JPH0575237A - 導体パターン形成方法 - Google Patents
導体パターン形成方法Info
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- JPH0575237A JPH0575237A JP23168791A JP23168791A JPH0575237A JP H0575237 A JPH0575237 A JP H0575237A JP 23168791 A JP23168791 A JP 23168791A JP 23168791 A JP23168791 A JP 23168791A JP H0575237 A JPH0575237 A JP H0575237A
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- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は薄膜磁気ヘッドのコイルの形成などに
利用されるメッキ法による導体パターンの形成方法に関
し、微細なパターンの形成を容易化することを目的とす
る。 【構成】絶縁体１５Ａ上にメッキ法によって所定パター
ンの薄膜導体１６を形成する導体パターン形成方法であ
って、前記絶縁体１５Ａを被覆するメッキ用下地導電膜
３１ａ上に、マスク部分のパターン幅ｗ２が薄膜導体１
６のパターン間隔ｄより大きいメッキ用マスク層３２を
設ける工程と、メッキ用マスク層３２の非マスク部分を
埋めるように、メッキ膜３３を設ける第１のメッキ工程
と、メッキ用下地導電膜３１ａの内の前記メッキ用マス
ク層３２の除去により露出した部分を除去する工程と、
メッキ膜３３の表面を被覆するようにメッキ膜３４を設
けて薄膜導体１６を形成する第２のメッキ工程とを含む
ように構成される。
利用されるメッキ法による導体パターンの形成方法に関
し、微細なパターンの形成を容易化することを目的とす
る。 【構成】絶縁体１５Ａ上にメッキ法によって所定パター
ンの薄膜導体１６を形成する導体パターン形成方法であ
って、前記絶縁体１５Ａを被覆するメッキ用下地導電膜
３１ａ上に、マスク部分のパターン幅ｗ２が薄膜導体１
６のパターン間隔ｄより大きいメッキ用マスク層３２を
設ける工程と、メッキ用マスク層３２の非マスク部分を
埋めるように、メッキ膜３３を設ける第１のメッキ工程
と、メッキ用下地導電膜３１ａの内の前記メッキ用マス
ク層３２の除去により露出した部分を除去する工程と、
メッキ膜３３の表面を被覆するようにメッキ膜３４を設
けて薄膜導体１６を形成する第２のメッキ工程とを含む
ように構成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、メッキ法による導体パ
ターンの形成方法に関し、薄膜磁気ヘッドのコイルの形
成などに利用される。
ターンの形成方法に関し、薄膜磁気ヘッドのコイルの形
成などに利用される。
【０００２】コンピュータシステムの外部記憶装置とし
て用いられている磁気ディスク装置においては、記録密
度を高める上で小型の磁気ヘッドが要求されている。そ
れ故、薄膜磁気ヘッドについてはコイルパターンの微細
化が進められている。
て用いられている磁気ディスク装置においては、記録密
度を高める上で小型の磁気ヘッドが要求されている。そ
れ故、薄膜磁気ヘッドについてはコイルパターンの微細
化が進められている。
【０００３】
【従来の技術】図２（ａ）及び（ｂ）は一般的な薄膜磁
気ヘッド１の構造を示す図である。図２（ａ）は要部の
断面図であり、図２（ｂ）は要部の平面図である。な
お、図２（ａ）は図２（ｂ）のＡ−Ａ矢視断面に対応す
る。
気ヘッド１の構造を示す図である。図２（ａ）は要部の
断面図であり、図２（ｂ）は要部の平面図である。な
お、図２（ａ）は図２（ｂ）のＡ−Ａ矢視断面に対応す
る。
【０００４】薄膜磁気ヘッド１は、アルミナ・チタンカ
ーバイドからなる支持体１１、アルミナからなる絶縁層
