JPH057687B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH057687B2 JPH057687B2 JP57046084A JP4608482A JPH057687B2 JP H057687 B2 JPH057687 B2 JP H057687B2 JP 57046084 A JP57046084 A JP 57046084A JP 4608482 A JP4608482 A JP 4608482A JP H057687 B2 JPH057687 B2 JP H057687B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- subject
- receiving surface
- type semiconductor
- transmission window
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B3/00—Focusing arrangements of general interest for cameras, projectors or printers
- G03B3/10—Power-operated focusing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、受光面に合焦検出用の透過窓を有
し、透過窓部の側部を蔽光部材又は該遮光部材と
同等の機能を有する部材を配設することにより、
暗電流成分を少くして合焦検出を精度よく行い得
る光センサに関するものである。
し、透過窓部の側部を蔽光部材又は該遮光部材と
同等の機能を有する部材を配設することにより、
暗電流成分を少くして合焦検出を精度よく行い得
る光センサに関するものである。
一般に、内視鏡，カメラ，テレビカメラ等の光
学観察装置及び光学撮影装置においては、被写体
を鮮明に撮影（観察も含めて用いている。）でき
るように、任意の被写体距離に対し、装置の撮影
用あるいは結像用光学系の結像位置がフイルム面
等の結像面に鮮明に結像している合焦状態にある
か否かを検出できる合焦検出手段が広く設けられ
ている。
学観察装置及び光学撮影装置においては、被写体
を鮮明に撮影（観察も含めて用いている。）でき
るように、任意の被写体距離に対し、装置の撮影
用あるいは結像用光学系の結像位置がフイルム面
等の結像面に鮮明に結像している合焦状態にある
か否かを検出できる合焦検出手段が広く設けられ
ている。
従来の合焦検出装置は、被写体が暗い場合ある
いは暗い撮影光学系を使用する場合においては、
一般に受光素子による検出出力が小さくなり、焦
点検出が殆んど不可能になる場合がある。
いは暗い撮影光学系を使用する場合においては、
一般に受光素子による検出出力が小さくなり、焦
点検出が殆んど不可能になる場合がある。
このため、特公昭49−19810号公報に開示され
ているように、一定形状のビームを被写体に向け
て照射する手段を設けたものがあるが、照射手段
を撮影レンズ系とは独立した光学系を使用してい
るため、一つの光路で撮影を行なわなければなら
ない内視鏡等には応用し難い。
ているように、一定形状のビームを被写体に向け
て照射する手段を設けたものがあるが、照射手段
を撮影レンズ系とは独立した光学系を使用してい
るため、一つの光路で撮影を行なわなければなら
ない内視鏡等には応用し難い。
又特開昭56−128923号公報に開示されているよ
うにスプリツトプリズムを使用する手段において
は、一定レベル以上の精度を必要とする場合に
は、前記受光素子を多数配設すると共に、それら
の出力信号を比較して合焦か否かを検出する回路
系が複雑となり、特に生産数の少ない製品におい
ては、高価となるという問題がある。
うにスプリツトプリズムを使用する手段において
は、一定レベル以上の精度を必要とする場合に
は、前記受光素子を多数配設すると共に、それら
の出力信号を比較して合焦か否かを検出する回路
系が複雑となり、特に生産数の少ない製品におい
ては、高価となるという問題がある。
さらに特開昭56−125713号公報に開示されてい
るように、光源を点滅して被写体に投光し、消灯
区間における出力信号を点灯区間における出力信
号から差し引くことにより、上記光源以外の外光
の影響を軽減し、被写体が暗い場合、及び暗い撮
影光学系の場合においても、合焦か否かを検出で
