JPH0578195A - 高純度銅単結晶鋳塊の製造方法 - Google Patents

高純度銅単結晶鋳塊の製造方法

Info

Publication number
JPH0578195A
JPH0578195A JP26819291A JP26819291A JPH0578195A JP H0578195 A JPH0578195 A JP H0578195A JP 26819291 A JP26819291 A JP 26819291A JP 26819291 A JP26819291 A JP 26819291A JP H0578195 A JPH0578195 A JP H0578195A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
copper
mold
purity
single crystal
raw material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP26819291A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3152971B2 (ja
Inventor
Toru Sugiura
透 杉浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dowa Holdings Co Ltd
Original Assignee
Dowa Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dowa Mining Co Ltd filed Critical Dowa Mining Co Ltd
Priority to JP26819291A priority Critical patent/JP3152971B2/ja
Publication of JPH0578195A publication Critical patent/JPH0578195A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3152971B2 publication Critical patent/JP3152971B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 原料として用いた高純度銅材の持つ望ましい
特性を損なうことなく、所望の形状の高純度銅単結晶鋳
塊を製造する方法の提供。 【構成】 製造する鋳塊の外形に対応する内部形状を有
する黒鉛鋳型1を、その外壁と黒鉛るつぼ2との間に一
定の空間を残して、黒鉛るつぼ内に固定し、黒鉛鋳型内
に高純度銅材6を、また前記空間内に銅材7を入れ、全
体を石英製ベルジャー4内に納めてベルジャー内を真空
とし、ベルジャー周囲に設けた可動型の高周波コイルに
より銅材を加熱溶解させて目的の鋳塊を製造する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高純度銅単結晶鋳塊の
製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、高純度銅はボンディングワイ
ヤーや金属・半導体コンタクトなどのエレクトロニクス
用としてのみならず、超電導、超高電圧、超高真空、ま
たは音響機器などの導電材料、極低温機器用冷却媒体ま
たは高耐力レーザーミラー等多くの先端技術分野におい
て、その性能を支配する材料の一つとして広く用いられ
てきた。近年では、このような用途に使用されている高
純度銅材の需要は著しく高まる一方、これらの用途に要
求される形状は多様になっている。
【0003】通常、純金属の単結晶鋳塊を製造する場合
は、種子結晶を溶湯に接触させ、回転させながら徐々に
引き上げていく引き上げ法(チョクラルスキー法)や、
縦型・横型のボートや鋳型に原料を入れ加熱用の熱源を
徐々に移動させていくブリッジマン法などが知られてい
る。
【0004】これらの方法で、融液より単結晶を製造す
るためには、融液を凝固させる際に、過冷却させずに冷
却しなければならない。これは過冷却させると新しい結
晶の核が生成してしまうからである。また、融液を凝固
させるためには、潜熱を抽出除去してやらなければなら
ない。すなわち、結晶から熱を取り除くためには熱の逃
げ道が必要であり、一方、金属を溶融して所定時間融液
状態に保つ熱を供給するための熱源も必要とされる。こ
のため、引き上げ法における引上速度は 5〜10mm/hr 、
ブリッジマン法における加熱源の移動速度は20〜50 mm/
hrといずれも非常に遅く、したがって、生産性に劣り、
また、装置自体に過冷却防止上の有効手段がないため、
多結晶になりやすいという欠点があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の如き
従来技術上の問題点を解決し、原料の高純度特性を保持
したまま、所望の形状の高純度銅単結晶鋳塊を低コスト
で製造することができる新規な高純度銅単結晶鋳塊の製
造方法の提供を目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決するため鋭意研究した結果、高純度銅を鋳型内にお
いて高真空のもと高周波加熱により溶解させる際に、鋳
型とるつぼの間に過冷却防止手段として金属銅の溶湯を
存在させることによって、鋳型内の高純度銅の多結晶化
を防止できることを見い出し本発明を達成することがで
きた。
【0007】すなわち本発明は、銀と硫黄の合計含有量
が1ppm 以下で、かつ純度が99.999%以上の高純度銅を
原料とし、原料の高純度特性を保持したまま高真空中に
おいて単結晶鋳塊を製造する方法において、底部が逆円
錐状に尖った鋳造空間を有する柱状の黒鉛鋳型を黒鉛る
つぼ内に、鋳型とるつぼとの間に銅の溶湯を保持できる
空間を残して鉛直に固定した後、単結晶鋳塊製造用銅原
料を鋳型内に入れると共に、鋳型外壁と黒鉛るつぼ内壁
との間に設けた空間に、同一または異なる品位の保温・
伝熱用の銅材を充填し、次いで高周波加熱により前記銅
原料および銅材を溶解し、高周波コイルで鋳型を加熱し
ながら0.1〜20 mm/min の上昇速度でコイルを移動させ
てるつぼ内の銅原料を高純度銅単結晶鋳塊となすことを
特徴とする高純度銅単結晶鋳塊の製造方法に関するもの
である。
【0008】
【作用】一般的に、銀と硫黄の合計含有量が1ppm 以下
でかつ純度が99.999%(5N)以上の高純度銅を得るた
めの精製技術は、ほぼ完成されている。本発明法におい
てはかような高純度銅を用い、その高純度特性を維持し
たまま単結晶の鋳塊を生産性よく得ることを目的とす
る。
【0009】本発明法において使用する装置としては、
図1に示されるように内壁面底部を逆円錐状に尖らせた
柱状の黒鉛鋳型1の外側下端部に設けられたおねじ部
を、黒鉛るつぼ2の内側底部に設けられためねじ部に篏
合することにより、黒鉛るつぼ2内に固定したものを用
いる。このようにして、鋳型1と黒鉛るつぼ2との間に
銅材7を充填できる構造とし、これを縦長に設置された
石英製ベルジャー4内の石英製支持台3に固定した。こ
の銅材7は、原料の高純度銅材6と同じものでなく、通
常の銅材(4N以下のもの)でもよいが、装置の構造
は、この銅材の溶融時の上面が鋳型内で溶かした高純度
銅6の上面よりも高く、一方、下端は鋳型の尖端部より
も低い位置となるようにすることが重要である。次い
で、高周波コイル5を石英製ベルジャー4外に上下に移
動できるように設置した。
【0010】まず、本発明においては、高周波コイル5
を原料の高純度銅材6の入った鋳型1の下端部を包囲す
る位置にセットし、出力を上げ加熱しながら溶解する。
溶解後もしばらくその位置に保持して充分に加熱し、鋳
型内の高純度銅材と鋳型の外部に配置した銅材7とをど
ちらも溶解した。これらの銅材6、7が実際に溶解した
かどうかは、鋳型1の下部に設置した熱電対8による温
度の測定により確認することができる。
【0011】この場合、高周波の効果は外側に位置する
黒鉛るつぼ2までしか及ばないため、るつぼ内壁に接し
ている銅材7および鋳型1内の原料である高純度銅材6
は伝熱により溶解される。このようにして、充分に加熱
した後 0.1〜20 mm/min の速度でコイルを少しずつ上げ
ていき、鋳型上部での溶解、凝固を確認してから加熱を
停止する。従来のブリッジマン法では、上記操作の際鋳
型1の保温ができないため、鋳型が冷却されやすく過冷
却を起こし多結晶となってしまうことがあった。このた
め、アフターヒーターなどの装置により結晶の急冷を防
いだり、温度勾配が一定に保たれるように配慮したりし
なければならなかった。また、そのような熱量のバラン
スが保たれるようにするためコイルの移動速度を充分に
遅くしなければならないという欠点があった。本発明法
においては、これらの欠点が解消できるようになった。
【0012】すなわち本発明法では、高周波を外側の黒
鉛るつぼ2にのせて鋳型1の周囲に配置した銅材7を伝
熱で溶解した後、その伝熱によって鋳型1内の高純度銅
材6を溶解する。この場合、コイルを上昇させるとコイ
ルの影響範囲から外れた鋳型下部の溶湯から凝固が始ま
る。従来法の場合には、コイルの影響下から外れたとこ
ろは熱源からの熱の供給がなく外部に放熱するだけとな
るため過冷却が生じ新しい核発生の原因となるが、本発
明法の場合には、鋳型1の周囲に熱伝導性の良い銅が溶
解されて存在しているため、コイルの影響下から外れた
位置でも溶融銅からの熱伝導により鋳型周囲全体から熱
が供給されるため、鋳型1内の高純度銅6を鋳型外面の
直接外部との接触による放冷で冷却するのではなく、冷
却固化した銅材7への伝熱によって間接的に冷却凝固さ
せることができるため過冷却を防止できるのである。
【0013】このとき、コイルの位置する部分の溶湯が
温度が一番高く、鋳型尖端部が常に一番温度が低いよう
に温度勾配がつけられている。また、鋳型周囲全体が熱
伝導性のよい銅材に覆われているため、局所的に温度が
高くなったり低くなったりすることもなく、さらに、こ
の銅材が凝固する際に発生する潜熱の放出も鋳型内の高
純度銅の保温・徐冷効果を増している。これらの効果に
より、コイルの移動速度を従来の20倍以上にすること
ができ、生産性を増すことができるものである。
【0014】以下、実施例により本発明をさらに詳細に
説明する。しかし本発明の範囲は、以下の実施例により
制限されるものではない。
【0015】
【実施例1】図1に示す製造装置を用いた本発明の高純
度銅単結晶鋳塊の製造方法を以下に説明する。
【0016】図1は本実施例で用いた装置を示す断面図
であって、内部形状が製造する鋳塊の形状に合わせて作
製された内部形状を有する黒鉛鋳型1が、その外壁を、
溶解状態の保温・伝熱用の銅材7で覆われ得る寸法・形
状に形成されて黒鉛るつぼ2内に固定され、さらにこの
黒鉛るつぼ2が石英製支持台3に固定された状態を示し
ている。この装置全体は、石英製ベルジャー4によって
覆われており、また、この石英製ベルジャー4は真空排
気装置に連結されていて、その内部を高真空にすること
ができる。また、石英製ベルジャー4の外部には、ベル
ジャーを包囲するように高周波コイル5が装備されてお
り、この高周波コイル5は、石英製ベルジャー4内部に
おける黒鉛るつぼ2の底部から鋳型1の頂部までの間を
加熱できるような可動構造となっている。なお、黒鉛る
つぼ2の最底部には、PR熱電対8が装備されており、
黒鉛るつぼ2の底部の温度が測定できるようになってい
る。9は真空排気の方向を示している。
【0017】本実施例では、まず銀と硫黄の合計含有量
が1ppm 以下である純度99.999%以上の高純度銅約500g
を黒鉛鋳型1内に入れると共に、鋳型周囲に充分な銅材
7を入れて黒鉛るつぼ2を支持台3に固定した後、石英
製ベルジャー4でこれらを覆い、真空排気装置と連結し
た。次に、石英製ベルジャー4内部の真空度を、真空排
気装置で10-5〜10-6Torrまで上げて真空を保持すると共
に、高周波コイル5を原料の入った鋳型1の上部を包囲
する位置にセットし、加熱溶解した後落ちるまで保持
し、高周波コイル5を加熱したまま 20 mm/minの速度で
コイルを下降させた。
【0018】最底部まできたところでPR熱電対8によ
り溶解を確認した後、コイルを加熱したまま 20 mm/min
の速度でコイルを上昇させ、鋳型上部まで移動させた後
加熱を中止した。鋳型より取り出したところ該高純度特
性を維持した1インチφ×100 mmの単結晶鋳塊を製造す
ることができた。
【0019】
【比較例1】過冷却防止手段のついていない鋳型を用い
たほかは、実施例1に示す方法と同一の方法で高純度銅
の単結晶鋳塊を製造した。この鋳塊は断面で6つの結晶
を持つ多結晶体であった。
【0020】
【発明の効果】本発明の開発により、原料の高純度特性
を保持したまま所望の形状の均質な高純度銅単結晶を製
造できるようになった。また、本発明によると、高価な
高純度銅を原料として用いても、原料の高純度特性を保
持することができる上ロスが極めて少ないため、低コス
トで高純度単結晶を製造できるようになった。さらに、
本発明は、簡易な装置を用いて容易に実施することがで
きるため、その産業的価値は極めて高い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の高純度銅単結晶製造装置の一例を示し
た断面図である。
【符号の説明】
1 黒鉛鋳型 2 黒鉛るつぼ 3 石英製支持台 4 石英製ベルジャー 5 高周波コイル 6 高純度銅材 7 銅材 8 PR熱電対 9 真空排気
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 B22D 27/04 E 7011−4E C30B 11/00 Z 9151−4G

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 銀と硫黄の合計含有量が1ppm 以下で、
    かつ純度が99.999%以上の高純度銅を原料とし、原料の
    高純度特性を保持したまま高真空中において単結晶鋳塊
    を製造する方法において、底部が逆円錐状に尖った鋳造
    空間を有する柱状の黒鉛鋳型を黒鉛るつぼ内に、鋳型と
    るつぼとの間に銅の溶湯を保持できる空間を残して鉛直
    に固定した後、単結晶鋳塊製造用銅原料を鋳型内に入れ
    ると共に、鋳型外壁と黒鉛るつぼ内壁との間に設けた空
    間に、同一または異なる品位の保温・伝熱用の銅材を充
    填し、次いで高周波加熱により前記銅原料および銅材を
    溶解し、高周波コイルで鋳型を加熱しながら 0.1〜20 m
    m/min の上昇速度でコイルを移動させてるつぼ内の銅原
    料を高純度銅単結晶鋳塊となすことを特徴とする高純度
    銅単結晶鋳塊の製造方法。
JP26819291A 1991-09-19 1991-09-19 高純度銅単結晶鋳塊の製造方法 Expired - Fee Related JP3152971B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26819291A JP3152971B2 (ja) 1991-09-19 1991-09-19 高純度銅単結晶鋳塊の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26819291A JP3152971B2 (ja) 1991-09-19 1991-09-19 高純度銅単結晶鋳塊の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0578195A true JPH0578195A (ja) 1993-03-30
JP3152971B2 JP3152971B2 (ja) 2001-04-03

Family

ID=17455203

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26819291A Expired - Fee Related JP3152971B2 (ja) 1991-09-19 1991-09-19 高純度銅単結晶鋳塊の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3152971B2 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3031102U (ja) * 1996-05-11 1996-11-22 ワツト株式会社 鋳物製造装置
US6331234B1 (en) 1999-06-02 2001-12-18 Honeywell International Inc. Copper sputtering target assembly and method of making same
US6758920B2 (en) 1999-11-24 2004-07-06 Honeywell International Inc. Conductive integrated circuit metal alloy interconnections, electroplating anodes; metal alloys for use as a conductive interconnection in an integrated circuit; and physical vapor deposition targets
US6849139B2 (en) 1999-06-02 2005-02-01 Honeywell International Inc. Methods of forming copper-containing sputtering targets
JP5719957B1 (ja) * 2014-06-06 2015-05-20 日新技研株式会社 単結晶の製造装置及び製造方法
CN109940764A (zh) * 2019-03-24 2019-06-28 荆门市亿美工业设计有限公司 一种无氧铜杆以及无氧铜杆防断裂石墨套管装置
CN110976817A (zh) * 2019-12-10 2020-04-10 昆明理工大学 一种藕状多孔金属材料的制备装置及方法
CN117548631A (zh) * 2023-09-25 2024-02-13 金川集团股份有限公司 一种管靶用铜管制备装置及方法
CN119530549A (zh) * 2024-09-14 2025-02-28 中铝洛阳铜加工有限公司 一种超高纯无氧铜及其制备方法

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3031102U (ja) * 1996-05-11 1996-11-22 ワツト株式会社 鋳物製造装置
US6331234B1 (en) 1999-06-02 2001-12-18 Honeywell International Inc. Copper sputtering target assembly and method of making same
US6645427B1 (en) 1999-06-02 2003-11-11 Honeywell International Inc. Copper sputtering target assembly and method of making same
US6849139B2 (en) 1999-06-02 2005-02-01 Honeywell International Inc. Methods of forming copper-containing sputtering targets
US6758920B2 (en) 1999-11-24 2004-07-06 Honeywell International Inc. Conductive integrated circuit metal alloy interconnections, electroplating anodes; metal alloys for use as a conductive interconnection in an integrated circuit; and physical vapor deposition targets
US6858102B1 (en) * 2000-11-15 2005-02-22 Honeywell International Inc. Copper-containing sputtering targets, and methods of forming copper-containing sputtering targets
JP5719957B1 (ja) * 2014-06-06 2015-05-20 日新技研株式会社 単結晶の製造装置及び製造方法
CN109940764A (zh) * 2019-03-24 2019-06-28 荆门市亿美工业设计有限公司 一种无氧铜杆以及无氧铜杆防断裂石墨套管装置
CN109940764B (zh) * 2019-03-24 2021-03-26 江西创德博越金属制品有限公司 一种制作无氧铜杆防断裂石墨套管的装置
CN110976817A (zh) * 2019-12-10 2020-04-10 昆明理工大学 一种藕状多孔金属材料的制备装置及方法
CN117548631A (zh) * 2023-09-25 2024-02-13 金川集团股份有限公司 一种管靶用铜管制备装置及方法
CN119530549A (zh) * 2024-09-14 2025-02-28 中铝洛阳铜加工有限公司 一种超高纯无氧铜及其制备方法
WO2026056675A1 (zh) * 2024-09-14 2026-03-19 中铝洛阳铜加工有限公司 一种超高纯无氧铜及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3152971B2 (ja) 2001-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB1369270A (en) Casting of directionally solidified articles
US7682472B2 (en) Method for casting polycrystalline silicon
US3857436A (en) Method and apparatus for manufacturing monocrystalline articles
JPH02133389A (ja) シリコン単結晶の製造装置
EP0992618B1 (en) Method of manufacturing compound semiconductor single crystal
JP3152971B2 (ja) 高純度銅単結晶鋳塊の製造方法
JPWO2001063023A1 (ja) 半導体単結晶の成長方法
JPS63166711A (ja) 多結晶シリコン鋳塊の製造法
JP2657240B2 (ja) シリコン鋳造装置
JP2000159596A (ja) シリコン単結晶の製造方法および引上げ機
JP2008031019A (ja) サファイア単結晶の製造方法
US4561930A (en) Process for the production of coarsely crystalline silicon
JP7486743B2 (ja) FeGa合金単結晶の製造方法
KR101025652B1 (ko) 잔류 융액을 재활용한 태양전지용 결정 제조방법
JP3018738B2 (ja) 単結晶製造装置
JP7613189B2 (ja) FeGa合金単結晶の製造方法
JP3183352B2 (ja) 電磁誘導によるシリコンの連続鋳造方法
JP7613188B2 (ja) FeGa合金単結晶の製造方法
JPH0250077B2 (ja)
JPH04219398A (ja) 単結晶シリコンの製造方法
JP2700145B2 (ja) 化合物半導体単結晶の製造方法
JPS62167213A (ja) シリコン多結晶インゴツトの製造方法
JP3318012B2 (ja) 金属単結晶の製造方法および製造装置
JPH05124887A (ja) 単結晶の製造方法及びその装置
JPS63285183A (ja) 化合物半導体単結晶の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 7

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080126

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080126

Year of fee payment: 7

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 8

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090126

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees