JPH0465562B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0465562B2 JPH0465562B2 JP4976483A JP4976483A JPH0465562B2 JP H0465562 B2 JPH0465562 B2 JP H0465562B2 JP 4976483 A JP4976483 A JP 4976483A JP 4976483 A JP4976483 A JP 4976483A JP H0465562 B2 JPH0465562 B2 JP H0465562B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- striplines
- input
- ground conductor
- output
- lines
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/215—Frequency-selective devices, e.g. filters using ferromagnetic material
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はフエリ磁性共鳴を利用したフイルタ装
置に関する。
置に関する。
背景技術とその問題点
磁気バブル記憶素子の開発を通じて近年盛んに
なつたガドリニウム・ガリウム・ガーネツト
（GGG）基板上にガーネツト磁性薄膜を液相エピ
タキシヤル成長させる技術により、結晶性の良好
なイツトリウム・鉄・ガーネツト（YIG）薄膜を
作製することが可能である。このYIG薄膜を選択
エツチングにより円形あるいは矩形等に加工し、
このフエリ磁性共鳴を利用することによつてマイ
クロ波デバイスを構成することが出来る。この場
合には通常のフオトリングラフイ技術が利用出来
ることから加工性に優れ、しかも１枚のGGG基
板から多数の素子が得られることから量産性に優
れている。さらに薄膜材料であることからマイク
ロストリツプラインなどの伝送線路としてマイク
ロ波集積回路（MIC）化することが容易である
という利点がある。
なつたガドリニウム・ガリウム・ガーネツト
（GGG）基板上にガーネツト磁性薄膜を液相エピ
タキシヤル成長させる技術により、結晶性の良好
なイツトリウム・鉄・ガーネツト（YIG）薄膜を
作製することが可能である。このYIG薄膜を選択
エツチングにより円形あるいは矩形等に加工し、
このフエリ磁性共鳴を利用することによつてマイ
クロ波デバイスを構成することが出来る。この場
合には通常のフオトリングラフイ技術が利用出来
ることから加工性に優れ、しかも１枚のGGG基
板から多数の素子が得られることから量産性に優
れている。さらに薄膜材料であることからマイク
ロストリツプラインなどの伝送線路としてマイク
ロ波集積回路（MIC）化することが容易である
という利点がある。
第１図は従来のMIC化されたYIG薄膜による
帯域通過フイルタの例である。１はアルミナ基板
で、その裏面に接地導体２が被着形成されると共
に、表面に互に平行な入力及び出力伝送線路（マ
イクロストリツプライン）３及び４が被着形成さ
れ、両伝送線路３及び４の夫々の端部が接地導体
２に接続される。このアルミナ基板１表面上に２
つの円形のYIG薄膜５及び６を有したGGG基板
７が対接される。GGG基板７上には入出力伝送
線路３，４と直交するように両YIG薄膜５及び６
を結合する結合用伝送線路（マイクロストリツプ
ライン）８が被着形成され、その伝送線路８の両
端が接地導体２に接続される。第１のYIG薄膜５
は入力伝送線路３と結合用伝送線路８とが交差す
る位置に置かれ、第２のYIG薄膜６は出領伝送線
路４と結合用伝送線路８とが交差する位置に置か
れている。そして、通過帯域外の挿入損失の増大
を急峻にするために、２つのYIG薄膜５及び６間
の距離は通過帯域の中心周波数でλ／４（1/4波
長）に等しくなるように選んである。
帯域通過フイルタの例である。１はアルミナ基板
で、その裏面に接地導体２が被着形成されると共
に、表面に互に平行な入力及び出力伝送線路（マ
イクロストリツプライン）３及び４が被着形成さ
れ、両伝送線路３及び４の夫々の端部が接地導体
２に接続される。このアルミナ基板１表面上に２
つの円形のYIG薄膜５及び６を有したGGG基板
