JPH0576747A - ダイヤモンド単結晶の合成方法 - Google Patents

ダイヤモンド単結晶の合成方法

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JPH0576747A
JPH0576747A JP3243135A JP24313591A JPH0576747A JP H0576747 A JPH0576747 A JP H0576747A JP 3243135 A JP3243135 A JP 3243135A JP 24313591 A JP24313591 A JP 24313591A JP H0576747 A JPH0576747 A JP H0576747A
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JP
Japan
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diamond
crystal
solvent metal
nitrogen
seed crystal
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JP3243135A
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Hitoshi Sumiya
均 角谷
Yasushi Goda
靖 郷田
Shuichi Sato
周一 佐藤
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Priority to DE69215021T priority patent/DE69215021T2/de
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/25Diamond

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 装飾用途や光学部品などに用いることができ
る無色で透明なダイヤモンド単結晶の新規な合成方法を
提供する。 【構成】 温度差法によるダイヤモンド結晶合成の際に
窒素ゲッターを添加して合成する方法において、溶媒金
属と種結晶の間の溶媒金属側に窒素ゲッターとしてT
i、ZrもしくはHfから選ばれる一種もしくは二種以
上の金属を配置し、且つ種結晶側にAlを配置して該窒
素ゲッターと種結晶が接しないようにした状態でダイヤ
モンドの合成を開始することを特徴とする。これによ
り、無色透明でインクルージョンの殆どない良質なIIa
型ダイヤモンド結晶を安価に且つ安定に合成できるの
で、装飾用途や光学部品に供し得る合成ダイヤモンドの
有利な製法である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は装飾用途や光学部品など
に用いられる無色で透明なダイヤモンド単結晶の合成方
法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】現在市販されている装飾用ダイヤモンド
は、主に南アフリカ、ソビエト連邦より産出されるもの
の中から、無色透明で内部欠陥の少ないものを選別して
用いられている。天然装飾用ダイヤモンドは宝石の中で
も最も販売量が多い。また、ダイヤモンドを用いた光学
部品として、レーザー窓やIRアンビルセルなどがある
が、いずれも天然原石の中から赤外領域に光の吸収のな
い透明なダイヤモンド(IIa型と呼ばれる)が選ばれて
用いられている。しかし、透明無色な原石の産出は極め
て少なく、安定供給や価格に問題がある。一方、人工合
成によるダイヤモンドは通常、超高圧高温下で合成する
際に溶媒中の窒素が結晶格子内に取り込まれるために黄
色く着色してしまうが、溶媒中に窒素ゲッターを添加す
ることで無色透明のダイヤモンドを得ることができる。
この窒素ゲッターとしては、例えば The Journal of Ph
ysicalChemistry, Vol.75, No.12 (1971) p1838 に示
されているように、Alがよく知られている。具体的に
は、米国特許第4034066号明細書には、Fe溶媒
にAlを3〜5重量%添加することにより宝石級の無色
透明なダイヤモンド単結晶が得られると記載されてい
る。Al以外の窒素ゲッターを用いた例として、例えば
無機材質研究所報告第39号第16〜19頁(1984
年)に、TiやZrを溶媒金属に添加することで結晶中
の窒素が除去されたという報告がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特に無色透明
の合成ダイヤモンドは合成コストが天然装飾ダイヤモン
ドよりはるかに高くなるため、工業生産は行われていな
い。この理由は、合成には高価で特殊な装置が必要であ
る上に、Alなどを窒素ゲッターとして添加した場合、
その添加量の増加に従って溶媒が結晶中に取り込まれ
(この現象を以下インクルージョンと呼ぶ)て、不良結
晶となることが多くなるため、良質な結晶とするために
は成長速度を大幅に下げる必要があるからである。特に
TiやZrを窒素ゲッターとして用いた場合は、合成途
中に溶媒中に生成したTiCやZrCなどのカーバイド
が結晶中に取り込まれるため、完全な結晶は得られなく
なる。
【0004】本発明者等が行った実験による結果では、
窒素ゲッターとしてAlを用い、溶媒金属に均一混合し
た場合、無色透明なダイヤモンド結晶を合成するために
は、その添加量は溶媒に対し少なくとも4重量%(約1
2体積%)必要であるが、この場合インクルージョンの
巻き込みなしに結晶成長させるためには、成長速度を1
