JPH057933B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は電源制御方式に関するものである。

種々のシステムにおいて電源を自己保持開閉す
る場合、従来は電源の開閉に自己保持型のリレー
を用いていた。この自己保持型リレーは各種ある
が、たとえば第６図に示すようなものである。す
なわち、５１は自己保持型リレーであり、制御回
路５２よりオン信号５３が加わると、駆動回路５
４によつてリレー５１にオンパルス５５が加わつ
てリレー５１をオン状態にし、制御信号５３がな
くなつてもリレー５１はオン状態を保持する。ま
た制御回路５２よりオフ信号５６が加わると、駆
動回路５７によつてリレー５１にオフパルス５８
が加わつてリレー５１をオフ状態にし、制御信号
５８がなくなつてもリレー５１はオフ状態を保持
する動作を行う。この結果、入力電圧がしや断さ
れた後再び印加されてもリレー５１は制御信号を
送ることなしに、リレー５１は前の状態を保持す
ることとなる。

しかしながら、この自己保持型リレーを用いた
場合、構造が複雑になり、駆動方式も複雑にな
り、またその動作を半導体スイツチ素子（トライ
アツク、サイリスタ、トランジスタ等）等に置換
えることがむつかしいという欠点があつた。

したがつて、この発明の目的は、構造および駆
動方式を簡単にしシステムにおける電源回路の簡
素化を図ることができる電源制御方式を提供する
ことである。

この発明は、電源開閉の自己保持動作を自己保
持型リレーを用いずに、記憶素子と、通常の自己
保持型でないもしくは半導体スイツチ素子と、制
御回路で構成したものである。

すなわち、被制御回路の電源を開閉制御するス
イツチング回路と、操作信号により前記スイツチ
ング回路にオン信号またはオフ信号を出力する制
御回路とを有し、この制御回路のオン信号または
オフ信号の出力状態を記憶素子の書き込みかつこ
の記憶素子から制御回路に読出して前記スイツチ
ング回路を自己保持動作させるようにした電源制
御方式であつて、 前記記憶素子は不揮発性メモリ素子であつてそ
の一つのアドレスを前記出力状態を表す電源状態
のメモリとして用い、 前記制御回路は、その初期状態から動作開始し
たときに前記電源状態メモリから電源状態のデー
タを読出す第１過程と、その電源状態のデータが
電源オン状態か電源オフ状態かを判定する第２過
程と、その電源状態のデータが電源オン状態のと
き前記オン信号を前記スイツチング回路に出力す
る第３過程と、前記電源状態メモリに電源オン状
態のデータを書き込む第４過程と、電源状態以外
の制御を行う第５過程と、前記操作信号により前
記電源状態をオン状態にする制御かどうかを判別
する第６過程と、前記操作信号により電源状態を
オフ状態にする制御かどうかを判別する第７過程
とを有し、電源状態を変化させる制御以外のとき
は前記第５過程、第６過程および第７過程を処理
するように構成したことを特徴とするものであ
る。

この発明の構成によれば、スイツチング回路
と、記憶素子と、制御回路とでスイツチング回路
を自己保持動作させるようにしたため、従来の自
己保持型リレーと同様な動作を、通常のリレーも
しくは半導体スイツチ素子で実現することが可能
となり、回路の簡素化、コストダウンさらには半
導体化が可能になる。被制御回路を開閉制御する
スイツチング回路、このスイツチング回路をオン
オフ駆動する制御回路およびそのオン状態、オフ
状態を記憶する不揮発性メモリを有し、このメモ
リの電源オン状態のデータの書込みにｎビツトの
うち少なくとも１ビツトが「１」でないデータを
用いて、不揮発性メモリ自体の書込動作をする際
に、該メモリのあるアドレスに自動的に電源オン
状態のデータを書き込むよう処理するとともに、
電源オフ状態のデータとしてｎビツトすべて
「１」のデータを用いて、不揮発性メモリ自体の
消去動作をする際に、該メモリのあるアドレスに
自動的に電源オフ状態のデータを書き込むよう処
理するものである。その結果、電源状態を確実に
メモリに記憶させることができ、データの書込に
際して消去動作を伴わないため書込データを誤る
ことがなくなる。

この発明の一実施例を第１図ないし第５図に示
す。まず第１図は、システムにあつた遠隔操作の
信号や操作スイツチの入力によつて各種の制御を
行う制御部Ａと、制御部Ａからの制御信号で制御
される被制御部Ｂを示したものである。図中、１
は遠隔操作（リモコン）信号受信部、２は制御回
路、３は不揮発性メモリ、４は制御部電源、５は
リセツトパルス発生回路、６は操作スイツチ、７
は電源開閉器、８は被制御回路、９は被制御部電
源回路である。またＣはメインとなる電源スイツ
チであり、これがオン状態のときこのシステムは
動作する。いま制御回路２によつて被制御部Ｂの
電源９を制御する場合を考える。スイツチＣがオ
ン状態になると、制御部電源４の出力電圧Ｆは第
２図ａのようになり、その出力電圧Ｆによつてリ
セツトパルス発生回路５が動作し、前記よりも幾
分遅れて第２図ｂのようなリセツトパルスＥを発
生する。制御回路２は電圧Ｆが投入された後でリ
セツトパルスＥがロウレベルからハイレベルにな
つた時に初期状態から動作を開始する。このとき
被制御部Ｂの電源９は電源開閉器７によつて制御
されており、開閉器７の制御信号Ｇは制御回路２
より加えられる。開閉器７の自己保持動作は制御
回路２および不揮発性メモリ３によつてなされる
ものであつて、いまスイツチＣがオン状態にある
ときで、遠隔操作信号Ｄもしくは、操作スイツチ
６によつて電源開閉器７をオン状態もしくはオフ
状態にする信号Ｇが制御回路２より送られ、電力
Ｉが制御されているとき、スイツチＣもしくは何
らかの要因によつて開閉器７の入力側の電力Ｈが
しや断されたとすると、その後電力Ｈが印加され
たときに制御回路２がリセツトパルスＥによつて
初期状態に戻り、電源開閉器７の状態を電力Ｈが
しや断される前の状態に保たれる。

その詳細を第３図ないし第５図に示してあり、
開閉器７はリレー７′もしくは半導体スイツチ素
子で構成し、これを駆動回路１２によつて駆動
し、その制御信号G′は制御回路２より送られる。
また不揮発性メモリ３の動作は、信号Ｎによつて
制御回路２よりコントロールされ、（）アドレ
ス入力、（）データ読出し、（）データ入力、
（）データ消去、（）データ書込み等の動作を
行う。すなわち前記（）は、信号Ｎによつてア
ドレスレジスタ１３にアドレスデータを送り、メ
モリ素子１４内のあるアドレスを指定する。前記
（）は、指定されたアドレスの内容をデータレ
ジスタ１５に読出し、信号Ｎに送る。このとき、
信号Ｎは（）の信号Ｎと別個の信号であつても
よい。前記（）は、信号Ｎによつてデータレジ
スタ１５にデータを入力する。前記（）は、指
定されたメモリ素子１４内のアドレスの内容を消
去する。このときアドレスの内容はすべてのビツ
トが「１」となるとする。前記（）は、データ
レジスタ１５のデータを指定されたメモリ素子１
４のアドレスに書込む。ここでは、メモリ３のあ
る一つのアドレス“Ｐ”のｎビツトのメモリ素子
を電源状態メモリとして用いる。

そこで第５図により制御回路の動作を説明す
る。いま、制御回路２に電圧Ｆが加わつており、
通常の動作をしている場合から考える。このとき
動作は第５過程の主ルーチン処理過程を通つてお
り、ここで各種の操作を受けて制御信号を出して
いる。そのうち電源開閉器７に関する処理を抜き
出したものが第６、第７過程である。第６過程で
は前記スイツチ６等によりリレー７′をオンにせ
よという指令が出たか否かを判別し、第７過程で
は逆にリレー７′をオフにせよという庇令が出た
か否かを判別する。そしていずれの指令もないと
き（すなわちNO）は前記第５過程に復帰移行す
る。いまリレー７′がオフ状態にあつてスイツチ
６等によりリレー７′をオンにせよという信号を
受けると、第６過程（YES）を通つて第３過程
に移る。第３過程において、リレー７′をオンに
するための信号G′を出力し、これにより駆動回
路１２を駆動してリレー７′をオン状態に保つ信
号Ｍを出力する。その後、第４過程において信号
Ｎによりメモリ３へアドレスデータ“Ｐ”を入力
し、さらにメモリ３へｎビツトのうち少なくとも
１ビツトが「１」でないデータ（ここでこれを電
源オン状態のデータとする）を入力する。そして
そのデータをメモリ３のアドレス“Ｐ”に書込
む。ついで電源状態以外の制御をする主ルーチン
処理過程（第５過程）へ戻る。

この状態において、第１図の制御部２の入力側
の電力Ｈがしや断され、再び電力Ｈが印加された
ときを考える。まず電力Ｈが印加され、電圧Ｆが
発生するとともにリセツトパルスＥが発生し、制
御部２が初期状態に戻ると、第５図の第１過程か
らスタートすることになる。このとき、信号
G′は常にオフ状態となつている。第１過程では
信号Ｎによりメモリ３へアドレスデータ“Ｐ”を
入力し、さらにアドレス“Ｐ”のデータを読出
す。第２過程において、先に読出されたデータが
ｎビツトのうち少なくとも１ビツトが「１」でな
いか否か、すなわち電源オン状態か電源オフ状態
を判定し、「１」でないすなわち電源オン状態
（YES）であれば、第３過程に進み前述の説明通
りリレー７′をオン状態にし、第４過程でメモリ
３のアドレス“Ｐ”にｎビツトのうち少なくとも
１ビツトが「１」でないデータすなわち“電源オ
ン状態”のデータを書込み主ルーチン処理過程に
入る。したがつてリレー７′がオン状態で電力Ｈ
がしや断された後、再び電力Ｈが印加されると、
電力Ｈがしや断される直前の電源の状態をメモリ
３から読出し、それがオン状態を示していると
き、リレー７′をオン状態にすることによつて、
電力Ｈがしや断される直前の状態を保持すること
ができる。

つぎに、リレー７′がオン状態にあつて、スイ
ツチ６等によりリレー７′をオフにせよという信
号を受けた場合を考える。このとき、主ルーチン
処理過程より、第６過程（NO）および第７過程
（YES）によつて第８過程に進み、信号Ｎにより
メモリ３へアドレスデータ“Ｐ”を入力する。そ
してメモリ３のアドレス“Ｐ”を消去し、メモリ
３の内容をｎビツトすべてを「１」にすることに
よつて電源オフ状態を書込んだことにする。さら
に第９過程によつてリレー７′をオフにするため
の信号G′を出力して主ルーチン処理過程（第５
過程）に戻る。この状態において、制御部２の電
力Ｈがしや断され再び印加されたときを考える
と、電力Ｈが印加されたとき、リセツトパルスＥ
によつて制御部２が初期状態となり、第１過程に
入る。このとき信号G′はオフ状態となつている。
前記と同様、第１過程ではメモリ３のアドレス
“Ｐ”のデータを読出し、第２過程で先に読出さ
れたデータがｎビツトすべて「１」であれば電源
オフ状態（NO）であるため、そのまま５過程の
主ルーチン処理過程に入り、リレー７′はオフ状
態のまま保持されることになる。したがつてリレ
ー７′がオフ状態のとき、電力Ｈがしや断され、
再び印加された場合でも電力Ｈがしや断される直
前の状態をメモリ３から読出し、その状態を保持
することができる。

この実施例によれば、自己保持型リレーを同様
な動作を、不揮発性メモリ素子と通常の自己保持
型でないリレーもしくは半導体スイツチ素子およ
び制御回路で構成し、制御回路のオン駆動または
オフ駆動の電源の状態を不揮発性メモリに書き込
むため、自己保持型リレーを用いた場合よりも回
路の簡素化を図れ、コストダウンとすることがで
きる。

また、実施例では、被制御回路を開閉制御する
スイツチング回路、このスイツチング回路をオン
オフ駆動する制御回路およびそのオン状態、オフ
状態を記憶する不揮発性メモリを有し、このメモ
リの電源オン状態のデータの書き込みにｎビツト
のうちの少なくとも１ビツトが「１」でないデー
タを用いて書込動作だけで処理し、電源オフ状態
のデータとして２ビツトすべて「１」のデータを
用いて消去動作だけで処理するようにしている。
その結果、電源状態を確実にメモリに記憶させる
ことができ、データの書き込みに際して消去動作
を伴わないため、消去・書き込みの一連の操作工
程を簡略化でき、書き込み直前に制御回路が初期
状態に戻つても書き込みデータを誤ることがなく
なる。すなわち、多くの場合、不揮発性メモリを
一たん消去して後、電源状態のデータを書き込む
ため、消去・書込という一連の操作が必要となる
とともに、その操作中でメモリを消去して電源状
態を書き込む直前に制御回路が初期状態に戻つた
とき、メモリの内容が消去されたままとなり正確
な電源状態を書き込むことができなく誤動作の原
因になるからである。

以上のように、この発明の電源制御方式は、ス
イツチング回路と、記憶素子と、制御回路とでス
イツチング回路を自己保持動作させるようにした
ため、従来の自己保持型リレーと同様な動作を、
通常リレーもしくは半導体スイツチ素子で実現す
ることが可能になり、回路の簡素化が可能にな
り、コストダウンさらには半導体が可能になると
いう効果がある。また不揮発性メモリを動作させ
るための電源の動作状態と、不揮発性メモリにお
けるデータの書き込みおよび消去の動作を対応さ
せて電源のオン／オフの状態を記憶させることに
より、不揮発性メモリ自体の電源オン／オフにと
もなう書き込みおよび消去メカニズムの不安定性
を補償できる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例のブロツク図、第
２図は制御回路の初期状態におけるタイムチヤー
ト、第３図は要部詳細ブロツク図、第４図はメモ
リの詳細ブロツク図、第５図はフローチヤート、
第６図は従来例のブロツク図である。 １……リモコン受信部（操作信号）、２……制
御回路、３……不揮発性メモリ、６……操作スイ
ツチ（操作信号）、７……電源開閉器、７′……リ
レー（スイツチング回路）、８……被制御回路。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 被制御回路の電源を開閉制御するスイツチン
   グ回路と、操作信号により前記スイツチング回路
   にオン信号またはオフ信号を出力する制御回路と
   を有し、 この制御回路のオン信号またはオフ信号の出力
   状態を記憶素子の書き込みかつこの記憶素子から
   制御回路に読み出して前記スイツチング回路をオ
   ン状態もしくはオフ状態に維持させるようにした
   電源制御方式であつて、 前記記憶素子は不揮発性メモリ素子であつて、
   書き込み動作をする際に、電源オン状態を示すデ
   ータを前記不揮発性メモリ素子の一つのアドレス
   に設定するとともに、消去動作をする際に、電源
   オフ状態を示すデータを前記不揮発性メモリ素子
   の前記一つのアドレスに設定し、 前記制御回路は、電源が動作開始したときに前
   記不揮発性メモリ素子から電源状態のデータを読
   み出す第１過程と、その電源状態のデータが電源
   オン状態か電源オフ状態かを判定する第２過程
   と、その電源状態のデータが電源オンを示すデー
   タであると、前記オン信号を前記スイツチング回
   路に出力する第３過程と、前記オン信号により前
   記不揮発性メモリ素子へアドレスデータを入力
   し、さらに前記不揮発性メモリ素子へ電源オン状
   態を示すデータを入力し、前記アドレスに書き込
   む第４過程と、電源状態以外の制御を行なう第５
   過程と、入力された前記操作信号が電源状態をオ
   ン状態にする制御かどうかを判別する第６過程
   と、入力された前記操作信号が電源状態をオフ状
   態にする制御かどうかを判別する第７過程と、第
   ６過程でオン信号と判別すると、第３過程に戻る
   ようにし、第７過程で、オフ信号と判定するとこ
   のオフ信号により前記不揮発性メモリ素子へアド
   レスデータを入力し、前記不揮発性メモリ素子の
   このアドレスのデータを消去し、電源オフ状態を
   書き込む第８過程と、この後、スイツチング回路
   に電源オフ信号を出力する第９過程とを有し、こ
   の第９過程の後は前記第５過程、第６過程、第７
   過程を処理するようにした電源制御方式。