きる合焦検出装置があるが、構成が複雑となるた
め、この装置を設けた装置が高価になるという問
題がある。
るように、光源を点滅して被写体に投光し、消灯
区間における出力信号を点灯区間における出力信
号から差し引くことにより、上記光源以外の外光
の影響を軽減し、被写体が暗い場合、及び暗い撮
影光学系の場合においても、合焦か否かを検出で
きる合焦検出装置があるが、構成が複雑となるた
め、この装置を設けた装置が高価になるという問
題がある。
本発明は上述した点に鑑みてなされたもので、
任意の距離にある被写体からの光を撮影光学系を
経てフイルム面等の結像面と共役となる位置近傍
に配設される合焦検出用の光センサにおいて、被
写体側に投光される合焦検出用の開口部の側壁に
遮光部材を配設したり、開口部に嵌入される透明
部材の側部表面に遮光膜を形成したりすることに
より、投光用の光源の光が直接受光面に入射しな
いようにしたり、合焦状態における光が開口部側
部から受光面に漏れないようにして暗電流成分を
少くし、合焦検出を精度良く行い得る光センサを
提供することを目的とする。
任意の距離にある被写体からの光を撮影光学系を
経てフイルム面等の結像面と共役となる位置近傍
に配設される合焦検出用の光センサにおいて、被
写体側に投光される合焦検出用の開口部の側壁に
遮光部材を配設したり、開口部に嵌入される透明
部材の側部表面に遮光膜を形成したりすることに
より、投光用の光源の光が直接受光面に入射しな
いようにしたり、合焦状態における光が開口部側
部から受光面に漏れないようにして暗電流成分を
少くし、合焦検出を精度良く行い得る光センサを
提供することを目的とする。
以下図面を参照して本発明を具体的に説明す
る。
る。
第１図及び第２図は本発明の第１実施例に係
り、第１図は第１実施例を示し、第２図はレンズ
の位置に対して第１実施例の出力特性を示す特性
図である。
り、第１図は第１実施例を示し、第２図はレンズ
の位置に対して第１実施例の出力特性を示す特性
図である。
第１図において撮影用又は結像用のレンズ１は
被写体２を（図示しない）フイルム面等所定の結
像面に結像するよう構成されており、上記所定の
結像面と共役となる光軸３上の位置４には第１実
施例の光センサ５が配設されている。
被写体２を（図示しない）フイルム面等所定の結
像面に結像するよう構成されており、上記所定の
結像面と共役となる光軸３上の位置４には第１実
施例の光センサ５が配設されている。
上記光センサ５は前面がＰ形半導体６とされ、
円盤状のＰ形半導体６の裏面側及び側周を覆うよ
うにＮ形半導体７を接合してPN接合面に光が照
射されると、その照射された光量に応じて光電流
が流れる受光面が形成され（図示してないが、通
常PN接合面にはＰ形半導体６側が負となるよう
に抵抗を介して逆バイアスされ、該抵抗両端が出
力端とされたり、抵抗を流れる電流値を検出ある
いは増幅して出力電流とされたりする。）、さらに
Ｎ形半導体７の裏面は遮光を兼ねる金属等を用い
た基板８に接着剤等で取り付けられている。
円盤状のＰ形半導体６の裏面側及び側周を覆うよ
うにＮ形半導体７を接合してPN接合面に光が照
射されると、その照射された光量に応じて光電流
が流れる受光面が形成され（図示してないが、通
常PN接合面にはＰ形半導体６側が負となるよう
に抵抗を介して逆バイアスされ、該抵抗両端が出
力端とされたり、抵抗を流れる電流値を検出ある
いは増幅して出力電流とされたりする。）、さらに
Ｎ形半導体７の裏面は遮光を兼ねる金属等を用い
た基板８に接着剤等で取り付けられている。
上記PN接合面の中央を通り、その裏面側の基
板８を貫ぬく透孔９には、例えば0.1mm以下の薄
肉で遮光性のパイプ１０が嵌装され、該パイプ１
０には透明なガラス棒１１が嵌入されている。上
記パイプ１０によつて透孔９の側部側から光が受
光面に漏れるのが防止されている。
板８を貫ぬく透孔９には、例えば0.1mm以下の薄
肉で遮光性のパイプ１０が嵌装され、該パイプ１
０には透明なガラス棒１１が嵌入されている。上
記パイプ１０によつて透孔９の側部側から光が受
光面に漏れるのが防止されている。
上記パイプ１０は、透孔９側部にＰ形半導体６
及びＮ形半導体７が露呈する場合にはPN接合面
と短絡しない絶縁性部材で形成されたり、絶縁性
部材を外周面に塗布あるいはコーテイングした導
電性部材で形成される。一方、透孔９側部にＮ形
半導体７層（又はＰ形半導体６層）のみの場合に
は導電性部材を用いることができる（これは他の
