JPH0579938B2 - - Google Patents
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- JPH0579938B2 JPH0579938B2 JP23009783A JP23009783A JPH0579938B2 JP H0579938 B2 JPH0579938 B2 JP H0579938B2 JP 23009783 A JP23009783 A JP 23009783A JP 23009783 A JP23009783 A JP 23009783A JP H0579938 B2 JPH0579938 B2 JP H0579938B2
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- JP
- Japan
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- electron beam
- slit
- optical spectrometer
- mirror
- light
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 30
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 25
- 238000005136 cathodoluminescence Methods 0.000 claims description 13
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 6
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 101700004678 SLIT3 Proteins 0.000 description 1
- 102100027339 Slit homolog 3 protein Human genes 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
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- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明は、Ｘ線マイクロアナライザ（EPMA）
や走査電子顕微鏡（SEM）などでカソードルミ
ネツセンス像を得るために付属装置として用いら
れるカソードルミネツセンス装置に関する。
や走査電子顕微鏡（SEM）などでカソードルミ
ネツセンス像を得るために付属装置として用いら
れるカソードルミネツセンス装置に関する。
(ロ) 従来技術
一般に、カソードルミネツセンス装置でカソー
ドルミネツセンス像を得るには、試料に電子ビー
ムを二次元走査しながら照射し、試料からこれに
より励起されて放射される光を光分光器へ導き、
この光分光器で分光した特定波長の光を検出器で
検出する。このように、試料のカソードルミネツ
センス像を得るには電子ビームが二次元走査され
るので、これにともない光分光器に焦光される光
の位置も変化する。従つて、光分光器のスリツト
を無関係に固定したままではスリツト自体が光の
障害となり光分光器へ導光できなくなる。このた
め、従来のものでは電子ビームの走査領域の大き
さに応じて光分光器のスリツト幅を広げ光分光器
内へ光が支障なく導かれるようにしている。とこ
ろがこのようにスリツト幅を広げると光分光器の
分解能が低下し鮮明なカソードルミネツセンス像
が得られなくなるという難点がある。
ドルミネツセンス像を得るには、試料に電子ビー
ムを二次元走査しながら照射し、試料からこれに
より励起されて放射される光を光分光器へ導き、
この光分光器で分光した特定波長の光を検出器で
検出する。このように、試料のカソードルミネツ
センス像を得るには電子ビームが二次元走査され
るので、これにともない光分光器に焦光される光
の位置も変化する。従つて、光分光器のスリツト
を無関係に固定したままではスリツト自体が光の
障害となり光分光器へ導光できなくなる。このた
め、従来のものでは電子ビームの走査領域の大き
さに応じて光分光器のスリツト幅を広げ光分光器
内へ光が支障なく導かれるようにしている。とこ
ろがこのようにスリツト幅を広げると光分光器の
分解能が低下し鮮明なカソードルミネツセンス像
が得られなくなるという難点がある。
(ハ) 目的
本発明は上述の問題点に鑑みてなされたもので
あつて、カソードルミネツセンス像が倍率すなわ
ち走査範囲に関係なく常に高分解能で観察できる
ようにすることを目的とする。
あつて、カソードルミネツセンス像が倍率すなわ
ち走査範囲に関係なく常に高分解能で観察できる
ようにすることを目的とする。
