JPH0574934A - 薄型チツプの形成方法 - Google Patents
薄型チツプの形成方法Info
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- JPH0574934A JPH0574934A JP3262919A JP26291991A JPH0574934A JP H0574934 A JPH0574934 A JP H0574934A JP 3262919 A JP3262919 A JP 3262919A JP 26291991 A JP26291991 A JP 26291991A JP H0574934 A JPH0574934 A JP H0574934A
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- Japan
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- back surface
- groove
- chip
- chips
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7402—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
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- H10P72/7416—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハに欠陥があっても、チップの不良を最
小限にとどめることができる薄型チップの形成方法を提
供すること。 【構成】 ウエハ表面１ａから複数のチップ１３を区画
するためのストリートに沿って所定の深さの溝１２を削
成する第１工程と、このウエハ表面１ａの全体を覆う状
態に保護テープ２を接着する第２工程と、溝底部１２ａ
を除去するまでウエハ裏面１ｂを研削する第３工程と、
研削されたウエハ裏面１ｂの全体を覆う状態に樹脂テー
プ３を接着する第４工程と、ウエハ表面１ａに接着した
保護テープ２を除去する第５工程と、ウエハ裏面１ｂに
接着した樹脂テープ３を引き延ばして、個々のチップ１
３の間隔を広げる第６工程とから成る。
小限にとどめることができる薄型チップの形成方法を提
供すること。 【構成】 ウエハ表面１ａから複数のチップ１３を区画
するためのストリートに沿って所定の深さの溝１２を削
成する第１工程と、このウエハ表面１ａの全体を覆う状
態に保護テープ２を接着する第２工程と、溝底部１２ａ
を除去するまでウエハ裏面１ｂを研削する第３工程と、
研削されたウエハ裏面１ｂの全体を覆う状態に樹脂テー
プ３を接着する第４工程と、ウエハ表面１ａに接着した
保護テープ２を除去する第５工程と、ウエハ裏面１ｂに
接着した樹脂テープ３を引き延ばして、個々のチップ１
３の間隔を広げる第６工程とから成る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置のパッケー
ジの薄型化にともない、これに対応した薄型チップの形
成方法に関するものである。
ジの薄型化にともない、これに対応した薄型チップの形
成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造に使用するシリコン等
のウエハは年々大型化しており、近年ではその口径が８
インチのものも登場している。このウエハは大口径化と
ともにその強度を保つため、ウエハの厚さも厚くなって
いる。一方、電気製品の小型化に伴い、これに使用され
る半導体装置はそのパッケージを薄型化する傾向にあ
る。このような薄型のパッケージに対応するために、半
導体素子が形成されたウエハの裏面を研削して、薄型の
チップを形成する方法がある。
のウエハは年々大型化しており、近年ではその口径が８
インチのものも登場している。このウエハは大口径化と
ともにその強度を保つため、ウエハの厚さも厚くなって
いる。一方、電気製品の小型化に伴い、これに使用され
る半導体装置はそのパッケージを薄型化する傾向にあ
る。このような薄型のパッケージに対応するために、半
導体素子が形成されたウエハの裏面を研削して、薄型の
チップを形成する方法がある。