mg/hr以下にする必要があった。この成長速度で
は、例えば1カラット(200mg)の結晶を合成する
には200時間以上の合成時間を要し、製造コストは膨
大なものとなる。また、Ti、Zrなど、Alより窒素
との反応性の高い物質を窒素ゲッターとして溶媒に均一
添加した場合、添加量は2体積%でも無色透明な結晶と
なるが、成長速度を大幅に低下させたとしてもTiCや
ZrCなどのカーバイドが結晶中に多く取り込まれ、良
質な結晶は殆ど得られない。本発明はかかる問題点を解
決し、無色透明でインクルージョンのほとんどない結晶
を、安価にしかも安定して合成できる方法を提供し、人
工合成ダイヤモンドの装飾用途又は光学部品用途への使
用を可能とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する手段
として、本発明は温度差法によるダイヤモンド結晶合成
において、炭素源に接して溶媒金属を配置し、該溶媒金
属とその下部に配置した種結晶との間の溶媒金属側に窒
素ゲッターとしてTi、ZrもしくはHfから選ばれる
一種もしくは二種以上の金属を配置し、且つ種結晶側に
Alを配置して該窒素ゲッターと種結晶が接しないよう
にした状態でダイヤモンドの合成を開始することを特徴
とするものである。本発明において前記溶媒金属として
は、Fe,Co ,Ni,Mn,Crの中から選ばれる
一種もしくは二種以上からなり、且つ0.1〜6.0重
量%の炭素を含むものが特に好ましい。また、本発明に
おける前記窒素ゲッターとして添加するTi,Zr又は
Hfから選ばれる一種もしくは二種以上の金属の添加量
は、溶媒金属に対して0.2〜5体積%であり、且つA
lの添加量は溶媒金属に対し0.1〜2体積%であるこ
とが特に好ましい。
【0006】窒素ゲッターを添加して、無色透明で且つ
インクルージョンのない結晶を速い成長速度で合成する
ために、本発明では以下の方法を用いた。すなわち、イ
ンクルージョンは窒素ゲッターの添加量とともに取り込
まれ易くなることから、窒素ゲッターの量をできるだけ
少なくすることが望ましい。このために、窒素との反応
性の高いTi,Zr,Hfを主たる窒素ゲッターとして
用い、またこれらを溶媒の種結晶付近にのみ添加(配
置)しておく。しかし、これらの主たる窒素ゲッターと
する金属は炭素と反応してカーバイドとなり易く、結晶
成長を阻害したり、インクルージョンが取り込まれる原
因となるため、カーバイドの成長を抑制する、もしくは
生成したカーバイドが結晶中に取り込まれる前に溶媒中
に拡散させる目的で、カーバイドを作らず、粘性の低い
Alを上記窒素ゲッターと種結晶の間に配置する。
【0007】図1は本発明の一具体例であって、結晶合
成用の試料室構成を示す概略図である。溶媒金属2と種
結晶5の間の溶媒側にTi,ZrもしくはHfからなる
主たる窒素ゲッターの板3を、一方種結晶5側にはAl
板4が配置される。該窒素ゲッター板3はTi,Zr,
Hfの中の1種でもよいし、2種以上の組み合わせ、例
えばTi板とZr板の積層でもよく、更にはTi−Zr
合金のような合金板でもよい。ここで溶媒金属2として
は、Fe,Co,Ni,Mn,Crの中から選ばれる一
種もしくは二種以上を用いるが、種結晶5の溶解防止の
ため0.1〜6.0重量%の炭素を予め添加しておく。
炭素添加量が0.1重量%以下もしくは炭素を含まない
溶媒金属を用いた場合には、種結晶上にPtなどの種結
晶溶解防止材を配置する必要があるため、本発明の構成
によるAlの効果が充分でなくなる。また、炭素添加量
が6重量%をこえると、自然核発生が起こりやすくな
り、種結晶以外の部所より結晶成長するため結晶同士が
干渉し、良質な結晶が得られなくなる。本発明におい
て、Alの添加量はできるだけ少ない方が望ましいが、
溶媒に対して0.1体積%以下では、種結晶上に窒素ゲ
ッターとして配置したTiなどの炭化物(カーバイド)
の層が形成され、結晶成長が阻害されたり、結晶中にこ
れらのカーバイドが多く残留するようになる。添加量が
2.0体積%をこえるとインクルージョンが多く取り込
まれるようになる。本発明における窒素ゲッターとして
のTi,Zr,Hfの添加量は、溶媒に対して0.2体
積%より少なくなると十分に窒素が除去されずに結晶が
黄色味を帯びてくる。また、5体積%を越えると結晶中
にインクルージョンが多くなる。本発明に用いる種結
晶、炭素源等はこの種の技術分野で公知のものを用いる
ことができる。また、温度差法による合成の条件等は適
宜選択することができる。具体的な例は後記する実施例
に挙げられる。
【0008】
【作用】本発明によるダイヤモンド合成方法によると、
窒素との反応性の高いTi,Zr,Hfを主たる窒素ゲ
ッターとして用い、また溶媒の種結晶付近にのみこれら
を添加(配置)しているため、窒素除去効率が高くな
り、添加量はかなり微量でも十分窒素が除去され、また
インクルージョンが混入しにくくなる。また、種結晶上
にAlを配置してTi,Zr,Hfと種結晶とが接しな
いようにしているため、TiCやZrCなどのカーバイ
ドが結晶中に残留するのを防止することができる。その
結果、無色透明でインクルージョンのないダイヤモンド
結晶を速い成長速度で合成することが可能となる。
【0009】
【実施例】
実施例1 図1に示す試料室構成で、炭素源1としてダイヤモンド
の粉末を、溶媒金属2としてはFe:Co:C=60:
40:4.5(重量比)の組成からなる合金で、直径2
0mm、厚み10mmの形状のものを用いた。溶媒金属
側の窒素ゲッター3としては、直径20mm、厚み0.
1mmのTi板を配置、種結晶側Al4としては直径2
0mm、厚み0.1mmのAl板を配置した。このとき
の溶媒に対するTi添加量は1体積%、Alの添加量は
1体積%となる。種結晶5には直径約500μmのダイ
ヤモンド結晶3個を用いた。該試料室を炭素源と種部に
約30℃の温度差がつくように加熱ヒーターにセットし
た。これを超高圧発生装置を用いて、圧力5.5GP
a、温度1300℃で70時間保持し、ダイヤモンドの
合成を行った。その結果、0.7〜0.9カラットの、
無色透明でインクルージョンの殆どない、良質なIIa型
のダイヤモンド結晶3個が得られた。ESRにより結晶
中の窒素濃度を測定すると、いずれも0.1ppm以下
であった。磁気天秤によりインクルージョン量を測定す
ると、いずれも0.3重量%以下であった。
【0010】実施例2〜5 TiおよびAlの厚みを表1に示すように変え、その他
の条件は実施例1と同様にして、ダイヤモンドを合成し
た。いずれも0.8カラット前後の良質なIIa型ダイヤ
モンド結晶が得られた。結晶中の窒素濃度およびインク
ルージョン量の測定結果を実施例1とあわせて表1に示
す。
【0011】
【表1】
【0012】ダイヤモンド結晶中の窒素量は0.2pp
m以下では殆ど無色透明で、装飾用途や光学部品等に用
いるには問題とならない。また、インクルージョン量
も、0.5重量%以下では種結晶付近すなわち結晶の下
部のごく一部に分布しているだけであり、少し研磨する
ことにより除去できるため、殆ど問題とならない程度で
ある。従って、実施例1〜5のいずれも装飾用途、光学
部品用途に適用可能な品質を有する。また、以上の各実
施例での成長速度は2〜2.5mg/hrであり、従来
技術で同様の結晶を合成するための限界成長速度の二倍
以上であった。
【0013】実施例6 Tiの代わりにZrを用いた他は実施例1と同様にし
て、ダイヤモンド結晶を合成した。その結果、実施例1
と殆ど同じ、良質なIIa型ダイヤモンド結晶が得られ
た。
【0014】実施例7 Tiの代わりにHfを用いた他は実施例1と同様にして
ダイヤモンド結晶を合成した。その結果実施例1と殆ど
同じ、良質なIIa型ダイヤモンド結晶が得られた。
【0015】実施例8 溶媒金属としてFe:Ni:Co:C=60:30:1
0:4.2(重量比)からなる合金を用いた他は実施例
1と同様にして、ダイヤモンド結晶を合成した。その結
果、実施例1と殆ど同じ、良質なIIa型ダイヤモンド結
晶が得られた。
【0016】実施例9 溶媒金属としてFe:Ni:Mn:C=60:30:1
0:4.0(重量比)からなる合金を用いた他は実施例
1と同様にして、ダイヤモンド結晶を合成した。その結
果、実施例1と殆ど同じ、良質なIIa型ダイヤモンド結
晶が得られた。
【0017】実施例10 溶媒金属としてFe:Ni:C=70:30:3.5
(重量比)からなる合金を用いた他は実施例1と同様に
して、ダイヤモンド結晶を合成した。その結果、実施例
1と殆ど同じ、良質なIIa型ダイヤモンド結晶が得られ
た。
【0018】実施例11 厚み0.1mmのTi板のかわりに、厚み0.05mm
のTi板と厚み0.05mmのZr板を重ねたものを用
いた他は実施例1と同様にして、ダイヤモンド結晶を合
成した。その結果、実施例1と殆ど同じ、良質なIIa型
ダイヤモンド結晶が得られた。
【0019】比較例1 Al板を配置せずに、その他の条件は実施例1と同様に
して、ダイヤモンド結晶の合成を試みた。その結果、ダ
イヤモンドは殆ど成長せず、種結晶表面にTiCの膜が
形成されていた。
【0020】比較例2 Ti板を配置せず、Al板の厚みを0.5mm(5体積
%)にし、その他の条件は実施例1と同様にして、ダイ
ヤモンド結晶の合成を試みた。その結果、0.8カラッ
ト前後の結晶が得られたが、薄く黄色味を帯びており、
しかもインクルージョンが多く含まれていた。窒素濃度
は2ppm、インクルージョン量は3重量%であった。
【0021】比較例3 Al板の厚みを0.5mm(添加量5体積%)とした他
は実施例1と同様にして、ダイヤモンド結晶の合成を試
みた。その結果、窒素含有量の少ない0.8カラット前
後の結晶が得られたが、インクルージョンが多く含まれ
ていた。窒素濃度は0.1ppm以下であったが、イン
クルージョン量は約3重量%であった。
【0022】比較例4 Ti板の厚みを1.0mm(添加量10体積%)とした
他は実施例と同様にして、ダイヤモンド結晶の合成を試
みた。その結果、窒素含有量の少ない0.8カラット前
後の結晶が得られたが、インクルージョンが多く含まれ
ていた。窒素濃度は0.1ppm以下であったが、イン
クルージョン量は約5重量%であった。
【0023】比較例5 溶媒にFe:Ni:Co=60:30:10(重量比)
の組成からなる合金を用い、炭素を添加しなかった他は
実施例1と同様にして、ダイヤモンド結晶の合成を試み
た。その結果、種結晶は溶媒中に完全に溶解して消失し
てしまい、ダイヤモンドの成長は認められなかった。
【0024】比較例6 溶媒にFe:Ni:Co=60:30:10(重量比)
の組成からなる合金を用いた他は実施例1と同様にし
て、ダイヤモンドを合成したが、その結果、種結晶以外
のところよりダイヤモンドが多数自然核発生し、このた
め結晶同士が干渉し、良質な結晶は殆ど得られなかっ
た。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
無色透明でインクルージョンのほとんどない結晶を、安
価に安定して合成できる。本発明による合成ダイヤモン
ドは装飾用途、光学部品用途などに利用することが可能
である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一具体例の試料室構成を示す概略説明
図である
【符号の説明】
1 炭素源 2 溶媒金属 3 窒素ゲッター 4 Al 5 種結晶

