JPH0576103B2 - - Google Patents
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- JPH0576103B2 JPH0576103B2 JP3434183A JP3434183A JPH0576103B2 JP H0576103 B2 JPH0576103 B2 JP H0576103B2 JP 3434183 A JP3434183 A JP 3434183A JP 3434183 A JP3434183 A JP 3434183A JP H0576103 B2 JPH0576103 B2 JP H0576103B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/0057—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/0064—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture mediums or carriers characterised by the selection of the material
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は光学的情報記録媒体用基板を成形す
るためのスタンパに係り、特に全面に渡り連続又
は不連続の凸部が形成されているスタンパに関す
る。
るためのスタンパに係り、特に全面に渡り連続又
は不連続の凸部が形成されているスタンパに関す
る。
エネルギ例えば光学的情報記録媒体は、安定な
トラツク追跡を可能にし、記録密度を高める必要
から、媒体を構成している基板上に光学的に識別
可能な連続又は不連続スパイラル状の凸部ないし
凹部を形成していわゆる案内溝とすることが要請
されている。このため例えば連続スパイラル状の
凸部ないし凹部の形成された原盤をまず製作し、
この原盤から電鋳などの方法でスタンパを製作
し、このスタンパを用いて有機樹脂を射出成形、
圧縮成形又は注型するか、あるいは紫外線硬化樹
脂を紫外線硬化させるかして凸部ないし凹部形状
を転写された基板を形成する。
トラツク追跡を可能にし、記録密度を高める必要
から、媒体を構成している基板上に光学的に識別
可能な連続又は不連続スパイラル状の凸部ないし
凹部を形成していわゆる案内溝とすることが要請
されている。このため例えば連続スパイラル状の
凸部ないし凹部の形成された原盤をまず製作し、
この原盤から電鋳などの方法でスタンパを製作
し、このスタンパを用いて有機樹脂を射出成形、
圧縮成形又は注型するか、あるいは紫外線硬化樹
脂を紫外線硬化させるかして凸部ないし凹部形状
を転写された基板を形成する。
このような連続スパイラル状の凸部ないし凹部
を備えるスタンパは、普通以下のようにして製作
されている。先ず、ガラスなどからなる平坦な基
板上に第一工程でCr膜を蒸着する。次に第二工
程でCr膜上にフオトレジストをスピンナなどの
方法で塗布する。次に第三工程でフオトレジスト
の塗布されたガラス基板を回転し、1μｍφ程度
にしぼつたレーザビームを所定の送り速度で半径
方向へ移動させ乍ら連続スパイラル状の露光を行
なう。次に第四工程で現像、第５工程でペーキン
グを行つてまず原盤を作る。次に電極膜を真空蒸
着などの方法で原盤上に形成し、Ni電鋳を行な
つてから原盤を剥離すればNiスタンパが得られ
るのである。
を備えるスタンパは、普通以下のようにして製作
されている。先ず、ガラスなどからなる平坦な基
板上に第一工程でCr膜を蒸着する。次に第二工
程でCr膜上にフオトレジストをスピンナなどの
方法で塗布する。次に第三工程でフオトレジスト
の塗布されたガラス基板を回転し、1μｍφ程度
にしぼつたレーザビームを所定の送り速度で半径
方向へ移動させ乍ら連続スパイラル状の露光を行
