JPS6193633A - 半導体基板用モリブデン板の製造方法 - Google Patents
半導体基板用モリブデン板の製造方法Info
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- JPS6193633A JPS6193633A JP59214099A JP21409984A JPS6193633A JP S6193633 A JPS6193633 A JP S6193633A JP 59214099 A JP59214099 A JP 59214099A JP 21409984 A JP21409984 A JP 21409984A JP S6193633 A JPS6193633 A JP S6193633A
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- JP
- Japan
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- molybdenum
- plate
- thickness
- punching
- clearance
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
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- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07331—Connecting techniques
- H10W72/07337—Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy
Landscapes
- Punching Or Piercing (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はシリコン等の半導体材料を用いて構成される半
導体装置の支持用基板の製造方法に関し。
導体装置の支持用基板の製造方法に関し。
特に支持用基板として用いられるモリブデン基板の製造
方法に関する。
方法に関する。
一般にダイオード及びサイリスタ等の半導体装置は半導
体ペレットの互いに相対向する主面から外部引出電極を
取シ出せる構成を備えている。一方、半導体ペレットは
強度が低く、脆いため、使用の際には金属基板によって
支持される。半導体ペレットを支持するための金属基板
材料としては熱膨張係数が半導体材料に近いモリブデン
が用いられている。
体ペレットの互いに相対向する主面から外部引出電極を
取シ出せる構成を備えている。一方、半導体ペレットは
強度が低く、脆いため、使用の際には金属基板によって
支持される。半導体ペレットを支持するための金属基板
材料としては熱膨張係数が半導体材料に近いモリブデン
が用いられている。
半導体支持用基板として用いられるモリブデン板は一般
にモリブデン素材板から打ち抜き加工法によって製造さ
れる。この種のモリブデン板は円形または角型などの小
片に成形されて市販され。
にモリブデン素材板から打ち抜き加工法によって製造さ
れる。この種のモリブデン板は円形または角型などの小
片に成形されて市販され。
使用者においてこの小片上に必要に応じてろう材などを
被着して半導体ペレットを搭載し、半導体装置の組立て
が行なわれる。
被着して半導体ペレットを搭載し、半導体装置の組立て
が行なわれる。
圧延加工が施されたモリブデン素材板はダイス鋼又は超
硬金型を用いて打ち抜き加工されて円形あるいは角型な
どのモリブデン板小片に成形されるＯ モリブデン素材板は打ち抜き方向に対して直角方向に層
状の繊維組織を持っているため、打ち抜き加工の際、剥
離あるいは微少のラミネーションクラックが発生しやす
い。ラミネーションクラックが発生すると、半導体支持
用基板としての特性が著しく阻害される。従って、従来
はラミネーションクラックの混入を防止する几め弗酸、
硝酸及び酢酸等の混酸を用いてモリブデン板をエツチン
グした後、拡大鏡によって検査をしていた。
硬金型を用いて打ち抜き加工されて円形あるいは角型な
どのモリブデン板小片に成形されるＯ モリブデン素材板は打ち抜き方向に対して直角方向に層
状の繊維組織を持っているため、打ち抜き加工の際、剥
離あるいは微少のラミネーションクラックが発生しやす
い。ラミネーションクラックが発生すると、半導体支持
用基板としての特性が著しく阻害される。従って、従来
はラミネーションクラックの混入を防止する几め弗酸、
