JPH0576617B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0576617B2 JPH0576617B2 JP3334985A JP3334985A JPH0576617B2 JP H0576617 B2 JPH0576617 B2 JP H0576617B2 JP 3334985 A JP3334985 A JP 3334985A JP 3334985 A JP3334985 A JP 3334985A JP H0576617 B2 JPH0576617 B2 JP H0576617B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- capacitor
- level
- constant current
- shutter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 65
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 10
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 6
- 238000005375 photometry Methods 0.000 description 14
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Control For Cameras (AREA)
- Shutter-Related Mechanisms (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子シヤツタの露光時間設定回路に
関し、とくにいわゆる中級レンズのシヤツタ式の
自動露光時間設定可能なカメラなどにおいて有利
に実施される電子シヤツタに関する。
関し、とくにいわゆる中級レンズのシヤツタ式の
自動露光時間設定可能なカメラなどにおいて有利
に実施される電子シヤツタに関する。
背景技術
近年、中級レンズシヤツタ式AE(自動露光)カ
メラでは、撮影前にたとえばレリースボタンを半
押しにするなどの方法により、露光量を予めメモ
リにストアするいわゆるAEロツク装置が備えら
れる。このようなAEカメラでは、逆光や空が撮
影画面の大部分を占めるような条件で、人物など
の被写体を撮影するとき、逆光や空の光に露光時
が合うため撮影の目的とする被写体に対しては、
著しく露光不足になつてしまうなどの欠点があ
る。そこで予め逆光や空の光などをさけて人物の
明るさに合わせて露光量を決め、その露光量をメ
モリに保持したまま実際の露光でシヤツタを操作
することができるように構成にされている。この
ようなメモリでは、たとえばアナログ的な方法と
して、1度値をコンデンサにホールドし、このコ
ンデンサに充電値はコンパレータの一方の端子に
与えられ、コンパレータの他方の端子に与えられ
る基準電圧に達したときには測光を停止するよう
に構成される。
メラでは、撮影前にたとえばレリースボタンを半
押しにするなどの方法により、露光量を予めメモ
リにストアするいわゆるAEロツク装置が備えら
れる。このようなAEカメラでは、逆光や空が撮
影画面の大部分を占めるような条件で、人物など
の被写体を撮影するとき、逆光や空の光に露光時
が合うため撮影の目的とする被写体に対しては、
著しく露光不足になつてしまうなどの欠点があ
る。そこで予め逆光や空の光などをさけて人物の
明るさに合わせて露光量を決め、その露光量をメ
モリに保持したまま実際の露光でシヤツタを操作
することができるように構成にされている。この
ようなメモリでは、たとえばアナログ的な方法と
して、1度値をコンデンサにホールドし、このコ
ンデンサに充電値はコンパレータの一方の端子に
与えられ、コンパレータの他方の端子に与えられ
る基準電圧に達したときには測光を停止するよう
に構成される。
発明が解決しようとする問題点
上記先行技術では、コンパレータの働きによつ
て測光時間を検出して、測光を停止するようにす
るため、その回路構成が複雑になる。またコンパ
レータのオフセツト電圧などで誤差を招きやす
く、この誤差は結局積分電圧値が一定電圧だけ増
減したことになり、結局秒時があるときだけ増減
することになる。このことは露光に与える影響を
考えると、たとえば誤差が0.5msecであつたとす
ると、適性露光時間が30msecのときはわずか1/6
0の誤差にすぎないが、1msecでは1/2の誤差にな
りわずかな露光時間を設定することはできない。
て測光時間を検出して、測光を停止するようにす
るため、その回路構成が複雑になる。またコンパ
レータのオフセツト電圧などで誤差を招きやす
く、この誤差は結局積分電圧値が一定電圧だけ増
減したことになり、結局秒時があるときだけ増減
することになる。このことは露光に与える影響を
考えると、たとえば誤差が0.5msecであつたとす
ると、適性露光時間が30msecのときはわずか1/6
0の誤差にすぎないが、1msecでは1/2の誤差にな
りわずかな露光時間を設定することはできない。
本発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、
被写体が低輝度であるときには飽和検出手段によ
つて飽和状態を検出して被写体の撮影に最適な露
光時間未満の時間で露光が可能となるようにし、
かつ構成を簡略化するようにした電子シヤツタを
提供することである。
被写体が低輝度であるときには飽和検出手段によ
つて飽和状態を検出して被写体の撮影に最適な露
光時間未満の時間で露光が可能となるようにし、
かつ構成を簡略化するようにした電子シヤツタを
提供することである。
問題点を解決するための手段
本発明は、
(a) 第1,第2および第3の各位置B1,B2,