なう。次に第四工程で現像、第５工程でペーキン
グを行つてまず原盤を作る。次に電極膜を真空蒸
着などの方法で原盤上に形成し、Ni電鋳を行な
つてから原盤を剥離すればNiスタンパが得られ
るのである。
しかしこのような製法には以下に述べる欠点が
ある。即ち基板全面について均一な形状の凸部な
いし凹部を形成することが極めて困難なことであ
る。スタンパ上に形成すべき凸部形状は、良好な
トラツク追跡を可能にするため、高さが通常用い
られる半導体レーザの波長約800nｍの1/8で100n
ｍ程度、幅が1μｍ程度であることがのぞまれる。
一方基板の形状は記録容量を高めるため、300mm
φ程度迄のものが必要とされる。これに対してス
ピンナによる塗布は、通常１〜2μｍ以上の膜厚
のものに対して用いられる技術であつて、300mm
φの全域に厚さ100μｍの均一な塗膜を形成する
ようなことは極めて困難で部分的に剥離が避けら
れない。しかも大気中のホコリが基板にわずかに
付着しても重大な塗布ムラを招く原因となる。ま
た全域に渡つて一様に現像することは極めて困難
であり、現像ムラの発生することが避けられな
い。このような原盤からNi電鋳したスタンパは
原盤の欠点が全て転写されたものしか得ることが
出来ない。更に後の工程でスタンパからフオトレ
ジストを剥離する必要があるが、焼付きなどの現
象によりスタンパ面にフオトレジストが残査とな
つて付着することも避けられない。また第一に原
盤、第二にこの原盤からスタンパを製作するとい
う点で二工程必要な点でも改良の餘地をとどめて
いる。
ある。即ち基板全面について均一な形状の凸部な
いし凹部を形成することが極めて困難なことであ
る。スタンパ上に形成すべき凸部形状は、良好な
トラツク追跡を可能にするため、高さが通常用い
られる半導体レーザの波長約800nｍの1/8で100n
ｍ程度、幅が1μｍ程度であることがのぞまれる。
一方基板の形状は記録容量を高めるため、300mm
φ程度迄のものが必要とされる。これに対してス
ピンナによる塗布は、通常１〜2μｍ以上の膜厚
のものに対して用いられる技術であつて、300mm
φの全域に厚さ100μｍの均一な塗膜を形成する
ようなことは極めて困難で部分的に剥離が避けら
れない。しかも大気中のホコリが基板にわずかに
付着しても重大な塗布ムラを招く原因となる。ま
た全域に渡つて一様に現像することは極めて困難
であり、現像ムラの発生することが避けられな
い。このような原盤からNi電鋳したスタンパは
原盤の欠点が全て転写されたものしか得ることが
出来ない。更に後の工程でスタンパからフオトレ
ジストを剥離する必要があるが、焼付きなどの現
象によりスタンパ面にフオトレジストが残査とな
つて付着することも避けられない。また第一に原
盤、第二にこの原盤からスタンパを製作するとい
う点で二工程必要な点でも改良の餘地をとどめて
いる。
これらの改良として我々はフオトレジストを一
切使わない方法を発案し、先に出願した（特願昭
57−168623号）。そのスタンパ構成図を第１図及
び第２図に示す。第１図は半成品断面図、第２図
はスタンパの微少部分の断面図であり、基体１上
に基体と密着性のよい金属薄膜又は酸化物薄膜か
らなる第１層２、エネルギー吸収性とガス遊離性
とに良好にする薄膜からなる第２層３、機械的強
度を大きく密着性のよい金属薄膜からなる第３
層、離型性のよい薄膜からなる第４層５を順次積
層し、回転支持台５上に載せ、基板を回転させ乍
らレンズ７を絞り込んだレーザビーム８を照射す
ると、第２層〜第４層の薄膜が張らみ、第２図の
如く、連続スパイラル凸部９が形成される。この
スタンパにより従来方法の欠点はすべて除去でき
たが、数多く製作するうち以下の欠点があること
が判明した。即ち、基体と第１層との密着性は
良いが、第１層と第２層との密着性が悪いためか
有機樹脂基体を成形し剥離するとき、第２層より
部分的剥離が生じ、有機基板を多数枚成形できな
いスタンパが生じやすいこと、エネルギー吸収
性とガス遊離性とを併わせ持つ第２層の主成分を
600℃以下の融点をもつ低融点金属としたためレ
ーザビーム照射で膜を張らませているとき、電源
等の変動でレーザビーム強度が変動すると膜が張
らみを通り越して破れてしまうことが生ずるこ
と、機械的強度として必要とした第３層膜は、
レーザビームの吸収膜にもなつてしまい、レーザ
パワーの効率を大きく減少させてしまうこと、
離形性のために必要とした第４層はやはりレーザ
ビームの吸収膜になつてしまい、レーザパワーの
効率を大きく減少させてしまうこと等があげられ
る。
切使わない方法を発案し、先に出願した（特願昭
57−168623号）。そのスタンパ構成図を第１図及
び第２図に示す。第１図は半成品断面図、第２図
はスタンパの微少部分の断面図であり、基体１上
に基体と密着性のよい金属薄膜又は酸化物薄膜か
らなる第１層２、エネルギー吸収性とガス遊離性
とに良好にする薄膜からなる第２層３、機械的強
度を大きく密着性のよい金属薄膜からなる第３
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層し、回転支持台５上に載せ、基板を回転させ乍
らレンズ７を絞り込んだレーザビーム８を照射す
ると、第２層〜第４層の薄膜が張らみ、第２図の
如く、連続スパイラル凸部９が形成される。この
スタンパにより従来方法の欠点はすべて除去でき
たが、数多く製作するうち以下の欠点があること
が判明した。即ち、基体と第１層との密着性は
良いが、第１層と第２層との密着性が悪いためか
有機樹脂基体を成形し剥離するとき、第２層より
部分的剥離が生じ、有機基板を多数枚成形できな
いスタンパが生じやすいこと、エネルギー吸収
性とガス遊離性とを併わせ持つ第２層の主成分を
600℃以下の融点をもつ低融点金属としたためレ
ーザビーム照射で膜を張らませているとき、電源
等の変動でレーザビーム強度が変動すると膜が張
らみを通り越して破れてしまうことが生ずるこ
と、機械的強度として必要とした第３層膜は、
レーザビームの吸収膜にもなつてしまい、レーザ
パワーの効率を大きく減少させてしまうこと、
離形性のために必要とした第４層はやはりレーザ
ビームの吸収膜になつてしまい、レーザパワーの
効率を大きく減少させてしまうこと等があげられ
る。
この発明は上述した欠点を克服した基板形成用
スタンパを提案するものである。
スタンパを提案するものである。
即ち、この発明のスタンパは基体上に基体との
密着性が良い金属薄膜からなる第１層、膜が張ら
むという特性をもつた第３層と第１層とを相互に
密着性を保たせる役目をもつた第２層、アルキル
成分を含みレーザビーム照射により膜が張らむ特
性をもつた第３層、レーザビームエネルギーをあ
まり吸収せず延伸性があり、かつ有機樹脂と優れ
た剥離性をもつた第４層とからなり、それら膜が
順次基板上に剥離されており、且つ第３層の第４
層の面には、連続又は不連続のスパイラル状の凸
部が形成されているものである。
密着性が良い金属薄膜からなる第１層、膜が張ら
むという特性をもつた第３層と第１層とを相互に
密着性を保たせる役目をもつた第２層、アルキル
成分を含みレーザビーム照射により膜が張らむ特
性をもつた第３層、レーザビームエネルギーをあ
まり吸収せず延伸性があり、かつ有機樹脂と優れ
た剥離性をもつた第４層とからなり、それら膜が
順次基板上に剥離されており、且つ第３層の第４
層の面には、連続又は不連続のスパイラル状の凸
部が形成されているものである。
上述の第１層の金属薄膜は、Ti、Cr、Ｗ、
Mo、Co、Ni、Ta、Ｖ、Zn、Hf等を用い、スパ
ツタ或いは真空蒸着など通常の薄膜形成法で基体
に被着する。また基体は表面が平滑に仕上つたガ
ラス基板が最も適している。続いて、真空を破ら
ずに、Au、Ag、Cu、Pd等を通常の薄膜形成法
で形成する、この膜が第２層となる。次に、スパ
ツタリングにより第３層を形成する。この膜はメ
タン系炭化水素ガスと不活性ガスとの混合ガス中
のスパツタリングで形成するが、ターゲツトとし
てとりつける金属板は融点は高いが、Au、Ag、
Cu、Sn等と容易に共晶合金となる金属、例えば
Ag又はGe等が最適である。Ag板をターゲツト
として基板を対向させ、両者間に電圧をかけ、メ
タン系炭化水素ガスとしてCH3ガス、不活性ガス
としてArガスを流し、プラズマを発生させると、
−Ｈ基、−CH3基、−H2基、−CH2基が解離し、タ
ーゲツト面をたたく。するとAg原子がたたきだ
され、Ag−Ｈ、Ag−CH3、Ag−H2、Ag−CH2
等のアルキルAg金属が反応形成される。一方Ar
ガスによつてもAg原子がたたき出されるので、
基板上にはアルキルAgとAgとが混合されたまゝ
膜が成長していく。出来た膜をＸ線回折で調べる
と、非晶質であることが判明し、より精度を上げ
て微小面散乱法等で調べると、約6nｍ径をもつ
た結晶質Ag微粒子の集合であり、その空隙をア
ルキル分子が埋めており、Ag微粒子とアルキル
分子とはアルキルAgで結ばれていることが判明
した。この膜を180°位に加熱するとアルキル分子
の蒸発が起り、30％程度の重量が減少する。第４
層はAu、Ag、Cu、Pd等の膜であり、通常の膜
形成法で形成される。ここでこれらの膜厚が問題
となる。
Mo、Co、Ni、Ta、Ｖ、Zn、Hf等を用い、スパ
ツタ或いは真空蒸着など通常の薄膜形成法で基体
に被着する。また基体は表面が平滑に仕上つたガ
ラス基板が最も適している。続いて、真空を破ら
ずに、Au、Ag、Cu、Pd等を通常の薄膜形成法
で形成する、この膜が第２層となる。次に、スパ
ツタリングにより第３層を形成する。この膜はメ
タン系炭化水素ガスと不活性ガスとの混合ガス中
のスパツタリングで形成するが、ターゲツトとし
てとりつける金属板は融点は高いが、Au、Ag、
Cu、Sn等と容易に共晶合金となる金属、例えば
Ag又はGe等が最適である。Ag板をターゲツト
として基板を対向させ、両者間に電圧をかけ、メ
タン系炭化水素ガスとしてCH3ガス、不活性ガス
としてArガスを流し、プラズマを発生させると、
−Ｈ基、−CH3基、−H2基、−CH2基が解離し、タ
ーゲツト面をたたく。するとAg原子がたたきだ
され、Ag−Ｈ、Ag−CH3、Ag−H2、Ag−CH2
等のアルキルAg金属が反応形成される。一方Ar
ガスによつてもAg原子がたたき出されるので、
基板上にはアルキルAgとAgとが混合されたまゝ
膜が成長していく。出来た膜をＸ線回折で調べる
と、非晶質であることが判明し、より精度を上げ
て微小面散乱法等で調べると、約6nｍ径をもつ
た結晶質Ag微粒子の集合であり、その空隙をア
ルキル分子が埋めており、Ag微粒子とアルキル
分子とはアルキルAgで結ばれていることが判明
した。この膜を180°位に加熱するとアルキル分子
の蒸発が起り、30％程度の重量が減少する。第４
層はAu、Ag、Cu、Pd等の膜であり、通常の膜
形成法で形成される。ここでこれらの膜厚が問題
となる。
第１層は厚くしても効果がなく、薄すぎては効
果を発揮できず、せいぜい５〜500nｍの厚さが
あれば十分である。第２層は、反応を十分進ませ
るために50〜500nｍ位の膜厚を必要とする。第
３層はアルキル分子の蒸発が起るとき、その蒸発
分子を膜から外に出来ない様に膜内に閉じ込めて
おき、その力で膜を脹らませるためには膜厚が薄
いと、ガスを閉じこめておくことができず、脹ら
んでもすぐ破裂してしまうし、膜厚を厚くしすぎ
てもエネルギーの吸収が大きく、有効に脹らます
ことが出来ない。100〜500nｍの膜厚が最も有効
に膜を脹らますことが出来ることをテストで確認
した第４層の膜厚が最も厳しい。即ち、レーザビ
ーム照射を第４層を通して第３層に行うためレー
ザを吸収しない膜厚が必要でありかつ第３層の脹