１２、Ｎｉ−Ｆｅからなる下部及び上部の磁極１３，１
７、二酸化珪素からなるギャップ層１４、熱硬化性樹脂
などの層間絶縁体１５、Ｃｕメッキ膜からなる渦巻き状
のコイル１６、及びアルミナからなる保護膜１８などか
ら構成されている。
ーバイドからなる支持体１１、アルミナからなる絶縁層
１２、Ｎｉ−Ｆｅからなる下部及び上部の磁極１３，１
７、二酸化珪素からなるギャップ層１４、熱硬化性樹脂
などの層間絶縁体１５、Ｃｕメッキ膜からなる渦巻き状
のコイル１６、及びアルミナからなる保護膜１８などか
ら構成されている。
【０００５】磁極１３，１７は、コンタクト部１３７で
一体化して磁気コアを構成している。コイル１６の内端
及び外端はそれぞれ図示しない外部接続端子に接続され
ている。
一体化して磁気コアを構成している。コイル１６の内端
及び外端はそれぞれ図示しない外部接続端子に接続され
ている。
【０００６】従来において、薄膜磁気ヘッド１のコイル
１６は、以下の導体パターン形成方法によって形成され
ていた。図３は従来の導体パターン形成方法によるコイ
ル形成の各段階の状態を示す要部断面図である。なお、
同図では、非断面の図示を省略してある。
１６は、以下の導体パターン形成方法によって形成され
ていた。図３は従来の導体パターン形成方法によるコイ
ル形成の各段階の状態を示す要部断面図である。なお、
同図では、非断面の図示を省略してある。
【０００７】ここでは、既に、上述の支持体１１上に、
絶縁層１２、下部の磁極１３、及びギャップ層１４が設
けられ、さらに層間絶縁体１５の一部（コイル１６の下
側の部分）となる絶縁体１５Ａが設けられているものと
する。
絶縁層１２、下部の磁極１３、及びギャップ層１４が設
けられ、さらに層間絶縁体１５の一部（コイル１６の下
側の部分）となる絶縁体１５Ａが設けられているものと
する。
【０００８】まず、絶縁体１５Ａの表面を一様に被覆す
るように、真空蒸着又はスパッタ蒸着などによって、
０．０１μｍ程度の厚さのＴｉ層と０．１μｍ程度の厚
さのＣｕ層とからなる二層構造のメッキ用下地導電膜
（メッキベース）３１ａを設ける［図３（ａ）］。
るように、真空蒸着又はスパッタ蒸着などによって、
０．０１μｍ程度の厚さのＴｉ層と０．１μｍ程度の厚
さのＣｕ層とからなる二層構造のメッキ用下地導電膜
（メッキベース）３１ａを設ける［図３（ａ）］。
【０００９】次に、フォトレジスト液を４μｍ程度の厚
さに塗布し、フォトリソグラフィ法を用いて、コイル１
６のパターン（渦巻き状）に相当した開口パターン（非
マスク部の平面形状）を有するメッキ用マスク層３２を
形成する［図３（ｂ）］。
さに塗布し、フォトリソグラフィ法を用いて、コイル１
６のパターン（渦巻き状）に相当した開口パターン（非
マスク部の平面形状）を有するメッキ用マスク層３２を
形成する［図３（ｂ）］。
【００１０】続いて、メッキ用下地導電膜３１ａをメッ
キ用電極として用いる電解メッキ法によって、メッキ用
マスク層３２の非マスク部を埋めるように、膜厚が３μ
ｍ程度のＣｕメッキ膜３３を形成する［図３（ｃ）］。
キ用電極として用いる電解メッキ法によって、メッキ用
マスク層３２の非マスク部を埋めるように、膜厚が３μ
ｍ程度のＣｕメッキ膜３３を形成する［図３（ｃ）］。
【００１１】そして、メッキ用マスク層３２を除去した
後、Ｃｕメッキ膜３３をエッチングマスクとして、ドラ
イエッチング法の中でも特に微細加工に適したイオンミ
リングによって、メッキ用下地導電膜３１ａの露出部分
を除去する［図３（ｄ）］。これにより、メッキ用下地
導電膜３１ａは渦巻き状にパターンニングされ、Ｃｕメ
ッキ膜３３が渦巻きの径方向に絶縁されてコイル１６と
なる［図３（ｅ）］。
後、Ｃｕメッキ膜３３をエッチングマスクとして、ドラ
イエッチング法の中でも特に微細加工に適したイオンミ
リングによって、メッキ用下地導電膜３１ａの露出部分
を除去する［図３（ｄ）］。これにより、メッキ用下地
導電膜３１ａは渦巻き状にパターンニングされ、Ｃｕメ
ッキ膜３３が渦巻きの径方向に絶縁されてコイル１６と