実施例についても同様である。） このように構成された光センサ５は、合焦検出
に使用される場合上記ガラス棒１１の中心軸が光
軸３上に位置し、上記PN接合面の（光軸３上に
おける）位置が結像面と共役となる位置４となる
よう配設され、上記ガラス棒１１後方の光軸３上
に合焦検出用に被写体２側に投光される光源１２
が配設される。
及びＮ形半導体７が露呈する場合にはPN接合面
と短絡しない絶縁性部材で形成されたり、絶縁性
部材を外周面に塗布あるいはコーテイングした導
電性部材で形成される。一方、透孔９側部にＮ形
半導体７層（又はＰ形半導体６層）のみの場合に
は導電性部材を用いることができる（これは他の
実施例についても同様である。） このように構成された光センサ５は、合焦検出
に使用される場合上記ガラス棒１１の中心軸が光
軸３上に位置し、上記PN接合面の（光軸３上に
おける）位置が結像面と共役となる位置４となる
よう配設され、上記ガラス棒１１後方の光軸３上
に合焦検出用に被写体２側に投光される光源１２
が配設される。
上記第１実施例の動作は次のようになる。
光源１２の光は第１実施例の光センサ５の透孔
９に嵌装されたパイプ１０にさらに嵌装されたガ
ラス棒１１を通り、ガラス棒１１前面から撮影用
レンズ１を経て前方の被写体２側に投光される。
被写体２に投光された光は、その一部が該被写体
２で反射された再びレンズ１を経て光センサ５側
に戻る。この場合被写体２に対してレンズ１が合
焦状態又は合焦位置にあれば、上記の反射光の結
像位置は細い実線で示すように所定の結像面と共
役な位置４となるので、PN接合で形成された受
光面には光が届かず、光センサ５のＰ形半導体６
及びＮ型半導体７間には殆んど電流が流れず殆ん
ど零である。
９に嵌装されたパイプ１０にさらに嵌装されたガ
ラス棒１１を通り、ガラス棒１１前面から撮影用
レンズ１を経て前方の被写体２側に投光される。
被写体２に投光された光は、その一部が該被写体
２で反射された再びレンズ１を経て光センサ５側
に戻る。この場合被写体２に対してレンズ１が合
焦状態又は合焦位置にあれば、上記の反射光の結
像位置は細い実線で示すように所定の結像面と共
役な位置４となるので、PN接合で形成された受
光面には光が届かず、光センサ５のＰ形半導体６
及びＮ型半導体７間には殆んど電流が流れず殆ん
ど零である。
一方、上記被写体２に対し、例えばレンズ１が
符号１′で示すように合焦位置から前方にずれて
いる場合には、被写体２で反射された光は受光面
より前方の位置ですでに収束点となり、その後拡
開するので受光面に光が達することになる。従つ
て、光センサ５のＰ形半導体６層及びＮ形半導体
７間には上記受光面に入射された光量に応じた光
電流が流れることになる。
符号１′で示すように合焦位置から前方にずれて
いる場合には、被写体２で反射された光は受光面
より前方の位置ですでに収束点となり、その後拡
開するので受光面に光が達することになる。従つ
て、光センサ５のＰ形半導体６層及びＮ形半導体
７間には上記受光面に入射された光量に応じた光
電流が流れることになる。
上記とは逆にレンズ１が合焦位置から後方にず
れた場合には、集光する位置は受光面より後方位
置となるので、この場合にも受光面に光が届き、
その光量に応じた光電流が流れることになる。
れた場合には、集光する位置は受光面より後方位
置となるので、この場合にも受光面に光が届き、
その光量に応じた光電流が流れることになる。
従つて、第２図に示すように合焦位置X0の時、
光センサ５の出力端間は暗電流と呼ばれる最小
（極小）の光電流I0となり、この合焦状態からず
れると、例えば第１図のレンズ１′の位置X′にお
いてはその時の光電流I′で示すように受光面を照
らす光量に応じた（暗電流I0より大きい）光電流
が流れることになる。
光センサ５の出力端間は暗電流と呼ばれる最小
（極小）の光電流I0となり、この合焦状態からず
れると、例えば第１図のレンズ１′の位置X′にお
いてはその時の光電流I′で示すように受光面を照
らす光量に応じた（暗電流I0より大きい）光電流
が流れることになる。
上記第１実施例においては、投光される場合透
孔９の側部周面を覆うように遮光性のパイプ１０
が嵌装されているので、光源１２による光が被写
体２側に投光される以前に直接PN接合面に入射
されることは殆ど完全に防止されるので、上記パ
イプ１０が設けられてない場合に比べ大幅に改善
されて第２図に示すように暗電流I0の値は殆んど
