JPH0575786A - 完全密着型イメージセンサ - Google Patents
完全密着型イメージセンサInfo
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- JPH0575786A JPH0575786A JP26132091A JP26132091A JPH0575786A JP H0575786 A JPH0575786 A JP H0575786A JP 26132091 A JP26132091 A JP 26132091A JP 26132091 A JP26132091 A JP 26132091A JP H0575786 A JPH0575786 A JP H0575786A
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 18
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 周辺画素からの反射光が受光素子に入射しな
いようにして完全密着型イメージセンサの解像度を向上
させる。 【構成】 基板1上に原稿照射用窓6と原稿7からの反
射光9を受光する受光素子2とを設け、受光素子2面上
に液晶・高分子複合体(LCPC)層3、下面に透明電
極4を設けた保護透明板5を設け、受光素子2の上部透
明電極23と透明電極4との間に電圧を印加してLCP
C層3の液晶の軸を揃えるようにした完全密着型イメー
ジセンサ。
いようにして完全密着型イメージセンサの解像度を向上
させる。 【構成】 基板1上に原稿照射用窓6と原稿7からの反
射光9を受光する受光素子2とを設け、受光素子2面上
に液晶・高分子複合体(LCPC)層3、下面に透明電
極4を設けた保護透明板5を設け、受光素子2の上部透
明電極23と透明電極4との間に電圧を印加してLCP
C層3の液晶の軸を揃えるようにした完全密着型イメー
ジセンサ。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、画像を読み取るため
の完全密着型読み取り装置に関する。
の完全密着型読み取り装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、小型の画像読み取り装置として、
特公昭55−44470号公報、特開昭58−3806
0号公報などに示されるような完全密着型イメージセン
サが知られている。図3に従来の完全密着型イメージセ
ンサに構造を示す。図3(a)は縦断面形状を、図3
(b)は横からの断面形状を示す。ガラス基板1の上に
クロム(Cr)着膜層などからなる遮光性の下部電極2
1をイメージセンサ全面にわたって共通電極として設
け、その上に各画素単位でアモルファスシリコン(a−
Si)などの光電変換層22、酸化インジウム・錫(I
TO)などからなる上部透明電極23を積層して受光素
子2が形成され、全ての受光素子2の上に透明な樹脂ま
たは接着剤層3’を設け、裏面に透明電極4を設けた保
護ガラス5を透明な層3’の上に重ねてイメージセンサ
としている。このイメージセンサは、各受光素子に対応
して下部電極に設けられた採光窓6から入射した照明光
9が原稿7の表面で原稿面の情報を担って反射され、受
光素子2に入射して、電気信号に換えられ画像情報を読
み取っている。
特公昭55−44470号公報、特開昭58−3806
0号公報などに示されるような完全密着型イメージセン
サが知られている。図3に従来の完全密着型イメージセ
ンサに構造を示す。図3(a)は縦断面形状を、図3
(b)は横からの断面形状を示す。ガラス基板1の上に
クロム(Cr)着膜層などからなる遮光性の下部電極2
1をイメージセンサ全面にわたって共通電極として設
け、その上に各画素単位でアモルファスシリコン(a−
Si)などの光電変換層22、酸化インジウム・錫(I
TO)などからなる上部透明電極23を積層して受光素
子2が形成され、全ての受光素子2の上に透明な樹脂ま
たは接着剤層3’を設け、裏面に透明電極4を設けた保
護ガラス5を透明な層3’の上に重ねてイメージセンサ
としている。このイメージセンサは、各受光素子に対応
して下部電極に設けられた採光窓6から入射した照明光
9が原稿7の表面で原稿面の情報を担って反射され、受
光素子2に入射して、電気信号に換えられ画像情報を読
み取っている。
【0003】しかしながら、入射光は原稿面で散乱反射
し、かつ、原稿と受光素子の間におよそ数10μmの距
離が存在するため、このような構成のイメージセンサ
は、一つの画素からの反射光がそれぞれ隣接する受光素
子にも入射するので、画像信号の解像度を低下させる要
因となっていた。
し、かつ、原稿と受光素子の間におよそ数10μmの距
離が存在するため、このような構成のイメージセンサ
は、一つの画素からの反射光がそれぞれ隣接する受光素
子にも入射するので、画像信号の解像度を低下させる要
因となっていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、周辺画素か
