JPH0575310A - フエリ磁性体薄膜フイルタ - Google Patents
フエリ磁性体薄膜フイルタInfo
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- JPH0575310A JPH0575310A JP23485791A JP23485791A JPH0575310A JP H0575310 A JPH0575310 A JP H0575310A JP 23485791 A JP23485791 A JP 23485791A JP 23485791 A JP23485791 A JP 23485791A JP H0575310 A JPH0575310 A JP H0575310A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＹＩＧ薄膜内を伝搬する静磁波の共振系を組
合わせて構成した共振器回路からなる電磁波の静磁波仲
介帯域通過フィルタにおける通過帯域の調整を簡易に行
ない得るようにするために、 【構成】 入出力電磁波線路を共通に覆うＹＩＧ薄膜に
おいて、入出力線路にそれぞれ接し、対向側縁間の領域
にそれぞれ構成して強い直流磁界をそれぞれ印加した入
出力静磁波共振部の相互間を、それぞれ一方の側縁が対
応する領域に構成して入出力共振部の印加直流磁界に直
交する弱い直流磁界を印加した静磁波エバネッセント導
波部により結合させるとともに、それぞれの一方の側縁
を印加直流磁界と交叉させ、 【効果】 静磁波エバネッセントモード導波部の印加直
流磁界の磁界強度を変えるだけで共振器回路間の結合度
を調整し得るようにする。
合わせて構成した共振器回路からなる電磁波の静磁波仲
介帯域通過フィルタにおける通過帯域の調整を簡易に行
ない得るようにするために、 【構成】 入出力電磁波線路を共通に覆うＹＩＧ薄膜に
おいて、入出力線路にそれぞれ接し、対向側縁間の領域
にそれぞれ構成して強い直流磁界をそれぞれ印加した入
出力静磁波共振部の相互間を、それぞれ一方の側縁が対
応する領域に構成して入出力共振部の印加直流磁界に直
交する弱い直流磁界を印加した静磁波エバネッセント導
波部により結合させるとともに、それぞれの一方の側縁
を印加直流磁界と交叉させ、 【効果】 静磁波エバネッセントモード導波部の印加直
流磁界の磁界強度を変えるだけで共振器回路間の結合度
を調整し得るようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波、ミリ波な
どの電磁波から変換されてフェリ磁性体薄膜内を伝搬す
る静磁波のフェリ磁性体薄膜内の共振を利用して電磁波
の帯域通過を行なわせるフェリ磁性体薄膜フィルタに関
し、特に、通過帯域の調整を簡易に行ない得るようにし
たものである。
どの電磁波から変換されてフェリ磁性体薄膜内を伝搬す
る静磁波のフェリ磁性体薄膜内の共振を利用して電磁波
の帯域通過を行なわせるフェリ磁性体薄膜フィルタに関
し、特に、通過帯域の調整を簡易に行ない得るようにし
たものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種のフェリ磁性体薄膜フィル
タとしては、例えば、“A BandpassFilter Using YIG F
ilm Grown by LPE” , IEEE Microwaue Theoy and Tech
niques Symposium Digest, 1985 , pp.285〜288 （198
5）に記載された図３(a) に示すフェリ磁性体薄膜共振
器を用いたフィルタ、あるいは、特開平２−58401 号公
報に記載された図３(b) に示すフェリ磁性体薄膜共振器
を用いたフィルタがあるが、図３(a),(b) につき後述す
るように、フェリ磁性体薄膜共振器を複数個縦続配置し
て構成した従来のフェリ磁性体薄膜フィルタにおいて
は、マイクロストリップ型、同軸型あるいは導波管型の
共振器を用いて構成した一般の電磁波フィルタにおける
共振器相互の結合と同様に、静磁波共振器相互の結合に
は種々の回路構成を採用していた。
タとしては、例えば、“A BandpassFilter Using YIG F
ilm Grown by LPE” , IEEE Microwaue Theoy and Tech
niques Symposium Digest, 1985 , pp.285〜288 （198
5）に記載された図３(a) に示すフェリ磁性体薄膜共振
器を用いたフィルタ、あるいは、特開平２−58401 号公
報に記載された図３(b) に示すフェリ磁性体薄膜共振器
を用いたフィルタがあるが、図３(a),(b) につき後述す
るように、フェリ磁性体薄膜共振器を複数個縦続配置し
て構成した従来のフェリ磁性体薄膜フィルタにおいて
は、マイクロストリップ型、同軸型あるいは導波管型の
共振器を用いて構成した一般の電磁波フィルタにおける
共振器相互の結合と同様に、静磁波共振器相互の結合に
は種々の回路構成を採用していた。
【０００３】すなわち、例えば図３(a) に示した従来の
フェリ磁性体薄膜フィルタにおいては、接地導体板７を
底面に設けた誘電体基板８上のストリップ電磁波線路５
および６を覆って誘電体基板３上にそれぞれ円形破線で
図示したフェリ磁性体薄膜１および２をそれぞれ設け、
膜面に垂直の直流磁界印加のもとに線路５および６の電
磁波からそれぞれ変換した静磁体積波に対して静磁モー
ド共振器をそれぞれ構成し、一方の共振器１内の静磁波
を一旦逆変換した電磁波を、共通のストリップ線路４を
介し、他方の共振器２に導いて再度静磁波に変換し、か
かる逆変換電磁波を仲介にして双方の静磁モード共振器
１と２とを結合させていた。
フェリ磁性体薄膜フィルタにおいては、接地導体板７を
底面に設けた誘電体基板８上のストリップ電磁波線路５
および６を覆って誘電体基板３上にそれぞれ円形破線で
図示したフェリ磁性体薄膜１および２をそれぞれ設け、
膜面に垂直の直流磁界印加のもとに線路５および６の電
磁波からそれぞれ変換した静磁体積波に対して静磁モー
ド共振器をそれぞれ構成し、一方の共振器１内の静磁波
を一旦逆変換した電磁波を、共通のストリップ線路４を
介し、他方の共振器２に導いて再度静磁波に変換し、か
かる逆変換電磁波を仲介にして双方の静磁モード共振器
１と２とを結合させていた。
【０００４】また、図３(b) に示した従来のフェリ磁性
体薄膜フィルタにおいては、上述とほぼ同様に構成した
静磁モード共振器１と２との間隔を近づけ、フェリ磁性
体薄膜外に泌み出すようにして伝搬するエバネッセント
モードの静磁波によって共振器１と２とを結合させてい
た。
体薄膜フィルタにおいては、上述とほぼ同様に構成した
静磁モード共振器１と２との間隔を近づけ、フェリ磁性
体薄膜外に泌み出すようにして伝搬するエバネッセント
モードの静磁波によって共振器１と２とを結合させてい
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】したがって、従来のフ
ェリ磁性体薄膜フィルタにおいては、静磁モード共振器
間の結合量を変えてフィルタ特性を調整するためには、
例えば、図３(a) に示した従来例においては、静磁モー
ド共振器１と２との間隔、あるいは、共振器１，２とス
トリップ線路４との間隔を物理的乃至機械的に変更する
必要があり、また、図３(b) に示した従来例において
も、共振器１と２との間隔を物理的乃至機械的に変更す
る必要があった。
ェリ磁性体薄膜フィルタにおいては、静磁モード共振器
間の結合量を変えてフィルタ特性を調整するためには、
例えば、図３(a) に示した従来例においては、静磁モー
ド共振器１と２との間隔、あるいは、共振器１，２とス
トリップ線路４との間隔を物理的乃至機械的に変更する
必要があり、また、図３(b) に示した従来例において
も、共振器１と２との間隔を物理的乃至機械的に変更す
る必要があった。
【０００６】すなわち、従来のフェリ磁性体薄膜フィル
タにおいては、フィルタ特性を変化させるには、フェリ
磁性体薄膜共振器の相互間隔、もしくは、共振器と逆変
換仲介電磁波を伝送するための電磁波線路との間隔を物
理的乃至機械的に変更する必要があるのみならず、所望
のフィルタ特性を確実に実現するためには、かかる間隔
を精度よく設定する必要があった。
タにおいては、フィルタ特性を変化させるには、フェリ
磁性体薄膜共振器の相互間隔、もしくは、共振器と逆変