らみを助け、破裂しない様に延伸性のある物質で
ある程度以上の厚さで覆う必要があり、しかも有
機樹脂の剥離が十分に行える程の膜厚が必要であ
る。材質としては前述したAu、Ag、Cu、Pd等
が優れており、それらの膜厚は20〜35nｍと極め
て薄い範囲が最適である。連続又は不連続スパイ
ラル状の凸部は、４層の薄膜が形成されている基
板を回転し、1μｍφ程度に絞り込んだレーザビ
ームを所定の速度で半径方向へ送りながら連続的
もしくは不連続的に照射することにより形成でき
る。凸部は、照射されたレーザビームにより局部
加熱され、ガス膨張による第３層の張らみと、こ
の圧力による第４層の張らみにより形成される。
果を発揮できず、せいぜい５〜500nｍの厚さが
あれば十分である。第２層は、反応を十分進ませ
るために50〜500nｍ位の膜厚を必要とする。第
３層はアルキル分子の蒸発が起るとき、その蒸発
分子を膜から外に出来ない様に膜内に閉じ込めて
おき、その力で膜を脹らませるためには膜厚が薄
いと、ガスを閉じこめておくことができず、脹ら
んでもすぐ破裂してしまうし、膜厚を厚くしすぎ
てもエネルギーの吸収が大きく、有効に脹らます
ことが出来ない。100〜500nｍの膜厚が最も有効
に膜を脹らますことが出来ることをテストで確認
した第４層の膜厚が最も厳しい。即ち、レーザビ
ーム照射を第４層を通して第３層に行うためレー
ザを吸収しない膜厚が必要でありかつ第３層の脹
らみを助け、破裂しない様に延伸性のある物質で
ある程度以上の厚さで覆う必要があり、しかも有
機樹脂の剥離が十分に行える程の膜厚が必要であ
る。材質としては前述したAu、Ag、Cu、Pd等
が優れており、それらの膜厚は20〜35nｍと極め
て薄い範囲が最適である。連続又は不連続スパイ
ラル状の凸部は、４層の薄膜が形成されている基
板を回転し、1μｍφ程度に絞り込んだレーザビ
ームを所定の速度で半径方向へ送りながら連続的
もしくは不連続的に照射することにより形成でき
る。凸部は、照射されたレーザビームにより局部
加熱され、ガス膨張による第３層の張らみと、こ
の圧力による第４層の張らみにより形成される。
このようなスタンパにより、有機樹脂基板を形
成するには、スタンパを構成している基体が破壊
しなければ用法を制限しない。例えばあらかじめ
成形された平坦な記録媒体様基板材と、このスタ
ンパを対向させ両者の中間に紫外線硬化樹脂を流
し込み、平坦な基板材側から紫外線を照射し、硬
化させ、連続スパイラル状の凸部を転写した記録
媒体用基板を得させる。又、例えばこのスタンパ
上に有機樹脂のモノマーないしシラツプを流し込
み加熱し重合させる注型法をとつても良い。
成するには、スタンパを構成している基体が破壊
しなければ用法を制限しない。例えばあらかじめ
成形された平坦な記録媒体様基板材と、このスタ
ンパを対向させ両者の中間に紫外線硬化樹脂を流
し込み、平坦な基板材側から紫外線を照射し、硬
化させ、連続スパイラル状の凸部を転写した記録
媒体用基板を得させる。又、例えばこのスタンパ
上に有機樹脂のモノマーないしシラツプを流し込
み加熱し重合させる注型法をとつても良い。
〔発明の実施例〕
以下実施例について述べる。
実施例 １
第３図はこの例のスタンパーの半成品断面図で
ある。まず300mmφのガラスを基体１１とし、厚
さ30nｍのTi膜１２を第１層として続いて厚さ
100nｍのAu膜１３を第２層としてスパツタリン
グで連続形成する。次にAgターゲツトをCH4ガ
スとArガスの混合ガス中でスパツタリングし、
厚さ300nｍのAg−CH3、Ag−CH3を成分として
もつ第３層１４を形成する。続いてAu膜を厚さ
30nｍで形成し第４層１５とする。これら４層は
連続スパツタリングで形成するのが最も良い。こ
れら４層が形成された基体を回転支持台１６に載
せ、レンズ１７で1μｍφに絞り込んだArガスレ
ーザビーム１８を半径方向へ所定の速度で移動さ