７が対接される。GGG基板７上には入出力伝送
線路３，４と直交するように両YIG薄膜５及び６
を結合する結合用伝送線路（マイクロストリツプ
ライン）８が被着形成され、その伝送線路８の両
端が接地導体２に接続される。第１のYIG薄膜５
は入力伝送線路３と結合用伝送線路８とが交差す
る位置に置かれ、第２のYIG薄膜６は出領伝送線
路４と結合用伝送線路８とが交差する位置に置か
れている。そして、通過帯域外の挿入損失の増大
を急峻にするために、２つのYIG薄膜５及び６間
の距離は通過帯域の中心周波数でλ／４（1/4波
長）に等しくなるように選んである。
ところで、帯域通過フイルタでは阻止域での入
出力端子間のアイソレーシヨンを出来るだけ大き
くすることが望ましいが、第１図の帯域通過フイ
ルタに於ては２つの原因でアイソレーシヨンを十
分に大きくとることが出来ない。第１の原因は、
先端短絡から２つの線路の交差する位置までの電
気長が周波数が高くなるに伴なつてだんだん長く
なり、λg／４に近づくにつれて交差する位置で
の電界が強くなるため線路間の容量結合が大きく
なることである。第２の原因は、入出力線路間の
直接の結合である。これは第４図に示すようにマ
イクロストリツプラインを伝播する電磁波の高周
波磁界９が、伝播方向に垂直な面内で線路から相
当離れたところまで広くループ状に分布している
ため、入出力線路が誘導結合するからである。
出力端子間のアイソレーシヨンを出来るだけ大き
くすることが望ましいが、第１図の帯域通過フイ
ルタに於ては２つの原因でアイソレーシヨンを十
分に大きくとることが出来ない。第１の原因は、
先端短絡から２つの線路の交差する位置までの電
気長が周波数が高くなるに伴なつてだんだん長く
なり、λg／４に近づくにつれて交差する位置で
の電界が強くなるため線路間の容量結合が大きく
なることである。第２の原因は、入出力線路間の
直接の結合である。これは第４図に示すようにマ
イクロストリツプラインを伝播する電磁波の高周
波磁界９が、伝播方向に垂直な面内で線路から相
当離れたところまで広くループ状に分布している
ため、入出力線路が誘導結合するからである。
この２つの原因のうち、第１の原因はフイルタ
として使用する周波数が余り高くなければ、先端
短絡から２つの線路が交差する点での電気長が無
視出来るため問題にならない。従つてこの場合に
は、フイルタの入出力のアイソレーシヨンは第２
の原因である入出力線路間の直接結合の大きさで
決定される。入出力線路間の誘導結合を減らすに
は、入出力の線路を対向させるか、あるいは互に
90゜の角度をなすように配置させる事が考えられ
るが、入出力線路の先端及び結合用線路の両端を
短絡する必要があるという制約からこのような構
成をとること必ずしも容易でない。誘導結合を減
らす別の方法は、入出力線間の距離を大きくとる
事で、これは２つのYIG薄膜間の距離をλ／４か
ら3λ／４変更すれば可能である。しかしながら
この方法は素子寸法が大きくなり、またこれに伴
つて直流磁界印加用の磁石も大きくなり、大きさ
及び経済性で非常に不利な方法である。
として使用する周波数が余り高くなければ、先端
短絡から２つの線路が交差する点での電気長が無
視出来るため問題にならない。従つてこの場合に
は、フイルタの入出力のアイソレーシヨンは第２
の原因である入出力線路間の直接結合の大きさで
決定される。入出力線路間の誘導結合を減らすに
は、入出力の線路を対向させるか、あるいは互に
90゜の角度をなすように配置させる事が考えられ
るが、入出力線路の先端及び結合用線路の両端を
短絡する必要があるという制約からこのような構
成をとること必ずしも容易でない。誘導結合を減
らす別の方法は、入出力線間の距離を大きくとる
事で、これは２つのYIG薄膜間の距離をλ／４か
ら3λ／４変更すれば可能である。しかしながら
この方法は素子寸法が大きくなり、またこれに伴
つて直流磁界印加用の磁石も大きくなり、大きさ
及び経済性で非常に不利な方法である。
発明の目的
本発明は、上述の点に鑑み簡単な構成によつて
阻止域での入出力端子間のアイソレーシヨンを改
善できるようにしたフエリ磁性共鳴を利用したフ
イルタ装置を提供するものである。
阻止域での入出力端子間のアイソレーシヨンを改
善できるようにしたフエリ磁性共鳴を利用したフ
イルタ装置を提供するものである。
発明の概要
本発明は、相対向する第１及び第２の誘電体基