B3に押圧操作されるシヤツタボタン30と、 (b) 被写体に臨む受光素子1と、 (c) 受光素子1からの出力に応答して充電される
第1コンデンサC1と、 (d) 第1コンデンサC1に並列に接続され、シヤ
ツタボタン30が第1位置B1にあるとき導通
し、第2位置B2にあるとき遮断するスイツチ
SW1と、 (e) 第1コンデンサC1の出力電圧を予め定める
第1弁別レベルでレベル弁別する第1レベル弁
別手段3と、 (f) 第2コンデンサC2と、 (g) 第2コンデンサC2を、シヤツタボタン30
が第1位置B1にあるとき予め定める電圧にま
で充電しておき、第2および第3位置B2,B
3にあるとき充電を解除する手段SW2と、 (h) カレントミラー回路であつて、 (h1) ベースが共通接続される一対の第1
および第2トランジスタQ3,Q4と、 (h2) それらの第1および第2トランジス
タQ3,Q4のコレクタに一定電流をそれぞ
れ供給する第1および第2定電流源Q5,Q
7とを含み、 (h3) 第1トランジスタQ3は、第2コン
デンサC2に並列に接続されており、さらに (h4) 第3定電流源Q6と、 (h5) 第3定電流源Q6と、第1および第
2トランジスタQ3,Q4のベースとの間に
介在され、第2定電流源Q5と第2トランジ
スタQ4との接続点に、ベースが接続され、
第2トランジスタQ4のコレクタ電流が第2
定電流源Q5の電流に等しくなるように制御
する第3トランジスタQ8とを含むカレント
ミラー回路と、 (i) 第3定電流源Q6および第3トランジスタQ
8の接続点20に接続され、第3定電流源Q6
から第3トランジスタQ8に流れる電流の差が
小さくなつたことを検出する検出手段Q10
と、 (j) 第1レベル弁別手段3と検出手段Q10との
各出力とに応答し、第1コンデンサC1の充電
電圧が第1弁別レベルを超え、または検出手段
Q10によつて第3定電流源Q6から第3トラ
ンジスタQ8に流れる電流の差が小さくなつた
ことが検出されたとき、カレントミラー回路に
よる第2コンデンサC2の放電を停止させる手
段5、Q2と、 (k) シヤツタボタン30が第2位置B2から第3
位置B3に押圧操作されることによつて、第2
コンデンサC2を第1定電流源Q7の電流によ
つて充電させる手段SW3と、 (l) シヤツタボタン30が第2位置B2から第3
位置B3に押圧操作されることによつて開き、
電気信号に応答して閉じるシヤツタ手段15,
16,17と、 (m) 第2コンデンサC2の出力電圧を、充電され
ていた前記予め定める電圧である第2弁別レベ
ルでレベル弁別し、第2コンデンサC2の出力
電圧が前記第1弁別レベルに達したとき、シヤ
ツタ手段15,16,17に前記電気信号が与
える第2レベル弁別手段12とを含むことを特
徴とする電子シヤツタである。
B3に押圧操作されるシヤツタボタン30と、 (b) 被写体に臨む受光素子1と、 (c) 受光素子1からの出力に応答して充電される
第1コンデンサC1と、 (d) 第1コンデンサC1に並列に接続され、シヤ
ツタボタン30が第1位置B1にあるとき導通
し、第2位置B2にあるとき遮断するスイツチ
SW1と、 (e) 第1コンデンサC1の出力電圧を予め定める
第1弁別レベルでレベル弁別する第1レベル弁
別手段3と、 (f) 第2コンデンサC2と、 (g) 第2コンデンサC2を、シヤツタボタン30
が第1位置B1にあるとき予め定める電圧にま
で充電しておき、第2および第3位置B2,B
3にあるとき充電を解除する手段SW2と、 (h) カレントミラー回路であつて、 (h1) ベースが共通接続される一対の第1
および第2トランジスタQ3,Q4と、 (h2) それらの第1および第2トランジス
タQ3,Q4のコレクタに一定電流をそれぞ
れ供給する第1および第2定電流源Q5,Q
7とを含み、 (h3) 第1トランジスタQ3は、第2コン
デンサC2に並列に接続されており、さらに (h4) 第3定電流源Q6と、 (h5) 第3定電流源Q6と、第1および第
2トランジスタQ3,Q4のベースとの間に
介在され、第2定電流源Q5と第2トランジ
スタQ4との接続点に、ベースが接続され、
第2トランジスタQ4のコレクタ電流が第2
定電流源Q5の電流に等しくなるように制御
する第3トランジスタQ8とを含むカレント
ミラー回路と、 (i) 第3定電流源Q6および第3トランジスタQ
8の接続点20に接続され、第3定電流源Q6
から第3トランジスタQ8に流れる電流の差が
小さくなつたことを検出する検出手段Q10
と、 (j) 第1レベル弁別手段3と検出手段Q10との
各出力とに応答し、第1コンデンサC1の充電
電圧が第1弁別レベルを超え、または検出手段
Q10によつて第3定電流源Q6から第3トラ
ンジスタQ8に流れる電流の差が小さくなつた
ことが検出されたとき、カレントミラー回路に
よる第2コンデンサC2の放電を停止させる手
段5、Q2と、 (k) シヤツタボタン30が第2位置B2から第3
位置B3に押圧操作されることによつて、第2
コンデンサC2を第1定電流源Q7の電流によ
つて充電させる手段SW3と、 (l) シヤツタボタン30が第2位置B2から第3
位置B3に押圧操作されることによつて開き、
電気信号に応答して閉じるシヤツタ手段15,
16,17と、 (m) 第2コンデンサC2の出力電圧を、充電され
ていた前記予め定める電圧である第2弁別レベ
ルでレベル弁別し、第2コンデンサC2の出力
電圧が前記第1弁別レベルに達したとき、シヤ
ツタ手段15,16,17に前記電気信号が与
える第2レベル弁別手段12とを含むことを特
徴とする電子シヤツタである。
作 用
本発明に従えば、シヤツタボタン30を操作し
ないときには、第1スイツチSW1によつて第1
コンデンサC1は放電されており、第2コンデン
サC2は、予め定める電圧にまで充電されてい