換仲介電磁波を伝送するための電磁波線路との間隔を物
理的乃至機械的に変更する必要があるのみならず、所望
のフィルタ特性を確実に実現するためには、かかる間隔
を精度よく設定する必要があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、上述し
た従来の課題を解決し、フェリ磁性体薄膜共振器の相互
間隔、あるいは、相互結合用電磁波線路との間隔などの
物理的乃至機械的変更を要することなく、共振器相互の
結合量を簡単な手段により容易に変更して、所望のフィ
ルタ特性を確実容易に実現し得るようにしたフェリ磁性
体薄膜フィルタを提供することにある。
た従来の課題を解決し、フェリ磁性体薄膜共振器の相互
間隔、あるいは、相互結合用電磁波線路との間隔などの
物理的乃至機械的変更を要することなく、共振器相互の
結合量を簡単な手段により容易に変更して、所望のフィ
ルタ特性を確実容易に実現し得るようにしたフェリ磁性
体薄膜フィルタを提供することにある。
【０００８】すなわち、本発明フェリ磁性体薄膜フィル
タは、誘電体基板上にそれぞれ形成した入力電磁波線路
および出力電磁波線路をともに覆ってフェリ磁性体薄膜
を被着し、当該フェリ磁性体薄膜に平行に直流磁界を印
加し、前記フェリ磁性体薄膜の互いに対向する端縁もし
くは側縁によりそれぞれ区画された領域に前記直流磁界
の互いに直交する磁界成分のうち強い方の磁界成分によ
ってそれぞれ作動する前記入力電磁波線路および前記出
力電磁波線路にそれぞれ接した入力共振部および出力共
振部を含む複数個の静磁波共振部をそれぞれ構成すると
ともに、相隣る当該静磁波共振部間において互いに対応
するそれぞれの前記側縁により区画されて前記互いに直
交する磁界成分のうち弱い方の磁界成分によってそれぞ
れ作動する静磁波エバネッセントモード導波部を当該相
隣る静磁波共振部間にそれぞれ構成し、当該静磁波エバ
ネッセントモード導波部をそれぞれ区画する前記側縁
を、前記静磁波共振部および前記静磁波エバネッセント
モード導波部にそれぞれ印加された前記互いに直交する
磁界成分にそれぞれ交叉させたことを特徴とするもので
ある。
タは、誘電体基板上にそれぞれ形成した入力電磁波線路
および出力電磁波線路をともに覆ってフェリ磁性体薄膜
を被着し、当該フェリ磁性体薄膜に平行に直流磁界を印
加し、前記フェリ磁性体薄膜の互いに対向する端縁もし
くは側縁によりそれぞれ区画された領域に前記直流磁界
の互いに直交する磁界成分のうち強い方の磁界成分によ
ってそれぞれ作動する前記入力電磁波線路および前記出
力電磁波線路にそれぞれ接した入力共振部および出力共
振部を含む複数個の静磁波共振部をそれぞれ構成すると
ともに、相隣る当該静磁波共振部間において互いに対応
するそれぞれの前記側縁により区画されて前記互いに直
交する磁界成分のうち弱い方の磁界成分によってそれぞ
れ作動する静磁波エバネッセントモード導波部を当該相
隣る静磁波共振部間にそれぞれ構成し、当該静磁波エバ
ネッセントモード導波部をそれぞれ区画する前記側縁
を、前記静磁波共振部および前記静磁波エバネッセント
モード導波部にそれぞれ印加された前記互いに直交する
磁界成分にそれぞれ交叉させたことを特徴とするもので
ある。
【０００９】
【作用】したがって、本発明フェリ磁性体薄膜フィルタ
においては、フェリ磁性体薄膜に印加する直流磁界の磁
界強度を変化させるだけの簡易な手段により所望のフィ
ルタ特性を容易に実現することができる。
においては、フェリ磁性体薄膜に印加する直流磁界の磁
界強度を変化させるだけの簡易な手段により所望のフィ
ルタ特性を容易に実現することができる。
【００１０】
【実施例】以下に図面を参照して実施例につき本発明を
詳細に説明する。本発明によるフェリ磁性体薄膜フィル
タの好適な構成例を図１(a) に示し、その作用の態様を
図１(b) に示す。図３(a) および(b) に示した従来のこ
の種のフィルタと図１(a) の本発明フィルタとを対比す
れば明らかなように、本発明の要点は、帯域通過フィル
タをなす共振器回路を構成する複数の静磁モード共振器
およびそれらの共振器を後述するように相互に結合させ
る静磁波エバネッセントモード導波部を単一のフェリ磁
性体薄膜によって連続して形成し、その単一のフェリ磁