板のうち少なくとも第１の誘電体基板の一主面に
接地導体を設け、この第１の誘電体基板の接地導
体を設けない主面に第１及び第２のストリツプラ
インを平行に形成してこれらの第１及び第２のス
トリツプラインを上述の接地導体に接続し、上述
の第２の誘電体基板の接地導体を設けない主面に
第１及び第２のストリツプラインと交差する方向
に第３のストリツプラインを形成して上述の接地
導体に接続し、上述の第１及び第３のストリツプ
ラインの交差部分にこれらのストリツプラインと
電磁的に結合した第１の磁性共鳴装置を設けると
ともに、第２及び第３のストリツプラインの交差
部分にこれらのストリツプラインと電磁的に結合
した第２の磁性共鳴装置を設け、第１及び第２の
ストリツプラインに平行に近接した外側に接地導
体を設けてなるものである。この発明では入出力
ストリツプライン間の誘導結合が非常に小さく抑
えられ、フイルタの入出力端子間のアイソレーシ
ヨンが改善される。
板のうち少なくとも第１の誘電体基板の一主面に
接地導体を設け、この第１の誘電体基板の接地導
体を設けない主面に第１及び第２のストリツプラ
インを平行に形成してこれらの第１及び第２のス
トリツプラインを上述の接地導体に接続し、上述
の第２の誘電体基板の接地導体を設けない主面に
第１及び第２のストリツプラインと交差する方向
に第３のストリツプラインを形成して上述の接地
導体に接続し、上述の第１及び第３のストリツプ
ラインの交差部分にこれらのストリツプラインと
電磁的に結合した第１の磁性共鳴装置を設けると
ともに、第２及び第３のストリツプラインの交差
部分にこれらのストリツプラインと電磁的に結合
した第２の磁性共鳴装置を設け、第１及び第２の
ストリツプラインに平行に近接した外側に接地導
体を設けてなるものである。この発明では入出力
ストリツプライン間の誘導結合が非常に小さく抑
えられ、フイルタの入出力端子間のアイソレーシ
ヨンが改善される。
実施例
以下第２図及び第３図を参照して本発明の実施
例を説明する。
例を説明する。
本発明おいては、GGG基板７の一主面に液相
エピタキシヤル成長技術と選択エツチング技術に
よつて相対する２つの円形のYIG薄膜５及び６を
形成する。一方、誘電体基板である例えばアルミ
ナ基板１を設け、この基板裏面に接地導体２を被
着形成すると共に、基板表面に入力マイクロスト
リツプライン３及び出力マイクロストリツプライ
ン４を被着形成し、この両マイクロストリツプラ
イン３及び４の夫々の端部を接地導体２に接続す
る。このアルミナ基板１の表面に、上記GGG基
板７をその夫々のYIG薄膜５及び６が対応する入
力マイクロストリツプライン３及び出力マイクロ
ストリツプライン４に対接するように配置する。
そして、GGG基板７の他面上に両YIG薄膜５及
び６を結合する結合用マイクロストリツプライン
８を入出力マイクロストリツプライン３，４と直
交し且つ両YIG薄膜５，６を横切るように被着
し、その結合用マイクロストリツプライン８の両
端を接地導体２に接続する。そして、アルミナ基
板１及びGGG基板７にわたつてその基板側面に
夫々入力及び出力マイクロストリツプライン３及
び４に近接し、かつこれらストリツプラインに平
行して接地導体即ち金属壁１０を配置する。
エピタキシヤル成長技術と選択エツチング技術に
よつて相対する２つの円形のYIG薄膜５及び６を
形成する。一方、誘電体基板である例えばアルミ
ナ基板１を設け、この基板裏面に接地導体２を被
着形成すると共に、基板表面に入力マイクロスト
リツプライン３及び出力マイクロストリツプライ
ン４を被着形成し、この両マイクロストリツプラ
イン３及び４の夫々の端部を接地導体２に接続す
る。このアルミナ基板１の表面に、上記GGG基
板７をその夫々のYIG薄膜５及び６が対応する入
力マイクロストリツプライン３及び出力マイクロ
ストリツプライン４に対接するように配置する。
そして、GGG基板７の他面上に両YIG薄膜５及
び６を結合する結合用マイクロストリツプライン
８を入出力マイクロストリツプライン３，４と直
交し且つ両YIG薄膜５，６を横切るように被着
し、その結合用マイクロストリツプライン８の両
端を接地導体２に接続する。そして、アルミナ基
板１及びGGG基板７にわたつてその基板側面に
夫々入力及び出力マイクロストリツプライン３及
び４に近接し、かつこれらストリツプラインに平
行して接地導体即ち金属壁１０を配置する。
斯るフイルタ装置によれば、入力及び結合用マ
イクロストリツプライン３，８の交差部分にYIG
薄膜５を設けるとともに、出力及び結合用マイク
ロストリツプライン４，８の交差部分にYIG薄膜
６を設け、さらに入出力ストリツプライン３，４
に平行に近接した外側に金属壁１０を設けたこと
から、素子寸法を大きくすることなくフイルタの
入出力端子間のアイソレーシヨンを容易に改善す
ることができる。その理由は第５図に示すように
金属壁１０によつて入出力マイクロストリツプラ
イン３，４を伝播する電磁波の高周波磁界９を比
較的マイクロストリツプライン３，４の近くに集
めることが出来、このため入出力マイクロストリ
ツプライン３及び４間の誘導結合を非常に小さく
抑えることが可能となるためである。
イクロストリツプライン３，８の交差部分にYIG
薄膜５を設けるとともに、出力及び結合用マイク
ロストリツプライン４，８の交差部分にYIG薄膜
６を設け、さらに入出力ストリツプライン３，４
に平行に近接した外側に金属壁１０を設けたこと
から、素子寸法を大きくすることなくフイルタの
入出力端子間のアイソレーシヨンを容易に改善す
ることができる。その理由は第５図に示すように
金属壁１０によつて入出力マイクロストリツプラ
イン３，４を伝播する電磁波の高周波磁界９を比
較的マイクロストリツプライン３，４の近くに集
めることが出来、このため入出力マイクロストリ
ツプライン３及び４間の誘導結合を非常に小さく
抑えることが可能となるためである。
第６図及び第７図は夫々入出力間のアイソレー
シヨンを示す周波数−挿入損失特性図である。第
６図は従来のフイルタ装置の場合、第７図は高さ
３mmの金属壁を置いた本発明のフイルタ装置の場
合である。この特性図から判るように金属壁を置
いた本発明のものは、従来のものに比べてフイル
タの入出力端子間のアイソレーシヨンが40dBか
ら50dBに改善されるのが認められる。
シヨンを示す周波数−挿入損失特性図である。第
６図は従来のフイルタ装置の場合、第７図は高さ
３mmの金属壁を置いた本発明のフイルタ装置の場
合である。この特性図から判るように金属壁を置
いた本発明のものは、従来のものに比べてフイル
タの入出力端子間のアイソレーシヨンが40dBか
ら50dBに改善されるのが認められる。
尚上例では伝送線路としてマイクロストリツプ
ラインを用いたが、その他ストリツプラインやサ
スペンデイツドラインの場合に対しても同様に適
用出来る。
ラインを用いたが、その他ストリツプラインやサ
スペンデイツドラインの場合に対しても同様に適
用出来る。
発明の効果
上述の本発明によれば、第１及び第３のストリ
ツプラインの交差部分にこれらのストリツプライ
ンと電磁的に結合した第１の磁性共鳴装置を設け
るとともに、第２及び第３のストリツプラインの
交差部分にこれらのストリツプラインと電磁的に
結合した第２の磁性共鳴装置を設け、さらに上記
第１及び第２のストリツプラインに平行に近接し
た外側に接地導体を設けたことから入出力ストリ
ツプライン間の誘導結合を非常に小さく抑えるこ
とが出来、磁性共鳴薄膜によるフイルタの入出力
端子間のアイソレーシヨンを容易に改善すること
が可能になる。
ツプラインの交差部分にこれらのストリツプライ
ンと電磁的に結合した第１の磁性共鳴装置を設け
るとともに、第２及び第３のストリツプラインの
交差部分にこれらのストリツプラインと電磁的に
結合した第２の磁性共鳴装置を設け、さらに上記
第１及び第２のストリツプラインに平行に近接し
た外側に接地導体を設けたことから入出力ストリ
ツプライン間の誘導結合を非常に小さく抑えるこ
とが出来、磁性共鳴薄膜によるフイルタの入出力
端子間のアイソレーシヨンを容易に改善すること
が可能になる。
第１図は従来のフイルタ装置の例を示す斜視
図、第２図及び第３図は本発明によるフイルタ装
置の平面図及び側面図、第４図及び第５図は夫々
本発明の説明に供する電磁波の高周波磁界の状態
を示す図、第６図は従来のフイルタ装置の周波数
−挿入損失特性図、第７図は本発明のフイルタ装
置の周波数−挿入損失特性図である。 １はアルミナ基板、２は接地導体、３は入力ス
トリツプライン、４は出力ストリツプライン、
５，６はYIG薄膜、７はGGG基板、８は結合用
ストリツプライン、１０は金属壁である。
図、第２図及び第３図は本発明によるフイルタ装
置の平面図及び側面図、第４図及び第５図は夫々
本発明の説明に供する電磁波の高周波磁界の状態
を示す図、第６図は従来のフイルタ装置の周波数
−挿入損失特性図、第７図は本発明のフイルタ装
置の周波数−挿入損失特性図である。 １はアルミナ基板、２は接地導体、３は入力ス
トリツプライン、４は出力ストリツプライン、
５，６はYIG薄膜、７はGGG基板、８は結合用
ストリツプライン、１０は金属壁である。
Claims (1)
- １ 相対向する第１及び第２の誘電体基板のうち
少なくとも第１の誘電体基板の一主面に接地導体
を設け、上記第１の誘電体基板の上記接地導体を
設けない主面に第１及び第２のストリツプライン
を平行に形成して該第１及び第２のストリツプラ
インを上記接地導体に接続し、上記第２の誘電体
基板の上記接地導体を設けない主面に上記第１及
び第２のストリツプラインと交差する方向に第３
のストリツプラインを形成して上記接地導体に接
続し、上記第１及び第３のストリツプラインの交
差部分に該ストリツプラインと電磁的に結合した
第１の磁性共鳴装置を設けるとともに、第２及び
第３のストリツプラインの交差部分に該ストリツ
プラインと電磁的に結合した第２の磁性共鳴装置
を設け、上記第１及び第２のストリツプラインに
平行に近接した外側に接地導体を設けてなるフイ
ルタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4976483A JPS59175201A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | フイルタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4976483A JPS59175201A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | フイルタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59175201A JPS59175201A (ja) | 1984-10-04 |
| JPH0465562B2 true JPH0465562B2 (ja) | 1992-10-20 |
Family
ID=12840238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4976483A Granted JPS59175201A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | フイルタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59175201A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4652338A (en) * | 1986-03-18 | 1987-03-24 | Hewlett-Packard Company | Magnetostatic wave resonator capable of batch processing |
| JPH07105647B2 (ja) * | 1986-04-04 | 1995-11-13 | ソニー株式会社 | 強磁性薄膜フィルタ |
| JPS62250702A (ja) * | 1986-04-24 | 1987-10-31 | Sony Corp | 強磁性共鳴装置 |
| JPS62256502A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Sony Corp | 強磁性共鳴装置 |
| US4751480A (en) * | 1986-11-14 | 1988-06-14 | Hewlett-Packard Company | One port magnetostatic wave resonator |
-
1983
- 1983-03-25 JP JP4976483A patent/JPS59175201A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59175201A (ja) | 1984-10-04 |
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