る。シヤツタボタン30を第1位置B1から第2
位置B2に押圧操作すると、スイツチSW1が遮
断されて第1コンデンサC1が、受光素子1によ
る被写体の輝度に応じた速度で充電されてゆき、
これと同時に、第2コンデンサC2は、カレント
ミラー回路の第1トランジスタQ3によつて時間
経過に伴つて放電されてゆく。
ないときには、第1スイツチSW1によつて第1
コンデンサC1は放電されており、第2コンデン
サC2は、予め定める電圧にまで充電されてい
る。シヤツタボタン30を第1位置B1から第2
位置B2に押圧操作すると、スイツチSW1が遮
断されて第1コンデンサC1が、受光素子1によ
る被写体の輝度に応じた速度で充電されてゆき、
これと同時に、第2コンデンサC2は、カレント
ミラー回路の第1トランジスタQ3によつて時間
経過に伴つて放電されてゆく。
被写体が高輝度であるとき、第1コンデンサC
1の充電電圧は比較的短時間で第1弁別レベルを
超え、このとき検出手段Q10によつては、第3
定電流源Q6から第3トランジスタQ8に流れる
電流の差が小さくなつたことが検出されておら
ず、すなわち第1トランジスタQ3は飽和してお
らず、この状態で第1レベル弁別手段3の出力に
よつて第2コンデンサC2の放電が停止される。
1の充電電圧は比較的短時間で第1弁別レベルを
超え、このとき検出手段Q10によつては、第3
定電流源Q6から第3トランジスタQ8に流れる
電流の差が小さくなつたことが検出されておら
ず、すなわち第1トランジスタQ3は飽和してお
らず、この状態で第1レベル弁別手段3の出力に
よつて第2コンデンサC2の放電が停止される。
そこでシヤツタボタン30を第2位置B2から
第3位置B3に押圧操作することによつて、シヤ
ツタ手段15,16,17が開くとともに、第2
コンデンサC2は、第1定電流源Q7の電流によ
つて充電されてゆき、その充電電圧が上昇し、第
2コンデンサC2の電圧が第2弁別レベルに達し
たとき、第2レベル弁別手段12からシヤツタ手
段15,16,17に電気信号が与えられてシヤ
ツタ手段15,16,17は閉じる。
第3位置B3に押圧操作することによつて、シヤ
ツタ手段15,16,17が開くとともに、第2
コンデンサC2は、第1定電流源Q7の電流によ
つて充電されてゆき、その充電電圧が上昇し、第
2コンデンサC2の電圧が第2弁別レベルに達し
たとき、第2レベル弁別手段12からシヤツタ手
段15,16,17に電気信号が与えられてシヤ
ツタ手段15,16,17は閉じる。
被写体が低輝度であるときには、第1コンデン
サC1の充電電圧が第1弁別レベルを超えるより
も先に、第2コンデンサC2の放電による電圧が
低下して、第1トランジスタQ3のコレクタが飽
和する。これによつて第1トランジスタQ3のベ
ース電流は増加し、このベース電流は第3トラン
ジスタQ8によつて供給されるので、その第3ト
ランジスタQ8のコレクタ電流は増加する。第3
トランジスタQ8のコレクタ電流と第3定電流源
Q6の電流との差は、検出手段Q10に流れ込ん
でいる。この電流の前記差が小さくなつたことが
検出手段Q10によつて検出されると、これによ
つて第2コンデンサC2の放電が停止され、その
後、シヤツタボタン30を第2位置B2から第3
位置B3に押圧操作することによつて、前述と同
様にして第2コンデンサC2が第1定電流源Q7
の電流によつて充電されてゆき、その充電電圧が
第2弁別レベルに戻つたとき、シヤツタ手段1
5,16,17が閉じることになる。このように
して低輝度の被写体であつても、最適な露光時間
未満の露光時間で、露光時間の設定を行うことが
でき、影響が可能になる。
サC1の充電電圧が第1弁別レベルを超えるより
も先に、第2コンデンサC2の放電による電圧が
低下して、第1トランジスタQ3のコレクタが飽
和する。これによつて第1トランジスタQ3のベ
ース電流は増加し、このベース電流は第3トラン
ジスタQ8によつて供給されるので、その第3ト
ランジスタQ8のコレクタ電流は増加する。第3
トランジスタQ8のコレクタ電流と第3定電流源
Q6の電流との差は、検出手段Q10に流れ込ん
でいる。この電流の前記差が小さくなつたことが
検出手段Q10によつて検出されると、これによ
つて第2コンデンサC2の放電が停止され、その
後、シヤツタボタン30を第2位置B2から第3
位置B3に押圧操作することによつて、前述と同
様にして第2コンデンサC2が第1定電流源Q7
の電流によつて充電されてゆき、その充電電圧が
第2弁別レベルに戻つたとき、シヤツタ手段1
5,16,17が閉じることになる。このように
して低輝度の被写体であつても、最適な露光時間
未満の露光時間で、露光時間の設定を行うことが
でき、影響が可能になる。
実施例
第1図は本発明の一実施例の電気回路図であ
る。被写体からの光はフオトダイオード1によつ
て光信号が電気信号に変換される。フオトダイオ
ード1は第1コンデンサC1に直列に接続される
とともに、スイツチSW1に並列に接続される。
受光素子1と第1コンデンサC1との接続点2
は、ラインl1を介して比較回路3の反転入力端
子に接続される。この比較回路3の非反転入力端
子はラインl2を介して基準電圧設定回路4から
の基準電圧が印加される。比較回路3の出力はト
ランジスタQ1のベースに与えられ、このトラン
ジスタQ1のエミツタは電源+Vccに接続され、
コレクタはラインl3を介してラツチ回路5に接
続される。ラツチ回路5には、初期リセツト回路
40が接続される。前記ラツチ回路5はエミツタ
が接地されたトランジスタQ11,Q12,Q1
3,Q14から構成される。ラツチ回路5からの
出力はトランジスタQ2のベースに与えられ、こ
のトランジスタQ2のエミツタは接地され、コレ
クタは共通ラインl4を介してトランジスタQ3
およびトランジスタQ4のベースに接続される。
このトランジスタQ3とトランジスタQ4と抵抗
