JPH0574935B2 - - Google Patents
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- JPH0574935B2 JPH0574935B2 JP59214099A JP21409984A JPH0574935B2 JP H0574935 B2 JPH0574935 B2 JP H0574935B2 JP 59214099 A JP59214099 A JP 59214099A JP 21409984 A JP21409984 A JP 21409984A JP H0574935 B2 JPH0574935 B2 JP H0574935B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molybdenum
- punching
- plate
- cracks
- hardness
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07331—Connecting techniques
- H10W72/07337—Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy
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- Punching Or Piercing (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はシリコン等の半導体材料を用いて構成
される半導体装置の支持用基板の製造方法に関
し、特に支持用基板として用いられるモリブデン
基板の製造方法に関する。
される半導体装置の支持用基板の製造方法に関
し、特に支持用基板として用いられるモリブデン
基板の製造方法に関する。
〔従来技術〕
一般にダイオード及びサイリスタ等の半導体装
置は半導体ペレツトの互いに相対向する主面から
外部引出電極を取り出せる構成を備えている。一
方、半導体ペレツトは強度が低く、脆いため、使
用の際には金属基板によつて支持される。半導体
ペレツトを支持するための金属基板材料としては
熱膨張係数が半導体材料に近いモリブデンが用い
られている。
置は半導体ペレツトの互いに相対向する主面から
外部引出電極を取り出せる構成を備えている。一
方、半導体ペレツトは強度が低く、脆いため、使
用の際には金属基板によつて支持される。半導体
ペレツトを支持するための金属基板材料としては
熱膨張係数が半導体材料に近いモリブデンが用い
られている。
半導体支持用基板として用いられるモリブデン
板は一般にモリブデン素材板から打ち抜き加工法
によつて製造させる。この種のモリブデン板は円
形または角型などの小片に成形されて市販され、
使用者においてこの小片上に必要に応じてろう材
などを被着して半導体ペレツトを搭載し、半導体
装置の組立てが行なわれる。
板は一般にモリブデン素材板から打ち抜き加工法
によつて製造させる。この種のモリブデン板は円
形または角型などの小片に成形されて市販され、
使用者においてこの小片上に必要に応じてろう材
などを被着して半導体ペレツトを搭載し、半導体
装置の組立てが行なわれる。
圧延加工が施されたモリブデン素材板はダイス
鋼又は超硬金型を用いて打ち抜き加工されて円形
あるいは角型などのモリブデン板小片に成形され
る。
鋼又は超硬金型を用いて打ち抜き加工されて円形
あるいは角型などのモリブデン板小片に成形され
る。
このようなモリブデン素材板は打ち抜き方向に
対して直角方向に延びる層状の繊維組織を備えて
いるため、打ち抜き加工の際、剥離が発生しやす
い。さらに、打ち抜き加工の際、層状組織の粒界
に沿つて割れが発生しやすく、重大な欠陥となつ
てしまう（ここでは、このような層状組織粒界に
沿つた割れをラミネーシヨンクラツクと呼ぶ）。
ラミネーシヨンクラツクが発生すると、半導体支
持用基板としての特性が著しく阻害される。従つ
て、従来はラミネーシヨンクラツクの混入を防止
するため弗酸、硝酸及び酢酸等の混酸を用いてモ
リブデン板をエツチングした後、拡大鏡によつて
検査をしていた。
対して直角方向に延びる層状の繊維組織を備えて
いるため、打ち抜き加工の際、剥離が発生しやす
い。さらに、打ち抜き加工の際、層状組織の粒界
に沿つて割れが発生しやすく、重大な欠陥となつ
てしまう（ここでは、このような層状組織粒界に
沿つた割れをラミネーシヨンクラツクと呼ぶ）。
ラミネーシヨンクラツクが発生すると、半導体支
持用基板としての特性が著しく阻害される。従つ
て、従来はラミネーシヨンクラツクの混入を防止
するため弗酸、硝酸及び酢酸等の混酸を用いてモ
リブデン板をエツチングした後、拡大鏡によつて
検査をしていた。
ところが、従来のようにエツチングを行つても
ラミネーシヨンクラツクが解消しない場合が多く
あり、半導体支持用基板としての特性を著しく損
ねていた。
ラミネーシヨンクラツクが解消しない場合が多く
あり、半導体支持用基板としての特性を著しく損
ねていた。
本発明の目的はモリブデン素材板から半導体支
持用のモリブデン板を打ち抜き加工によつて製造
する場合において、ラミネーシヨンクラツクの発
生することのない製造方法を提供することであ
る。
持用のモリブデン板を打ち抜き加工によつて製造
する場合において、ラミネーシヨンクラツクの発
生することのない製造方法を提供することであ
る。
本発明は、半導体材料を支持するために用いら
れるモリブデン基板の製造する方法に関し、圧延
加工が施さｃビツカース硬度220乃至250の範囲の
モリブデン素材板をこのモリブデン素材板の板厚
に対して0.02乃至0.05のクリアランスを有する金
型を用いて打ち抜き加工するようにした半導体基
板用モリブデン板の製造方法又は圧延加工が施さ
れかつビツカース硬度が220乃至250の範囲を除く
モリブデン素材板をこのモリブデン素材板の板厚
に対して0.02乃至0.05のクリアランスを有する金
型を用いて、300℃を超える温度で打ち抜き加工
するようにした半導体用モリブデン板の製造方法
である。
れるモリブデン基板の製造する方法に関し、圧延
加工が施さｃビツカース硬度220乃至250の範囲の
モリブデン素材板をこのモリブデン素材板の板厚
に対して0.02乃至0.05のクリアランスを有する金
型を用いて打ち抜き加工するようにした半導体基
板用モリブデン板の製造方法又は圧延加工が施さ
れかつビツカース硬度が220乃至250の範囲を除く
モリブデン素材板をこのモリブデン素材板の板厚
に対して0.02乃至0.05のクリアランスを有する金
型を用いて、300℃を超える温度で打ち抜き加工
するようにした半導体用モリブデン板の製造方法
である。
以下本発明について第１図乃至第３図に示す実
施例によつて説明する。（本実施例においては圧
延加工が施されたモリブデン素材板を単にモリブ
デン素材板と呼ぶ） 実施例 １ まず、ビツカース硬度（Hv）がそれぞれ220〜
250、260以上、200以下でかつ板厚が1.0mmのモリ
ブデン素材板を準備した。これら３種のモリブデ
ン素材板をこのモリブデン素材板の板厚に対して
0.035mmのクリアランスを有する金型を用いて、
打ち抜き温度300〜800℃、打ち抜き速度80〜90
mm／秒で打ち抜き加工し、直径24mmの円板状のモ
リブデン基板をそれぞれ1000個づつ作製した（試
料１）。さらに上記と同様のビツカース硬度及び
板厚を有するモリブデン素材板を用いて上記の打
ち抜き加工の条件によつて各ビツカース硬度に対
してそれぞれ1000個づつのモリブデン基板の試料
２及び２を得た。
施例によつて説明する。（本実施例においては圧
延加工が施されたモリブデン素材板を単にモリブ
デン素材板と呼ぶ） 実施例 １ まず、ビツカース硬度（Hv）がそれぞれ220〜
250、260以上、200以下でかつ板厚が1.0mmのモリ
ブデン素材板を準備した。これら３種のモリブデ
ン素材板をこのモリブデン素材板の板厚に対して
0.035mmのクリアランスを有する金型を用いて、
打ち抜き温度300〜800℃、打ち抜き速度80〜90
mm／秒で打ち抜き加工し、直径24mmの円板状のモ
リブデン基板をそれぞれ1000個づつ作製した（試
料１）。さらに上記と同様のビツカース硬度及び
板厚を有するモリブデン素材板を用いて上記の打
ち抜き加工の条件によつて各ビツカース硬度に対
してそれぞれ1000個づつのモリブデン基板の試料
２及び２を得た。
これらの試料１〜３についてラミネーシヨンク
ラツクが発生しているかとうかについて調べ、各
試料についてのラミネーシヨンクラツクの発生率
を求めた。この結果を第１図に表わす。第１図に
示すように試料１〜２のついてはビツカース硬度
が220〜250のときにはラミネーシヨンクラツクの
発生率が皆無であり、試料３についてもビツカー
ス硬度が220〜250のときにはラミネーシヨンクラ
ツクの発生率は0.01％と極めて小さい。一方ビツ
カース硬度が200以下となるとビツカース硬度が
220〜250の場合と比べて、ラミネーシヨンクラツ
クの発生率がやや増加し、ビツカース硬度が260
以上となるとラミネーシヨンクラツクの発生率が
飛躍的に増大することがわかる。
ラツクが発生しているかとうかについて調べ、各
試料についてのラミネーシヨンクラツクの発生率
を求めた。この結果を第１図に表わす。第１図に
示すように試料１〜２のついてはビツカース硬度
が220〜250のときにはラミネーシヨンクラツクの
発生率が皆無であり、試料３についてもビツカー
ス硬度が220〜250のときにはラミネーシヨンクラ
ツクの発生率は0.01％と極めて小さい。一方ビツ
カース硬度が200以下となるとビツカース硬度が
220〜250の場合と比べて、ラミネーシヨンクラツ
クの発生率がやや増加し、ビツカース硬度が260
以上となるとラミネーシヨンクラツクの発生率が
飛躍的に増大することがわかる。
次に、ビツカース硬度がそれぞれ220〜250、
260以上、200以下でかつ板厚が0.5mmのモリブデ
ン素材板を準備した。これら３種のモリブデン素
材板をこのモリブデン素材板の板厚に対して0.02
mmのクリアランスを有する金型を用いて、打ち抜
き温度300〜700℃、打ち抜き速度84.7mm／秒で打
ち抜き加工し、直径13.5mmの円板状のモリブデン
基板をそれぞれ2000個づつ作製した（試料４）。
さらに同様にして上記各ビツカース硬度のモリブ
デン素材板を用いてそれぞれ3000個づつのモリブ
デン基板の試料５及び６を得た。
260以上、200以下でかつ板厚が0.5mmのモリブデ
ン素材板を準備した。これら３種のモリブデン素
材板をこのモリブデン素材板の板厚に対して0.02
mmのクリアランスを有する金型を用いて、打ち抜
き温度300〜700℃、打ち抜き速度84.7mm／秒で打
ち抜き加工し、直径13.5mmの円板状のモリブデン
基板をそれぞれ2000個づつ作製した（試料４）。
さらに同様にして上記各ビツカース硬度のモリブ
デン素材板を用いてそれぞれ3000個づつのモリブ
デン基板の試料５及び６を得た。
これらの試料４〜６についてラミネーシヨンク
ラツクが発生しているかどうかについて調べ、各
試料についてのラミネーシヨンクラツクの発生率
を求めた。その結果について第１図に示す。第１
図に示すように試料４〜６についてビツカース硬
度が220〜250のときにはラミネーシヨンクラツク
の発生率が皆無であることがわかる。
ラツクが発生しているかどうかについて調べ、各
試料についてのラミネーシヨンクラツクの発生率
を求めた。その結果について第１図に示す。第１
図に示すように試料４〜６についてビツカース硬
度が220〜250のときにはラミネーシヨンクラツク
の発生率が皆無であることがわかる。
実施例 ２
第２図を参照して打ち抜き加工の温度を種々変
化させた場合のラミネーシヨンクラツクの発生率
について説明する。
化させた場合のラミネーシヨンクラツクの発生率
について説明する。
ビツカース硬度がそれぞれ220〜250、260以上、
200以下でかつ板厚が1.0mmのモリブデン素材板を
準備した。これら３種のモリブデン素材板をこれ
らモリブデン素材板の板厚に対して0.02mmのクリ
アランスを有する金型を用いて、打ち抜き温度を
300℃以下、300〜600℃、600〜800℃の３段階に
変化させて、打ち抜き速度84.7mm／秒で打ち抜き
加工し、直径24mmの円板状のモリブデン基板を各
打ち抜き温度に対してそれぞれ1000個づつ製作し
た。なお、第２図においてビツカース硬度200以
下のモリブデン板を試料７、ビツカース硬度260
以上のモリブデン板を試料８、ビツカース硬度
220〜250のモリブデン板を試料９とする。
200以下でかつ板厚が1.0mmのモリブデン素材板を
準備した。これら３種のモリブデン素材板をこれ
らモリブデン素材板の板厚に対して0.02mmのクリ
アランスを有する金型を用いて、打ち抜き温度を
300℃以下、300〜600℃、600〜800℃の３段階に
変化させて、打ち抜き速度84.7mm／秒で打ち抜き
加工し、直径24mmの円板状のモリブデン基板を各
打ち抜き温度に対してそれぞれ1000個づつ製作し
た。なお、第２図においてビツカース硬度200以
下のモリブデン板を試料７、ビツカース硬度260
以上のモリブデン板を試料８、ビツカース硬度
220〜250のモリブデン板を試料９とする。
第２図から明らかなように、試料９については
300℃以下、300〜600℃以下、600〜800℃のすべ
ての温度範囲について、ラミネーシヨンクラツク
の発生がみられなつた。また試料８については温
度範囲300℃以下でラミネーシヨンクラツクの発
生がみられたが、300〜600℃、600〜800℃の温度
範囲においてはラミネーシヨンクラツクの発生は
なかつた。試料７については打ち抜き温度300℃
以下でかなりのラミネーシヨンクラツクの発生が
みられたが、300〜600℃では急激に減少し、600
〜800℃ではまつたく発生しなかつた。
300℃以下、300〜600℃以下、600〜800℃のすべ
ての温度範囲について、ラミネーシヨンクラツク
の発生がみられなつた。また試料８については温
度範囲300℃以下でラミネーシヨンクラツクの発
生がみられたが、300〜600℃、600〜800℃の温度
範囲においてはラミネーシヨンクラツクの発生は
なかつた。試料７については打ち抜き温度300℃
以下でかなりのラミネーシヨンクラツクの発生が
みられたが、300〜600℃では急激に減少し、600
〜800℃ではまつたく発生しなかつた。
実施例 ３
ビツカース硬度が220〜250でかつ板厚が1.0mm
のモリブデン素材板を準備した。このモリブデン
素材板をそれぞれモリブデン素材板の板厚に対し
て0.02以下、0.02〜0.05及び0.06〜0.1のクリアラ
ンスを有する金型を用いて、打ち抜き温度を300
〜800℃、打ち抜き速度84.7mm／秒で打ち抜き加
工し、直径24mmの円板状のモリブデン基板を上記
各金型について10000個づつ製作した（試料10）。
さらに同様にして上記のビツカース硬度のモリブ
デン素材板を用いて各金型についてさらに10000
個づつのモリブデン基板を製作して試料11とし
た。
のモリブデン素材板を準備した。このモリブデン
素材板をそれぞれモリブデン素材板の板厚に対し
て0.02以下、0.02〜0.05及び0.06〜0.1のクリアラ
ンスを有する金型を用いて、打ち抜き温度を300
〜800℃、打ち抜き速度84.7mm／秒で打ち抜き加
工し、直径24mmの円板状のモリブデン基板を上記
各金型について10000個づつ製作した（試料10）。
さらに同様にして上記のビツカース硬度のモリブ
デン素材板を用いて各金型についてさらに10000
個づつのモリブデン基板を製作して試料11とし
た。
これらが試料10及び11についてラミネーシンヨ
ンクラツクが発生しているかどうかについて調
べ、各試料についてラミネーシヨンクラツクの発
生率を求めた。その結果について第３図に示す。
第３図から明らかなように0.02mm以下及び0.06〜
0.1mmのクリアランスを有する金型を用いて打ち
抜き加工した場合には極めてラミネーシヨンクラ
ツクの発生率が高い。一方0.02〜0.05mmのクリア
ランスを有する金型を用いた場合にはラミネーシ
ヨンクラツクの発生がまつたくみられなかつた。
ンクラツクが発生しているかどうかについて調
べ、各試料についてラミネーシヨンクラツクの発
生率を求めた。その結果について第３図に示す。
第３図から明らかなように0.02mm以下及び0.06〜
0.1mmのクリアランスを有する金型を用いて打ち
抜き加工した場合には極めてラミネーシヨンクラ
ツクの発生率が高い。一方0.02〜0.05mmのクリア
ランスを有する金型を用いた場合にはラミネーシ
ヨンクラツクの発生がまつたくみられなかつた。
さらにビツカース硬度が220〜250でかつ板厚が
0.5mmのモリブデン素材板を準備した。このモリ
ブデン素材板をモリブデン素材板の板厚に対して
それぞれ0.02以下、0.02〜0.06及び0.05〜0.1のク
リアランスを有する金型を用いて、打ち抜き温度
を300〜800℃、打ち抜き速度84.7mm／秒で打ち抜
き加工し、直径13.5mmの円板状のモリブデン基板
を上記各金型について10000個づつ製作した（試
料12）。さらに同様にして上記のビツカース硬度
のモリブデン素材板を用いて各金型についてさら
に10000個づつのモリブデン基板を製作して試料
13とした。
0.5mmのモリブデン素材板を準備した。このモリ
ブデン素材板をモリブデン素材板の板厚に対して
それぞれ0.02以下、0.02〜0.06及び0.05〜0.1のク
リアランスを有する金型を用いて、打ち抜き温度
を300〜800℃、打ち抜き速度84.7mm／秒で打ち抜
き加工し、直径13.5mmの円板状のモリブデン基板
を上記各金型について10000個づつ製作した（試
料12）。さらに同様にして上記のビツカース硬度
のモリブデン素材板を用いて各金型についてさら
に10000個づつのモリブデン基板を製作して試料
13とした。
これら試料12及び13についてラミネーシヨンク
ラツクが発生しているかどうかについて調べ、各
試料についてラミネーシヨンクラツクの発生率を
求めた。その結果について第３図に示す。第３図
に示すように0.02mm以下及び0.06〜0.1mmのクリア
ランスを有する金型を用いて打ち抜き加工した場
合には極めてラミネーシヨンクラツクの発生率が
高い。一方0.02〜0.05mmのクリアランスを有する
金型を用いた場合にはラミネーシヨンクラツクの
発生がまつたくみられなかつた。
ラツクが発生しているかどうかについて調べ、各
試料についてラミネーシヨンクラツクの発生率を
求めた。その結果について第３図に示す。第３図
に示すように0.02mm以下及び0.06〜0.1mmのクリア
ランスを有する金型を用いて打ち抜き加工した場
合には極めてラミネーシヨンクラツクの発生率が
高い。一方0.02〜0.05mmのクリアランスを有する
金型を用いた場合にはラミネーシヨンクラツクの
発生がまつたくみられなかつた。
上述した実施例１〜３によつて明らかなよう
に、ビツカース硬度が220〜250のモリブデン素材
板を打ち抜き加工してモリブデン基板を製作する
場合には、このモリブデン素材板の板厚に対して
0.02乃至0.05のクリアランスを有する金型を用い
て打ち抜き加工すればモリブデン基板にラミネー
シヨンクラツクが発生することはない。
に、ビツカース硬度が220〜250のモリブデン素材
板を打ち抜き加工してモリブデン基板を製作する
場合には、このモリブデン素材板の板厚に対して
0.02乃至0.05のクリアランスを有する金型を用い
て打ち抜き加工すればモリブデン基板にラミネー
シヨンクラツクが発生することはない。
また、220〜250の範囲外のビツカース硬度のモ
リブデン素材板を打ち抜き加工してモリブデン基
板を製作する場合には、このモリブデン素材板の
板厚に対して0.02乃至0.05のクリアランスを有す
る金型を用いて、300℃を超える温度下で打ち抜
き加工をすればラミネーシヨンクラツクが発生す
ることはほとんどない。
リブデン素材板を打ち抜き加工してモリブデン基
板を製作する場合には、このモリブデン素材板の
板厚に対して0.02乃至0.05のクリアランスを有す
る金型を用いて、300℃を超える温度下で打ち抜
き加工をすればラミネーシヨンクラツクが発生す
ることはほとんどない。
以上説明したように本発明によるモリブデン基
板の製造方法を用いればモリブデン板にラミネー
シヨンクラツクが発生することなく、製品の歩留
りが極めてよい。
板の製造方法を用いればモリブデン板にラミネー
シヨンクラツクが発生することなく、製品の歩留
りが極めてよい。
第１図はビツカース硬度とラミネーシヨンクラ
ツクの発生率との関係を示す図、第２図は打ち抜
き温度とラミネーシヨンクラツクの発生率との関
係を示す図、第３図は打ち抜き加工に用いる金型
のクラアランスとラミネーシヨンクラツクの発生
率との関係を示す図である。
ツクの発生率との関係を示す図、第２図は打ち抜
き温度とラミネーシヨンクラツクの発生率との関
係を示す図、第３図は打ち抜き加工に用いる金型
のクラアランスとラミネーシヨンクラツクの発生
率との関係を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体材料を支持するために用いられるモリ
ブデン基板を製造する方法において、圧延加工が
施されビツカース硬度220乃至250の範囲のモリブ
デン素材板を該モリブデン素材板の板厚に対して
0.02乃至0.05のクリアランスを有する金型を用い
て打ち抜き加工するようにしたことを特徴とする
半導体基板用モリブデン板の製造方法。 ２ 半導体材料を支持するために用いられるモリ
ブデン基板を製造する方法において、圧延加工が
施されビツカース硬度220乃至250の範囲を除くモ
リブデン素材板を該モリブデン素材板の板厚に対
して0.02乃至0.05のクリアランスを有する金型を
用いて、300℃を越える温度で打ち抜き加工する
ようにしたことを特徴とする半導体基板用モリブ
デン板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59214099A JPS6193633A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 半導体基板用モリブデン板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59214099A JPS6193633A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 半導体基板用モリブデン板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6193633A JPS6193633A (ja) | 1986-05-12 |
| JPH0574935B2 true JPH0574935B2 (ja) | 1993-10-19 |
Family
ID=16650205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59214099A Granted JPS6193633A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 半導体基板用モリブデン板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6193633A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2567104Y2 (ja) * | 1991-07-26 | 1998-03-30 | 京セラ株式会社 | 半導体素子収納用パッケージ |
-
1984
- 1984-10-15 JP JP59214099A patent/JPS6193633A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6193633A (ja) | 1986-05-12 |
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