによりプローブ針の間
隔が狭くなり、狭い配置間隔のボンディングパッドに適
応することができるので、半導体集積回路のサイズを必
要最小限にとどめることが可能となる。また、従来は針
の植設面積を広くするためにプローブ基板の開口部を大
きく広げていたのでプローブ針が長くなっていたが、従
来と同じ本数を植える場合には開口部を狭くでき、短く
細いプローブ針を使用することができるので、よりプロ
ーブ針間隔を狭めることができる等、本発明は優れた効
果を奏するものである。
By implanting the probe needles in a plurality of layers as described above, the needle fixing strength is kept the same in the same needle implant area on the probe substrate as the conventional one, and more than twice the probe needles are implanted. can do. As a result, the distance between the probe needles becomes narrower, and it is possible to adapt to a bonding pad having a narrow arrangement distance, so that the size of the semiconductor integrated circuit can be minimized. Also, in the past, the probe needle had to be long because the opening of the probe board was widened in order to widen the area where the needle was planted.However, when the same number of needles as in the past was planted, the opening could be made narrower Since thin probe needles can be used, the present invention has excellent effects such as being able to further narrow the probe needle interval.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】従来のプローブの部分断面図である。FIG. 1 is a partial cross-sectional view of a conventional probe.

【図2】従来のプローブのプローブ針と半導体集積回路
の位置関係を表す部分平面図である。
FIG. 2 is a partial plan view showing a positional relationship between a probe needle of a conventional probe and a semiconductor integrated circuit.

【図3】本発明の実施例1によるプローブの部分断面図
である。
FIG. 3 is a partial cross-sectional view of the probe according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施例2によるプローブの部分断面図
である。
FIG. 4 is a partial sectional view of a probe according to a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施例2によるプローブ針と半導体集
積回路の位置関係を表す部分平面図である。
FIG. 5 is a partial plan view showing a positional relationship between a probe needle and a semiconductor integrated circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図6】本発明の実施例3によるプローブ針と半導体集
積回路の位置関係を表す部分平面図である。
FIG. 6 is a partial plan view showing a positional relationship between a probe needle and a semiconductor integrated circuit according to a third embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 プローブ基板 2 プローブ針 5a 1層目のプローブ針 5b 2層目のプローブ針 7 半導体集積回路 8 ボンディングパッド 1 probe board 2 probe needle 5a 1st layer probe needle 5b 2nd layer probe needle 7 semiconductor integrated circuit 8 bonding pad

─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成4年2月7日[Submission date] February 7, 1992

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0002[Name of item to be corrected] 0002

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路はパッケージに組み立て
る前にウエハ状態で回路テストが行われる。図5はその
際使用されるプローブの部分断面図であり、テスト対象
の半導体集積回路と共に示している。図6はプローブの
部分平面図であり、前記プローブ針と前記半導体集積回
路の位置関係を示している。
2. Description of the Related Art A semiconductor integrated circuit is subjected to a circuit test in a wafer state before being assembled into a package. FIG. 5 is a partial cross-sectional view of the probe used at that time, and it is shown together with the semiconductor integrated circuit to be tested. FIG. 6 is a partial plan view of the probe, showing a positional relationship between the probe needle and the semiconductor integrated circuit.

【手続補正2】[Procedure Amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0004[Correction target item name] 0004

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0004】回路テストを行う場合、前記プローブ針2
の先端側に半導体集積回路7を配置し、該半導体集積回
路7上に配置されたボンディングパッド8に前記プロー
ブ針2を接触させることにより回路テストを行う。な
お、図5ではプローブ針は2本だけを示している。複数
植設されたプローブ針2は図6に示すようにプローブ針
1本に対してボンディングパッド1ヶ所が対応してい
る。
When performing a circuit test, the probe needle 2 is used.
A semiconductor integrated circuit 7 is arranged on the tip side of the semiconductor integrated circuit 7, and the probe 2 is brought into contact with the bonding pad 8 arranged on the semiconductor integrated circuit 7 to perform a circuit test. Note that FIG. 5 shows only two probe needles. As shown in FIG. 6 , the plurality of implanted probe needles 2 correspond to one probe needle and one bonding pad.

【手続補正3】[Procedure 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0009[Correction target item name] 0009

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0009】[0009]

【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
いて具体的に説明する。図1は本発明の実施例1をテス
ト対象の半導体集積回路と共に示している。この図にお
いて1は開口部を有するプローブ基板であり、該プロー
ブ基板1の下面に1層目の複数のプローブ針5aが、その
基端部を前記プローブ基板1の開口部周辺に樹脂3によ
り放射状に固定させて植設されており、その下面には開
口部を有する第2のプローブ基板4が固定されており、
さらにその下面には2層目のプローブ針5bが、1層目の
プローブ針5aと周方向の位置を違えて、その基端部を前
記第2のプローブ基板4の内周辺部に樹脂6により放射
状に固定させて植設されている。(図1にはプローブ針
5a,5b の2本ずつだけが示されている。)
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail below with reference to the drawings showing the embodiments thereof. 1 shows a first embodiment of the present invention together with a semiconductor integrated circuit to be tested. In the figure, reference numeral 1 denotes a probe substrate having an opening. A plurality of probe needles 5a of the first layer are provided on the lower surface of the probe substrate 1, and the base end portions thereof are radially formed by resin 3 around the opening of the probe substrate 1. The second probe substrate 4 having an opening is fixed to the lower surface of the second probe substrate 4.
Further, on the lower surface thereof, the second layer probe needle 5b is located at a position different from that of the first layer probe needle 5a in the circumferential direction, and its base end portion is made of resin 6 on the inner peripheral portion of the second probe substrate 4. It is planted by being fixed radially. (The probe needle is shown in Fig. 1.
Only two of 5a and 5b are shown. )

【手続補正4】[Procedure amendment 4]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0011[Correction target item name] 0011

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0011】図2は本発明の実施例2をテスト対象の半
導体集積回路と共に示している。図3はその部分平面図
である。これらの図において、1は開口部を有するプロ
ーブ基板であり、該プローブ基板1の下面に複数の1層
目のプローブ針5aが、その基端部を前記プローブ基板1
の開口部周辺に樹脂3により放射状に固定させて植設さ
れており、前記プローブ基板1の上面に複数の2層目の
プローブ針5bが、1層目のプローブ針5aと周方向の位置
を違えてその基端部を前記プローブ基板1の内周辺部に
樹脂6により放射状に固定させて植設されている。(
にはプローブ針5a,5b の2本ずつだけが示されてお
り、図3には樹脂3は省略されている。)
FIG . 2 shows a second embodiment of the present invention together with a semiconductor integrated circuit to be tested. FIG. 3 is a partial plan view thereof. In these figures, reference numeral 1 denotes a probe substrate having an opening, and a plurality of first-layer probe needles 5a are provided on the lower surface of the probe substrate 1 and the base end portion thereof is the probe substrate 1
Are radially fixed to the periphery of the opening by the resin 3, and a plurality of second-layer probe needles 5b are arranged on the upper surface of the probe substrate 1 in the circumferential direction with the first-layer probe needles 5a. In contrast, the base end portion is radially fixed to the inner peripheral portion of the probe substrate 1 by the resin 6 and is implanted. ( Figure
Probe needles 5a to 2, and only one by two 5b is shown in FIG. 3 resin 3 is omitted. )

【手続補正5】[Procedure Amendment 5]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0014[Correction target item name] 0014

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0014】図4は本発明の実施例3の部分平面図でテ
スト対象の半導体集積回路と共に示している。実施例3
図4におけるプローブ針9a,9b は実施例2で述べたプ
ローブの図2における1層目のプローブ針5aと2層目の
プローブ針5bを細く、そして短くしたものである。
FIG . 4 is a partial plan view of a third embodiment of the present invention, which is shown together with a semiconductor integrated circuit to be tested. Example 3
The probe needles 9a and 9b in FIG. 4 are obtained by narrowing and shortening the first layer probe needle 5a and the second layer probe needle 5b in FIG. 2 of the probe described in the second embodiment.