R1と抵抗R2とはカレントミラー回路を構成す
る。基準バイアス設定回路6からの出力は共通ラ
インl5を介して、トランジスタQ5,Q6,Q
7のベースに接続される。トランジスタQ5,Q
6,Q7のエミツタは電源+Vccに接続される。
トランジスタQ5のコレクタはトランジスタQ4
のコレクタに接続される。またトランジスタQ4
のコレクタはトランジスタQ8のベースに接続さ
れ、このトランジスタQ8のエミツタは共通ライ
ンl4を介してトランジスタQ4、トランジスタ
Q3の各ベースに接続される。トランジスタQ8
のコレクタはトランジスタQ6のコレクタに接続
され、トランジスタQ7のコレクタは順方向接続
あれるダイオードD1を介してトランジスタQ3
のコレクタに接続される。ダイオードD1のアノ
ードとトランジスタQ7のコレクタとの接続点9
はスイツチSW3を介して接地される。ダイオー
ドD1のカソードとトランジスタQ3のコレクタ
との接続点11は、ラインl6,l7を介して第
2コンデンサC2に接続される。第2コンデンサ
C2の電圧は第2レベルの弁別手段としての比較
回路12の反転入力端子に印加される。この第2
レベル弁別手段としての比較回路12は前記第2
コンデンサC2の出力電圧を前記トランジスタQ
3の飽和時における電圧よりも高い予め定めた第
2弁別レベルでレベル弁別を行なう。比較回路1
2の反転入力側の接続点13と出力側の接続点1
4との間には、スイツチSW2が並列に接続され
る。比較回路12からの出力は抵抗R3を介して
トランジスタQ9のベースに与えられる。トラン
ジスタQ9のエミツタは接地され、コレクタは励
磁コイル15を介して電源+Vccに接続される。
この励磁コイル15の働きによつてプランジヤ1
5aが駆動されて、シヤツタ駆動機構16を介し
てシヤツタ17の開閉動作が行なわれる。
る。被写体からの光はフオトダイオード1によつ
て光信号が電気信号に変換される。フオトダイオ
ード1は第1コンデンサC1に直列に接続される
とともに、スイツチSW1に並列に接続される。
受光素子1と第1コンデンサC1との接続点2
は、ラインl1を介して比較回路3の反転入力端
子に接続される。この比較回路3の非反転入力端
子はラインl2を介して基準電圧設定回路4から
の基準電圧が印加される。比較回路3の出力はト
ランジスタQ1のベースに与えられ、このトラン
ジスタQ1のエミツタは電源+Vccに接続され、
コレクタはラインl3を介してラツチ回路5に接
続される。ラツチ回路5には、初期リセツト回路
40が接続される。前記ラツチ回路5はエミツタ
が接地されたトランジスタQ11,Q12,Q1
3,Q14から構成される。ラツチ回路5からの
出力はトランジスタQ2のベースに与えられ、こ
のトランジスタQ2のエミツタは接地され、コレ
クタは共通ラインl4を介してトランジスタQ3
およびトランジスタQ4のベースに接続される。
このトランジスタQ3とトランジスタQ4と抵抗
R1と抵抗R2とはカレントミラー回路を構成す
る。基準バイアス設定回路6からの出力は共通ラ
インl5を介して、トランジスタQ5,Q6,Q
7のベースに接続される。トランジスタQ5,Q
6,Q7のエミツタは電源+Vccに接続される。
トランジスタQ5のコレクタはトランジスタQ4
のコレクタに接続される。またトランジスタQ4
のコレクタはトランジスタQ8のベースに接続さ
れ、このトランジスタQ8のエミツタは共通ライ
ンl4を介してトランジスタQ4、トランジスタ
Q3の各ベースに接続される。トランジスタQ8
のコレクタはトランジスタQ6のコレクタに接続
され、トランジスタQ7のコレクタは順方向接続
あれるダイオードD1を介してトランジスタQ3
のコレクタに接続される。ダイオードD1のアノ
ードとトランジスタQ7のコレクタとの接続点9
はスイツチSW3を介して接地される。ダイオー
ドD1のカソードとトランジスタQ3のコレクタ
との接続点11は、ラインl6,l7を介して第
2コンデンサC2に接続される。第2コンデンサ
C2の電圧は第2レベルの弁別手段としての比較
回路12の反転入力端子に印加される。この第2
レベル弁別手段としての比較回路12は前記第2
コンデンサC2の出力電圧を前記トランジスタQ
3の飽和時における電圧よりも高い予め定めた第
2弁別レベルでレベル弁別を行なう。比較回路1
2の反転入力側の接続点13と出力側の接続点1
4との間には、スイツチSW2が並列に接続され
る。比較回路12からの出力は抵抗R3を介して
トランジスタQ9のベースに与えられる。トラン
ジスタQ9のエミツタは接地され、コレクタは励
磁コイル15を介して電源+Vccに接続される。
この励磁コイル15の働きによつてプランジヤ1
5aが駆動されて、シヤツタ駆動機構16を介し
てシヤツタ17の開閉動作が行なわれる。
トランジスタQ6のコレクタとトランジスタQ
8のコレクタとの接続点20はラインl10を介
してトランジスタQ10のベースに接続される。
トランジスタQ10のエミツタは電源+Vccに接
続され、コレクタはラインl3に接続される。
8のコレクタとの接続点20はラインl10を介
してトランジスタQ10のベースに接続される。
トランジスタQ10のエミツタは電源+Vccに接
続され、コレクタはラインl3に接続される。
第2図は本発明にしたがう露光時間設定回路に
より、露光時間を設定する状態を説明するための
タイミングチヤートである。時刻t1以前におい
てはスイツチSW1,SW2は第2図7で示され
るようにON状態であり、スイツチSW3もまた
第2図8で示されるようにON状態である。スイ
ツチSW2がON状態であるため、比較回路12
の働きによつて第2コンデンサC2は予め定めた
一定値に充電されている。またトランジスタQ9
は導通しており、したがつて励磁コイル15は励
磁されて第2図5で示されるようにプランジヤ1