(ニ) 構成
本発明はこのような目的を達成するため、電子
ビーム走査と同期してスリツトあるいは反射用の
ミラーを変位させ、試料からの光を支障なくスリ
ツトを通して光分光器内へ導くようにしている。
ビーム走査と同期してスリツトあるいは反射用の
ミラーを変位させ、試料からの光を支障なくスリ
ツトを通して光分光器内へ導くようにしている。
(ホ) 実施例
以下、本発明を図面に示す一実施例に基づいて
詳細に説明する。なお、この実施例ではEPMA
にカソードルミネツセンス装置を取付けた場合に
ついて説明する。
詳細に説明する。なお、この実施例ではEPMA
にカソードルミネツセンス装置を取付けた場合に
ついて説明する。
図はEPMAとこれに取付けられたカソードル
ミネツセンス装置の構成図である。同図におい
て、１はEPMA、２はカソードルミネツセンス
装置、４は試料である。６は電子銃（図示せず）
から放出される電子ビームを偏向させる偏向コイ
ル、８はこの偏向コイル８に電子ビーム制御信号
を出力して電子ビームの走査制御を行なう走査制
御部である。１０，１２は反射対物レンズ、１４
は反射ミラー、１６は電子ビーム収束用の対物レ
ンズ、１８は二次電子検出器でこれらは通常の
EPMAに設けられている。一方、カソードルミ
ネツセンス装置２は、EPMA１の反射ミラー１
６からの光を再び反射するためのハーフミラー２
０、このハーフミラー２０で反射された光を焦光
する複数の焦光レンズ２１，２２，２３、焦光さ
れた光を分光する光分光器２４、この光分光器２
４で分光された光を検出する検出器２６およびス
リツト駆動部２８を主体に構成される。検出器２
４は入口用および出口用の両スリツト３０，３２
の間に、複数の反射ミラー３４，３４……と回折
格子３６とが配置されてなる。この両スリツト３
０，３２は、光の入射方向に対して直交し、か
つ、互いに並行に配置されており、しかも、電子
ビームのラスタスキヤン方向（図上紙面に垂直方
向）にスリツト穴の長手方向が一致させてある。
また、回折格子３６も、その溝に直交する方向が
スリツト３０、３２穴の長手方向と一致するよう
配置されている。スリツト駆動部２８はスリツト
３０，３２を電子ビームのラスタスキヤン方向と
直交する方向（図中矢印Ｘで示す左右方向）に駆
動させるもので、たとえばサーボモータ２８ａと
アクチユエータ２８ｂとで構成され、サーボモー
タ２８ａが前記走査制御部８に、また、アクチユ
エータ２８ｂが両スリツト３０，３２に共通にそ
れぞれ接続されている。なお３４は接眼レンズで
ある。
ミネツセンス装置の構成図である。同図におい
て、１はEPMA、２はカソードルミネツセンス
装置、４は試料である。６は電子銃（図示せず）
から放出される電子ビームを偏向させる偏向コイ
ル、８はこの偏向コイル８に電子ビーム制御信号
を出力して電子ビームの走査制御を行なう走査制
御部である。１０，１２は反射対物レンズ、１４
は反射ミラー、１６は電子ビーム収束用の対物レ
ンズ、１８は二次電子検出器でこれらは通常の
EPMAに設けられている。一方、カソードルミ
ネツセンス装置２は、EPMA１の反射ミラー１
６からの光を再び反射するためのハーフミラー２
０、このハーフミラー２０で反射された光を焦光
する複数の焦光レンズ２１，２２，２３、焦光さ
れた光を分光する光分光器２４、この光分光器２
４で分光された光を検出する検出器２６およびス
リツト駆動部２８を主体に構成される。検出器２
４は入口用および出口用の両スリツト３０，３２
の間に、複数の反射ミラー３４，３４……と回折
格子３６とが配置されてなる。この両スリツト３
０，３２は、光の入射方向に対して直交し、か
つ、互いに並行に配置されており、しかも、電子
ビームのラスタスキヤン方向（図上紙面に垂直方
向）にスリツト穴の長手方向が一致させてある。
また、回折格子３６も、その溝に直交する方向が
スリツト３０、３２穴の長手方向と一致するよう
配置されている。スリツト駆動部２８はスリツト
３０，３２を電子ビームのラスタスキヤン方向と
直交する方向（図中矢印Ｘで示す左右方向）に駆
動させるもので、たとえばサーボモータ２８ａと
アクチユエータ２８ｂとで構成され、サーボモー
タ２８ａが前記走査制御部８に、また、アクチユ
エータ２８ｂが両スリツト３０，３２に共通にそ
れぞれ接続されている。なお３４は接眼レンズで
ある。
上記構成において、カソードルミネツセンス像
を得る場合には走査制御部８から電子ビーム制御
信号を偏向コイル６に出力し、偏向コイル６の磁
界を変えることによつて、試料４に照射される電
子ビームのラスタスキヤンしつつこれと直交する
方向（Ｘ方向）に順次移動させる。このように電
子ビームを試料４上で二次元走査することにより
試料４から放射された光は、反射対物レンズ１
０，１２、反射ミラー１４、ハーフミラー２０を
介して焦光レンズ２１，２２，２３で光分光器２