【手続補正6】[Procedure Amendment 6]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0016[Correction target item name] 0016

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0016】また、実施例2及び実施例3においては、
層の違いによるプローブ針の長さ、つまり1層目のプロ
ーブ針と2層目のプローブ針5aと5b (図3) 及び9aと9b
(図4) の針の長さが多少異なる為に、それぞれの層に
植えられた針の針圧にわずかな差が生じるが、長い針を
短い針に比べて太くし、又は短い針を長い針に比べて細
くすることにより各層の針にかけ得る針圧を等しくする
ことができる。
Further, in the second and third embodiments,
The length of the probe needles due to the difference in the layers, that is, the probe needles of the first layer and the probe needles of the second layer 5a and 5b ( Fig. 3 ) and 9a and 9b.
There is a slight difference in the needle pressure of the needles implanted in each layer due to the slightly different length of the needles ( Fig. 4 ), but make the long needle thicker than the short needle or make the short needle longer. By making the needle thinner than the needle, the needle pressure that can be applied to the needle of each layer can be made equal.

【手続補正7】[Procedure Amendment 7]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】図面の簡単な説明[Name of item to be corrected] Brief explanation of the drawing

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例1によるプローブの部分断面図
である。
FIG. 1 is a partial cross-sectional view of a probe according to a first embodiment of the present invention.
Is.

【図2】本発明の実施例2によるプローブの部分断面図
である。
FIG. 2 is a partial sectional view of a probe according to a second embodiment of the present invention.
Is.

【図3】本発明の実施例2によるプローブ針と半導体集
積回路の位置関係を表す部分平面図である。
FIG. 3 is a probe needle and a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention .
It is a partial top view showing the positional relationship of a product circuit.

【図4】本発明の実施例3によるプローブ針と半導体集
積回路の位置関係を表す部分平面図である。
FIG. 4 is a probe needle and a semiconductor device according to a third embodiment of the present invention .
It is a partial top view showing the positional relationship of a product circuit.

【図5】従来のプローブの部分断面図である。 FIG. 5 is a partial cross-sectional view of a conventional probe.

【図6】従来のプローブのプローブ針と半導体集積回路
の位置関係を表す部分平面図である。
FIG. 6 is a probe needle of a conventional probe and a semiconductor integrated circuit.
It is a partial plan view showing the positional relationship of.

【符号の説明】 1 プローブ基板 2 プローブ針 5a 1層目のプローブ針 5b 2層目のプローブ針 7 半導体集積回路 8 ボンディングパッド[Explanation of Codes] 1 probe substrate 2 probe needle 5a first layer probe needle 5b second layer probe needle 7 semiconductor integrated circuit 8 bonding pad

【手続補正8】[Procedure Amendment 8]

【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing

【補正対象項目名】全図[Correction target item name] All drawings

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【図1】 [Figure 1]

【図2】 [Fig. 2]

【図3】 [Figure 3]

【図4】 [Figure 4]

【図5】 [Figure 5]

【図6】 [Figure 6]

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 プローブ基板に設けられたプローブ針を
有し、該プローブ針を半導体集積回路の導電部に接触さ
せることにより回路テストを行うプローブにおいて、前
記プローブ針が前記プローブ基板に複数層に植設されて
いることを特徴とするプローブ。
1. A probe having a probe needle provided on a probe substrate, wherein the probe needle is provided in a plurality of layers on the probe substrate, wherein the probe needle is brought into contact with a conductive portion of a semiconductor integrated circuit to perform a circuit test. A probe characterized by being implanted.
JP23180691A 1991-09-11 1991-09-11 probe Pending JPH0574884A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06222079A (en) * 1993-01-22 1994-08-12 Tokyo Kasoode Kenkyusho:Kk Probe for probe card
JP2001289875A (en) * 2000-04-05 2001-10-19 Mitsubishi Materials Corp Contact probe

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