5aが駆動されている。そのためシヤツタ駆動機
構16を介してシヤツタ17は第2図6で示され
るように閉じられたままである。またスイツチ
SW2が閉じられているため、第2コンデンサC
2は第2図2で示されるように予め定めた一定値
に充電されている。時刻t1において、シヤツタ
ボタン30がB1の位置からB2の位置まで押圧
操作されると、シヤツタ駆動機構16はシヤツタ
ボタン30がB2の位置からB3の位置まで押し
下げられることを禁止する。時刻t1において
は、第2図7で示されるようにスイツチSW1,
SW2がOFF状態となる。これによつて初期リセ
ツト回路40は、ハイレベルの信号をラツチ回路
5のトランジスタQ14のベースに与える。これ
によつてトランジスタQ15は導通し、接続点2
0はローレベルとなり、トランジスタQ2は遮断
し、したがつてトランジスタQ3は導通する。ま
たスイツチSW2がOFF状態となるため、第2コ
ンデンサC2は放電を開始する。一方スイツチ
SW1はOFF状態となるため、第1コンデンサC
1は第2図1で示されるように充電を開始する。
より、露光時間を設定する状態を説明するための
タイミングチヤートである。時刻t1以前におい
てはスイツチSW1,SW2は第2図7で示され
るようにON状態であり、スイツチSW3もまた
第2図8で示されるようにON状態である。スイ
ツチSW2がON状態であるため、比較回路12
の働きによつて第2コンデンサC2は予め定めた
一定値に充電されている。またトランジスタQ9
は導通しており、したがつて励磁コイル15は励
磁されて第2図5で示されるようにプランジヤ1
5aが駆動されている。そのためシヤツタ駆動機
構16を介してシヤツタ17は第2図6で示され
るように閉じられたままである。またスイツチ
SW2が閉じられているため、第2コンデンサC
2は第2図2で示されるように予め定めた一定値
に充電されている。時刻t1において、シヤツタ
ボタン30がB1の位置からB2の位置まで押圧
操作されると、シヤツタ駆動機構16はシヤツタ
ボタン30がB2の位置からB3の位置まで押し
下げられることを禁止する。時刻t1において
は、第2図7で示されるようにスイツチSW1,
SW2がOFF状態となる。これによつて初期リセ
ツト回路40は、ハイレベルの信号をラツチ回路
5のトランジスタQ14のベースに与える。これ
によつてトランジスタQ15は導通し、接続点2
0はローレベルとなり、トランジスタQ2は遮断
し、したがつてトランジスタQ3は導通する。ま
たスイツチSW2がOFF状態となるため、第2コ
ンデンサC2は放電を開始する。一方スイツチ
SW1はOFF状態となるため、第1コンデンサC
1は第2図1で示されるように充電を開始する。
被写体が高輝度がある場合を想定する。このと
き第2図1の参照符m1で示されるように高速度
で第1コンデンサC1は充電を開始しはじめる。
一方第2コンデンサC2はこれと同時に一定速度
で放電をしはじめる。第1コンデンサC1が充電
されてゆき、時刻t2において比較回路3の反転
入力端子の電圧が非反転入力端子に印加される基
準電圧を越えると、比較回路3からの出力はロー
レベルとなり、これによつてトランジスタQ1は
導通してラインl3を介してラツチ回路5にハイ
レベルの信号を導出する。そのため、ラツチ回路
5が作動してトランジスタQ2のベースに第2図
4で示される測光終了信号としのハイレベルの信
号を導出し、これによつてトランジスタQ2は導
通してトランジスタQ3は遮断する。この結果第
2コンデンサC2の放電は停止する。こうして測
光が終了し、測光時間W1が設定される。なおこ
の測光時間W1はトランジスタQ3のコレクタの
飽和する予め定めた時間未満である。
き第2図1の参照符m1で示されるように高速度
で第1コンデンサC1は充電を開始しはじめる。
一方第2コンデンサC2はこれと同時に一定速度
で放電をしはじめる。第1コンデンサC1が充電
されてゆき、時刻t2において比較回路3の反転
入力端子の電圧が非反転入力端子に印加される基
準電圧を越えると、比較回路3からの出力はロー
レベルとなり、これによつてトランジスタQ1は
導通してラインl3を介してラツチ回路5にハイ
レベルの信号を導出する。そのため、ラツチ回路
5が作動してトランジスタQ2のベースに第2図
4で示される測光終了信号としのハイレベルの信
号を導出し、これによつてトランジスタQ2は導
通してトランジスタQ3は遮断する。この結果第
2コンデンサC2の放電は停止する。こうして測
光が終了し、測光時間W1が設定される。なおこ
の測光時間W1はトランジスタQ3のコレクタの
飽和する予め定めた時間未満である。
またトランジスタQ3の遮断状態はラツチ回路
5によつてラツチされる。
5によつてラツチされる。
このような状態で時刻t3において、操作者が
シヤツタボタン30をB2の位置からB3の位置
まで押圧操作する。これと連動してスイツチSW
3が第2図8で示されるようにOFF状態となる。
そのためトランジスタQ7のコレクタ電流がダイ
オードD1、ラインl6、ラインl7を介して第
2コンデンサC2に流れ、第2コンデンサC2が
時刻t3から充電をしはじめる。そして時刻t3
から前記測光時間W1だけ達した時刻t4におい
て、第2コンデンサC2の電圧が比較回路12の
非反転入力端子に与えられる基準電圧以上になる
と、比較回路12はトランジスタQ9のベースに
ローレベルの信号を導出する。これによつてトラ
ンジスタQ9は遮断して、これによつて励磁コイ
ル15が消磁されて、プランジヤ15aが駆動さ
れてシヤツタ駆動機構16を介してシヤツタ17
が閉じられる。こうして前記測光時間W1だけシ
ヤツタ17が開状態となり、これによつて被写体
を逆光や空が撮影画面を大部分を占める条件であ
つても被写体を適切な露光量で撮影することが可
能となる。
シヤツタボタン30をB2の位置からB3の位置