性体薄膜に印加する直流磁界の磁界強度を変えることに
よって静磁モード共振器相互の結合量、したがって、フ
ィルタ特性を変化させ得るようにしたところにある。
詳細に説明する。本発明によるフェリ磁性体薄膜フィル
タの好適な構成例を図１(a) に示し、その作用の態様を
図１(b) に示す。図３(a) および(b) に示した従来のこ
の種のフィルタと図１(a) の本発明フィルタとを対比す
れば明らかなように、本発明の要点は、帯域通過フィル
タをなす共振器回路を構成する複数の静磁モード共振器
およびそれらの共振器を後述するように相互に結合させ
る静磁波エバネッセントモード導波部を単一のフェリ磁
性体薄膜によって連続して形成し、その単一のフェリ磁
性体薄膜に印加する直流磁界の磁界強度を変えることに
よって静磁モード共振器相互の結合量、したがって、フ
ィルタ特性を変化させ得るようにしたところにある。
【００１１】すなわち、図１(a) に示すように、底面に
接地導体板７を被着した誘電体基板８上にマイクロスト
リップ線路５および６をフィルタの構成要素として作用
する部分を互いに平行にして設け、その部分を共通に覆
って図１(b) に示す形状の誘電体基板、例えばガドリニ
ウム・ガリウム・ガーネット(GGG) 基板３によって裏打
ちしたフェリ磁性体薄膜９、例えばイットリウム・鉄・
ガーネット(YIG) 薄板を設け、ストリップ線路５，６に
平行の直流磁界10および直交する直流磁界11とをフェリ
磁性体薄膜９と同一平面内にかかる直交直流磁界成分が
存在するうよにして印加し、ストリップ線路５，６に平
行の磁界成分10に比して直交する磁界成分11の磁界強度
が著しく弱い状態にしておく。かかる直流磁界印加状態
においては、線路上の電磁波伝搬方向および主として作
用する平行直流磁界10に直交する方向に伝搬する静磁表
面波が主として発生して以下に述べるようなフィルタ作
用をなす。
接地導体板７を被着した誘電体基板８上にマイクロスト
リップ線路５および６をフィルタの構成要素として作用
する部分を互いに平行にして設け、その部分を共通に覆
って図１(b) に示す形状の誘電体基板、例えばガドリニ
ウム・ガリウム・ガーネット(GGG) 基板３によって裏打
ちしたフェリ磁性体薄膜９、例えばイットリウム・鉄・
ガーネット(YIG) 薄板を設け、ストリップ線路５，６に
平行の直流磁界10および直交する直流磁界11とをフェリ
磁性体薄膜９と同一平面内にかかる直交直流磁界成分が
存在するうよにして印加し、ストリップ線路５，６に平
行の磁界成分10に比して直交する磁界成分11の磁界強度
が著しく弱い状態にしておく。かかる直流磁界印加状態
においては、線路上の電磁波伝搬方向および主として作
用する平行直流磁界10に直交する方向に伝搬する静磁表
面波が主として発生して以下に述べるようなフィルタ作
用をなす。
【００１２】すなわち、一方のストリップ線路、例えば
ストリップ線路５により例えばマイクロ波帯の電磁波が
入来すると、ストリップ線路５に接した領域Ｉのフェリ
磁性体薄膜９内には、線路５のフェリ磁性体薄膜と接し
た部分に平行の直流磁界10が主として作用しているの
で、静磁表面波が入力電磁波に励起されて発生し、線路
５のフェリ磁性体薄膜と接した部分および直流磁界10に
直交した、図１(b) に示す矢印の方向に伝搬する。しか
して、その矢印方向に進んだ領域Ｉの側縁においては、
磁性体薄膜が、進行方向に斜交する方向、例えば45°傾
斜した方向に切断されており、また、領域Ｉの後方端縁
も同様に傾斜して前方側縁に平行になっており、しか
も、前方側縁の位置で印加直流磁界10がこれに直交する
格段に弱い印加直流磁界11に置換され、その直流磁界11
の磁界強度が領域IIの磁性体薄膜内を静磁表面波が伝搬
するに必要な磁界強度以下の状態にあれば、領域Ｉ内を
伝搬して来た静磁表面波は傾斜側縁で直角に方向転換し
て領域II内に進むのが困難となり、その大半は、互いに
平行の前後の側縁と端縁との間で反復反射して共振する
ことになり、フェリ磁性体薄膜９の領域Ｉは静磁モード
共振器として作用する。
ストリップ線路５により例えばマイクロ波帯の電磁波が
入来すると、ストリップ線路５に接した領域Ｉのフェリ
磁性体薄膜９内には、線路５のフェリ磁性体薄膜と接し
た部分に平行の直流磁界10が主として作用しているの
で、静磁表面波が入力電磁波に励起されて発生し、線路
５のフェリ磁性体薄膜と接した部分および直流磁界10に
直交した、図１(b) に示す矢印の方向に伝搬する。しか
して、その矢印方向に進んだ領域Ｉの側縁においては、
磁性体薄膜が、進行方向に斜交する方向、例えば45°傾
斜した方向に切断されており、また、領域Ｉの後方端縁
も同様に傾斜して前方側縁に平行になっており、しか
も、前方側縁の位置で印加直流磁界10がこれに直交する
格段に弱い印加直流磁界11に置換され、その直流磁界11
の磁界強度が領域IIの磁性体薄膜内を静磁表面波が伝搬
するに必要な磁界強度以下の状態にあれば、領域Ｉ内を
伝搬して来た静磁表面波は傾斜側縁で直角に方向転換し
て領域II内に進むのが困難となり、その大半は、互いに
平行の前後の側縁と端縁との間で反復反射して共振する
ことになり、フェリ磁性体薄膜９の領域Ｉは静磁モード
共振器として作用する。
【００１３】しかして、領域Ｉ内の共振静磁表面波の虚
相成分が斜交側縁で直角に反射されて領域II内に泌み出
すと、矢印で示す方向に急激に減衰するエバネッセント
モードで領域II内を伝搬する。
相成分が斜交側縁で直角に反射されて領域II内に泌み出
すと、矢印で示す方向に急激に減衰するエバネッセント
モードで領域II内を伝搬する。
【００１４】以上に述べた領域ＩおよびIIにおける静磁
表面波の動作条件は領域IIおよびIII においても全く同
様であり、したがって、領域IIのフェリ磁性体薄膜９内
をエバネッセントモードで伝搬した静磁表面波は、領域
IIおよびIII において、領域ＩおよびIIにおけると全く
逆の過程で動作し、領域Ｉと同様に静磁モード共振器と
して作用する領域 IIIを介し、逆変換出力電磁波となっ
てストリップ線路６から取出される。
表面波の動作条件は領域IIおよびIII においても全く同
様であり、したがって、領域IIのフェリ磁性体薄膜９内
をエバネッセントモードで伝搬した静磁表面波は、領域
IIおよびIII において、領域ＩおよびIIにおけると全く
逆の過程で動作し、領域Ｉと同様に静磁モード共振器と
して作用する領域 IIIを介し、逆変換出力電磁波となっ
てストリップ線路６から取出される。
【００１５】以上のように、単一のフェリ磁性体薄膜９
における領域ＩおよびIII はそれぞれ静磁モード共振器
として作用し、領域 I，III間に介在する領域IIは静磁
エバネッセントモード導波部として作用し、この導波部
IIが共振器I, II を結合させているので、図１に示す構
成の本発明フェリ磁性体薄膜フィルタの等価回路は図２
に示すようになり、フェリ磁性体薄膜９の領域Ｉ，IIが
なす共振器回路間を領域IIがなす静磁エバネッセントモ
ード導波部の誘導性結合によって結合させた形態とな
る。
における領域ＩおよびIII はそれぞれ静磁モード共振器
として作用し、領域 I，III間に介在する領域IIは静磁
エバネッセントモード導波部として作用し、この導波部
IIが共振器I, II を結合させているので、図１に示す構
成の本発明フェリ磁性体薄膜フィルタの等価回路は図２
に示すようになり、フェリ磁性体薄膜９の領域Ｉ，IIが
なす共振器回路間を領域IIがなす静磁エバネッセントモ
ード導波部の誘導性結合によって結合させた形態とな
る。
【００１６】したがって、領域IIの静磁エバネッセント
モード導波部に印加する直流磁界11の磁界強度を調整し
て静磁エバネッセントモードの伝搬特性を変化させれ
ば、リアクタンス結合素子のリアクタンス、したがっ
て、共振器回路間の結合量を変化させることができ、そ
の結果、図１に示す構成の本発明フェリ磁性体薄膜フィ
ルタの共振器がなす帯域通過フィルタ特性、すなわち、
通過帯域幅や減衰特性などを、従来のように物理的乃至
機械的な構成の変更によることなく、印加直流磁界の磁
界強度を調整する、という電気的手段のみによって比較
的簡易に変化させることが可能となる。
モード導波部に印加する直流磁界11の磁界強度を調整し
て静磁エバネッセントモードの伝搬特性を変化させれ
ば、リアクタンス結合素子のリアクタンス、したがっ
て、共振器回路間の結合量を変化させることができ、そ
の結果、図１に示す構成の本発明フェリ磁性体薄膜フィ
ルタの共振器がなす帯域通過フィルタ特性、すなわち、
通過帯域幅や減衰特性などを、従来のように物理的乃至
機械的な構成の変更によることなく、印加直流磁界の磁
界強度を調整する、という電気的手段のみによって比較
的簡易に変化させることが可能となる。
【００１７】なお、静磁モード共振器I およびIII の共
振周波数も、領域I およびIII のフェリ磁性体薄膜９に
印加する直流磁界10の磁界強度を調整して変化させるこ
とができる。また、領域I とIIと、あるいは、領域IIと
III との境界部分におけるフェリ磁性体薄膜９は、双方
の領域における静磁モード共振器と静磁エバネッセント
モード導波部とに共用されているが、各モードにおける
静磁表面波の伝搬方向が互いに直交しているので相互間
の干渉は起こらない。
振周波数も、領域I およびIII のフェリ磁性体薄膜９に
印加する直流磁界10の磁界強度を調整して変化させるこ
とができる。また、領域I とIIと、あるいは、領域IIと
III との境界部分におけるフェリ磁性体薄膜９は、双方
の領域における静磁モード共振器と静磁エバネッセント
モード導波部とに共用されているが、各モードにおける
静磁表面波の伝搬方向が互いに直交しているので相互間
の干渉は起こらない。
【００１８】さらに、以上の説明においては、静磁モー
ド共振器と静磁エバネッセントモード導波部とに、互い
に直交する方向の別個の直流磁界10と11とを印加してそ
れぞれ作用させるように述べたが、単一の直流磁界を共
通に印加してその直流磁界の互いに直交する磁界成分を
それぞれに作用させるようにすることもできる。
ド共振器と静磁エバネッセントモード導波部とに、互い
に直交する方向の別個の直流磁界10と11とを印加してそ
れぞれ作用させるように述べたが、単一の直流磁界を共
通に印加してその直流磁界の互いに直交する磁界成分を
それぞれに作用させるようにすることもできる。
【００１９】また、図１に示した構成例においては、単
一のフェリ磁性体薄膜の両端部に２個の静磁モード共振
器を形成して帯域通過フィルタを構成したが、単一のフ
ェリ磁性体薄膜に少なくとも３個の静磁モード共振器を
順次に形成し、隣接する共振器間を静磁エバネッセント
モード導波部によってそれぞれ結合させ、多段共振器に
よる帯域通過フィルタを構成することもできる。
一のフェリ磁性体薄膜の両端部に２個の静磁モード共振
器を形成して帯域通過フィルタを構成したが、単一のフ
ェリ磁性体薄膜に少なくとも３個の静磁モード共振器を
順次に形成し、隣接する共振器間を静磁エバネッセント
モード導波部によってそれぞれ結合させ、多段共振器に
よる帯域通過フィルタを構成することもできる。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、従来の
フェリ磁性体薄膜フィルタにおいては、静磁モード共振
器相互間の結合量を変化させるためには、共振器相互間
の間隔あるいは共振器間を結合させる電磁波線路と共振
器との間隔を物理的乃至機械的に変更させなければなら
なかったのに対し、本発明によれば、静磁モード共振器
の相互間を静磁エバネッセントモード導波部によって結
合させ、印加直流磁界の磁界強度を調整してその伝搬特
性を変える、という電気的手段のみによって共振器間結
合量を比較的簡易に任意に設定することができる、とい
う格別顕著な効果を挙げるることができる。また、入出
力電磁波線路を共通に覆う単一のフェリ磁性体薄膜によ
って複数個の静磁モード共振器および共振器間結合用導
波部を一体に形成することができ、この種のフェリ磁性
体薄膜フィルタの構成を簡単化して、集積化を容易にす
るとともに、小型化、低廉化も達成し得る、という効果
も得られる。
フェリ磁性体薄膜フィルタにおいては、静磁モード共振
器相互間の結合量を変化させるためには、共振器相互間
の間隔あるいは共振器間を結合させる電磁波線路と共振
器との間隔を物理的乃至機械的に変更させなければなら
なかったのに対し、本発明によれば、静磁モード共振器
の相互間を静磁エバネッセントモード導波部によって結
合させ、印加直流磁界の磁界強度を調整してその伝搬特
性を変える、という電気的手段のみによって共振器間結
合量を比較的簡易に任意に設定することができる、とい
う格別顕著な効果を挙げるることができる。また、入出
力電磁波線路を共通に覆う単一のフェリ磁性体薄膜によ
って複数個の静磁モード共振器および共振器間結合用導
波部を一体に形成することができ、この種のフェリ磁性
体薄膜フィルタの構成を簡単化して、集積化を容易にす
るとともに、小型化、低廉化も達成し得る、という効果
も得られる。
【図１】(a) および(b) は本発明フェリ磁性体薄膜フィ
ルタの好適な構成例およびその動作の態様をそれぞれ示
す斜視図および線図である。
ルタの好適な構成例およびその動作の態様をそれぞれ示
す斜視図および線図である。
【図２】同じくその等価回路を示す回路図である。
【図３】(a) および(b) は従来のフェリ磁性体薄膜フィ
ルタの構成の例をそれぞれ示す斜視図である。
ルタの構成の例をそれぞれ示す斜視図である。
１，２ フェリ磁性体薄膜静磁モード共振器 ３ フェリ磁性体薄膜用誘電体基板 ４，５，６ マイクロストリップ線路 ７ 接地導体板 ８ 誘電体基板 ９ フェリ磁性体薄膜
Claims (1)
- 【請求項１】 誘電体基板上にそれぞれ形成した入力電
磁波線路および出力電磁波線路をともに覆ってフェリ磁
性体薄膜を被着し、当該フェリ磁性体薄膜に平行に直流
磁界を印加し、前記フェリ磁性体薄膜の互いに対向する
端縁もしくは側縁によりそれぞれ区画された領域に前記
直流磁界の互いに直交する磁界成分のうち強い方の磁界
成分によってそれぞれ作動する前記入力電磁波線路およ
び前記出力電磁波線路にそれぞれ接した入力共振部およ
び出力共振部を含む複数個の静磁波共振部をそれぞれ構
成するとともに、相隣る当該静磁波共振部間において互
いに対応するそれぞれの前記側縁により区画されて前記
互いに直交する磁界成分のうち弱い方の磁界成分によっ
てそれぞれ作動する静磁波エバネッセントモード導波部
を当該相隣る静磁波共振部間にそれぞれ構成し、当該静
磁波エバネッセントモード導波部をそれぞれ区画する前
記側縁を、前記静磁波共振部および前記静磁波エバネッ
セントモード導波部にそれぞれ印加された前記互いに直
交する磁界成分にそれぞれ交叉させたことを特徴とする
フェリ磁性体薄膜フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3234857A JP3071887B2 (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | フェリ磁性体薄膜フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3234857A JP3071887B2 (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | フェリ磁性体薄膜フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0575310A true JPH0575310A (ja) | 1993-03-26 |
| JP3071887B2 JP3071887B2 (ja) | 2000-07-31 |
Family
ID=16977440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3234857A Expired - Fee Related JP3071887B2 (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | フェリ磁性体薄膜フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3071887B2 (ja) |
-
1991
- 1991-09-13 JP JP3234857A patent/JP3071887B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3071887B2 (ja) | 2000-07-31 |
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