【０００３】この方法を図５（ａ）〜（ｃ）の断面図に
基づいて説明する。まず、第１工程として、図５（ａ）
に示すように、ウエハ表面１ａに半導体素子１１が形成
されており、このウエハ１を所定の厚さにするために、
ウエハ裏面１ｂを研削する、いわゆるバックグラインド
を行う。次いで、第２工程として、図５（ｂ）に示すよ
うに、このウエハ表面１ａに形成されたチップ１３を区
画するためのストリートに沿って、所定の深さの溝１２
を削成する。そして、第３工程として、図５（ｃ）に示
すように、前工程でウエハ１に削成した溝１２に沿って
ウエハ１に圧力を加えて切断し、個々のチップ１３に分
割する。
基づいて説明する。まず、第１工程として、図５（ａ）
に示すように、ウエハ表面１ａに半導体素子１１が形成
されており、このウエハ１を所定の厚さにするために、
ウエハ裏面１ｂを研削する、いわゆるバックグラインド
を行う。次いで、第２工程として、図５（ｂ）に示すよ
うに、このウエハ表面１ａに形成されたチップ１３を区
画するためのストリートに沿って、所定の深さの溝１２
を削成する。そして、第３工程として、図５（ｃ）に示
すように、前工程でウエハ１に削成した溝１２に沿って
ウエハ１に圧力を加えて切断し、個々のチップ１３に分
割する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法で薄型チップを形成すると、以下に示すような問題が
ある。これを図４に基づいて説明する。すなわち、前記
の方法でウエハ１の裏面を研削する場合、図示しない研
削装置（以下、バックグラインダ）によりウエハ１が加
圧される。このときウエハ１に欠陥１４があると、この
欠陥１４を起点にしてウエハ１内に亀裂１４ａが生じ
る。この亀裂１４ａが大きく広がると、溝１２により分
割されるチップ１３のうち、はじめに欠陥１４があった
欠陥チップ１３ａはもちろん、これと隣接する周辺チッ
プ１３ｂにも亀裂１４ａが及び不良チップになってしま
う。さらに、この亀裂１４ａがウエハ１全体に広がって
しまうと、ウエハ１が割れてしまいチップ１３が全滅す
る可能性がある。また、ウエハ１に欠陥１４がなくても
大口径になればなるほど、薄型化することでウエハ１が
割れやすくなる。よって本発明は、ウエハに欠陥があっ
ても、チップの不良を最小限にとどめることができる薄
型チップの形成方法を提供することを目的とする。
法で薄型チップを形成すると、以下に示すような問題が
ある。これを図４に基づいて説明する。すなわち、前記
の方法でウエハ１の裏面を研削する場合、図示しない研
削装置（以下、バックグラインダ）によりウエハ１が加
圧される。このときウエハ１に欠陥１４があると、この
欠陥１４を起点にしてウエハ１内に亀裂１４ａが生じ
る。この亀裂１４ａが大きく広がると、溝１２により分
割されるチップ１３のうち、はじめに欠陥１４があった
欠陥チップ１３ａはもちろん、これと隣接する周辺チッ
プ１３ｂにも亀裂１４ａが及び不良チップになってしま
う。さらに、この亀裂１４ａがウエハ１全体に広がって
しまうと、ウエハ１が割れてしまいチップ１３が全滅す
る可能性がある。また、ウエハ１に欠陥１４がなくても
大口径になればなるほど、薄型化することでウエハ１が
割れやすくなる。よって本発明は、ウエハに欠陥があっ
ても、チップの不良を最小限にとどめることができる薄
型チップの形成方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は以上の課題を解
決するために成された薄型チップの形成方法である。す
なわち、第１工程として、ウエハの表面から複数のチッ
プを区画するためのストリートに沿って所定の深さの溝
を削成する。そして、第２工程として、このウエハの表
面全体を覆う状態に保護テープを接着する。次いで、第
３工程として、前記溝の底部を除去するまでウエハの裏
面を研削して個々のチップに分割する。そして、第４工
程として、研削されたウエハの裏面全体を覆う状態に樹
脂テープを接着する。そして、第５工程として、ウエハ
の表面に接着した保護テープを除去する。最後に、第６
工程として、ウエハの裏面に接着した樹脂テープを引き
延ばして、前記分割した個々のチップの間隔を広げる。
以上の工程より成るものである。
決するために成された薄型チップの形成方法である。す
なわち、第１工程として、ウエハの表面から複数のチッ
プを区画するためのストリートに沿って所定の深さの溝
を削成する。そして、第２工程として、このウエハの表
面全体を覆う状態に保護テープを接着する。次いで、第
３工程として、前記溝の底部を除去するまでウエハの裏
面を研削して個々のチップに分割する。そして、第４工
程として、研削されたウエハの裏面全体を覆う状態に樹
脂テープを接着する。そして、第５工程として、ウエハ
の表面に接着した保護テープを除去する。最後に、第６
工程として、ウエハの裏面に接着した樹脂テープを引き
延ばして、前記分割した個々のチップの間隔を広げる。
以上の工程より成るものである。
【０００６】
【作用】ウエハ裏面を研削する前に、予めストリートに
沿って所定の深さの溝を削成するので、ウエハ裏面を研
削する際、欠陥を起点にしてウエハ内に広がる亀裂はこ
の溝で止まることになる。しかも、ウエハ表面に保護テ
ープを接着するので、ウエハ裏面を研削すると同時に分
割されたチップはばらばらにならない。また、研削した
ウエハ裏面に樹脂テープを接着した後、ウエハ表面に接
着した保護テープを除去して、樹脂テープを引き延ばせ
ば、分割された個々のチップが所定の間隔で配置される
ことになる。
沿って所定の深さの溝を削成するので、ウエハ裏面を研
削する際、欠陥を起点にしてウエハ内に広がる亀裂はこ
の溝で止まることになる。しかも、ウエハ表面に保護テ
ープを接着するので、ウエハ裏面を研削すると同時に分
割されたチップはばらばらにならない。また、研削した
ウエハ裏面に樹脂テープを接着した後、ウエハ表面に接
着した保護テープを除去して、樹脂テープを引き延ばせ
ば、分割された個々のチップが所定の間隔で配置される
ことになる。
【０００７】
【実施例】以下に、本発明の実施例を図に基づいて説明
する。図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の薄型チップの形
成方法の第１工程から第３工程までを工程順に説明する
断面図である。以下、その工程を順に説明する。
する。図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の薄型チップの形
成方法の第１工程から第３工程までを工程順に説明する
断面図である。以下、その工程を順に説明する。
【０００８】まず、第１工程として図１（ａ）に示すよ
うに、ウエハ１のウエハ表面１ａに半導体素子１１が形
成されており、この半導体素子１１は図示しないストリ
ートにより区画されている。このストリートは、後述す
るチップ１３の境界線であり、例えば格子状に設けられ
ている。このストリートに沿って、所定の深さの溝１２
が格子状に削成されている。この溝１２の深さは、所望
のチップ１３の厚さより深く削成される。
うに、ウエハ１のウエハ表面１ａに半導体素子１１が形
成されており、この半導体素子１１は図示しないストリ
ートにより区画されている。このストリートは、後述す
るチップ１３の境界線であり、例えば格子状に設けられ
ている。このストリートに沿って、所定の深さの溝１２
が格子状に削成されている。この溝１２の深さは、所望
のチップ１３の厚さより深く削成される。
【０００９】次いで、第２工程として図１（ｂ）に示す
ように、ウエハ表面１ａの全体を覆う状態に保護テープ
２を接着する。この保護テープ２は、バックグラインダ
による加圧からウエハ表面１ａに形成された半導体素子
１１を保護する。さらに、後述するウエハ１の裏面を研
削する工程において、ウエハ１が個々のチップ１３に分
割される際、この保護テープ２がウエハ表面１ａの全体
を覆う状態に接着されているので、個々のチップ１３が
ばらばらにならない。なお、この保護テープ２の材質と
して、例えば紫外線を照射するとその接着力が低下する
樹脂性の粘着シートを使用すれば、後述の工程におい
て、この保護テープ２を容易に除去することができる。
ように、ウエハ表面１ａの全体を覆う状態に保護テープ
２を接着する。この保護テープ２は、バックグラインダ
による加圧からウエハ表面１ａに形成された半導体素子
１１を保護する。さらに、後述するウエハ１の裏面を研
削する工程において、ウエハ１が個々のチップ１３に分
割される際、この保護テープ２がウエハ表面１ａの全体
を覆う状態に接着されているので、個々のチップ１３が
ばらばらにならない。なお、この保護テープ２の材質と
して、例えば紫外線を照射するとその接着力が低下する
樹脂性の粘着シートを使用すれば、後述の工程におい
て、この保護テープ２を容易に除去することができる。
【００１０】そして、第３工程として図１（ｃ）に示す
ように、ウエハ裏面１ｂを図示しないバックグラインダ
を用いて研削する。この研削を溝底部１２ａを除去する
まで行い、ウエハ１を所定の厚さにする。このように、
溝底部１２ａを除去するまでウエハ裏面１ｂを研削すれ
ば、ウエハ１を薄型化すると同時に、ウエハ１を個々の
チップ１３に分割することができる。
ように、ウエハ裏面１ｂを図示しないバックグラインダ
を用いて研削する。この研削を溝底部１２ａを除去する
まで行い、ウエハ１を所定の厚さにする。このように、
溝底部１２ａを除去するまでウエハ裏面１ｂを研削すれ
ば、ウエハ１を薄型化すると同時に、ウエハ１を個々の
チップ１３に分割することができる。
【００１１】ここで、第３工程の研削によるウエハ内の
亀裂の広がりを図３に基づいて説明する。すなわち、ウ
エハ１はバックグラインダにより加圧されるため、その
力により歪み応力が生じる。これにより欠陥１４を起点
とした亀裂１４ａがウエハ１内に広がる。しかし、予め
ウエハ１に格子状に溝１２を削成してあるので、欠陥チ
ップ１３ａ内を広がる亀裂１４ａは、この周囲を囲む溝
１２で止まる。したがって、どの方向に亀裂１４ａが広
がってもこの溝１２を越えて周辺チップ１３ｂに及ぶこ
とがない。また、研削中ウエハ１内に加わる歪み応力
は、溝１２の底部に集中しやすいため、割れが発生して
もこの溝１２に沿って割れることになる。したがって、
チップ１３が割れることがない。
亀裂の広がりを図３に基づいて説明する。すなわち、ウ
エハ１はバックグラインダにより加圧されるため、その
力により歪み応力が生じる。これにより欠陥１４を起点
とした亀裂１４ａがウエハ１内に広がる。しかし、予め
ウエハ１に格子状に溝１２を削成してあるので、欠陥チ
ップ１３ａ内を広がる亀裂１４ａは、この周囲を囲む溝
１２で止まる。したがって、どの方向に亀裂１４ａが広
がってもこの溝１２を越えて周辺チップ１３ｂに及ぶこ
とがない。また、研削中ウエハ１内に加わる歪み応力
は、溝１２の底部に集中しやすいため、割れが発生して
もこの溝１２に沿って割れることになる。したがって、
チップ１３が割れることがない。
【００１２】次に、図２（ａ）〜（ｃ）の断面図に基づ
いて、本発明の薄型チップの形成方法の第４工程から第
６工程までを工程順に説明する。
いて、本発明の薄型チップの形成方法の第４工程から第
６工程までを工程順に説明する。
【００１３】まず、第４工程として図２（ａ）に示すよ
うに、前工程で研削されたウエハ裏面１ｂの全体を覆う
状態に樹脂テープ３を接着する。この樹脂テープ３は、
例えば前述の保護テープ２と同様、紫外線を照射するこ
とにより、その接着力が低下する樹脂性の粘着テープを
使用する。
うに、前工程で研削されたウエハ裏面１ｂの全体を覆う
状態に樹脂テープ３を接着する。この樹脂テープ３は、
例えば前述の保護テープ２と同様、紫外線を照射するこ
とにより、その接着力が低下する樹脂性の粘着テープを
使用する。
【００１４】次いで、第５工程として図２（ｂ）に示す
ように、ウエハ表面１ａに接着された保護テープ２を除
去する。すなわち、この保護テープ２に紫外線を照射し
て、ウエハ表面１ａとの接着力を低下させれば容易に剥
がすことができる。なお、この保護テープ２が除去され
てもウエハ裏面１ｂに樹脂テープ３が接着されているの
で、個々のチップ１３がばらばらになることはない。
ように、ウエハ表面１ａに接着された保護テープ２を除
去する。すなわち、この保護テープ２に紫外線を照射し
て、ウエハ表面１ａとの接着力を低下させれば容易に剥
がすことができる。なお、この保護テープ２が除去され
てもウエハ裏面１ｂに樹脂テープ３が接着されているの
で、個々のチップ１３がばらばらになることはない。
【００１５】そして、第６工程として図２（ｃ）に示す
ように、ウエハ裏面１ｂの全体に接着された樹脂テープ
３を引き延ばす。この樹脂テープ３は弾性を有してお
り、これを引き延ばすことで樹脂テープ３上に接着され
た個々のチップ１３の間隔が広げられる。この状態で樹
脂テープ３に紫外線を照射すれば、樹脂テープ３とチッ
プ１３との接着力が低下して、樹脂テープ３からチップ
１３を容易に剥がすことができる。しかも、個々のチッ
プ１３の間隔が広げられているので、例えばコレットに
よりチップ１３を吸着する場合、その１つ１つを確実に
取り出すことができる。
ように、ウエハ裏面１ｂの全体に接着された樹脂テープ
３を引き延ばす。この樹脂テープ３は弾性を有してお
り、これを引き延ばすことで樹脂テープ３上に接着され
た個々のチップ１３の間隔が広げられる。この状態で樹
脂テープ３に紫外線を照射すれば、樹脂テープ３とチッ
プ１３との接着力が低下して、樹脂テープ３からチップ
１３を容易に剥がすことができる。しかも、個々のチッ
プ１３の間隔が広げられているので、例えばコレットに
よりチップ１３を吸着する場合、その１つ１つを確実に
取り出すことができる。
【００１６】次に、上記説明の薄型チップの形成方法を
用いた具体的な一例として、５５０μｍの厚さを有する
ウエハ１を用い、これから１８０μｍの厚さのチップ１
３を形成する場合について説明する。まず、第１工程に
よりウエハ表面１ａから所望のチップ１３の厚さより深
い２００μｍの深さの溝１２をストリートに沿って格子
状に削成する。そして、第２工程でウエハ表面１ａ全体
に保護テープ２を接着したあと、第３工程により、ウエ
ハ裏面１ｂを研削する。研削はチップ１３の厚さ１８０
μｍになるまで、すなわちウエハ裏面１ｂから３７０μ
ｍ研削する。このとき、溝１２は所望のチップ１３の厚
さより深く削成されているため、ウエハ裏面１ｂから３
７０μｍ研削すると、溝底部１２ａが除去されることに
なる。これにより、１８０μｍの厚さのチップ１３を形
成すると同時に、ウエハ１を個々のチップ１３に分割す
ることになる。そして、第４工程により、樹脂テープ３
をウエハ裏面１ｂの全体に接着した後、第５工程にてウ
エハ表面１ａの保護テープ２を除去する。最後に第６工
程により、ウエハ裏面１ｂの全体に接着した樹脂テープ
３を引き延ばして、個々のチップ１３の間隔を広げる。
以上により、厚さ１８０μｍのチップ１３を形成するこ
とができる。
用いた具体的な一例として、５５０μｍの厚さを有する
ウエハ１を用い、これから１８０μｍの厚さのチップ１
３を形成する場合について説明する。まず、第１工程に
よりウエハ表面１ａから所望のチップ１３の厚さより深
い２００μｍの深さの溝１２をストリートに沿って格子
状に削成する。そして、第２工程でウエハ表面１ａ全体
に保護テープ２を接着したあと、第３工程により、ウエ
ハ裏面１ｂを研削する。研削はチップ１３の厚さ１８０
μｍになるまで、すなわちウエハ裏面１ｂから３７０μ
ｍ研削する。このとき、溝１２は所望のチップ１３の厚
さより深く削成されているため、ウエハ裏面１ｂから３
７０μｍ研削すると、溝底部１２ａが除去されることに
なる。これにより、１８０μｍの厚さのチップ１３を形
成すると同時に、ウエハ１を個々のチップ１３に分割す
ることになる。そして、第４工程により、樹脂テープ３
をウエハ裏面１ｂの全体に接着した後、第５工程にてウ
エハ表面１ａの保護テープ２を除去する。最後に第６工
程により、ウエハ裏面１ｂの全体に接着した樹脂テープ
３を引き延ばして、個々のチップ１３の間隔を広げる。
以上により、厚さ１８０μｍのチップ１３を形成するこ
とができる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明した本発明の薄型チップの形成
方法によれば、欠陥があるウエハの裏面をバックグライ
ンダにより研削した場合、予めチップを区画するストリ
ートに沿って所定の深さの溝を格子状に削成してあるの
で、欠陥を起点にしてウエハ内に広がる亀裂はこの溝で
止まる。このため、亀裂がこの溝を越えて隣接するチッ
プに広がることがない。したがって、欠陥のあるチップ
１つのみが不良となるだけで、それ以外のチップは良好
のまま薄型に形成される。さらに、研削中ウエハに割れ
が発生しても溝に沿って割れる。しかも、ウエハ表面に
接着した保護テープにより、分割されたチップがばらば
らにならない。したがって、大口径のウエハであっても
薄型のチップを歩留り良く形成することができる。
方法によれば、欠陥があるウエハの裏面をバックグライ
ンダにより研削した場合、予めチップを区画するストリ
ートに沿って所定の深さの溝を格子状に削成してあるの
で、欠陥を起点にしてウエハ内に広がる亀裂はこの溝で
止まる。このため、亀裂がこの溝を越えて隣接するチッ
プに広がることがない。したがって、欠陥のあるチップ
１つのみが不良となるだけで、それ以外のチップは良好
のまま薄型に形成される。さらに、研削中ウエハに割れ
が発生しても溝に沿って割れる。しかも、ウエハ表面に
接着した保護テープにより、分割されたチップがばらば
らにならない。したがって、大口径のウエハであっても
薄型のチップを歩留り良く形成することができる。
【図１】本発明の薄型チップの形成方法を工程順に説明
する断面図で、（ａ）は第１工程、（ｂ）は第２工程、
（ｃ）は第３工程をそれぞれ説明するものである。
する断面図で、（ａ）は第１工程、（ｂ）は第２工程、
（ｃ）は第３工程をそれぞれ説明するものである。
【図２】本発明の薄型チップの形成方法を工程順に説明
する断面図で、（ａ）は第４工程、（ｂ）は第５工程、
（ｃ）は第６工程をそれぞれ説明するものである。
する断面図で、（ａ）は第４工程、（ｂ）は第５工程、
（ｃ）は第６工程をそれぞれ説明するものである。
【図３】本発明による欠陥の広がりを説明する平面図で
ある。
ある。
【図４】従来の欠陥の広がりを説明する平面図である。
【図５】従来の薄型チップの形成方法を工程順に説明す
る断面図で、（ａ）は第１工程、（ｂ）は第２工程、
（ｃ）は第３工程をそれぞれ説明するものである。
る断面図で、（ａ）は第１工程、（ｂ）は第２工程、
（ｃ）は第３工程をそれぞれ説明するものである。
１ ウエハ １ａ ウエハ表面 １ｂ ウエハ裏面 ２ 保護テープ ３ 樹脂テープ １２ 溝 １２ａ 溝底部 １３ チップ １４ 欠陥 １４ａ 亀裂
Claims (1)
- 【請求項１】 複数のチップを区画するためのストリー
トに沿って所定の深さの溝をウエハの表面から削成する
第１工程と、 前記ウエハの表面全体を覆う状態に保護テープを接着す
る第２工程と、 前記溝の底部を除去するまで前記ウエハの裏面を研削し
て個々のチップに分割する第３工程と、 研削された前記ウエハの裏面全体を覆う状態に樹脂テー
プを接着する第４工程と、 前記ウエハの表面に接着した保護テープを除去する第５
工程と、 前記ウエハの裏面に接着した樹脂テープを引き延ばし
て、前記分割した個々のチップの間隔を広げる第６工程
とから成ることを特徴とする薄型チップの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3262919A JPH0574934A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 薄型チツプの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3262919A JPH0574934A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 薄型チツプの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574934A true JPH0574934A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17382428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3262919A Pending JPH0574934A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 薄型チツプの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0574934A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000173961A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
| US6184109B1 (en) | 1997-07-23 | 2001-02-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device |
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