まで押圧操作する。これと連動してスイツチSW
3が第2図8で示されるようにOFF状態となる。
そのためトランジスタQ7のコレクタ電流がダイ
オードD1、ラインl6、ラインl7を介して第
2コンデンサC2に流れ、第2コンデンサC2が
時刻t3から充電をしはじめる。そして時刻t3
から前記測光時間W1だけ達した時刻t4におい
て、第2コンデンサC2の電圧が比較回路12の
非反転入力端子に与えられる基準電圧以上になる
と、比較回路12はトランジスタQ9のベースに
ローレベルの信号を導出する。これによつてトラ
ンジスタQ9は遮断して、これによつて励磁コイ
ル15が消磁されて、プランジヤ15aが駆動さ
れてシヤツタ駆動機構16を介してシヤツタ17
が閉じられる。こうして前記測光時間W1だけシ
ヤツタ17が開状態となり、これによつて被写体
を逆光や空が撮影画面を大部分を占める条件であ
つても被写体を適切な露光量で撮影することが可
能となる。
つぎにフオトダイオード1に与えられる入射光
度が小さい場合を想定する。このとき第2図1の
参照符m2で示されるように第1コンデンサC1
の充電が遅く、したがつて第1コンデンサC1の
値が比較回路3の基準電圧に達する時間が大とな
る。そのため第1コンデンサC1の値が基準電圧
に達する前に第2コンデンサC2の値がトランジ
スタQ3のコレクタ飽和に達してしまい、第2図
3で示されるように時刻t2aで飽和が検出され
る。このコンデンサC2の値がトランジスタQ3
の飽和に達する時刻t2aではトランジスタQ3
のベース電流が急激に増加する。したがつてトラ
ンジスタQ8のコレクタ電流が増加し、トランジ
スタQ6のコレクタ電流を越えると、トランジス
タQ10は導通状態となる。これによつてトラン
ジスタQ11は導通状態となり、したがつてラツ
チ回路5が作動してトランジスタQ2のベースに
測光信号としてのハイレベルの信号を導出し、ト
ランジスタQ2が導通してトランジスタQ3は遮
断される。そのため第2コンデンサC2の放電が
停止する。こうして測光が終了する。その後ラツ
チ回路5の働きによつて第2コンデンサC2の電
圧は一定値に維持される。このような状態で時刻
t3において操作者がシヤツタボタン30をB2
の位置からB3の位置まで押圧操作すると、シヤ
ツタ駆動機構16を介してシヤツタ17が開かれ
る。この時刻t3においては前述と同様にスイツ
チSW3がOFFとなり、第2コンデンサC2が充
電をしはじめる。そして時刻t3から測光時間W
2だけ達した時刻t4aに達すると、比較回路1
2の反転入力端子の電圧が非反射入力端子に与え
られる基準電圧以上に達し、そのためトランジス
タQ9は遮断してプランジヤ15aは駆動され、
シヤツタ駆動機構16を介してシヤツタ17が閉
じられる。
度が小さい場合を想定する。このとき第2図1の
参照符m2で示されるように第1コンデンサC1
の充電が遅く、したがつて第1コンデンサC1の
値が比較回路3の基準電圧に達する時間が大とな
る。そのため第1コンデンサC1の値が基準電圧
に達する前に第2コンデンサC2の値がトランジ
スタQ3のコレクタ飽和に達してしまい、第2図
3で示されるように時刻t2aで飽和が検出され
る。このコンデンサC2の値がトランジスタQ3
の飽和に達する時刻t2aではトランジスタQ3
のベース電流が急激に増加する。したがつてトラ
ンジスタQ8のコレクタ電流が増加し、トランジ
スタQ6のコレクタ電流を越えると、トランジス
タQ10は導通状態となる。これによつてトラン
ジスタQ11は導通状態となり、したがつてラツ
チ回路5が作動してトランジスタQ2のベースに
測光信号としてのハイレベルの信号を導出し、ト
ランジスタQ2が導通してトランジスタQ3は遮
断される。そのため第2コンデンサC2の放電が
停止する。こうして測光が終了する。その後ラツ
チ回路5の働きによつて第2コンデンサC2の電
圧は一定値に維持される。このような状態で時刻
t3において操作者がシヤツタボタン30をB2
の位置からB3の位置まで押圧操作すると、シヤ
ツタ駆動機構16を介してシヤツタ17が開かれ
る。この時刻t3においては前述と同様にスイツ
チSW3がOFFとなり、第2コンデンサC2が充
電をしはじめる。そして時刻t3から測光時間W
2だけ達した時刻t4aに達すると、比較回路1
2の反転入力端子の電圧が非反射入力端子に与え
られる基準電圧以上に達し、そのためトランジス
タQ9は遮断してプランジヤ15aは駆動され、
シヤツタ駆動機構16を介してシヤツタ17が閉
じられる。
前述のカレントミラー回路は、さらにトランジ
スタQ6,Q8を備えている。被写体が低輝度で
あるときには、前述のようにコンデンサC1の充
電電圧の上昇は遅く、そのコンデンサC1の電圧
が、ラインl2の基準電圧まで達するよりも先
に、コンデンサC2の電圧が、放電によつて低下
して、トランジスタQ3のコレクタが飽和する電
圧にまで到達する。このとき、トランジスタQ4
のコレクタ電流が、トランジスタQ5のコレクタ
電流に等しくなるように、トランジスタQ8によ
つて帰還をかけているので、トランジスタQ3の
コレクタが飽和すると、そのベース電流は増加
し、このベース電流はトランジスタQ8によつて
供給されるので、トランジスタQ8のコレクタ電
流は増加する。トランジスタQ8のコレクタ電流
とトランジスタQ6のコレクタ電流の差は、
PNPトランジスタQ10に流れ込む。トランジ
スタQ6のコレクタ電流は、トランジスタQ5の
コレクタ電流よりも小さい或る値に設定してお
く。こうしてトランジスタQ8,Q6のコレクタ
電流の差が小さくなることによつて、トランジス
タQ10が導通されて、ラツチ回路5が作動さ
れ、前述のように測光が停止される。
スタQ6,Q8を備えている。被写体が低輝度で
あるときには、前述のようにコンデンサC1の充
電電圧の上昇は遅く、そのコンデンサC1の電圧
が、ラインl2の基準電圧まで達するよりも先
に、コンデンサC2の電圧が、放電によつて低下
して、トランジスタQ3のコレクタが飽和する電
圧にまで到達する。このとき、トランジスタQ4
のコレクタ電流が、トランジスタQ5のコレクタ
電流に等しくなるように、トランジスタQ8によ
つて帰還をかけているので、トランジスタQ3の
コレクタが飽和すると、そのベース電流は増加
し、このベース電流はトランジスタQ8によつて
供給されるので、トランジスタQ8のコレクタ電
流は増加する。トランジスタQ8のコレクタ電流
とトランジスタQ6のコレクタ電流の差は、
PNPトランジスタQ10に流れ込む。トランジ
スタQ6のコレクタ電流は、トランジスタQ5の
コレクタ電流よりも小さい或る値に設定してお
く。こうしてトランジスタQ8,Q6のコレクタ
電流の差が小さくなることによつて、トランジス
タQ10が導通されて、ラツチ回路5が作動さ
れ、前述のように測光が停止される。
こうして入射光度が小さい場合には第1コンデ
ンサC1が予め定めた値に達する前にトランジス
タQ3の飽和を検出して、この飽和を検出したと
きには測光を終了するようにしたので被写体が低
輝度であつても最適な露光時間で露光することが
可能となり、従来のような必要な露光時間をかけ
る必要がなく、操作性が向上される。またトラン
ジスタQ3の飽和を検出して測光を停止するよう
にしたので従来のように比較回路によつてあるレ
ベルにさがつたことを検出するという回路を使用
する場合に比較して、回路構成が簡略化される。
ンサC1が予め定めた値に達する前にトランジス
タQ3の飽和を検出して、この飽和を検出したと
きには測光を終了するようにしたので被写体が低
輝度であつても最適な露光時間で露光することが
可能となり、従来のような必要な露光時間をかけ
る必要がなく、操作性が向上される。またトラン
ジスタQ3の飽和を検出して測光を停止するよう
にしたので従来のように比較回路によつてあるレ
ベルにさがつたことを検出するという回路を使用
する場合に比較して、回路構成が簡略化される。
発明の効果
以上のように本発明によれば、被写体が低輝度
である場合でも露光時間が長くなることなく、低
輝度である場合の露光時間の測定をトランジスタ
の飽和を検出して、露光設定時間を設定するよう
にしたので従来よりも回路構成が簡略化される。
また従来のように比較回路のオフセツトの誤差な
どの発生を可及的に防止することが可能となる。
である場合でも露光時間が長くなることなく、低
輝度である場合の露光時間の測定をトランジスタ
の飽和を検出して、露光設定時間を設定するよう
にしたので従来よりも回路構成が簡略化される。
また従来のように比較回路のオフセツトの誤差な
どの発生を可及的に防止することが可能となる。
第1図は本発明の一実施例の電気回路図、第2
図はその動作を説明するためのタイミングチヤー
トである。 1……フオトダイオード、3,12……比較回
路、5……ラツチ回路、16……シヤツタ駆動機
構、17……シヤツタ、30……シヤツタボタ
ン、C1,C2……コンデンサ、Q1〜Q14…
…トランジスタ、SW1〜SW3……スイツチ。
図はその動作を説明するためのタイミングチヤー
トである。 1……フオトダイオード、3,12……比較回
路、5……ラツチ回路、16……シヤツタ駆動機
構、17……シヤツタ、30……シヤツタボタ
ン、C1,C2……コンデンサ、Q1〜Q14…
…トランジスタ、SW1〜SW3……スイツチ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 (a) 第1,第2および第3の各位置B1,B
2,B3に押圧操作されるシヤツタボタン30
と、 (b) 被写体に臨む受光素子1と、 (c) 受光素子1からの出力に応答して充電される
第1コンデンサC1と、 (d) 第1コンデンサC1に並列に接続され、シヤ
ツタボタン30が第1位置B1にあるとき導通
し、第2位置B2にあるとき遮断するスイツチ
SW1と、 (e) 第1コンデンサC1の出力電圧を予め定めた
第1弁別レベルでレベル弁別する第1レベル弁
別手段3と、 (f) 第2コンデンサC2と、 (g) 第2コンデンサC2を、シヤツタボタン30
が第1位置B1にあるとき予め定める電圧にま
で充電しておき、第2および第3位置B2,B
3にあるとき充電を解除する手段SW2と、 (h) カレントミラー回路であつて、 (h1) ベースが共通接続される一対の第1
および第2トランジスタQ3,Q4と、 (h2) それらの第1および第2トランジス
タQ3,Q4のコレクタに一定電流をそれぞ
れ供給する第1および第2定電流源Q5,Q
7とを含み、 (h3) 第1トランジスタQ3は、第2コン
デンサC2に並列に接続されており、さらに (h4) 第3定電流源Q6と、 (h5) 第3定電流源Q6と、第1および第
2トランジスタQ3,Q4のベースとの間に
介在され、第2定電流源Q5と第2トランジ
スタQ4との接続点に、ベースが接続され、
第2トランジスタQ4のコレクタ電流が第2
定電流源Q5の電流に等しくなるように制御
する第3トランジスタQ8とを含むカレント
ミラー回路と、 (i) 第3定電流源Q6および第3トランジスタQ
8の接続点20に接続され、第3定電流源Q6
から第3トランジスタQ8に流れる電流の差が
小さくなつたことを検出する検出手段Q10
と、 (j) 第1レベル弁別手段3と検出手段Q10との
各出力とに応答し、第1コンデンサC1の充電
電圧が第1弁別レベルを超え、または検出手段
Q10によつて第3定電流源Q6から第3トラ
ンジスタQ8に流れる電流の差が小さくなつた
ことが検出されたとき、カレントミラー回路に
よる第2コンデンサC2の放電を停止させる手
段5、Q2と、 (k) シヤツタボタン30が第2位置B2から第3
