JPH0574884A - プローブ - Google Patents
プローブInfo
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- JPH0574884A JPH0574884A JP23180691A JP23180691A JPH0574884A JP H0574884 A JPH0574884 A JP H0574884A JP 23180691 A JP23180691 A JP 23180691A JP 23180691 A JP23180691 A JP 23180691A JP H0574884 A JPH0574884 A JP H0574884A
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- Japan
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- probe
- needle
- needles
- semiconductor integrated
- integrated circuit
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プローブ針固定強度を従来と同じに保ちなが
ら、プローブ針間隔の狭いプローブを提供することを目
的とする。 【構成】 開口部を有するプローブ基板１の開口部周辺
に複数のプローブ針5a,5b が複数層に植えられ、半導体
集積回路７上に配置されたボンディングパッド８の１つ
１つに接触することで回路テストを行う。
ら、プローブ針間隔の狭いプローブを提供することを目
的とする。 【構成】 開口部を有するプローブ基板１の開口部周辺
に複数のプローブ針5a,5b が複数層に植えられ、半導体
集積回路７上に配置されたボンディングパッド８の１つ
１つに接触することで回路テストを行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路の回路テ
ストに使用されるプローブに関するものである。
ストに使用されるプローブに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路はパッケージに組み立て
る前にウエハ状態で回路テストが行われる。図１はその
際使用されるプローブの部分断面図であり、テスト対象
の半導体集積回路と共に示している。図２はプローブの
部分平面図であり、前記プローブ針と前記半導体集積回
路の位置関係を示している。
る前にウエハ状態で回路テストが行われる。図１はその
際使用されるプローブの部分断面図であり、テスト対象
の半導体集積回路と共に示している。図２はプローブの
部分平面図であり、前記プローブ針と前記半導体集積回
路の位置関係を示している。
【０００３】これらの図において１はプローブ基板であ
り、開口部を有している。前記プローブ基板１の下面に
複数のプローブ針２がその基端部を前記プローブ基板１
の開口部周辺に放射状に樹脂３により固定させ、その先
端を開口部中心に向かって斜め下方に向くように植設さ
れている。
り、開口部を有している。前記プローブ基板１の下面に
複数のプローブ針２がその基端部を前記プローブ基板１
の開口部周辺に放射状に樹脂３により固定させ、その先
端を開口部中心に向かって斜め下方に向くように植設さ
れている。
【０００４】回路テストを行う場合、前記プローブ針２
の先端側に半導体集積回路７を配置し、該半導体集積回
路７上に配置されたボンディングパッド８に前記プロー
ブ針２を接触させることにより回路テストを行う。な
お、図１ではプローブ針は２本だけを示している。複数
植設されたプローブ針２は図２に示すようにプローブ針
１本に対してボンディングパッド１ヶ所が対応してい
る。
の先端側に半導体集積回路７を配置し、該半導体集積回
路７上に配置されたボンディングパッド８に前記プロー
ブ針２を接触させることにより回路テストを行う。な
お、図１ではプローブ針は２本だけを示している。複数
植設されたプローブ針２は図２に示すようにプローブ針
１本に対してボンディングパッド１ヶ所が対応してい
る。
【０００５】このような従来のプローブではプローブ針
２の密度を高くしすぎると隣り合ったプローブ針２が接
触したりプローブ針２を固定している樹脂３の固定強度
が弱くなったりする問題を生じる。これを解決するため
にプローブ針を細くすることが考えられるが、必要とす
る針圧をかけることができない。
２の密度を高くしすぎると隣り合ったプローブ針２が接
触したりプローブ針２を固定している樹脂３の固定強度
が弱くなったりする問題を生じる。これを解決するため
にプローブ針を細くすることが考えられるが、必要とす
る針圧をかけることができない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前述した理由によりプ
ローブ針の間隔はある程度以上に狭めることができず、
そのため半導体集積回路のボンディングパッドの間隔を
狭めることができないので、プローブ針間隔が半導体集
積回路のサイズを支配し、そのために半導体集積回路の
サイズが必要以上に大きくなるという問題があった。本
発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、従来の
プローブ針と同じ程度の針の固定強度を保ちながら従来
よりもプローブ針間隔を狭め、必要とする針圧をかける
ことができるプローブを提供し、これにより半導体集積
回路サイズを小さくすることを目的とする。
ローブ針の間隔はある程度以上に狭めることができず、
そのため半導体集積回路のボンディングパッドの間隔を
狭めることができないので、プローブ針間隔が半導体集
積回路のサイズを支配し、そのために半導体集積回路の
サイズが必要以上に大きくなるという問題があった。本
発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、従来の
プローブ針と同じ程度の針の固定強度を保ちながら従来
よりもプローブ針間隔を狭め、必要とする針圧をかける
ことができるプローブを提供し、これにより半導体集積
回路サイズを小さくすることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係るプローブは
複数層に植設されたプローブ針を有する。
複数層に植設されたプローブ針を有する。
【０００８】
【作用】本発明のプローブでは複数層にプローブ針が植
設されているので、そのプローブ針の１本１本が半導体
集積回路上のボンディングパッドの１つ１つに接触する
ように基板上の周方向の位置を違えてプローブ針を植設
した場合は、基板上の針の植設面積が従来と等しければ
従来と同じ針の固定強度を保ちながら倍以上の数のプロ
ーブ針を有することができる。さらに従来と同じプロー
ブ針の太さ及び長さとして必要とする針圧をかけること
ができる。
設されているので、そのプローブ針の１本１本が半導体
集積回路上のボンディングパッドの１つ１つに接触する
ように基板上の周方向の位置を違えてプローブ針を植設
した場合は、基板上の針の植設面積が従来と等しければ
従来と同じ針の固定強度を保ちながら倍以上の数のプロ
ーブ針を有することができる。さらに従来と同じプロー
ブ針の太さ及び長さとして必要とする針圧をかけること
ができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
いて具体的に説明する。図３は本発明の実施例１をテス
ト対象の半導体集積回路と共に示している。この図にお
いて１は開口部を有するプローブ基板であり、該プロー
ブ基板１の下面に１層目の複数のプローブ針5aが、その
基端部を前記プローブ基板１の開口部周辺に樹脂３によ
り放射状に固定させて植設されており、その下面には開
口部を有する第２のプローブ基板４が固定されており、
さらにその下面には２層目のプローブ針5bが、１層目の
プローブ針5aと周方向の位置を違えて、その基端部を前
記第２のプローブ基板４の内周辺部に樹脂６により放射
状に固定させて植設されている。（図３にはプローブ針
5a,5b の２本ずつだけが示されている。）
いて具体的に説明する。図３は本発明の実施例１をテス
ト対象の半導体集積回路と共に示している。この図にお
いて１は開口部を有するプローブ基板であり、該プロー
ブ基板１の下面に１層目の複数のプローブ針5aが、その
基端部を前記プローブ基板１の開口部周辺に樹脂３によ
り放射状に固定させて植設されており、その下面には開
口部を有する第２のプローブ基板４が固定されており、
さらにその下面には２層目のプローブ針5bが、１層目の
プローブ針5aと周方向の位置を違えて、その基端部を前
記第２のプローブ基板４の内周辺部に樹脂６により放射
状に固定させて植設されている。（図３にはプローブ針
5a,5b の２本ずつだけが示されている。）
【００１０】第２のプローブ基板４は１層目と２層目の
プローブ針5a,5bを分離し、さらにそれらの針の固定強
度を高めるためのものである。また、１層目と２層目の
プローブ針5a,5b の先端は共に開口部中心に向かって斜
め下方を向いており、回路テスト時には半導体集積回路
７上に配置されたボンディングパッド８にプローブ針5a
と5bとが交互に接触するように位置を違えている。
プローブ針5a,5bを分離し、さらにそれらの針の固定強
度を高めるためのものである。また、１層目と２層目の
プローブ針5a,5b の先端は共に開口部中心に向かって斜
め下方を向いており、回路テスト時には半導体集積回路
７上に配置されたボンディングパッド８にプローブ針5a
と5bとが交互に接触するように位置を違えている。
【００１１】図４は本発明の実施例２をテスト対象の半
導体集積回路と共に示している。図５はその部分平面図
である。これらの図において、１は開口部を有するプロ
ーブ基板であり、該プローブ基板１の下面に複数の１層
目のプローブ針5aが、その基端部を前記プローブ基板１
の開口部周辺に樹脂３により放射状に固定させて植設さ
れており、前記プローブ基板１の上面に複数の２層目の
プローブ針5bが、１層目のプローブ針5aと周方向の位置
を違えてその基端部を前記プローブ基板１の内周辺部に
樹脂６により放射状に固定させて植設されている。（図
４にはプローブ針5a,5b の２本ずつだけが示されてお
り、図５には樹脂３は省略されている。）
導体集積回路と共に示している。図５はその部分平面図
である。これらの図において、１は開口部を有するプロ
ーブ基板であり、該プローブ基板１の下面に複数の１層
目のプローブ針5aが、その基端部を前記プローブ基板１
の開口部周辺に樹脂３により放射状に固定させて植設さ
れており、前記プローブ基板１の上面に複数の２層目の
プローブ針5bが、１層目のプローブ針5aと周方向の位置
を違えてその基端部を前記プローブ基板１の内周辺部に
樹脂６により放射状に固定させて植設されている。（図
４にはプローブ針5a,5b の２本ずつだけが示されてお
り、図５には樹脂３は省略されている。）
【００１２】また１層目のプローブ針5aの先端は開口部
中心に向かって斜め下方を向いており、２層目のプロー
ブ針5bの先端は開口部を通り、開口部中心に向かって斜
め下方を向いている。また回路テスト時には半導体集積
回路７上に配置されたボンディングパッド８にプローブ
針5aと5bとが交互に接触するように位置を違えている。
中心に向かって斜め下方を向いており、２層目のプロー
ブ針5bの先端は開口部を通り、開口部中心に向かって斜
め下方を向いている。また回路テスト時には半導体集積
回路７上に配置されたボンディングパッド８にプローブ
針5aと5bとが交互に接触するように位置を違えている。
【００１３】前述した実施例１，実施例２では１層目の
プローブ針5aと２層目のプローブ針5bの間にプローブ基
板１又は４をはさんで針の固定強度を強くしたことによ
りプローブ基板１の針の植設面積が従来と同じである場
合、針の固定強度を同じに保ち、倍以上の数の針を植設
することができるのでプローブ針間隔を狭めることが可
能となる。
プローブ針5aと２層目のプローブ針5bの間にプローブ基
板１又は４をはさんで針の固定強度を強くしたことによ
りプローブ基板１の針の植設面積が従来と同じである場
合、針の固定強度を同じに保ち、倍以上の数の針を植設
することができるのでプローブ針間隔を狭めることが可
能となる。
【００１４】図６は本発明の実施例３の部分平面図でテ
スト対象の半導体集積回路と共に示している。実施例３
の図６におけるプローブ針9a,9b は実施例２で述べたプ
ローブの図４における１層目のプローブ針5aと２層目の
プローブ針5bを細く、そして短くしたものである。
スト対象の半導体集積回路と共に示している。実施例３
の図６におけるプローブ針9a,9b は実施例２で述べたプ
ローブの図４における１層目のプローブ針5aと２層目の
プローブ針5bを細く、そして短くしたものである。
【００１５】プローブ針9a,9b を実施例２のプローブ針
5a,5bよりも細くしたことにより実施例２よりも当然に
プローブ針間隔を狭めることができる。プローブ針を細
くした場合、針のしなりの為に針圧が弱くなるが、プロ
ーブ針間隔が狭くなるので基板上の針の植設面積を狭め
ることができ、プローブ基板の開口部面が小さくなるた
めボンディングパッド８とプローブ基板１の開口部周辺
との距離が短くなり、プローブ針の長さを短くすること
ができる。このことにより必要な針圧を得ることができ
る。
5a,5bよりも細くしたことにより実施例２よりも当然に
プローブ針間隔を狭めることができる。プローブ針を細
くした場合、針のしなりの為に針圧が弱くなるが、プロ
ーブ針間隔が狭くなるので基板上の針の植設面積を狭め
ることができ、プローブ基板の開口部面が小さくなるた
めボンディングパッド８とプローブ基板１の開口部周辺
との距離が短くなり、プローブ針の長さを短くすること
ができる。このことにより必要な針圧を得ることができ
る。
【００１６】また、実施例２及び実施例３においては、
層の違いによるプローブ針の長さ、つまり１層目のプロ
ーブ針と２層目のプローブ針5aと5b (図５) 及び9aと9b
(図６) の針の長さが多少異なる為に、それぞれの層に
植えられた針の針圧にわずかな差が生じるが、長い針を
短い針に比べて太くし、又は短い針を長い針に比べて細
くすることにより各層の針にかけ得る針圧を等しくする
ことができる。
層の違いによるプローブ針の長さ、つまり１層目のプロ
ーブ針と２層目のプローブ針5aと5b (図５) 及び9aと9b
(図６) の針の長さが多少異なる為に、それぞれの層に
植えられた針の針圧にわずかな差が生じるが、長い針を
短い針に比べて太くし、又は短い針を長い針に比べて細
くすることにより各層の針にかけ得る針圧を等しくする
ことができる。
【００１７】
【発明の効果】以上のように複数層にプローブ針を植設
することにより従来と同じプローブ基板上の針の植設面
積で針の固定強度を同じに保ち、倍以上のプローブ針を
植設することができる。このことによりプローブ針の間
隔が狭くなり、狭い配置間隔のボンディングパッドに適
応することができるので、半導体集積回路のサイズを必
要最小限にとどめることが可能となる。また、従来は針
の植設面積を広くするためにプローブ基板の開口部を大
きく広げていたのでプローブ針が長くなっていたが、従
来と同じ本数を植える場合には開口部を狭くでき、短く
細いプローブ針を使用することができるので、よりプロ
ーブ針間隔を狭めることができる等、本発明は優れた効
果を奏するものである。
することにより従来と同じプローブ基板上の針の植設面
積で針の固定強度を同じに保ち、倍以上のプローブ針を
植設することができる。このことによりプローブ針の間
隔が狭くなり、狭い配置間隔のボンディングパッドに適
応することができるので、半導体集積回路のサイズを必
要最小限にとどめることが可能となる。また、従来は針
の植設面積を広くするためにプローブ基板の開口部を大
きく広げていたのでプローブ針が長くなっていたが、従
来と同じ本数を植える場合には開口部を狭くでき、短く
細いプローブ針を使用することができるので、よりプロ
ーブ針間隔を狭めることができる等、本発明は優れた効
果を奏するものである。
【図１】従来のプローブの部分断面図である。
【図２】従来のプローブのプローブ針と半導体集積回路
の位置関係を表す部分平面図である。
の位置関係を表す部分平面図である。
【図３】本発明の実施例１によるプローブの部分断面図
である。
である。
【図４】本発明の実施例２によるプローブの部分断面図
である。
である。
【図５】本発明の実施例２によるプローブ針と半導体集
積回路の位置関係を表す部分平面図である。
積回路の位置関係を表す部分平面図である。
【図６】本発明の実施例３によるプローブ針と半導体集
積回路の位置関係を表す部分平面図である。
積回路の位置関係を表す部分平面図である。
１ プローブ基板 ２ プローブ針 5a １層目のプローブ針 5b ２層目のプローブ針 ７ 半導体集積回路 ８ ボンディングパッド
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年２月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路はパッケージに組み立て
る前にウエハ状態で回路テストが行われる。図５はその
際使用されるプローブの部分断面図であり、テスト対象
の半導体集積回路と共に示している。図６はプローブの
部分平面図であり、前記プローブ針と前記半導体集積回
路の位置関係を示している。
る前にウエハ状態で回路テストが行われる。図５はその
際使用されるプローブの部分断面図であり、テスト対象
の半導体集積回路と共に示している。図６はプローブの
部分平面図であり、前記プローブ針と前記半導体集積回
路の位置関係を示している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】回路テストを行う場合、前記プローブ針２
の先端側に半導体集積回路７を配置し、該半導体集積回
路７上に配置されたボンディングパッド８に前記プロー
ブ針２を接触させることにより回路テストを行う。な
お、図５ではプローブ針は２本だけを示している。複数
植設されたプローブ針２は図６に示すようにプローブ針
１本に対してボンディングパッド１ヶ所が対応してい
る。
の先端側に半導体集積回路７を配置し、該半導体集積回
路７上に配置されたボンディングパッド８に前記プロー
ブ針２を接触させることにより回路テストを行う。な
お、図５ではプローブ針は２本だけを示している。複数
植設されたプローブ針２は図６に示すようにプローブ針
１本に対してボンディングパッド１ヶ所が対応してい
る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
いて具体的に説明する。図１は本発明の実施例１をテス
ト対象の半導体集積回路と共に示している。この図にお
いて１は開口部を有するプローブ基板であり、該プロー
ブ基板１の下面に１層目の複数のプローブ針5aが、その
基端部を前記プローブ基板１の開口部周辺に樹脂３によ
り放射状に固定させて植設されており、その下面には開
口部を有する第２のプローブ基板４が固定されており、
さらにその下面には２層目のプローブ針5bが、１層目の
プローブ針5aと周方向の位置を違えて、その基端部を前
記第２のプローブ基板４の内周辺部に樹脂６により放射
状に固定させて植設されている。（図１にはプローブ針
5a,5b の２本ずつだけが示されている。）
いて具体的に説明する。図１は本発明の実施例１をテス
ト対象の半導体集積回路と共に示している。この図にお
いて１は開口部を有するプローブ基板であり、該プロー
ブ基板１の下面に１層目の複数のプローブ針5aが、その
基端部を前記プローブ基板１の開口部周辺に樹脂３によ
り放射状に固定させて植設されており、その下面には開
口部を有する第２のプローブ基板４が固定されており、
さらにその下面には２層目のプローブ針5bが、１層目の
プローブ針5aと周方向の位置を違えて、その基端部を前
記第２のプローブ基板４の内周辺部に樹脂６により放射
状に固定させて植設されている。（図１にはプローブ針
5a,5b の２本ずつだけが示されている。）
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】図２は本発明の実施例２をテスト対象の半
導体集積回路と共に示している。図３はその部分平面図
である。これらの図において、１は開口部を有するプロ
ーブ基板であり、該プローブ基板１の下面に複数の１層
目のプローブ針5aが、その基端部を前記プローブ基板１
の開口部周辺に樹脂３により放射状に固定させて植設さ
れており、前記プローブ基板１の上面に複数の２層目の
プローブ針5bが、１層目のプローブ針5aと周方向の位置
を違えてその基端部を前記プローブ基板１の内周辺部に
樹脂６により放射状に固定させて植設されている。（図
２にはプローブ針5a,5b の２本ずつだけが示されてお
り、図３には樹脂３は省略されている。）
導体集積回路と共に示している。図３はその部分平面図
である。これらの図において、１は開口部を有するプロ
ーブ基板であり、該プローブ基板１の下面に複数の１層
目のプローブ針5aが、その基端部を前記プローブ基板１
の開口部周辺に樹脂３により放射状に固定させて植設さ
れており、前記プローブ基板１の上面に複数の２層目の
プローブ針5bが、１層目のプローブ針5aと周方向の位置
を違えてその基端部を前記プローブ基板１の内周辺部に
樹脂６により放射状に固定させて植設されている。（図
２にはプローブ針5a,5b の２本ずつだけが示されてお
り、図３には樹脂３は省略されている。）
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】図４は本発明の実施例３の部分平面図でテ
スト対象の半導体集積回路と共に示している。実施例３
の図４におけるプローブ針9a,9b は実施例２で述べたプ
ローブの図２における１層目のプローブ針5aと２層目の
プローブ針5bを細く、そして短くしたものである。
スト対象の半導体集積回路と共に示している。実施例３
の図４におけるプローブ針9a,9b は実施例２で述べたプ
ローブの図２における１層目のプローブ針5aと２層目の
プローブ針5bを細く、そして短くしたものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】また、実施例２及び実施例３においては、
層の違いによるプローブ針の長さ、つまり１層目のプロ
ーブ針と２層目のプローブ針5aと5b (図３) 及び9aと9b
(図４) の針の長さが多少異なる為に、それぞれの層に
植えられた針の針圧にわずかな差が生じるが、長い針を
短い針に比べて太くし、又は短い針を長い針に比べて細
くすることにより各層の針にかけ得る針圧を等しくする
ことができる。
層の違いによるプローブ針の長さ、つまり１層目のプロ
ーブ針と２層目のプローブ針5aと5b (図３) 及び9aと9b
(図４) の針の長さが多少異なる為に、それぞれの層に
植えられた針の針圧にわずかな差が生じるが、長い針を
短い針に比べて太くし、又は短い針を長い針に比べて細
くすることにより各層の針にかけ得る針圧を等しくする
ことができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１によるプローブの部分断面図
である。
である。
【図２】本発明の実施例２によるプローブの部分断面図
である。
である。
【図３】本発明の実施例２によるプローブ針と半導体集
積回路の位置関係を表す部分平面図である。
積回路の位置関係を表す部分平面図である。
【図４】本発明の実施例３によるプローブ針と半導体集
積回路の位置関係を表す部分平面図である。
積回路の位置関係を表す部分平面図である。
【図５】従来のプローブの部分断面図である。
【図６】従来のプローブのプローブ針と半導体集積回路
の位置関係を表す部分平面図である。
の位置関係を表す部分平面図である。
【符号の説明】 １ プローブ基板 ２ プローブ針 5a １層目のプローブ針 5b ２層目のプローブ針 ７ 半導体集積回路 ８ ボンディングパッド
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
Claims (1)
- 【請求項１】 プローブ基板に設けられたプローブ針を
有し、該プローブ針を半導体集積回路の導電部に接触さ
せることにより回路テストを行うプローブにおいて、前
記プローブ針が前記プローブ基板に複数層に植設されて
いることを特徴とするプローブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23180691A JPH0574884A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | プローブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23180691A JPH0574884A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | プローブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574884A true JPH0574884A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16929313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23180691A Pending JPH0574884A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | プローブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0574884A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06222079A (ja) * | 1993-01-22 | 1994-08-12 | Tokyo Kasoode Kenkyusho:Kk | プローブカード用探針 |
| JP2001289875A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-19 | Mitsubishi Materials Corp | コンタクトプローブ |
-
1991
- 1991-09-11 JP JP23180691A patent/JPH0574884A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06222079A (ja) * | 1993-01-22 | 1994-08-12 | Tokyo Kasoode Kenkyusho:Kk | プローブカード用探針 |
| JP2001289875A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-19 | Mitsubishi Materials Corp | コンタクトプローブ |
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