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 温度差法によるダイヤモンド結晶合成に
    おいて、炭素源に接して溶媒金属を配置し、該溶媒金属
    とその下部に配置した種結晶との間の溶媒金属側に窒素
    ゲッターとしてTi、ZrもしくはHfから選ばれる一
    種もしくは二種以上の金属を配置し、且つ種結晶側にA
    lを配置して該窒素ゲッターと種結晶が接しないように
    した状態でダイヤモンドの合成を開始することを特徴と
    するダイヤモンド単結晶の合成方法。
  2. 【請求項2】 前記溶媒金属は、Fe,Co ,Ni,
    Mn,Crの中から選ばれる一種もしくは二種以上から
    なり、且つ0.1〜6.0重量%の炭素を含むことを特
    徴とする請求項1記載のダイヤモンド単結晶の合成方
    法。
  3. 【請求項3】 前記窒素ゲッターとして添加するTi,
    Zr又はHfから選ばれる一種もしくは二種以上の金属
    の添加量は溶媒金属に対して0.2〜5体積%であり、
    且つAlの添加量は溶媒金属に対し0.1〜2体積%で
    あることを特徴とする請求項1又は2記載のダイヤモン
    ド単結晶の合成方法。
JP3243135A 1991-02-15 1991-09-24 ダイヤモンド単結晶の合成方法 Pending JPH0576747A (ja)

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US08/307,493 US6129900A (en) 1991-02-15 1992-02-14 Process for the synthesis of diamond
EP92905002A EP0525207B1 (en) 1991-02-15 1992-02-14 Process for synthesizing diamond
DE69215021T DE69215021T2 (de) 1991-02-15 1992-02-14 Diamantsyntheseverfahren
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8302740B2 (en) 2003-01-31 2012-11-06 Otis Elevator Company Integrated support for elevator machine, sheaves and terminations

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US8302740B2 (en) 2003-01-31 2012-11-06 Otis Elevator Company Integrated support for elevator machine, sheaves and terminations

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