せ乍ら照射する。第４図にこのようにして形成さ
れたスタンパの微少部分の断面図を示す。スタン
パの膜面には連続スパイラル状の凸部１９が形成
されている。凸部形状は高さが、0.1μｍ底部にお
ける巾は1.1μｍである。この凸部は300mmφのガ
ラス板の全面に及び一様に形成されており、剥離
した部分は認められない。
ある。まず300mmφのガラスを基体１１とし、厚
さ30nｍのTi膜１２を第１層として続いて厚さ
100nｍのAu膜１３を第２層としてスパツタリン
グで連続形成する。次にAgターゲツトをCH4ガ
スとArガスの混合ガス中でスパツタリングし、
厚さ300nｍのAg−CH3、Ag−CH3を成分として
もつ第３層１４を形成する。続いてAu膜を厚さ
30nｍで形成し第４層１５とする。これら４層は
連続スパツタリングで形成するのが最も良い。こ
れら４層が形成された基体を回転支持台１６に載
せ、レンズ１７で1μｍφに絞り込んだArガスレ
ーザビーム１８を半径方向へ所定の速度で移動さ
せ乍ら照射する。第４図にこのようにして形成さ
れたスタンパの微少部分の断面図を示す。スタン
パの膜面には連続スパイラル状の凸部１９が形成
されている。凸部形状は高さが、0.1μｍ底部にお
ける巾は1.1μｍである。この凸部は300mmφのガ
ラス板の全面に及び一様に形成されており、剥離
した部分は認められない。
このように真空中で薄膜を形成して得られたス
タンパの利点は、フオトレジスト法による原盤か
ら電鋳したスタンパと異なり、基板全面に均一な
凸部が形成できる上、大気中の塵埃のない状態で
膜形成できること、大面積に渡り一様な膜厚に膜
形成できることが数えられる。
タンパの利点は、フオトレジスト法による原盤か
ら電鋳したスタンパと異なり、基板全面に均一な
凸部が形成できる上、大気中の塵埃のない状態で
膜形成できること、大面積に渡り一様な膜厚に膜
形成できることが数えられる。
この例のスタンパを用い、平坦なアクリル板上
へアクリル系紫外線硬化樹脂による転写を行なつ
たところ記録媒体用基板の全面に極めて一様な連
続スパイラル状の凹部を転写することができ、ス
タンパからはどの薄膜も剥離しない。
へアクリル系紫外線硬化樹脂による転写を行なつ
たところ記録媒体用基板の全面に極めて一様な連
続スパイラル状の凹部を転写することができ、ス
タンパからはどの薄膜も剥離しない。
実施例 ２
300mmφのガラスに、第１層として30nｍのCr、
Mo、Ｗ、Co、Ni、Fe、Ta、Ｖ、の一種、第２
層として、300nｍのAl、Ag、Pdの一種、第３層
として400nｍ厚のAg−CH3、Ag−CH2の成分を
もつ膜、又はGe−CH3、Ge−CH2の成分をもつ
膜、第４層として30nｍ厚のAg、Pd、Alの一種
のもつ膜を形成する。次に回転台にのせ回転しな
がら半径方向にレーザビームを所定の速さで不連
続的に照射して（８×３×２×３＝）144種のス
タンパを製作する。いずれのスタンパも巾0.9〜
1.2μｍ、高さ0.6μｍ以上の不連続スパイラル状凸
部を備えている。これらのスタンパを用い、セル
キヤステング法により基板の成形を行つたとこ
ろ、良好な形状の不連続スパイラル状凹部を転写
できた。
Mo、Ｗ、Co、Ni、Fe、Ta、Ｖ、の一種、第２
層として、300nｍのAl、Ag、Pdの一種、第３層
として400nｍ厚のAg−CH3、Ag−CH2の成分を
もつ膜、又はGe−CH3、Ge−CH2の成分をもつ
膜、第４層として30nｍ厚のAg、Pd、Alの一種
のもつ膜を形成する。次に回転台にのせ回転しな
がら半径方向にレーザビームを所定の速さで不連
続的に照射して（８×３×２×３＝）144種のス
タンパを製作する。いずれのスタンパも巾0.9〜
1.2μｍ、高さ0.6μｍ以上の不連続スパイラル状凸
部を備えている。これらのスタンパを用い、セル
キヤステング法により基板の成形を行つたとこ
ろ、良好な形状の不連続スパイラル状凹部を転写
できた。
これらのスタンパは通常の電鋳法によるスタン
パのマスター原盤としても使用できる。
パのマスター原盤としても使用できる。
上述の結果より、第１層はガラス基板との接着
性、第２層は第１層と同一真空中で連続成形する
ために第１層との接着性向上並びに第３層と低温
で共晶合金となるために第３層との接着性改良が
なされており、第３層の脹らみを自由に制御でき
るための第４層の導入、又第４層の成分も第３層
の金属成分と共晶合金となりやすい成分が配置さ
れているため脹らみの強度が増強され、萎み、潰
れ等の変形が生じない。従つて、有機樹脂基板の
成形時の熱、圧力時に十分耐えることが出来、基
板の多数枚成形が行え、剥離等は一切生じない。
又、第３層の金属として低融点ではない金属を使
つたため、張らみはアルキル分子が蒸発しようと
する180℃近辺で生じ、温度を上げるとガスは膜
のすきまから逃げていき、膜は金属結晶質に変化
する。その後この膜に穴があくのは膜の融点、Si
膜の場合は1412℃になつたときに生ずるので、金
属質膜に保持できる温度範囲が低融点金属膜より
も極めて広い。このためレーザパワーの変化等
で、張らみに穴があくケースは絶無となつた。
性、第２層は第１層と同一真空中で連続成形する
ために第１層との接着性向上並びに第３層と低温
で共晶合金となるために第３層との接着性改良が
なされており、第３層の脹らみを自由に制御でき
るための第４層の導入、又第４層の成分も第３層
の金属成分と共晶合金となりやすい成分が配置さ
れているため脹らみの強度が増強され、萎み、潰
れ等の変形が生じない。従つて、有機樹脂基板の
成形時の熱、圧力時に十分耐えることが出来、基
板の多数枚成形が行え、剥離等は一切生じない。
又、第３層の金属として低融点ではない金属を使
つたため、張らみはアルキル分子が蒸発しようと
する180℃近辺で生じ、温度を上げるとガスは膜
のすきまから逃げていき、膜は金属結晶質に変化
する。その後この膜に穴があくのは膜の融点、Si
膜の場合は1412℃になつたときに生ずるので、金
属質膜に保持できる温度範囲が低融点金属膜より
も極めて広い。このためレーザパワーの変化等
で、張らみに穴があくケースは絶無となつた。
このようにこの発明によれば、従来の欠点を除
去し、単純な構成でありながら、大面積に渡り極
めて一様な連続又は不連続スパイラル状の凸部を
備えた基板成形用スタンパとして提供することが
できる。
去し、単純な構成でありながら、大面積に渡り極
めて一様な連続又は不連続スパイラル状の凸部を
備えた基板成形用スタンパとして提供することが
できる。
第１図及び第２図は従来のスタンパの半成品及
び微少部分の断面図、第３図及び第４図は本発明
のスタンパの半成品及び微少部分の断面図であ
る。 １１；基体、１２；Ti膜、１３；Au膜、１
４；第３層、１５；第４層、１６；回転支持体、
１７；レンズ、１８；レーザビーム、１９；凸
部。
び微少部分の断面図、第３図及び第４図は本発明
のスタンパの半成品及び微少部分の断面図であ
る。 １１；基体、１２；Ti膜、１３；Au膜、１
４；第３層、１５；第４層、１６；回転支持体、
１７；レンズ、１８；レーザビーム、１９；凸
部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ エネルギー情報記録媒体膜用基板を成形する
ためのスタンパであつて、このスタンパが基体上
に基体との密着性のよい金属薄膜からなる第１
層、第１層と第３層との接着性を向上させる第２
層、アルキル分子と600℃以上の融点をもつた金
属とからなるアルキル金属を含んだ薄膜からなる
第３層、エネルギ非吸収性と延伸性をもちかつ樹
脂に対する離型性のよい金属薄膜からなる第４層
を順に形成されて成り、且つ第３層と第４層膜面
にはレーザ露光により連続又は不連続スパイラル
状の凸部が形成されていることを特徴とする基板
成形用スタンパ。 ２ 第１層の金属薄膜が、Ti、Cr、Ｗ、Mo、
Co、Ni、Fe、Ta、Ｖ、Zn、Hfのうち少なくと
も一種を含む単体又は合金であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載の基板成形用スタ
ンパ。 ３ 第２層の膜が、Au、Ag、Al、Cu、Pdのう
ち少くとも一種を含む単体又は合金であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の基板成
形用スタンパ。 ４ 第３層の膜はメタン系炭化水素ガスと不活性
ガスとの混合ガス中において金属板と、第１層と
第２層とが積層された基体との間に放電を起させ
てアルキル金属ガスを発生させ、該第２層の上に
不活性ガスを主体としたことによる金属膜とメタ
ン系炭化水素ガスによるアルキル金属膜とを同時
に成長させて形成させたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の基板成形用スタンパ。 ５ 第４層の金属薄膜はAu、Ag、Pd、Al、Cu
のうち少くとも一種を含む、単体又は合金である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の基
板成形用スタンパ。 ６ スタンパに電解Niメツキにより厚膜を形成
し、該スタンパを剥離して凹凸が逆に転写された
面を形成し、この面を有機樹脂基板面上に転写す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
基板成形用スタンパ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3434183A JPS59160844A (ja) | 1983-03-04 | 1983-03-04 | 基板成形用スタンパ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3434183A JPS59160844A (ja) | 1983-03-04 | 1983-03-04 | 基板成形用スタンパ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59160844A JPS59160844A (ja) | 1984-09-11 |
| JPH0576103B2 true JPH0576103B2 (ja) | 1993-10-21 |
Family
ID=12411432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3434183A Granted JPS59160844A (ja) | 1983-03-04 | 1983-03-04 | 基板成形用スタンパ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59160844A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4931336A (en) * | 1988-01-18 | 1990-06-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Information recording medium and method of optically recording information employing the same |
-
1983
- 1983-03-04 JP JP3434183A patent/JPS59160844A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59160844A (ja) | 1984-09-11 |
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