らの反射光が受光素子に入射することをさえぎることに
よって、完全密着型イメージセンサの解像度を向上させ
ることを目的とする。
らの反射光が受光素子に入射することをさえぎることに
よって、完全密着型イメージセンサの解像度を向上させ
ることを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】受光素子面上に液晶・高
分子複合体を設け、液晶の軸の方向を受光素子と原稿と
を結ぶ直線上に設定する。
分子複合体を設け、液晶の軸の方向を受光素子と原稿と
を結ぶ直線上に設定する。
【0006】
【作用】本発明によれば、原稿上の所定の点からの反射
光の光路を、所定の点に対応した特定の受光素子に向け
て設定できるので、各画素と受光素子が1対1に対応
し、周辺画素からの反射光の影響をとりのぞける。
光の光路を、所定の点に対応した特定の受光素子に向け
て設定できるので、各画素と受光素子が1対1に対応
し、周辺画素からの反射光の影響をとりのぞける。
【0007】
【実施例】以下、実施例に基づいて、本発明を具体的に
説明する。本実施例によるイメージセンサの構造上の特
徴は、受光素子と保護用ガラスとの間に液晶・高分子複
合体を設けた点にある。液晶を高分子媒体に分散させた
いわゆる液晶・高分子複合体(LCPC,(Liqui
d Crystal/Polimer Composi
te)に電界を加えることによって液晶の軸をそろえ屈
折率に方向性を与えて光の透過に方向性を持たせること
は、例えば、 H.G.Craighead etal,Appl.P
hys.Lett.,Vol.40,p22,1986 に示されるように既に知られている。
説明する。本実施例によるイメージセンサの構造上の特
徴は、受光素子と保護用ガラスとの間に液晶・高分子複
合体を設けた点にある。液晶を高分子媒体に分散させた
いわゆる液晶・高分子複合体(LCPC,(Liqui
d Crystal/Polimer Composi
te)に電界を加えることによって液晶の軸をそろえ屈
折率に方向性を与えて光の透過に方向性を持たせること
は、例えば、 H.G.Craighead etal,Appl.P
hys.Lett.,Vol.40,p22,1986 に示されるように既に知られている。
【0008】本実施例によるイメージセンサの構造を図
1によって説明する。図1(a)はイメージセンサの平
面図であり、図1(b)は(a)におけるB−B’の断
面図であり、図1(c)は(a)におけるC−C’の断
面図である。絶縁性基板1の上に導電材料からなる各画
素単位の個別の下部電極21を設け、この上にアモルフ
ァスシリコンなどからなる光電変換層22と上部透明電
極23を積層して受光素子2からなる画素列をつくり、
さらにこの上に前記した液晶・高分子複合体(LCP
C)層3を設け、下面に目的とする画素列に相当する部
分に各画素に共通な透明電極4を設けたガラス板5をL
CPC層3の上に貼り付け、そして、基板1には、下面
から入射する原稿照射光9が受光素子2に直接入射しな
いようにする遮光手段がほどこされており、この遮光手
段の一部に原稿照射用窓6を設けるとともにこの窓には
各画素に共通の透明電極8を設けてイメージセンサが構
成されている。
1によって説明する。図1(a)はイメージセンサの平
面図であり、図1(b)は(a)におけるB−B’の断
面図であり、図1(c)は(a)におけるC−C’の断
面図である。絶縁性基板1の上に導電材料からなる各画
素単位の個別の下部電極21を設け、この上にアモルフ
ァスシリコンなどからなる光電変換層22と上部透明電
極23を積層して受光素子2からなる画素列をつくり、
さらにこの上に前記した液晶・高分子複合体(LCP
C)層3を設け、下面に目的とする画素列に相当する部
分に各画素に共通な透明電極4を設けたガラス板5をL
CPC層3の上に貼り付け、そして、基板1には、下面
から入射する原稿照射光9が受光素子2に直接入射しな
いようにする遮光手段がほどこされており、この遮光手
段の一部に原稿照射用窓6を設けるとともにこの窓には
各画素に共通の透明電極8を設けてイメージセンサが構
成されている。
【0009】このイメージセンサの受光素子2上面の透
明共通電極23と原稿照射用窓6の透明電極8を同電位
にし、ガラス板5に設けた透明電極4にそれとは逆の電
位の電圧を印加して、透明共通電極23および透明電極
4との間に電界を発生させると、液晶・高分子複合体3
の結晶の軸の方向が、透明電極8から透明電極4へ向か
う方向および透明電極4から受光素子の上部透明電極2
3へ向かう方向に揃えられる。このことによって光路
は、原稿照射用の窓からガラス板下面の透明電極4を透
過してほとんど散乱されることなく原稿9に向かう経路
と、原稿で反射され、再び透明電極4を透過して受光素
子2へ向かう経路とが形成される。さらに、上述のよう
に電界によって軸をあわせた上で、液晶・高分子複合体
を加熱し、高分子を固化させれば液晶の軸を固定するこ
とができる。
明共通電極23と原稿照射用窓6の透明電極8を同電位
にし、ガラス板5に設けた透明電極4にそれとは逆の電
位の電圧を印加して、透明共通電極23および透明電極
4との間に電界を発生させると、液晶・高分子複合体3
の結晶の軸の方向が、透明電極8から透明電極4へ向か
う方向および透明電極4から受光素子の上部透明電極2
3へ向かう方向に揃えられる。このことによって光路
は、原稿照射用の窓からガラス板下面の透明電極4を透
過してほとんど散乱されることなく原稿9に向かう経路
と、原稿で反射され、再び透明電極4を透過して受光素
子2へ向かう経路とが形成される。さらに、上述のよう
に電界によって軸をあわせた上で、液晶・高分子複合体
を加熱し、高分子を固化させれば液晶の軸を固定するこ
とができる。
【0010】第2の実施例を図2を用いて説明する。図
2(a)はイメージセンサの平面図であり、図2(b)
は(a)におけるB−B’の断面図であり、図2(c)
は(a)におけるC−C’の断面図である。本実施例の
第1の実施例との相違は、受光素子2下面の金属電極2
1が共通電極であり、受光素子上面の透明電極23が画
素毎の個別電極となっている点で相違する。基板1の上
に導電材料からなる各画素に共通の下部電極21を設
け、この上にアモルファスシリコンなどからなる光電変
換層22と各画素単位の個別の上部透明電極23を積層
して受光素子2からなる画素列をつくり、さらにこの上
に前記した液晶・高分子複合体(LCPC)層3を設
け、下面に目的とする画素列に相当する部分に各画素に
共通な透明電極4を設けたガラス板5をLCPC層3の
上に貼り付け、そして、基板1には、下面から入射する
原稿照射光9が受光素子2に直接入射しないようにする
遮光手段がほどこされており、この遮光手段の一部に原
稿照射用窓6を設けるとともにこの窓には各画素に共通
の透明電極8を設けてイメージセンサが構成されてい
る。
2(a)はイメージセンサの平面図であり、図2(b)
は(a)におけるB−B’の断面図であり、図2(c)
は(a)におけるC−C’の断面図である。本実施例の
第1の実施例との相違は、受光素子2下面の金属電極2
1が共通電極であり、受光素子上面の透明電極23が画
素毎の個別電極となっている点で相違する。基板1の上
に導電材料からなる各画素に共通の下部電極21を設
け、この上にアモルファスシリコンなどからなる光電変
換層22と各画素単位の個別の上部透明電極23を積層
して受光素子2からなる画素列をつくり、さらにこの上
に前記した液晶・高分子複合体(LCPC)層3を設
け、下面に目的とする画素列に相当する部分に各画素に
共通な透明電極4を設けたガラス板5をLCPC層3の
上に貼り付け、そして、基板1には、下面から入射する
原稿照射光9が受光素子2に直接入射しないようにする
遮光手段がほどこされており、この遮光手段の一部に原
稿照射用窓6を設けるとともにこの窓には各画素に共通
の透明電極8を設けてイメージセンサが構成されてい
る。
【0011】このイメージセンサの受光素子2上面の個
別の透明電極23と原稿照射用窓6の透明電極8を同電
位にして、ガラス板5に設けた透明電極4にそれとは逆
の電位の電圧を印加して、透明個別電極23および透明
電極8と透明電極4との間に電界を発生させると、液晶
・高分子複合体3の結晶の軸の方向が、透明電極8から
透明電極4へ向かう方向および透明電極4から受光素子
の上部透明電極23へ向かう方向に揃えられる。このこ
とによって光路は、原稿照射用の窓からガラス板下面の
透明電極4を透過してほとんど散乱されることなく原稿
9に向かう経路と、原稿で反射され、再び透明電極4を
透過して受光素子2へ向かう経路とが形成される。さら
に、このように電界によって軸をあわせた上で、液晶・
高分子複合体を加熱し、高分子を固化させれば液晶の軸
を固定することができる。
別の透明電極23と原稿照射用窓6の透明電極8を同電
位にして、ガラス板5に設けた透明電極4にそれとは逆
の電位の電圧を印加して、透明個別電極23および透明
電極8と透明電極4との間に電界を発生させると、液晶
・高分子複合体3の結晶の軸の方向が、透明電極8から
透明電極4へ向かう方向および透明電極4から受光素子
の上部透明電極23へ向かう方向に揃えられる。このこ
とによって光路は、原稿照射用の窓からガラス板下面の
透明電極4を透過してほとんど散乱されることなく原稿
9に向かう経路と、原稿で反射され、再び透明電極4を
透過して受光素子2へ向かう経路とが形成される。さら
に、このように電界によって軸をあわせた上で、液晶・
高分子複合体を加熱し、高分子を固化させれば液晶の軸
を固定することができる。
【0012】
【発明の効果】本発明においては、液晶・高分子複合体
を設け、この液晶の軸の方向を受光素子面と原稿面とを
結ぶ直線上に設定することによって、各画素と受光素子
を1対1に対応させることができ、隣接する受光素子を
光学的に分離することが可能となり、完全密着型イメー
ジセンサの解像度を向上させることができる。
を設け、この液晶の軸の方向を受光素子面と原稿面とを
結ぶ直線上に設定することによって、各画素と受光素子
を1対1に対応させることができ、隣接する受光素子を
光学的に分離することが可能となり、完全密着型イメー
ジセンサの解像度を向上させることができる。
【図1】 液晶・高分子複合体を設けた完全密着型イメ
ージセンサの概略図。
ージセンサの概略図。
【図1(a)】 本発明の第1の実施例の上面図。
【図1(b)】 図1(a)のB−B’断面図。
【図1(c)】 図1(a)のC−C’断面図。
【図2(a)】 本発明の第2の実施例の上面図。
【図2(b)】 図2(a)のB−B’断面図。
【図2(c)】 図2(a)のC−C’断面図。
【図3】 従来例の断面図。
1 ガラス基板、 2 受光素子、 21 受光素子の
下部電極、 22 光電変換層、 23 受光素子の上
部電極、 3 液晶・高分子複合体、 4 透明電極、
5 保護ガラス、 6 原稿照射用窓、 7 原稿、
8 透明電極、9 照射光・反射光
下部電極、 22 光電変換層、 23 受光素子の上
部電極、 3 液晶・高分子複合体、 4 透明電極、
5 保護ガラス、 6 原稿照射用窓、 7 原稿、
8 透明電極、9 照射光・反射光
Claims (1)
- 【請求項1】 基板上に原稿照射用窓と原稿からの反射
光を受光する受光素子とを設けた完全密着型のイメージ
センサにおいて、 受光素子面上に液晶・高分子複合体(LCPC)を設け
るとともに、 下面に透明電極を設けた保護透明板を受光素子面と原稿
面との間に設けたことを特徴とする完全密着型イメージ
センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26132091A JPH0575786A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 完全密着型イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26132091A JPH0575786A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 完全密着型イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0575786A true JPH0575786A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17360174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26132091A Pending JPH0575786A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 完全密着型イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0575786A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2101251A3 (en) * | 2008-03-14 | 2011-08-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display, display system including the liquid crystal display and method of recognizing an object using the liquid crystal display |
-
1991
- 1991-09-13 JP JP26132091A patent/JPH0575786A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2101251A3 (en) * | 2008-03-14 | 2011-08-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display, display system including the liquid crystal display and method of recognizing an object using the liquid crystal display |
| US8189128B2 (en) | 2008-03-14 | 2012-05-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display having first and second diffusion members and a plurality of sensors that can detect a sensing signal reflected from an object |
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