位置B3に押圧操作されることによつて、第2
コンデンサC2を第1定電流源Q7の電流によ
つて充電させる手段SW3と、 (l) シヤツタボタン30が第2位置B2から第3
位置B3に押圧操作されることによつて開き、
電気信号に応答して閉じるシヤツタ手段15,
16,17と、 (m) 第2コンデンサC2の出力電圧を、充電され
ていた前記予め定める電圧である第2弁別レベ
ルでレベル弁別し、第2コンデンサC2の出力
電圧が前記第1弁別レベルに達したとき、シヤ
ツタ手段15,16,17に前記電気信号が与
える第2レベル弁別手段12とを含むことを特
徴とする電子シヤツタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3334985A JPS61193134A (ja) | 1985-02-21 | 1985-02-21 | 電子シャッタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3334985A JPS61193134A (ja) | 1985-02-21 | 1985-02-21 | 電子シャッタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61193134A JPS61193134A (ja) | 1986-08-27 |
| JPH0576617B2 true JPH0576617B2 (ja) | 1993-10-25 |
Family
ID=12384095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3334985A Granted JPS61193134A (ja) | 1985-02-21 | 1985-02-21 | 電子シャッタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61193134A (ja) |
-
1985
- 1985-02-21 JP JP3334985A patent/JPS61193134A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61193134A (ja) | 1986-08-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| USRE31446E (en) | Manual or automatic camera and electronic flash for use therewith | |
| US3896460A (en) | Electric shutter for programmed exposure control | |
| US4196993A (en) | Still-camera film transport system with end-of-film motor deenergization | |
| US4249809A (en) | Automatic control circuit system for cameras provided with a focal-plane shutter having front and rear screens | |
| US4037236A (en) | Switching circuit for electric shutter | |
| US4311371A (en) | Exposure control system for camera | |
| US4200370A (en) | Camera for daylight and flash photography | |
| JPH0576617B2 (ja) | ||
| US4274722A (en) | Automatic flash light control device for camera | |
| JPH0136089B2 (ja) | ||
| US4187017A (en) | Motor drive device in a camera | |
| US3949412A (en) | Camera with an exposure indicating and control device | |
| US4460262A (en) | Automatic exposure control circuit for TTL automatic electronic flash | |
| US4035813A (en) | Exposure control system for selectively determining exposure interval | |
| US4183635A (en) | Motion-picture camera with long-term exposure | |
| US4239358A (en) | Alarm device control system in a camera | |
| JPH035567B2 (ja) | ||
| JPS6344817Y2 (ja) | ||
| JPH0132030Y2 (ja) | ||
| JPS6032659Y2 (ja) | シヤツタ−秒時制限装置 | |
| US4615601A (en) | Exposure control apparatus of a camera | |
| JPH0373192B2 (ja) | ||
| JPS6243168B2 (ja) | ||
| JPH0576616B2 (ja) | ||
| JPS6020728B2 (ja) | モ−タドライブ装置を有するカメラのためのデ−タ写し込み装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |