JPH0577087A - 半田極細線およびその製造方法 - Google Patents
半田極細線およびその製造方法Info
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- JPH0577087A JPH0577087A JP3159127A JP15912791A JPH0577087A JP H0577087 A JPH0577087 A JP H0577087A JP 3159127 A JP3159127 A JP 3159127A JP 15912791 A JP15912791 A JP 15912791A JP H0577087 A JPH0577087 A JP H0577087A
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- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 線径が０．１ｍｍ以下であり線径のばらつき
が小さくかつソフトエラーを生じる確率が小さい半田極
細線を製造する。 【構成】 Ｐｂ，Ｉｎ，Ｓｎのいずれかを主成分とし酸
素濃度が２０ppm以下で放射性α粒子のカウント数が
０．５CPH/cm2以下の半田材料に、温度１０℃以下の条
件で伸線加工を施して半田極細線を製造した。 【効果】 テンション切れやボイドを生じる確率が小さ
く、また長尺にわたって製造することが可能である。ま
た、メモリー素子等の接続材料に用いても、ソフトエラ
ーを生じる確率が小さい。
が小さくかつソフトエラーを生じる確率が小さい半田極
細線を製造する。 【構成】 Ｐｂ，Ｉｎ，Ｓｎのいずれかを主成分とし酸
素濃度が２０ppm以下で放射性α粒子のカウント数が
０．５CPH/cm2以下の半田材料に、温度１０℃以下の条
件で伸線加工を施して半田極細線を製造した。 【効果】 テンション切れやボイドを生じる確率が小さ
く、また長尺にわたって製造することが可能である。ま
た、メモリー素子等の接続材料に用いても、ソフトエラ
ーを生じる確率が小さい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＨＩＣ（ハイブリッド
ＩＣ）、ＴＡＢ（テープ・オートメイテッド・ボンディ
ング）、フリップチップ等におけるバンプ形成や、超電
導用ＩＣ、センサ等における配線材として好適に用いら
れる半田極細線およびその製造方法に関する。
ＩＣ）、ＴＡＢ（テープ・オートメイテッド・ボンディ
ング）、フリップチップ等におけるバンプ形成や、超電
導用ＩＣ、センサ等における配線材として好適に用いら
れる半田極細線およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体装置等の接続用半田材
料として、Ｐｂ，Ｉｎ，Ｓｎや、これらのいずれかを主
成分とした材料が用いられている。
料として、Ｐｂ，Ｉｎ，Ｓｎや、これらのいずれかを主
成分とした材料が用いられている。
【０００３】このような半田材料は、一般に室温で伸線
加工が施されて直径が０．１ｍｍ程度のワイヤにされ、
そのまま配線材として使用されたり、このワイヤの先端
部に線径の２〜３倍の径を有するボールを形成して、バ
ンプ形成用ボールとされる。
加工が施されて直径が０．１ｍｍ程度のワイヤにされ、
そのまま配線材として使用されたり、このワイヤの先端
部に線径の２〜３倍の径を有するボールを形成して、バ
ンプ形成用ボールとされる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】さらに、近年、電子機
器の小型化に伴い、用いられる半田線の細線化が要望さ
れており、線径が３０μｍ〜１００μｍ程度のものが望
まれている。しかしながら、前述したようなＰｂ，Ｉ
ｎ，Ｓｎや、これらのいずれかを主成分とした材料では
材料自体の強度が不足しているために、伸線加工により
線径が０．１ｍｍ以下の半田線を製造しようとすると、
テンション切れが多発してしまうという問題点があっ
た。このため、このような材料を急冷凝固して細線化し
ようとする試みも行われている。しかしこの急冷凝固法
により製造された半田線では、線径の変動が大きいもの
となってしまい、また長尺化するために大掛かりな装置
が必要になってしまう。
器の小型化に伴い、用いられる半田線の細線化が要望さ
れており、線径が３０μｍ〜１００μｍ程度のものが望
まれている。しかしながら、前述したようなＰｂ，Ｉ
ｎ，Ｓｎや、これらのいずれかを主成分とした材料では
材料自体の強度が不足しているために、伸線加工により
線径が０．１ｍｍ以下の半田線を製造しようとすると、
テンション切れが多発してしまうという問題点があっ
た。このため、このような材料を急冷凝固して細線化し
ようとする試みも行われている。しかしこの急冷凝固法
により製造された半田線では、線径の変動が大きいもの
となってしまい、また長尺化するために大掛かりな装置
が必要になってしまう。
【０００５】また、一方、Ｐｂ等の半田材料には、不可
避不純物としてＵ，Ｔｈ等の放射性同位元素が含まれて
いるため、この半田材料を半導体チップ周辺の接続材料
として使用した際に、上記Ｕ，Ｔｈ等のα放射によりメ
モリー素子等のソフトエラーを引き起こす場合があっ
た。
避不純物としてＵ，Ｔｈ等の放射性同位元素が含まれて
いるため、この半田材料を半導体チップ周辺の接続材料
として使用した際に、上記Ｕ，Ｔｈ等のα放射によりメ
モリー素子等のソフトエラーを引き起こす場合があっ
た。
【０００６】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、線径が０．１ｍｍ以下であり線径のばらつきが小さ
くかつソフトエラーを生じる確率が小さい半田極細線お
よびその製造方法を提供することを目的とする。
で、線径が０．１ｍｍ以下であり線径のばらつきが小さ
くかつソフトエラーを生じる確率が小さい半田極細線お
よびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半田極細
線では、Ｐｂ，Ｉｎ，Ｓｎのいずれかを主成分とし、表
面酸化皮膜の酸素を含む酸素濃度を１００ppm以下、線
径を１０〜１００μｍにすることを課題解決の手段とし
た。
線では、Ｐｂ，Ｉｎ，Ｓｎのいずれかを主成分とし、表
面酸化皮膜の酸素を含む酸素濃度を１００ppm以下、線
径を１０〜１００μｍにすることを課題解決の手段とし
た。
【０００８】請求項２記載の半田極細線では、Ｐｂ，Ｉ
ｎ，Ｓｎのいずれかを主成分とし、表面酸化皮膜の酸素
を含む酸素濃度を１００ppm以下、放射性α粒子のカウ
ント数を０．５CPH/cm2以下、線径を１０〜１００μｍ
にすることを課題解決の手段とした。
ｎ，Ｓｎのいずれかを主成分とし、表面酸化皮膜の酸素
を含む酸素濃度を１００ppm以下、放射性α粒子のカウ
ント数を０．５CPH/cm2以下、線径を１０〜１００μｍ
にすることを課題解決の手段とした。
【０００９】請求項３記載の半田極細線では、請求項１
または２記載の半田極細線の表面に、１０Å〜１００Å
径の界面活性剤をコーティングすることを課題解決の手
段とした。
または２記載の半田極細線の表面に、１０Å〜１００Å
径の界面活性剤をコーティングすることを課題解決の手
段とした。
【００１０】請求項４記載の半田極細線の製造方法で
は、Ｐｂ，Ｉｎ，Ｓｎのいずれかを主成分とし酸素濃度
が２０ppm以下の半田材料に、１０℃以下の温度条件で
伸線加工を施して半田極細線を製造することを課題解決
の手段とした。
は、Ｐｂ，Ｉｎ，Ｓｎのいずれかを主成分とし酸素濃度
が２０ppm以下の半田材料に、１０℃以下の温度条件で
伸線加工を施して半田極細線を製造することを課題解決
の手段とした。
【００１１】請求項５記載の半田極細線の製造方法で
は、Ｐｂ，Ｉｎ，Ｓｎのいずれかを主成分とし酸素濃度
が２０ppm以下で放射性α粒子のカウント数が０．５CPH
/cm2以下の半田材料に、温度１０℃以下の条件で伸線加
工を施して半田極細線を製造することを課題解決の手段
とした。
は、Ｐｂ，Ｉｎ，Ｓｎのいずれかを主成分とし酸素濃度
が２０ppm以下で放射性α粒子のカウント数が０．５CPH
/cm2以下の半田材料に、温度１０℃以下の条件で伸線加
工を施して半田極細線を製造することを課題解決の手段
とした。
【００１２】請求項６記載の半田極細線の製造方法で
は、請求項４または５記載の半田極細線の製造方法より
得られた半田極細線の表面に、１０Å〜１００Å径の界
面活性剤をコーティングすることを課題解決の手段とし
た。
は、請求項４または５記載の半田極細線の製造方法より
得られた半田極細線の表面に、１０Å〜１００Å径の界
面活性剤をコーティングすることを課題解決の手段とし
た。
【００１３】請求項１記載の半田極細線において、表面
酸化皮膜の酸素を含む酸素濃度を１００ppm以下に規定
したのは、酸素濃度が１００ppmを越えると、細線内に
ボイドや酸化物が発生し易くなるため、伸線可能な長さ
が大幅に低下してしまうと共に線径を１００μｍ以下に
出来なくなるためである。
酸化皮膜の酸素を含む酸素濃度を１００ppm以下に規定
したのは、酸素濃度が１００ppmを越えると、細線内に
ボイドや酸化物が発生し易くなるため、伸線可能な長さ
が大幅に低下してしまうと共に線径を１００μｍ以下に
出来なくなるためである。
【００１４】請求項２記載の半田極細線において、放射
性α粒子のカウント数を０．５CPH/cm2以下に規定した
のは、０．５CPH/cm2を越えると、メモリー素子等の配
線材に用いた場合に、ソフトエラーを生じ易くなるため
である。
性α粒子のカウント数を０．５CPH/cm2以下に規定した
のは、０．５CPH/cm2を越えると、メモリー素子等の配
線材に用いた場合に、ソフトエラーを生じ易くなるため
である。
【００１５】請求項３記載の半田極細線において、界面
活性剤の径を１０Å〜１００Åに規定したのは、１０Å
より小さくなると、半田極細線を保護する効果が得られ
なくなるためであり、１００Åを越えると、除去工程の
手間が増すだけで効果は向上していかないためである。
活性剤の径を１０Å〜１００Åに規定したのは、１０Å
より小さくなると、半田極細線を保護する効果が得られ
なくなるためであり、１００Åを越えると、除去工程の
手間が増すだけで効果は向上していかないためである。
【００１６】請求項４記載の半田極細線の製造方法にお
いて、酸素濃度を２０ppm以下に設定したのは、酸素濃
度が２０ppmを越えると、得られた半田極細線の酸素濃
度が１００ppmを越えてしまい、前述したように伸線可
能な長さが大幅に低下してしまうと共に線径を１００μ
ｍ以下に出来なくなるためである。
いて、酸素濃度を２０ppm以下に設定したのは、酸素濃
度が２０ppmを越えると、得られた半田極細線の酸素濃
度が１００ppmを越えてしまい、前述したように伸線可
能な長さが大幅に低下してしまうと共に線径を１００μ
ｍ以下に出来なくなるためである。
【００１７】また、請求項４ないし請求項６の半田極細
線の製造方法において、１０℃以下の温度条件に設定し
たのは、温度条件が１０℃を越えると、低温での加工硬
化が期待できず、材料自体の強度不足のためにテンショ
ン切れを生じ易くなるためである。
線の製造方法において、１０℃以下の温度条件に設定し
たのは、温度条件が１０℃を越えると、低温での加工硬
化が期待できず、材料自体の強度不足のためにテンショ
ン切れを生じ易くなるためである。
【００１８】
【作用】Ｐｂ，Ｉｎ，Ｓｎのいずれかを主成分とし酸素
濃度が２０ppm以下で放射性α粒子のカウント数が０．
５CPH/cm2以下の半田材料に、１０℃以下の温度条件で
伸線加工を施して半田極細線を製造すると、表面酸化皮
膜の酸素を含む酸素濃度が１００ppm以下、放射性α粒
子のカウント数が０．５CPH/cm2以下、線径が１０〜１
００μｍの半田極細線をテンション切れやボイドを生じ
ることなく長尺にわたって製造することができる。
濃度が２０ppm以下で放射性α粒子のカウント数が０．
５CPH/cm2以下の半田材料に、１０℃以下の温度条件で
伸線加工を施して半田極細線を製造すると、表面酸化皮
膜の酸素を含む酸素濃度が１００ppm以下、放射性α粒
子のカウント数が０．５CPH/cm2以下、線径が１０〜１
００μｍの半田極細線をテンション切れやボイドを生じ
ることなく長尺にわたって製造することができる。
【００１９】また、半田極細線の表面に、１０Å〜１０
０Å径の界面活性剤をコーティングすると、半田表面の
酸化を防止すると共にすべりを良くし、伸線時の半田粉
発生を抑制し、半田極細線自身への半田粉混入が防止さ
れる。
０Å径の界面活性剤をコーティングすると、半田表面の
酸化を防止すると共にすべりを良くし、伸線時の半田粉
発生を抑制し、半田極細線自身への半田粉混入が防止さ
れる。
【００２０】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の半田極細線お
よびその製造方法について詳しく説明する。
よびその製造方法について詳しく説明する。
【００２１】
【実施例１】本発明の半田極細線の製造に使用される製
造装置の一例を図１(a),(b)に示す。 この図におい
て、符号１は装置本体であり、この装置本体１には液体
窒素等の冷却液２が満たされている。装置本体１の内部
には、ハンダワイヤ６に伸線加工を施すためのダイス
９，１０，１１が設けられ、低温状態で行うために、冷
却液２に浸した状態となっている。さらに装置本体１内
には、ハンダワイヤ６を移動させるためのローラ１２，
１３が設置されている。このローラ１２，１３は、装置
本体１外部で、ベルト１４を介してモータ１５の動力が
伝達されるようになっている。また、装置本体１の外部
には、冷却液２の温度を一定に保つための熱交換器３が
接続されている。さらに、装置本体１の上部には、ハン
ダワイヤ６を巻き出すための巻き出し器４と、ハンダワ
イヤ６を低温伸線する前に予め所定量だけ室温伸線して
おくためのダイス７、低温伸線されたハンダワイヤ６を
最終的に室温伸線して線径を整えるためのダイス８、製
造されたハンダワイヤ６を巻き取るための巻き取り器５
が設けられている。
造装置の一例を図１(a),(b)に示す。 この図におい
て、符号１は装置本体であり、この装置本体１には液体
窒素等の冷却液２が満たされている。装置本体１の内部
には、ハンダワイヤ６に伸線加工を施すためのダイス
９，１０，１１が設けられ、低温状態で行うために、冷
却液２に浸した状態となっている。さらに装置本体１内
には、ハンダワイヤ６を移動させるためのローラ１２，
１３が設置されている。このローラ１２，１３は、装置
本体１外部で、ベルト１４を介してモータ１５の動力が
伝達されるようになっている。また、装置本体１の外部
には、冷却液２の温度を一定に保つための熱交換器３が
接続されている。さらに、装置本体１の上部には、ハン
ダワイヤ６を巻き出すための巻き出し器４と、ハンダワ
イヤ６を低温伸線する前に予め所定量だけ室温伸線して
おくためのダイス７、低温伸線されたハンダワイヤ６を
最終的に室温伸線して線径を整えるためのダイス８、製
造されたハンダワイヤ６を巻き取るための巻き取り器５
が設けられている。
【００２２】このように構成された製造装置を用いて半
田極細線を製造するには、まず、予め巻き出し器４より
取り出したハンダワイヤ６を図に示すように装置本体１
内に配して巻き取り器５にセットした後、冷却液２を満
たして、熱交換器３により装置本体１内を一定温度に保
つ。次に、モータ１５を作動させてローラ１２，１３を
一定速度で同じ向きに回転させると共に、巻き出し器４
および巻き取り器５を一定速度で矢印の向きに回転さ
せ、ハンダワイヤ６を一定速度で送り出す。すると、ハ
ンダワイヤ６は、ダイス７を通って室温伸線された後、
冷却液２で冷却された雰囲気で、ダイス９，１０，１１
を通されて低温伸線される。その後、ダイス８により最
終的に室温伸線されて線径を調整され、巻き取り器５に
よって回収される。
田極細線を製造するには、まず、予め巻き出し器４より
取り出したハンダワイヤ６を図に示すように装置本体１
内に配して巻き取り器５にセットした後、冷却液２を満
たして、熱交換器３により装置本体１内を一定温度に保
つ。次に、モータ１５を作動させてローラ１２，１３を
一定速度で同じ向きに回転させると共に、巻き出し器４
および巻き取り器５を一定速度で矢印の向きに回転さ
せ、ハンダワイヤ６を一定速度で送り出す。すると、ハ
ンダワイヤ６は、ダイス７を通って室温伸線された後、
冷却液２で冷却された雰囲気で、ダイス９，１０，１１
を通されて低温伸線される。その後、ダイス８により最
終的に室温伸線されて線径を調整され、巻き取り器５に
よって回収される。
【００２３】この製造装置では、液体窒素による冷却液
２により冷却された雰囲気でダイス９，１０，１１によ
り伸線を行っているため、線径が１０〜１００μｍの半
田極細線をテンション切れやボイドを生じることなく長
尺にわたって製造することができる。
２により冷却された雰囲気でダイス９，１０，１１によ
り伸線を行っているため、線径が１０〜１００μｍの半
田極細線をテンション切れやボイドを生じることなく長
尺にわたって製造することができる。
【００２４】
【実施例２】実施例１に記載した製造方法を用いて、下
表に示した組成、酸素濃度、線径の半田極細線を製造
し、線径のばらつき、テンション切れの有無、伸線長さ
を調べた。結果を下表に示す。また比較例として、表面
酸化皮膜の酸素を含む酸素濃度が１００ppmを越える半
田極細線を製造した場合の結果も併せて示した（以下余
白）。
表に示した組成、酸素濃度、線径の半田極細線を製造
し、線径のばらつき、テンション切れの有無、伸線長さ
を調べた。結果を下表に示す。また比較例として、表面
酸化皮膜の酸素を含む酸素濃度が１００ppmを越える半
田極細線を製造した場合の結果も併せて示した（以下余
白）。
【００２５】
【表１】
【００２６】以上の結果より、実施例１に示した製造方
法を用いて、Ｐｂ，Ｉｎ，Ｓｎのいずれかを主成分と
し、表面酸化皮膜の酸素を含む酸素濃度を１００ｐｐｍ
以下、線径を１０〜１００μｍに設定した半田極細線で
は、線径のばらつきが小さいうえ、テンション切れがな
く伸線長さを極めて長くできることが判った。
法を用いて、Ｐｂ，Ｉｎ，Ｓｎのいずれかを主成分と
し、表面酸化皮膜の酸素を含む酸素濃度を１００ｐｐｍ
以下、線径を１０〜１００μｍに設定した半田極細線で
は、線径のばらつきが小さいうえ、テンション切れがな
く伸線長さを極めて長くできることが判った。
【００２７】
【実施例３】実施例１に記載した製造方法を用いて、下
表に示した組成、酸素濃度、放射性α粒子のカウント
数、線径の半田極細線を製造し、メモリー材料の接続材
料に用いた場合に発生するソフトエラーの個数を調べ
た。（全体個数ｎ＝１００００）結果を下表に示す。ま
た比較例として放射性α粒子のカウント数が０．５CPH/
cm2を越えている半田極細線を製造した場合の結果も併
せて示した（以下余白）。
表に示した組成、酸素濃度、放射性α粒子のカウント
数、線径の半田極細線を製造し、メモリー材料の接続材
料に用いた場合に発生するソフトエラーの個数を調べ
た。（全体個数ｎ＝１００００）結果を下表に示す。ま
た比較例として放射性α粒子のカウント数が０．５CPH/
cm2を越えている半田極細線を製造した場合の結果も併
せて示した（以下余白）。
【００２８】
【表２】
【００２９】以上の結果より、放射性α粒子のカウント
数が０．５CPH/cm2以下の時、ソフトエラーの個数が極
めて少ないことが分かった。
数が０．５CPH/cm2以下の時、ソフトエラーの個数が極
めて少ないことが分かった。
【００３０】
【実施例４】組成が９５％Ｐｂ−５％Ｓｎ、酸素濃度が
２０ｐｐｍ、線径が３０μｍ、放射性α粒子のカウント
数が０．１CPH/cm2である半田極細線に、さらに１０Å
〜１００Å径の界面活性材をコーティングして、１００
０ｍ伸線した場合の断線回数について調べた。結果を下
表に示す。また比較例として界面活性材をコーティング
していないもの、１００Åを越える界面活性材をコーテ
ィングしたものについての結果も併せて示した（以下余
白）。
２０ｐｐｍ、線径が３０μｍ、放射性α粒子のカウント
数が０．１CPH/cm2である半田極細線に、さらに１０Å
〜１００Å径の界面活性材をコーティングして、１００
０ｍ伸線した場合の断線回数について調べた。結果を下
表に示す。また比較例として界面活性材をコーティング
していないもの、１００Åを越える界面活性材をコーテ
ィングしたものについての結果も併せて示した（以下余
白）。
【００３１】
【表３】
【００３２】以上の結果より、１０Å〜１００Å径の界
面活性材をコーティングすることにより、断線回数が減
少し、伸線性が向上することが判明した。
面活性材をコーティングすることにより、断線回数が減
少し、伸線性が向上することが判明した。
【００３３】
【実施例５】組成が９０％Ｐｂ−１０％Ｓｎ、酸素濃度
が１０ｐｐｍ、放射性α粒子のカウント数が０．２CPH/
cm2である半田材料に、下表に示した温度で伸線加工し
て製造した半田極細線の線径、線径のばらつき、テンシ
ョン切れの有無、伸線長さを調べた。結果を下表に示
す。なお、比較例として室温で伸線加工して製造した半
田極細線の結果についても併せて示した。（以下余白）
が１０ｐｐｍ、放射性α粒子のカウント数が０．２CPH/
cm2である半田材料に、下表に示した温度で伸線加工し
て製造した半田極細線の線径、線径のばらつき、テンシ
ョン切れの有無、伸線長さを調べた。結果を下表に示
す。なお、比較例として室温で伸線加工して製造した半
田極細線の結果についても併せて示した。（以下余白）
【００３４】
【表４】
【００３５】以上の結果より、１０℃以下の温度で伸線
加工を行って製造した半田極細線では、線径のばらつき
が小さいうえ、テンション切れがなく伸線長さを極めて
長くできることが判った。
加工を行って製造した半田極細線では、線径のばらつき
が小さいうえ、テンション切れがなく伸線長さを極めて
長くできることが判った。
【００３６】
【実験例】冷却液２として−１９６℃に冷却された液体
窒素を用い、伸線するスピードを３０〜５０ｍ／ｍｉｎ
となるように巻き出しロール４、巻き取りロール５、ロ
ーラ１２，１３を回転させた。この結果、線径が３８±
１μｍの半田極細線が破断なく１００００ｍ伸線でき
た。この半田極細線のα値は、０．１cpH/cm2のものを
得る事ができた。
窒素を用い、伸線するスピードを３０〜５０ｍ／ｍｉｎ
となるように巻き出しロール４、巻き取りロール５、ロ
ーラ１２，１３を回転させた。この結果、線径が３８±
１μｍの半田極細線が破断なく１００００ｍ伸線でき
た。この半田極細線のα値は、０．１cpH/cm2のものを
得る事ができた。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半田極細線
では、Ｐｂ，Ｉｎ，Ｓｎのいずれかを主成分とし、表面
酸化皮膜の酸素を含む酸素濃度を１００ppm以下、線径
を１０〜１００μｍにしたものであるため、テンション
切れやボイドを生じる確率が小さく、また長尺にわたっ
て製造することが可能である。
では、Ｐｂ，Ｉｎ，Ｓｎのいずれかを主成分とし、表面
酸化皮膜の酸素を含む酸素濃度を１００ppm以下、線径
を１０〜１００μｍにしたものであるため、テンション
切れやボイドを生じる確率が小さく、また長尺にわたっ
て製造することが可能である。
【００３８】従って本発明の半田極細線によれば、ＨＩ
Ｃ（ハイブリッドＩＣ）、ＴＡＢ（テープ・オートメイ
テッド・ボンディング）、フリップチップ等におけるバ
ンプ形成や、超電導用ＩＣ、センサ等における配線材と
して好適に用いることができる。また、放射性α粒子の
カウント数を０．５CPH/cm2以下にすると、メモリー素
子等の接続材料に用いても、ソフトエラーを生じる確率
が小さいという効果を奏する。さらに、半田極細線の表
面に１０Å〜１００Å径の界面活性剤をコーティングす
ると、半田表面の酸化を防止すると共にすべりを良く
し、伸線時の半田粉発生を抑制し半田極細線自身への半
田粉混入を防止できる効果を奏する。
Ｃ（ハイブリッドＩＣ）、ＴＡＢ（テープ・オートメイ
テッド・ボンディング）、フリップチップ等におけるバ
ンプ形成や、超電導用ＩＣ、センサ等における配線材と
して好適に用いることができる。また、放射性α粒子の
カウント数を０．５CPH/cm2以下にすると、メモリー素
子等の接続材料に用いても、ソフトエラーを生じる確率
が小さいという効果を奏する。さらに、半田極細線の表
面に１０Å〜１００Å径の界面活性剤をコーティングす
ると、半田表面の酸化を防止すると共にすべりを良く
し、伸線時の半田粉発生を抑制し半田極細線自身への半
田粉混入を防止できる効果を奏する。
【００３９】また、本発明に係る半田極細線の製造方法
では、Ｐｂ，Ｉｎ，Ｓｎのいずれかを主成分とし酸素濃
度が２０ppm以下の半田材料に、１０℃以下の温度条件
で伸線加工を施して半田極細線を製造する方法であるた
め、大掛かりな装置を要せずに、３０μｍ〜１００μｍ
程度の線径を有する半田極細線を、線径のばらつきを小
さくして製造することができる。
では、Ｐｂ，Ｉｎ，Ｓｎのいずれかを主成分とし酸素濃
度が２０ppm以下の半田材料に、１０℃以下の温度条件
で伸線加工を施して半田極細線を製造する方法であるた
め、大掛かりな装置を要せずに、３０μｍ〜１００μｍ
程度の線径を有する半田極細線を、線径のばらつきを小
さくして製造することができる。
【図１】本発明の半田極細線を製造するために使用され
る製造装置の一例を示す図であり、(a)は斜視図、(b)は
断面図である。
る製造装置の一例を示す図であり、(a)は斜視図、(b)は
断面図である。
６ ハンダワイヤ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/321
Claims (6)
- 【請求項１】 Ｐｂ，Ｉｎ，Ｓｎのいずれかを主成分と
し、表面酸化皮膜の酸素を含む酸素濃度が１００ppm以
下、線径が１０〜１００μｍであることを特徴とする半
田極細線。 - 【請求項２】 Ｐｂ，Ｉｎ，Ｓｎのいずれかを主成分と
し、表面酸化皮膜の酸素を含む酸素濃度が１００ppm以
下、放射性α粒子のカウント数が０．５CPH/cm2以下、
線径が１０〜１００μｍであることを特徴とする半田極
細線。 - 【請求項３】 表面に、１０Å〜１００Å径の界面活性
剤をコーティングしたことを特徴とする請求項１または
請求項２記載の半田極細線。 - 【請求項４】 Ｐｂ，Ｉｎ，Ｓｎのいずれかを主成分と
し、酸素濃度が２０ppm以下の半田材料に、１０℃以下
の温度条件で伸線加工を施して半田極細線を製造するこ
とを特徴とする半田極細線の製造方法。 - 【請求項５】 Ｐｂ，Ｉｎ，Ｓｎのいずれかを主成分と
し、酸素濃度が２０ppm以下、放射性α粒子のカウント
数が０．５CPH/cm2以下の半田材料に、１０℃以下の温
度条件で伸線加工を施して半田極細線を製造することを
特徴とする半田極細線の製造方法。 - 【請求項６】 半田極細線の表面に、１０Å〜１００Å
径の界面活性剤をコーティングすることを特徴とする請
求項４または請求項５記載の半田極細線の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP3159127A JP2913908B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 半田極細線およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3159127A JP2913908B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 半田極細線およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0577087A true JPH0577087A (ja) | 1993-03-30 |
| JP2913908B2 JP2913908B2 (ja) | 1999-06-28 |
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ID=15686833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3159127A Expired - Fee Related JP2913908B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 半田極細線およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2913908B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6148591A (en) * | 1995-10-11 | 2000-11-21 | Sealed Air Corporation | Packaging structure |
| JP2007302496A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Nikko Kinzoku Kk | 高純度酸化第一錫、同粉末及び高純度酸化第一錫の製造方法 |
| US9340850B2 (en) | 2005-07-01 | 2016-05-17 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Process for producing high-purity tin |
| US9394590B2 (en) | 2010-03-16 | 2016-07-19 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Low α-dose tin or tin alloy, and method for producing same |
| US9597754B2 (en) | 2011-03-07 | 2017-03-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper or copper alloy, bonding wire, method of producing the copper, method of producing the copper alloy, and method of producing the bonding wire |
| US9666547B2 (en) | 2002-10-08 | 2017-05-30 | Honeywell International Inc. | Method of refining solder materials |
| US10711358B2 (en) | 2014-02-20 | 2020-07-14 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Method of producing low alpha-ray emitting bismuth, and low alpha-ray emitting bismuth |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101643040B1 (ko) | 2011-09-28 | 2016-07-26 | 제이엑스금속주식회사 | 고순도 란탄의 제조 방법, 고순도 란탄, 고순도 란탄으로 이루어지는 스퍼터링 타깃 및 고순도 란탄을 주성분으로 하는 메탈 게이트막 |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP3159127A patent/JP2913908B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2913908B2 (ja) | 1999-06-28 |
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