硝酸及び酢酸等の混酸を用いてモリブデン板をエツチン
グした後、拡大鏡によって検査をしていた。
ところが、従来のようにエツチングを行ってもラミネー
ションクラックが解消しない場合が多くあシ、半導体支
持用基板としての特性を著しく損ねていた。
ションクラックが解消しない場合が多くあシ、半導体支
持用基板としての特性を著しく損ねていた。
〔発明の目的〕
本発明の目的はモリブデン素材板から半導体支持用のモ
リブデン板を打ち抜き加工によって製造する場合におい
て、ラミネーションクラックの発生することのない製造
方法を提供することである。
リブデン板を打ち抜き加工によって製造する場合におい
て、ラミネーションクラックの発生することのない製造
方法を提供することである。
本発明は、半導体材料を支持するために用いられるモリ
ブデン基板を製造する方法に関し、ビッカース硬度２２
０乃至２５０の範囲のモリブデン素材板をこのモリブデ
ン素材板の板厚に対して０．０２乃至０．０５のクリア
ランスを有する金型な用いて 打ち
抜き加工するようにした半導体基板用モリブデン板の製
造方法又はビッカース硬度が２２０乃至２５０の範囲を
除くモリブデン素材板をこのモリブデン素材板の板厚に
対して０．０２乃至０．０５のクリアランスを有する金
型を用いて、３００℃を超える温度で打ち抜き加工する
ようにした半導体用モリブデン板の製造方法である。
ブデン基板を製造する方法に関し、ビッカース硬度２２
０乃至２５０の範囲のモリブデン素材板をこのモリブデ
ン素材板の板厚に対して０．０２乃至０．０５のクリア
ランスを有する金型な用いて 打ち
抜き加工するようにした半導体基板用モリブデン板の製
造方法又はビッカース硬度が２２０乃至２５０の範囲を
除くモリブデン素材板をこのモリブデン素材板の板厚に
対して０．０２乃至０．０５のクリアランスを有する金
型を用いて、３００℃を超える温度で打ち抜き加工する
ようにした半導体用モリブデン板の製造方法である。
以下本発明について第１図乃至第３図に示す実施例によ
って説明する。
って説明する。
実施例１
まず、ビッカース硬度（Ｈｖ）がそれぞれ２２０〜２５
０．２６０以上、２００以下でかつ板厚が１、０ ｖａ
ｎのモリブデン素材板を準備した。これら３種のモリブ
デン素材板をこのモリブデン素材板の板厚に対して０−
０３５＋ｍ＋＋のクリアランスを有スる金型な用いて、
打ち抜き温度３００〜８００℃。
０．２６０以上、２００以下でかつ板厚が１、０ ｖａ
ｎのモリブデン素材板を準備した。これら３種のモリブ
デン素材板をこのモリブデン素材板の板厚に対して０−
０３５＋ｍ＋＋のクリアランスを有スる金型な用いて、
打ち抜き温度３００〜８００℃。
打ち抜き速度８０〜９０＋ｌｌ＋＋Ｉ／秒で打ち抜き加
工し。
工し。
直径２４簡の円板状のモリブデン基板をそれぞれ１００
０個づつ作製した（試料Ｉ）。さらに上記と同様のビッ
カース硬度及び板厚を有するモリブデン素材板を用いて
上記の打ち抜き加工の条件によって各ビッカース硬度に
対してそれぞれ１０００個づつのモリブデン基板の試料
２及び３を得た。
０個づつ作製した（試料Ｉ）。さらに上記と同様のビッ
カース硬度及び板厚を有するモリブデン素材板を用いて
上記の打ち抜き加工の条件によって各ビッカース硬度に
対してそれぞれ１０００個づつのモリブデン基板の試料
２及び３を得た。
これらの試料１〜３についてラミネーションクラックが
発生しているかどうかについて調べ、各試料についての
ラミネーションクラックの発生率を求め友。その結果を
第１図に表わす。第１図に示すように試料１〜２につい
てはビッカース硬度が２２０〜２５０のときにはラミネ
ーションクラックの発生率が皆無であシ、試料３につい
てもビッカース硬度が２２０〜２５０のときにはラミネ
ーションクラックの発生率は０．０１％と極めて小さい
。一方ビッカース硬度が２００以下となるとピンカース
硬度が２２０〜２５０の場合と比べて。
発生しているかどうかについて調べ、各試料についての
ラミネーションクラックの発生率を求め友。その結果を
第１図に表わす。第１図に示すように試料１〜２につい
てはビッカース硬度が２２０〜２５０のときにはラミネ
ーションクラックの発生率が皆無であシ、試料３につい
てもビッカース硬度が２２０〜２５０のときにはラミネ
ーションクラックの発生率は０．０１％と極めて小さい
。一方ビッカース硬度が２００以下となるとピンカース
硬度が２２０〜２５０の場合と比べて。
ラミネーションクラックの発生率がやや増加し。
ビッカース硬度が２６０以上となるとラミネーションク
ラックの発生率が飛躍的に増大することがわかる。
ラックの発生率が飛躍的に増大することがわかる。
次に、ビッカース硬度がそれぞれ２２０〜２５０゜２６
０以上、２００以下でかつ板厚が０．５咽のモリブデン
素材板を準備し几。これら３種のモリブデン素材板をこ
のモリブデン素材板の板厚に対して０．０２＋Ｍｎのク
リアランスを有する金型を用いて。
０以上、２００以下でかつ板厚が０．５咽のモリブデン
素材板を準備し几。これら３種のモリブデン素材板をこ
のモリブデン素材板の板厚に対して０．０２＋Ｍｎのク
リアランスを有する金型を用いて。
打ち抜き温度３００〜７００℃、打ち抜き速度８４．７
ｍｍ／秒で打ち抜き加工し、直径１３．５ｍｍの円板状
のモリブデン基板をそれぞれ２０００ 個づつ作製した
（試料４）。さらに同様にして上記各ビッカース硬度の
モリブデン素材板を用いてそれぞれ２０００＠づつのモ
リブデン基板の試料５及び６を得た。
ｍｍ／秒で打ち抜き加工し、直径１３．５ｍｍの円板状
のモリブデン基板をそれぞれ２０００ 個づつ作製した
（試料４）。さらに同様にして上記各ビッカース硬度の
モリブデン素材板を用いてそれぞれ２０００＠づつのモ
リブデン基板の試料５及び６を得た。
これらの試料４〜６についてラミネーションクラックが
発生しているかどうかについて調べ、各試料についての
ラミネーションクラックの発生率を求めた°。・その結
果について第１図に示す。第１図に示すように試料４〜
６についてビッカース硬度が２２０〜２５０のときには
ラミネーションクランクの発生率が皆無であることがわ
かる。
発生しているかどうかについて調べ、各試料についての
ラミネーションクラックの発生率を求めた°。・その結
果について第１図に示す。第１図に示すように試料４〜
６についてビッカース硬度が２２０〜２５０のときには
ラミネーションクランクの発生率が皆無であることがわ
かる。
実施し１１２
第２図を参照して打ち抜き加工の温度を種々変化させた
場合のラミネーションクラックの発生率について説明す
る。
場合のラミネーションクラックの発生率について説明す
る。
ビッカース硬度がそれぞれ２２０〜２５０゜２６０以上
、２００以下でかつ板厚が１．０団のモリブデン素材板
を準備した。これら３種のモリブデン素材板をこれらモ
リブデン素材板の板厚に対して０．０２ ｖａｎのクリ
アランスを有する金型な用いて、打ち抜き温度を３００
℃以下、３００〜６００℃、６００〜８００℃の３段階
に変化させて、打ち抜き速度８４．７ｍｍ／秒で打ち抜
き加工し、直径２４間の円板状のモリブデン基板な各打
ち抜き温度に対してそれぞれ１０００個づつ製作した。
、２００以下でかつ板厚が１．０団のモリブデン素材板
を準備した。これら３種のモリブデン素材板をこれらモ
リブデン素材板の板厚に対して０．０２ ｖａｎのクリ
アランスを有する金型な用いて、打ち抜き温度を３００
℃以下、３００〜６００℃、６００〜８００℃の３段階
に変化させて、打ち抜き速度８４．７ｍｍ／秒で打ち抜
き加工し、直径２４間の円板状のモリブデン基板な各打
ち抜き温度に対してそれぞれ１０００個づつ製作した。
なお、第２図においてビッカース硬度２００以下のモリ
ブデン板を試料７．ビッカース硬度２６０以上のモリブ
デン板を試料８．ビッカース硬度２２０〜２５０のモリ
ブデン板を試料９とする。
ブデン板を試料７．ビッカース硬度２６０以上のモリブ
デン板を試料８．ビッカース硬度２２０〜２５０のモリ
ブデン板を試料９とする。
第２図から明らかなように、試料９につじては３００℃
以下、３００〜６００℃以下、６００〜８００℃のすべ
ての温度範囲について、ラミネーションクラックの発生
がみられなかった。また試料８については温度範囲３０
０℃以下でラミネーションクラックの発生がみられたが
、３００〜６００℃、６００〜８００℃の温度範囲にお
いてはラミネーションクラックの発生はなかった。試料
７については打ち抜き温度３００℃以下でかなりのラミ
ネーションクランクの発生がみられたが、３００〜６０
０℃では急激に減少し、６００〜８００℃ではまったく
発生しなかった。
以下、３００〜６００℃以下、６００〜８００℃のすべ
ての温度範囲について、ラミネーションクラックの発生
がみられなかった。また試料８については温度範囲３０
０℃以下でラミネーションクラックの発生がみられたが
、３００〜６００℃、６００〜８００℃の温度範囲にお
いてはラミネーションクラックの発生はなかった。試料
７については打ち抜き温度３００℃以下でかなりのラミ
ネーションクランクの発生がみられたが、３００〜６０
０℃では急激に減少し、６００〜８００℃ではまったく
発生しなかった。
実施例３
ビッカース硬度が２２０〜２５０でかつ板厚が１．０咽
のモリブデン素材板を準備した。このモリブデン素材板
をそれぞれモリブデン素材板の板厚に対して０．０２以
下、０．０２〜０．０５及び０．０６〜０．１のクリア
ランスを有する金型を用いて、打ち抜き温度を３００〜
８００℃、打ち抜き速度８４、７ ｍｍ ７秒で打ち抜
き加工し、直径２４ｍｍの円にして上記のビッカース硬
度のモリブデン素材板クラックが発生しているかどうか
について調べ。
のモリブデン素材板を準備した。このモリブデン素材板
をそれぞれモリブデン素材板の板厚に対して０．０２以
下、０．０２〜０．０５及び０．０６〜０．１のクリア
ランスを有する金型を用いて、打ち抜き温度を３００〜
８００℃、打ち抜き速度８４、７ ｍｍ ７秒で打ち抜
き加工し、直径２４ｍｍの円にして上記のビッカース硬
度のモリブデン素材板クラックが発生しているかどうか
について調べ。
各試料についてラミネーションクラックの発生率を求め
た。その結果について第３図に示す。第３図から明らか
なように０．０２ｍｍ以下及び０．０６〜０．１調のク
リアランスを有する金型を用いて打ち抜き加工した場合
には極めてラミネーションクラックの発生率が高い。一
方０．０２〜００５謳のクリアランスを有する金型を用
いた場合にはラミネーションクラックの発生がまったく
みられなかったＯ さらにビッカース硬度が２２０〜２５０でかつ板厚が０
．５ ｗｎのモリブデン素材板を準備した。このモリブ
デン素材板をモリブデン素材板の板厚に対してそれぞれ
０．０２以下、０．０２〜０．０５及び０．０６〜０．
１のクリアランスを有する金型を用いて、打ち抜き温度
を３００〜８００℃、打ち抜き速度８４．７＋ｎ＋＋＋
／秒で打ち抜き加工し、直径１３．５て１００００個づ
つ製作した（試料←半）。さらに同様にして上記のビッ
カース硬度のモリブデン素クランクが発生しているかど
うかについて調べ。
た。その結果について第３図に示す。第３図から明らか
なように０．０２ｍｍ以下及び０．０６〜０．１調のク
リアランスを有する金型を用いて打ち抜き加工した場合
には極めてラミネーションクラックの発生率が高い。一
方０．０２〜００５謳のクリアランスを有する金型を用
いた場合にはラミネーションクラックの発生がまったく
みられなかったＯ さらにビッカース硬度が２２０〜２５０でかつ板厚が０
．５ ｗｎのモリブデン素材板を準備した。このモリブ
デン素材板をモリブデン素材板の板厚に対してそれぞれ
０．０２以下、０．０２〜０．０５及び０．０６〜０．
１のクリアランスを有する金型を用いて、打ち抜き温度
を３００〜８００℃、打ち抜き速度８４．７＋ｎ＋＋＋
／秒で打ち抜き加工し、直径１３．５て１００００個づ
つ製作した（試料←半）。さらに同様にして上記のビッ
カース硬度のモリブデン素クランクが発生しているかど
うかについて調べ。
各試料についてラミネーションクラックの発生率を求め
た。その結果について第３図に示す。第３図に示すよう
に０．０２＋ｎｍ以下及び０．０６〜０．１ ｍｍのク
リアランスを有する金型を用いて打ち抜き加工した場合
には極めてラミネーションクラックの発生率が高い。一
方０．０２〜０．０５ ｍｍのクリアランスを有する金
型を用いた場合にはラミネーションクラックの発生がま
ったくみられなかった。
た。その結果について第３図に示す。第３図に示すよう
に０．０２＋ｎｍ以下及び０．０６〜０．１ ｍｍのク
リアランスを有する金型を用いて打ち抜き加工した場合
には極めてラミネーションクラックの発生率が高い。一
方０．０２〜０．０５ ｍｍのクリアランスを有する金
型を用いた場合にはラミネーションクラックの発生がま
ったくみられなかった。
上述した実施例１〜３によって明らかなように。
ビッカース硬度が２２０〜２５０のモリブデン素材板を
打ち抜き加工してモリブデン基板を製作する場合には、
このモリブデン素材板の板厚に対して０．０２乃至０．
０５のクリアランスを有する金型な用いて打ち抜き加工
すればモリブデン基板にラミネーションクラックが発生
することはない。
打ち抜き加工してモリブデン基板を製作する場合には、
このモリブデン素材板の板厚に対して０．０２乃至０．
０５のクリアランスを有する金型な用いて打ち抜き加工
すればモリブデン基板にラミネーションクラックが発生
することはない。
ｔ７’ｖ、２２０〜２５０の範囲外のビッカース硬度の
モリブデン素材板を打ち抜き加工してｉ唾ｉ゛
モリブデン基板を梨 作する場合には、このモリブデン素材板の板厚に対して
０．０２乃至０．０５のクリアランスを有する金型な用
いて、３００℃を超える温度下で打ち抜き加工をすれば