零となる。従つて出力電流のレベルから合焦か否
かの検出が容易になる。
孔９の側部周面を覆うように遮光性のパイプ１０
が嵌装されているので、光源１２による光が被写
体２側に投光される以前に直接PN接合面に入射
されることは殆ど完全に防止されるので、上記パ
イプ１０が設けられてない場合に比べ大幅に改善
されて第２図に示すように暗電流I0の値は殆んど
零となる。従つて出力電流のレベルから合焦か否
かの検出が容易になる。
尚、上記第１実施例において、ガラス棒１１又
は透明な棒部材を設けない場合においても略同様
に機能することになる。又、Ｐ形半導体６とＮ形
半導体７とを入れかえて形成しても良い（この場
合には前記とは逆極性にバイアスする）。
は透明な棒部材を設けない場合においても略同様
に機能することになる。又、Ｐ形半導体６とＮ形
半導体７とを入れかえて形成しても良い（この場
合には前記とは逆極性にバイアスする）。
第３図は第２実施例を示す。
同図においては、光センサ２１は上記第１実施
例と同様に、Ｐ形半導体６と、該Ｐ形半導体６の
裏面及びその側周を覆うようにＮ形半導体７が接
合されて受光面が形成され、中央部には透孔９が
形成されている。
例と同様に、Ｐ形半導体６と、該Ｐ形半導体６の
裏面及びその側周を覆うようにＮ形半導体７が接
合されて受光面が形成され、中央部には透孔９が
形成されている。
この実施例においては上記Ｎ形半導体７の裏面
及び透孔９の側壁にはそれぞれ遮光性の金属を蒸
着した金属膜２２，２３がコーテイングして取り
付けてあり、光源１２の光が直接Ｎ形半導体７を
経て受光面に届くのを遮ぎつたり、透孔９側壁を
経て受光面に漏れるのを遮ぎるようにしてある。
上記金属膜２２，２３と同様に遮光する物質、例
えば塗料を塗布しても良い。この実施例において
は第１図に示す場合と異り、透孔９側周面にはＮ
形半導体７層のみが露呈している。
及び透孔９の側壁にはそれぞれ遮光性の金属を蒸
着した金属膜２２，２３がコーテイングして取り
付けてあり、光源１２の光が直接Ｎ形半導体７を
経て受光面に届くのを遮ぎつたり、透孔９側壁を
経て受光面に漏れるのを遮ぎるようにしてある。
上記金属膜２２，２３と同様に遮光する物質、例
えば塗料を塗布しても良い。この実施例において
は第１図に示す場合と異り、透孔９側周面にはＮ
形半導体７層のみが露呈している。
この第２実施例の動作は、上記第１実施例と略
同様である。
同様である。
第４図は第３実施例を示す。
同図において、第３実施例側の光センサ３１
は、第１図に示す第１実施例における透孔９に薄
肉のパイプ１０を嵌装しないで、ガラス棒１１の
側部の表面に金属蒸着膜３２をコーテイングした
ガラス棒（符号３３で示す。）を嵌装して形成し
てある（但し図示においては透孔９側周面にはＮ
形半導体７層が露呈するようにしてある）。
は、第１図に示す第１実施例における透孔９に薄
肉のパイプ１０を嵌装しないで、ガラス棒１１の
側部の表面に金属蒸着膜３２をコーテイングした
ガラス棒（符号３３で示す。）を嵌装して形成し
てある（但し図示においては透孔９側周面にはＮ
形半導体７層が露呈するようにしてある）。
この場合においても上記金属蒸着膜３２によつ
て直接光源１２の光が受光面に漏れないようにさ
れている。
て直接光源１２の光が受光面に漏れないようにさ
れている。
尚、上記第３実施例において、金属蒸着膜３２
を設けないで、ガラス棒１１を屈折率の大きい物
質を用いて形成し、その側部表面側を屈折率の小
さいクラツド層を形成することにより、光源１２
からガラス棒１１を経て被写体２側に投光される
際、ガラス棒１１側壁を経て受光面側に漏れない
ようにすることもできる。
を設けないで、ガラス棒１１を屈折率の大きい物
質を用いて形成し、その側部表面側を屈折率の小
さいクラツド層を形成することにより、光源１２
からガラス棒１１を経て被写体２側に投光される
際、ガラス棒１１側壁を経て受光面側に漏れない
ようにすることもできる。
上記第３実施例の機能は第１実施例と同様であ
る。
る。
尚、上述における各実施例において、受光面に
形成した透孔９を通り、被写体２側に投光される
際、パイプ１０、金属膜２３、金属蒸着膜３２、
クラツド層によつて、光源１２の光が直接受光面
側に漏れるのが防止されることになると共に、合
焦状態又はこれに充分近い状態で合焦とみなす必
要がある場合において、所定の結像面と共役な位
置４に収束された光がその位置４より後方に拡開
する場合、透孔９の側壁側から受光面に漏れるの
を防止する機能をも有するよう構成されている。
形成した透孔９を通り、被写体２側に投光される
際、パイプ１０、金属膜２３、金属蒸着膜３２、
クラツド層によつて、光源１２の光が直接受光面
側に漏れるのが防止されることになると共に、合
焦状態又はこれに充分近い状態で合焦とみなす必
要がある場合において、所定の結像面と共役な位
置４に収束された光がその位置４より後方に拡開
する場合、透孔９の側壁側から受光面に漏れるの
を防止する機能をも有するよう構成されている。
尚、上述における各実施例において、透孔９の
形状は円又は円状に限定されるものでなく、角形
その他の小孔とかスリツト状の開口部でも良い
し、該開口部を投光される光を通す透明部材で覆
つた透過窓でも良い。
形状は円又は円状に限定されるものでなく、角形
その他の小孔とかスリツト状の開口部でも良い
し、該開口部を投光される光を通す透明部材で覆
つた透過窓でも良い。
上記合焦検出に使用される光源１２はランプ、
LED等可視領域の光を用いても良いし、赤外領
域の光等を用いても良い。
LED等可視領域の光を用いても良いし、赤外領
域の光等を用いても良い。
一方、被写体２が明るい場合において、光源１
２ら投光せず、周囲の外光によつて被写体２側か
ら入射される光によつて合焦か否かを検出する場
合においても、透孔９等の透過窓部の側部を遮光
部材で覆うようにしてあるので、合焦の時その光
が透過窓部の側部から受光面に漏れるのを防止し
て、暗電流を少くしてあるので本発明は投光する
場合はもとより、投光しない場合においても合焦
検出を精度よく行う際有効に機能することにな
る。
２ら投光せず、周囲の外光によつて被写体２側か
ら入射される光によつて合焦か否かを検出する場
合においても、透孔９等の透過窓部の側部を遮光
部材で覆うようにしてあるので、合焦の時その光
が透過窓部の側部から受光面に漏れるのを防止し
て、暗電流を少くしてあるので本発明は投光する
場合はもとより、投光しない場合においても合焦
検出を精度よく行う際有効に機能することにな
る。
尚、上述の各実施例における受光面は、PN接
合面によつて形成してあるが、PN接合面にさら
に半導体部を形成して増幅作用を有するフオトト
ランジスタ構造とすることもできるし、CdS，
CdSe等光によつて抵抗値が異なるものでも良い。
合面によつて形成してあるが、PN接合面にさら
に半導体部を形成して増幅作用を有するフオトト
ランジスタ構造とすることもできるし、CdS，
CdSe等光によつて抵抗値が異なるものでも良い。
以上述べたように本発明においては合焦検出の
ため透過窓を経て被写体側に投光される光が、透
過窓を通過する際、透過窓側壁から受光面側に漏
れないようにパイプ、金属膜、金属蒸着膜等の遮
光部材とか該遮光部材と同等の機能を有するクラ
ツド層等が形成してあるので、暗電流を少くする
ことができ、合焦検出を精度よく行い得ることが
できる。
ため透過窓を経て被写体側に投光される光が、透
過窓を通過する際、透過窓側壁から受光面側に漏
れないようにパイプ、金属膜、金属蒸着膜等の遮
光部材とか該遮光部材と同等の機能を有するクラ
ツド層等が形成してあるので、暗電流を少くする
ことができ、合焦検出を精度よく行い得ることが
できる。
第１図及び第２図は本発明の第１実施例に係
り、第１図は第１実施例を示す説明図、第２図は
第１実施例におけるレンズ１の位置に対する出力
特性を示す特性図、第３図は第２実施例を示す説
明図、第４図は第３実施例を示す説明図である。 １……レンズ、２……被写体、３……光軸、
５，２１，３１……光センサ、６，７……半導
体、８……遮光板、９……透孔、１０……パイ
プ、１１，３３……ガラス棒、１２……光源、２
２，２３……金属膜、３２……金属蒸着膜。
り、第１図は第１実施例を示す説明図、第２図は
第１実施例におけるレンズ１の位置に対する出力
特性を示す特性図、第３図は第２実施例を示す説
明図、第４図は第３実施例を示す説明図である。 １……レンズ、２……被写体、３……光軸、
５，２１，３１……光センサ、６，７……半導
体、８……遮光板、９……透孔、１０……パイ
プ、１１，３３……ガラス棒、１２……光源、２
２，２３……金属膜、３２……金属蒸着膜。
Claims (1)
- １ 撮影用又は結像用レンズによつて、被写体の
光学像が所定の結像面に鮮明に結像されるか否か
を、受光面に設けた透過窓部の後方に配置した光
源からの光を前記透過窓部を通して被写体側に投
光し、前記被写体側から前記透過窓部を設けた受
光面に達する光量によつて検出する場合に用いら
れる光センサにおいて、暗電流を軽減するべく前
記透過窓部の側部に蔽光部材、又は透過窓部内に
嵌装される透明部材の側部表面側に蔽光手段を設
けたことを特徴とする光センサ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4608482A JPS58162832A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 光センサ |
| US06/475,292 US4556787A (en) | 1982-03-23 | 1983-03-14 | Photosensor for optical observing or photographing devices |
| DE8383301507T DE3361379D1 (en) | 1982-03-23 | 1983-03-18 | Focus state detecting device |
| AT83301507T ATE16858T1 (de) | 1982-03-23 | 1983-03-18 | Einrichtung zur scharfstellung. |
| EP83301507A EP0089822B1 (en) | 1982-03-23 | 1983-03-18 | Focus state detecting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4608482A JPS58162832A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 光センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58162832A JPS58162832A (ja) | 1983-09-27 |
| JPH057687B2 true JPH057687B2 (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=12737116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4608482A Granted JPS58162832A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 光センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58162832A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0782839A (ja) * | 1993-07-17 | 1995-03-28 | Takubo Kogyosho:Kk | 管 柱 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS472144U (ja) * | 1971-01-23 | 1972-08-24 | ||
| JPS50147342A (ja) * | 1974-05-15 | 1975-11-26 | ||
| JPS5286345A (en) * | 1976-01-13 | 1977-07-18 | Yamakawa Denshi Kk | Projector and light receiver |
| JPS5848851B2 (ja) * | 1976-02-10 | 1983-10-31 | モンサント・カンパニ− | 有機蒸気検出装置および方法 |
| JPS542104A (en) * | 1977-06-07 | 1979-01-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Face run-out detector of rotating bodies |
-
1982
- 1982-03-23 JP JP4608482A patent/JPS58162832A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58162832A (ja) | 1983-09-27 |
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