JPH0574904A - 半導体ウエーハの外観検査装置およびその検査方法 - Google Patents
半導体ウエーハの外観検査装置およびその検査方法Info
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- JPH0574904A JPH0574904A JP23271891A JP23271891A JPH0574904A JP H0574904 A JPH0574904 A JP H0574904A JP 23271891 A JP23271891 A JP 23271891A JP 23271891 A JP23271891 A JP 23271891A JP H0574904 A JPH0574904 A JP H0574904A
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- Japan
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- semiconductor wafer
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Closed-Circuit Television Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体ウェーハ検査装置において、半導体ウェ
ーハを照射する光源の電圧調節を行うことにより、検査
感度を一定に保つ。 【構成】ウェーハ検査ステージ６上に、反射鏡５を備え
ており、ＣＣＤカメラ部２で前記反射鏡からの反射光を
取り込み、光源電圧調節部９にて、その強度の測定を行
い、測定の結果を基に、光源に加える電圧を調節し、ス
テージ上の半導体ウェーハ４に照射される照明光の強度
を一定に保つ。
ーハを照射する光源の電圧調節を行うことにより、検査
感度を一定に保つ。 【構成】ウェーハ検査ステージ６上に、反射鏡５を備え
ており、ＣＣＤカメラ部２で前記反射鏡からの反射光を
取り込み、光源電圧調節部９にて、その強度の測定を行
い、測定の結果を基に、光源に加える電圧を調節し、ス
テージ上の半導体ウェーハ４に照射される照明光の強度
を一定に保つ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハの外観
検査装置およびその検査方法に係り、特に外観を光学的
に画像認識し、それを画像処理することにより、外観上
の欠陥を判定する外観検査装置およびその検査方法に関
する。
検査装置およびその検査方法に係り、特に外観を光学的
に画像認識し、それを画像処理することにより、外観上
の欠陥を判定する外観検査装置およびその検査方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体ウェーハ検査装置は、図２
に示すように、顕微鏡部３，ＣＣＤカメラ部２を備え、
光源８からの照明光により、ステージ６上の半導体ウェ
ーハ４の表面の回路パターンを光学的な画像としてとら
える。その画像をディジタル化し、種々の画像処理を行
うことで、微小な欠陥を検出することが出来る。
に示すように、顕微鏡部３，ＣＣＤカメラ部２を備え、
光源８からの照明光により、ステージ６上の半導体ウェ
ーハ４の表面の回路パターンを光学的な画像としてとら
える。その画像をディジタル化し、種々の画像処理を行
うことで、微小な欠陥を検出することが出来る。
【０００３】近年の急激な回路パタンの微細化により、
非常に高い倍率（×１０００以上）での検査の必要性が
生じてきており、そのため、検査感度の高感度化が必須
の状況となってきている。
非常に高い倍率（×１０００以上）での検査の必要性が
生じてきており、そのため、検査感度の高感度化が必須
の状況となってきている。
【０００４】また、外観検査の基本的な欠陥の判定方法
は、一般にある回路パタンと、隣接するチップの同一回
路パタンとの比較判定方式がとられている。すなわち、
同一回路パタンにて画像処理し、異なる箇所を欠陥と判
定する方式がとられている。従って、この半導体ウェー
ハの外観検査装置の感度を決定する主な要素として、画
像でとらえた時の画素の寸法をいかに小さくするか、ま
た、それぞれの画素の選択可能な明暗の差をいかに小さ
くできるかである。そして、これらは、装置の性能を左
右する大きな要素となっている。
は、一般にある回路パタンと、隣接するチップの同一回
路パタンとの比較判定方式がとられている。すなわち、
同一回路パタンにて画像処理し、異なる箇所を欠陥と判
定する方式がとられている。従って、この半導体ウェー
ハの外観検査装置の感度を決定する主な要素として、画
像でとらえた時の画素の寸法をいかに小さくするか、ま
た、それぞれの画素の選択可能な明暗の差をいかに小さ
くできるかである。そして、これらは、装置の性能を左
右する大きな要素となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この、従来の半導体ウ
ェーハ検査装置では検査時に、ウェーハ面を照明する光
源の劣化により、照度が低下し、ウェーハ表面からの反
射光量が低下することにより、パタンの明暗の差が低下
する。それによってＣＣＤカメラ部でとられた画像でも
パタンの違いがとらえにくくなり、欠陥の検出感度が低
下してしまうという問題点があった。
ェーハ検査装置では検査時に、ウェーハ面を照明する光
源の劣化により、照度が低下し、ウェーハ表面からの反
射光量が低下することにより、パタンの明暗の差が低下
する。それによってＣＣＤカメラ部でとられた画像でも
パタンの違いがとらえにくくなり、欠陥の検出感度が低
下してしまうという問題点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウェーハ
の外観検査装置は、ウェーハステージ上に、光源からの
照明光を反射する反射鏡と、前記反射鏡からの反射光を
取り込むＣＣＤカメラ部と、取り込まれた反射光の強度
の測定を行い、光源の劣化に伴い、光源に加える電圧を
調節する電圧調節部とを備えている。
の外観検査装置は、ウェーハステージ上に、光源からの
照明光を反射する反射鏡と、前記反射鏡からの反射光を
取り込むＣＣＤカメラ部と、取り込まれた反射光の強度
の測定を行い、光源の劣化に伴い、光源に加える電圧を
調節する電圧調節部とを備えている。
【０００７】
【実施例】次に本発明について、図面を参照して説明す
る。図１は、本発明の一実施例の半導体ウェーハの外観
検査装置のブロック図を示す。ステージ６上に取り付け
られた反射鏡４に光源８ころの照明光を照射し、反射鏡
５からの反射光をＣＣＤカメラ部２に取り込む。この反
射光の強度を光源電圧調節部９にて測定し、光源８に加
える電圧の調節を行う。それによってステージ６上の半
導体ウェーハ４の検査を行い、ＣＣＤカメラ部２に取り
込まれた画像の画素の明暗は、光源８の劣化に左右され
ることなく、画像処理部１での画像の重ね合せ、及び、
画素単位での明暗の比較が実行され、全ての欠陥位置を
モニター１０及びプリンター１１に出力する。画像処理
部１，顕微鏡部３，ステージ６は制御部７にてコントロ
ールされる。
る。図１は、本発明の一実施例の半導体ウェーハの外観
検査装置のブロック図を示す。ステージ６上に取り付け
られた反射鏡４に光源８ころの照明光を照射し、反射鏡
５からの反射光をＣＣＤカメラ部２に取り込む。この反
射光の強度を光源電圧調節部９にて測定し、光源８に加
える電圧の調節を行う。それによってステージ６上の半
導体ウェーハ４の検査を行い、ＣＣＤカメラ部２に取り
込まれた画像の画素の明暗は、光源８の劣化に左右され
ることなく、画像処理部１での画像の重ね合せ、及び、
画素単位での明暗の比較が実行され、全ての欠陥位置を
モニター１０及びプリンター１１に出力する。画像処理
部１，顕微鏡部３，ステージ６は制御部７にてコントロ
ールされる。
【０００８】
【発明の効果】以上説明した用に、本発明は、ウェーハ
ステージ上に光源からの照明光を反射する反射鏡を有
し、反射鏡からの反射光を取り込み、その強度の測定を
行い電圧調節部にて、光源に加える電圧を調節すること
により、常にステージ上の半導体ウェーハ上に照射され
る照明光の強度を一定に保つことが出来る。そのため、
ウェーハ表面の回路パタンを画像でとらえた時の、画素
の明暗が、光源の劣化に左右されることなく、常に、一
定の感度を保てるという効果を有する。
ステージ上に光源からの照明光を反射する反射鏡を有
し、反射鏡からの反射光を取り込み、その強度の測定を
行い電圧調節部にて、光源に加える電圧を調節すること
により、常にステージ上の半導体ウェーハ上に照射され
る照明光の強度を一定に保つことが出来る。そのため、
ウェーハ表面の回路パタンを画像でとらえた時の、画素
の明暗が、光源の劣化に左右されることなく、常に、一
定の感度を保てるという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例のブロック図。
【図２】従来の半導体ウェーハの外観検査装置のブロッ
ク図である。
ク図である。
１ 画像処理部 ２ ＣＣＤカメラ部 ３ 顕微鏡部 ４ 半導体ウェーハ ５ 反射鏡 ６ ステージ ７ 制御部 ８ 光源 ９ 光源電圧調節部 １０ モニター １１ プリンター
Claims (2)
- 【請求項１】 ウェーハ検査ステージ上に光源からの照
明光を反射する反射鏡と、前記反射鏡からの反射光を取
り込み、反射光の強度を測定し、光源に加える電圧の調
節を行う、電圧調節部を備えることを特徴とする半導体
ウェーハの外観検査装置。 - 【請求項２】 請求項１の外観検査装置を使用して行う
半導体ウェーハの外観検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23271891A JPH0574904A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 半導体ウエーハの外観検査装置およびその検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23271891A JPH0574904A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 半導体ウエーハの外観検査装置およびその検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574904A true JPH0574904A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16943701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23271891A Pending JPH0574904A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 半導体ウエーハの外観検査装置およびその検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0574904A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100077603A1 (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-01 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Sealed cell and method for manufacturing the same |
-
1991
- 1991-09-12 JP JP23271891A patent/JPH0574904A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100077603A1 (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-01 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Sealed cell and method for manufacturing the same |
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