４に焦光される。この焦光位置は電子ビームの二
次元走査に同期して変位する。走査制御部８から
出力される電子ビーム制御信号は同時にスリツト
駆動部２８のサーボモータ２８ａにも与えられ
る。サーボモータ２８ａはこの電子ビーム制御信
号に応答して、電子ビームがＸ方向に移動する間
のみアクチユエータ２８ｂを介してスリツト３
０，３２を駆動する。従つて、スリツト３０，３
２は電子ビームが１つのラスタスキヤンから次の
ラスタスキヤンに移る間にこれに同期して順次左
方向（あるいは右方向）に変位される。これによ
り、スリツト３０，３２は分解能上必要な一定の
幅を保つたままで焦光された光が入口用のスリツ
ト３０を通つて光分光器２４内に導入され、か
つ、回折格子３６で分光された特性波長の光が出
口用のスリツト３２を通つて検出器２６で検出さ
れる。
を得る場合には走査制御部８から電子ビーム制御
信号を偏向コイル６に出力し、偏向コイル６の磁
界を変えることによつて、試料４に照射される電
子ビームのラスタスキヤンしつつこれと直交する
方向（Ｘ方向）に順次移動させる。このように電
子ビームを試料４上で二次元走査することにより
試料４から放射された光は、反射対物レンズ１
０，１２、反射ミラー１４、ハーフミラー２０を
介して焦光レンズ２１，２２，２３で光分光器２
４に焦光される。この焦光位置は電子ビームの二
次元走査に同期して変位する。走査制御部８から
出力される電子ビーム制御信号は同時にスリツト
駆動部２８のサーボモータ２８ａにも与えられ
る。サーボモータ２８ａはこの電子ビーム制御信
号に応答して、電子ビームがＸ方向に移動する間
のみアクチユエータ２８ｂを介してスリツト３
０，３２を駆動する。従つて、スリツト３０，３
２は電子ビームが１つのラスタスキヤンから次の
ラスタスキヤンに移る間にこれに同期して順次左
方向（あるいは右方向）に変位される。これによ
り、スリツト３０，３２は分解能上必要な一定の
幅を保つたままで焦光された光が入口用のスリツ
ト３０を通つて光分光器２４内に導入され、か
つ、回折格子３６で分光された特性波長の光が出
口用のスリツト３２を通つて検出器２６で検出さ
れる。
上記実施例では電子ビーム走査に同期してスリ
ツトを変位させるようにしているが、光分光器の
スリツトは固定しておき、その代りに試料４から
光分光器２４までの光路中に配置されたミラー
（本例ではたとえばハーフミラー２０）に、この
ハーフミラー２０を電子ビームのラスタスキヤン
方向と直交する方向（図中Ｘ方向）に駆動するミ
ラー駆動部３６を接続するとともに、このミラー
駆動部３６を走査制御部８に接続し、これによつ
て、ハーフミラー２０を電子ビーム走査に同期し
て微動し、常に光をスリツト位置に焦光させるよ
うにしても同じ効果が得られる。
ツトを変位させるようにしているが、光分光器の
スリツトは固定しておき、その代りに試料４から
光分光器２４までの光路中に配置されたミラー
（本例ではたとえばハーフミラー２０）に、この
ハーフミラー２０を電子ビームのラスタスキヤン
方向と直交する方向（図中Ｘ方向）に駆動するミ
ラー駆動部３６を接続するとともに、このミラー
駆動部３６を走査制御部８に接続し、これによつ
て、ハーフミラー２０を電子ビーム走査に同期し
て微動し、常に光をスリツト位置に焦光させるよ
うにしても同じ効果が得られる。
(ヘ) 効果
以上のように本発明によれば電子ビーム走査と
同期してスリツトあるいはミラーを変位させるよ
うにしているので、常に光はスリツトを通して光
分光器内に導かれることになりスリツト幅を拡げ
る必要がない。従つて、カソードルミネツセンス
像が走査範囲に影響されず常に高分解能で観察で
きるようになるという優れた効果が得られる。
同期してスリツトあるいはミラーを変位させるよ
うにしているので、常に光はスリツトを通して光
分光器内に導かれることになりスリツト幅を拡げ
る必要がない。従つて、カソードルミネツセンス
像が走査範囲に影響されず常に高分解能で観察で
きるようになるという優れた効果が得られる。
図面は本発明の一実施例のEPMAに取付けた
カソードルミネツセンス装置の構成図である。 １……EPMA、２……カソードルミネツセン
ス装置、４……試料、８……走査制御部、２４…
…光分光器、２６……検出器、２８……スリツト
駆動部、３０，３２……スリツト、３６……回折
格子。
カソードルミネツセンス装置の構成図である。 １……EPMA、２……カソードルミネツセン
ス装置、４……試料、８……走査制御部、２４…
…光分光器、２６……検出器、２８……スリツト
駆動部、３０，３２……スリツト、３６……回折
格子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 試料から電子ビームで励起されて放射される
光を分光する光分光器と、この光分光器で分光さ
れた光を検出する検出器とを備え、前記光分光器
はスリツトと回折格子とを配置して構成されたカ
ソードルミネツセンス装置において、前記スリツ
トには、このスリツトを光の入射方向に対して垂
直な平面内で電子ビームのラスタスキヤン方向と
直交する方向に駆動させるスリツト駆動部を接続
するとともに、このスリツト駆動部を前記電子ビ
ームの走査制御部に接続し、前記スリツトを電子
ビーム走査と同期して変位させるようにしたこと
を特徴とするカソードルミネツセンス装置。 ２ 試料から電子ビームで励起されて放射される
光を分光する光分光器と、この光分光器で分光さ
れた光を検出する検出器とを備え、前記光分光器
はスリツトと回折格子とを配置して構成されたカ
ソードルミネツセンス装置において、前記試料か
ら光分光器までの光路中に光分光器のスリツトに
向けて光を反射させるミラーを配置し、このミラ
ーにミラーを電子ビームのラスタスキヤン方向と
直交する方向に駆動させるミラー駆動部を接続す
るとともに、このミラー駆動部を前記電子ビーム
の走査制御部に接続し、前記ミラーを電子ビーム
走査と同期して変位させるようにしたことを特徴
とするカソードルミネツセンス装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23009783A JPS60122332A (ja) | 1983-12-05 | 1983-12-05 | カソ−ドルミネッセンス装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23009783A JPS60122332A (ja) | 1983-12-05 | 1983-12-05 | カソ−ドルミネッセンス装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60122332A JPS60122332A (ja) | 1985-06-29 |
| JPH0579938B2 true JPH0579938B2 (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=16902499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23009783A Granted JPS60122332A (ja) | 1983-12-05 | 1983-12-05 | カソ−ドルミネッセンス装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60122332A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20250246374A1 (en) * | 2024-01-26 | 2025-07-31 | Apaq Technology Co., Ltd. | Wound capacitor package structure and method for manufacturing the same, and movable device |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102013209104A1 (de) * | 2013-05-16 | 2014-11-20 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur spektroskopischen Analyse |
| NL2023249B1 (en) * | 2019-06-03 | 2020-12-11 | Delmic Ip B V | Apparatus and method for detecting one or more scanning charged particle beams |
-
1983
- 1983-12-05 JP JP23009783A patent/JPS60122332A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20250246374A1 (en) * | 2024-01-26 | 2025-07-31 | Apaq Technology Co., Ltd. | Wound capacitor package structure and method for manufacturing the same, and movable device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60122332A (ja) | 1985-06-29 |
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