なる［図３（ｅ）］。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】薄膜磁気ヘッド１の小
型化などのためにコイル１６のパターンの微細化を図る
場合には、必然的にコイル１６の巻き線幅（パターン
幅）ｗ及び巻き線間隔（パターン間隔）ｄを小さい値に
選定することになる。しかし、コイル１６の膜厚は抵抗
値の増大を抑える上で所定値以下に薄くすることができ
ない。
型化などのためにコイル１６のパターンの微細化を図る
場合には、必然的にコイル１６の巻き線幅（パターン
幅）ｗ及び巻き線間隔（パターン間隔）ｄを小さい値に
選定することになる。しかし、コイル１６の膜厚は抵抗
値の増大を抑える上で所定値以下に薄くすることができ
ない。
【００１３】したがって、従来の形成方法では、Ｃｕメ
ッキ膜３３を形成した後に、メッキ用下地導電膜３１ａ
の不要部分の除去、すなわちメッキ用下地導電膜３１ａ
のパターンニングを行うが、このとき、Ｃｕメッキ膜３
３で挟まれた細く且つ深い溝の底部にメッキ用下地導電
膜３１ａが存在することになり、イオンミリングを用い
てもパターンニングが困難であるという問題があった。
ッキ膜３３を形成した後に、メッキ用下地導電膜３１ａ
の不要部分の除去、すなわちメッキ用下地導電膜３１ａ
のパターンニングを行うが、このとき、Ｃｕメッキ膜３
３で挟まれた細く且つ深い溝の底部にメッキ用下地導電
膜３１ａが存在することになり、イオンミリングを用い
てもパターンニングが困難であるという問題があった。
【００１４】つまり、イオンの照射角度の調整に高精度
が要求されるとともに、メッキ用下地導電膜３１ａに入
射するイオンの密度が小さいことから、パターンニング
に長時間を要することになる。
が要求されるとともに、メッキ用下地導電膜３１ａに入
射するイオンの密度が小さいことから、パターンニング
に長時間を要することになる。
【００１５】また、イオンミリングに際してＣｕメッキ
膜３３がエッチングマスクとして用いられることから、
Ｃｕメッキ膜３３も削られてコイル１６の巻き線間隔ｄ
が拡がるので、これを見込んで予めＣｕメッキ膜３３の
幅を広く設定した場合には、さらにメッキ用下地導電膜
３１ａのパターンニングが困難になる。
膜３３がエッチングマスクとして用いられることから、
Ｃｕメッキ膜３３も削られてコイル１６の巻き線間隔ｄ
が拡がるので、これを見込んで予めＣｕメッキ膜３３の
幅を広く設定した場合には、さらにメッキ用下地導電膜
３１ａのパターンニングが困難になる。
【００１６】本発明は、上述の問題に鑑み、メッキ用下
地導電膜を容易にパターンニングすることができ、形成
パターンの微細化に適した導体パターン形成方法を提供
することを目的としている。
地導電膜を容易にパターンニングすることができ、形成
パターンの微細化に適した導体パターン形成方法を提供
することを目的としている。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の課題を
解決するため、図１に示すように、絶縁体１５Ａ上にメ
ッキ法によって所定パターンの薄膜導体１６を形成する
導体パターン形成方法であって、前記絶縁体１５Ａを被
覆するメッキ用下地導電膜３１ａ上に、マスク部分のパ
ターン幅ｗ２が前記薄膜導体１６のパターン間隔ｄより
大きいメッキ用マスク層３２を設ける工程と、前記メッ
キ用マスク層３２の非マスク部分を埋めるようにメッキ
膜３３を設ける第１のメッキ工程と、前記メッキ用下地
導電膜３１ａの内の前記メッキ用マスク層３２の除去に
より露出した部分を除去する工程と、前記メッキ膜３３
の表面を被覆するようにメッキ膜３４を設けて前記薄膜
導体１６を形成する第２のメッキ工程とを含む。
解決するため、図１に示すように、絶縁体１５Ａ上にメ
ッキ法によって所定パターンの薄膜導体１６を形成する
導体パターン形成方法であって、前記絶縁体１５Ａを被
覆するメッキ用下地導電膜３１ａ上に、マスク部分のパ
ターン幅ｗ２が前記薄膜導体１６のパターン間隔ｄより
大きいメッキ用マスク層３２を設ける工程と、前記メッ
キ用マスク層３２の非マスク部分を埋めるようにメッキ
膜３３を設ける第１のメッキ工程と、前記メッキ用下地
導電膜３１ａの内の前記メッキ用マスク層３２の除去に
より露出した部分を除去する工程と、前記メッキ膜３３
の表面を被覆するようにメッキ膜３４を設けて前記薄膜
導体１６を形成する第２のメッキ工程とを含む。
【００１８】
【作用】メッキ用マスク層３２のマスク部分のパターン
幅ｗ２は、形成すべき薄膜導体１６のパターン間隔ｄよ
り大きめに選定される。これにより、メッキ用下地導電
膜３１ａのパターンニングに際しては、除去すべき領域
が最終的に形成される薄膜導体１６のパターン間隔領域
に比べて広いことから、イオンミリングなどのエッチン
グ手法を用いて容易にパターンニングを行うことができ
る。
幅ｗ２は、形成すべき薄膜導体１６のパターン間隔ｄよ
り大きめに選定される。これにより、メッキ用下地導電
膜３１ａのパターンニングに際しては、除去すべき領域
が最終的に形成される薄膜導体１６のパターン間隔領域
に比べて広いことから、イオンミリングなどのエッチン
グ手法を用いて容易にパターンニングを行うことができ
る。
【００１９】
【実施例】以下、図２に示した薄膜磁気ヘッド１のコイ
ル１６の形成を例に挙げて本発明の導体パターン形成方
法を説明する。
ル１６の形成を例に挙げて本発明の導体パターン形成方
法を説明する。
【００２０】図１は本発明に係るコイル形成の各段階の
状態を示す要部断面図である。なお、同図において、図
３と同一の機能を有する構成要素には、形状及び材質の
差異に係わらず同一の符号を付してある。また、非断面
の図示を省略してある。
状態を示す要部断面図である。なお、同図において、図
３と同一の機能を有する構成要素には、形状及び材質の
差異に係わらず同一の符号を付してある。また、非断面
の図示を省略してある。
【００２１】まず、従来と同様に絶縁体１５Ａの表面を
一様に被覆するように、真空蒸着又はスパッタ蒸着など
によって、Ｔｉ層とＣｕ層とを順に重ねた二層構造のメ
ッキ用下地導電膜３１ａ（膜厚は０．１μｍ程度）を設
ける［図１（ａ）］。
一様に被覆するように、真空蒸着又はスパッタ蒸着など
によって、Ｔｉ層とＣｕ層とを順に重ねた二層構造のメ
ッキ用下地導電膜３１ａ（膜厚は０．１μｍ程度）を設
ける［図１（ａ）］。
【００２２】次に、ポジ型のフォトレジスト液を４μｍ
程度の厚さに塗布し、フォトリソグラフィ法を用いて、
コイル１６のパターン（渦巻き状）に対応した開口パタ
ーン（非マスク部の平面形状）を有するメッキ用マスク
層３２を形成する［図１（ｂ）］。
程度の厚さに塗布し、フォトリソグラフィ法を用いて、
コイル１６のパターン（渦巻き状）に対応した開口パタ
ーン（非マスク部の平面形状）を有するメッキ用マスク
層３２を形成する［図１（ｂ）］。
【００２３】ただし、メッキ用マスク層３２の開口パタ
ーンは、コイル１６のパターンに比べて細幅のパターン
とされている。つまり、開口パターン幅ｗ１はコイル１
６のパターン幅ｗに比べて小さく、逆にみれば、メッキ
用マスク層３２のマスク部のパターン幅ｗ２はコイル１
６のパターン間隔ｄに比べて大きい。
ーンは、コイル１６のパターンに比べて細幅のパターン
とされている。つまり、開口パターン幅ｗ１はコイル１
６のパターン幅ｗに比べて小さく、逆にみれば、メッキ
用マスク層３２のマスク部のパターン幅ｗ２はコイル１
６のパターン間隔ｄに比べて大きい。
【００２４】続いて、上述のようにポジ型フォトレジス
トからなるメッキ用マスク層３２が感光しない環境で、
メッキ用下地導電膜３１ａをメッキ用電極として用いる
電解メッキ法によって、メッキ用マスク層３２の非マス
ク部を埋めるように、膜厚が数μｍ程度のＣｕメッキ膜
３３を形成する［図１（ｃ）］。
トからなるメッキ用マスク層３２が感光しない環境で、
メッキ用下地導電膜３１ａをメッキ用電極として用いる
電解メッキ法によって、メッキ用マスク層３２の非マス
ク部を埋めるように、膜厚が数μｍ程度のＣｕメッキ膜
３３を形成する［図１（ｃ）］。
【００２５】そして、後のメッキ時に必要となる通電の
ための図示しない引き出し配線パターンを残すようにメ
ッキ用マスク層３２に対してパターン露光を行い、メッ
キ用下地導電膜３１ａの一部（引き出し配線パターン）
の上部以外についてメッキ用マスク層３２を除去した
後、Ｃｕメッキ膜３３及び残ったメッキ用マスク層３２
をエッチングマスクとして、イオンミリングによって、
メッキ用下地導電膜３１ａの露出部分を除去する［図１
（ｄ）］。
ための図示しない引き出し配線パターンを残すようにメ
ッキ用マスク層３２に対してパターン露光を行い、メッ
キ用下地導電膜３１ａの一部（引き出し配線パターン）
の上部以外についてメッキ用マスク層３２を除去した
後、Ｃｕメッキ膜３３及び残ったメッキ用マスク層３２
をエッチングマスクとして、イオンミリングによって、
メッキ用下地導電膜３１ａの露出部分を除去する［図１
（ｄ）］。
【００２６】このとき、除去すべき領域は、その幅が上
述のパターン幅ｗ２に等しく、薄膜導体１６のパターン
間隔ｄに比べて広いことから、薄膜導体１６の微細化の
ためにパターン間隔ｄを小さい値としても、従来のよう
に除去すべき領域の幅が薄膜導体１６のパターン間隔ｄ
と等しい場合に比べて除去が容易である。
述のパターン幅ｗ２に等しく、薄膜導体１６のパターン
間隔ｄに比べて広いことから、薄膜導体１６の微細化の
ためにパターン間隔ｄを小さい値としても、従来のよう
に除去すべき領域の幅が薄膜導体１６のパターン間隔ｄ
と等しい場合に比べて除去が容易である。
【００２７】不要のメッキ用下地導電膜３１ａの除去に
より、メッキ用下地導電膜３１ａは渦巻き状の導電膜３
１ｂにパターンニングされ、Ｃｕメッキ膜３３は渦巻き
の径方向に絶縁される［図１（ｅ）］。
より、メッキ用下地導電膜３１ａは渦巻き状の導電膜３
１ｂにパターンニングされ、Ｃｕメッキ膜３３は渦巻き
の径方向に絶縁される［図１（ｅ）］。
【００２８】最後に、上述の引き出し配線パターンを電
源に接続し、再び電解メッキ法によって、Ｃｕメッキ膜
３３の表面を被覆するように所定膜厚のＣｕメッキ膜３
４を設けてコイル１６を完成する。
源に接続し、再び電解メッキ法によって、Ｃｕメッキ膜
３３の表面を被覆するように所定膜厚のＣｕメッキ膜３
４を設けてコイル１６を完成する。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、メッキ法による導体パ
ターンの形成に必要となるメッキ用下地導体を導体パタ
ーンに合わせて容易にパターンニング形成することがで
き、導体パターンの微細化を図ることができる。
ターンの形成に必要となるメッキ用下地導体を導体パタ
ーンに合わせて容易にパターンニング形成することがで
き、導体パターンの微細化を図ることができる。
【図１】本発明に係るコイル形成の各段階の状態を示す
要部断面図である。
要部断面図である。
【図２】一般的な薄膜磁気ヘッドの構造を示す図であ
る。
る。
【図３】従来の導体パターン形成方法によるコイル形成
の各段階の状態を示す要部断面図である。
の各段階の状態を示す要部断面図である。
１５Ａ 絶縁体 １６ コイル（薄膜導体） ３１ａ メッキ用下地導電膜 ３２ メッキ用マスク層 ３３ Ｃｕメッキ膜（メッキ膜） ３４ Ｃｕメッキ膜（メッキ膜） ｗ２ パターン幅 ｄ パターン間隔
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁体（１５Ａ）上にメッキ法によって所
定パターンの薄膜導体（１６）を形成する導体パターン
形成方法であって、 前記絶縁体（１５Ａ）を被覆するメッキ用下地導電膜
（３１ａ）上に、マスク部分のパターン幅（ｗ２）が前
記薄膜導体（１６）のパターン間隔（ｄ）より大きいメ
ッキ用マスク層（３２）を設ける工程と、 前記メッキ用マスク層（３２）の非マスク部分を埋める