ラミネーションクラックが発生することはほとんどない
。
モリブデン素材板を打ち抜き加工してｉ唾ｉ゛
モリブデン基板を梨 作する場合には、このモリブデン素材板の板厚に対して
０．０２乃至０．０５のクリアランスを有する金型な用
いて、３００℃を超える温度下で打ち抜き加工をすれば
ラミネーションクラックが発生することはほとんどない
。
以上説明したように本発明によるモリブデン基板の製造
方法を用いればモリブデン板にラミネーションクラック
が発生することなく、製品の歩留りが極めてよい。
方法を用いればモリブデン板にラミネーションクラック
が発生することなく、製品の歩留りが極めてよい。
第１図はピンカース硬度とラミ坏−ションクラックの発
生率との関係を示す図、第２図は打ち抜き温度とラミネ
ーションクラックの発生率との関係を示す図、第３図は
打ち抜き加工に用いる金型のクリアランスとラミネーシ
ョンクラックの発生率との関係を示す図である。 第１図 第２図
生率との関係を示す図、第２図は打ち抜き温度とラミネ
ーションクラックの発生率との関係を示す図、第３図は
打ち抜き加工に用いる金型のクリアランスとラミネーシ
ョンクラックの発生率との関係を示す図である。 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体材料を支持するために用いられるモリブデン
基板を製造する方法において、ビッカース硬度２２０乃
至２５０の範囲のモリブデン素材板を該モリブデン素材
板の板厚に対して０．０２乃至０．０５のクリアランス
を有する金型を用いて打ち抜き加工するようにしたこと
を特徴とする半導体基板用モリブデン板の製造方法。 ２、半導体材料を支持するために用いられるモリブデン
基板を製造する方法において、ビッカース硬度が２２０
乃至２５０の範囲を除くモリブデン素材板をこのモリブ
デン素材板の板厚に対して０．０２乃至０．０５のクリ
アランスを有する金型を用いて、３００℃を超える温度
で抜き加工することを特徴とする半導体基板用モリブデ
ン板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59214099A JPS6193633A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 半導体基板用モリブデン板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59214099A JPS6193633A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 半導体基板用モリブデン板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6193633A true JPS6193633A (ja) | 1986-05-12 |
| JPH0574935B2 JPH0574935B2 (ja) | 1993-10-19 |
Family
ID=16650205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59214099A Granted JPS6193633A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 半導体基板用モリブデン板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6193633A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0513056U (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-19 | 京セラ株式会社 | 半導体素子収納用パツケージ |
-
1984
- 1984-10-15 JP JP59214099A patent/JPS6193633A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0513056U (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-19 | 京セラ株式会社 | 半導体素子収納用パツケージ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0574935B2 (ja) | 1993-10-19 |
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