ように、メッキ膜（３３）を設ける第１のメッキ工程
と、 前記メッキ用下地導電膜（３１ａ）の内の前記メッキ用
マスク層（３２）の除去により露出した部分を除去する
工程と、 前記メッキ膜（３３）の表面を被覆するようにメッキ膜
（３４）を設けて前記薄膜導体（１６）を形成する第２
のメッキ工程とを含むことを特徴とする導体パターン形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23168791A JPH0575237A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 導体パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23168791A JPH0575237A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 導体パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0575237A true JPH0575237A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16927423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23168791A Withdrawn JPH0575237A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 導体パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0575237A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002280219A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Sony Corp | インダクタ及び又はその近傍の回路配線及びその製造方法 |
| JP2003101240A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 高密度プリント配線板の製造方法。 |
| KR100487364B1 (ko) * | 1997-11-26 | 2005-06-16 | 엘지전자 주식회사 | 박막인덕터제조방법 |
| JP2008251640A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tdk Corp | 導体パターンの形成方法 |
| JP2013054213A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 貫通電極を備えた光伝送路固定部材の製造方法 |
| JP5294288B1 (ja) * | 2012-10-30 | 2013-09-18 | 株式会社Ｌｅａｐ | 樹脂基板を用い、電気鋳造によりコイル素子を製造する方法 |
| US20160343500A1 (en) * | 2015-05-19 | 2016-11-24 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Chip electronic component |
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| CN112262446A (zh) * | 2018-07-04 | 2021-01-22 | 斯天克有限公司 | 线圈装置及其制造方法 |
-
1991
- 1991-09-11 JP JP23168791A patent/JPH0575237A/ja not_active Withdrawn
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